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封装：ESOP-8

此款AT8236电机驱动芯片,是一款全桥DMOS有刷电机驱动芯片、宽电压供电，6.5V-40V RDS(ON)电阻为600mΩ 3.6A峰值驱动输出，2A持续输出能力支持欠压锁定保护低功耗休、眠模式PWM电流整流/限流/调向后面-MS代表品牌，是你PCB电路设计的最佳选择。

1+
￥2.3465 ￥2.47
10+
￥2.0805 ￥2.19
30+
￥1.9665 ￥2.07
100+
￥1.824 ￥1.92
500+
￥1.6815 ￥1.77
1000+
￥1.6435 ￥1.73

有货

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型号：EG3002 编号：C5267392

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

一款单通道高性价比的功率MOSFET管或大功率双极性晶体管门极或基极驱动专用芯片，内部集成了输入逻辑信号处理电路、快速比较器、SD快速关断处理电路及大电流输出驱动电路，专用于电源转换器及电机控制器等的功率MOSFET管驱动器。电源电压范围宽3V~30V，静态功耗低仅2mA，输出结构具有独立的源出电流OUTD端和吸入电流OUTS端引脚，可以用来独立地调节输入到MOSFET管G极的上升沿时间和下降沿时间。

5+
￥1.3263
50+
￥1.0324
150+
￥0.9064
500+
￥0.7492
2500+
￥0.6468

有货

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型号：SM420391N/8 编号：C252199

封装：插件

品牌：ARKLED(方舟)

0.39 英寸单位数码管极性共阴黑面，白胶发光颜色：红色晶片材质：AlGaInP。

数据手册

9+
￥1.396
90+
￥1.0991
459+
￥0.961
918+
￥0.8023
4590+
￥0.7316
9180+
￥0.6892

有货

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型号：DGD0211CWT-TP 编号：C51939542

封装：SOT-23-5

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

5+
￥1.408128 ￥1.8528
50+
￥1.113172 ￥1.4647
150+
￥0.986784 ￥1.2984
500+
￥0.829084 ￥1.0909
3000+
￥0.75886 ￥0.9985
6000+
￥0.71668 ￥0.943

有货

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型号：FAN3100CSX-TP 编号：C51939553

封装：SOT-23-5

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

5+
￥1.6093 ￥2.1175
50+
￥1.272164 ￥1.6739
150+
￥1.127764 ￥1.4839
500+
￥0.947492 ￥1.2467
3000+
￥0.867236 ￥1.1411
6000+
￥0.819052 ￥1.0777

有货

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型号：UCC44273DBVR-TP 编号：C51939680

封装：SOT-23-5

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

5+
￥1.6093 ￥2.1175
50+
￥1.272164 ￥1.6739
150+
￥1.127764 ￥1.4839
500+
￥0.947492 ￥1.2467
3000+
￥0.867236 ￥1.1411
6000+
￥0.819052 ￥1.0777

有货

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型号：IX4310TTR-TP 编号：C51939583

封装：SOT-23-5

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

5+
￥1.810396 ￥2.3821
50+
￥1.431232 ￥1.8832
150+
￥1.268668 ￥1.6693
500+
￥1.0659 ￥1.4025
3000+
￥0.975612 ￥1.2837
6000+
￥0.921424 ￥1.2124

有货

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型号：JSM27519 编号：C19077364

封装：SOT-23-5

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

JSM27519 器件是一款用于低电压功率 MOSFET 和 IGBT 的同相栅极驱动器。专有的抗闭锁 CMOS 技术可实现具有高稳健性的单芯片集成架构。JSM27519 的逻辑输入电平与低至 3 的 CMOS 或 TTL 逻辑输出电平兼容

5+
￥1.824 ￥2.28
50+
￥1.416 ￥1.77
150+
￥1.248 ￥1.56
500+
￥1.056 ￥1.32
3000+
￥0.96 ￥1.2
6000+
￥0.896 ￥1.12

有货

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型号：HL6288Q 编号：C50331902

封装：QFN-24(4x4)

品牌：HL(富海微)

耐压最高250V，输出驱动电流1.5A/1.8A，内置 200ns 死区时间，带上下电保护、欠压保护，QFN-24

5+
￥1.949
50+
￥1.5458
150+
￥1.373
500+
￥1.1574
2500+
￥1.0374
6000+
￥0.9797

有货

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型号：XL-DB3161SRBC 编号：C42163207

封装：DIP,14x7.5mm

品牌：XINGLIGHT(成兴光)

特性：外观尺寸（L/W/H）：7.5×14×8.5mm。发光颜色及胶体：红-R、蓝-B、纯绿-PG、白-W。能在低电压、小电流条件下驱动发光。发光响应时间极短 (< 0.1 μs)，高频特性好，单色性好，亮度高。体积小，重量轻，抗冲击性能好，固态封装，封装方式为灌胶型，稳定性高。寿命长，使用寿命在5万小时以上。应用：家用电器。健康医疗

5+
￥2.0129
50+
￥1.5778
150+
￥1.3913
500+
￥1.1587

有货

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型号：TF0216S-USQ 编号：C22358663

封装：SOT-23-5L

品牌：TFSS(德律风根)

低边高速栅极驱动器,MOSFETs或IGBTs预驱

1+
￥2.09
10+
￥1.84
30+
￥1.73
100+
￥1.59
500+
￥1.53
1000+
￥1.5

有货

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型号：SN430502N/16 编号：C252214

封装：插件

品牌：ARKLED(方舟)

0.5英寸双位数码LED显示屏。极性共阳。黑面，白胶。发光颜色：红色。晶片材质：AlGaInP

数据手册

11+
￥2.129
110+
￥1.6754
330+
￥1.481
1100+
￥1.2385

有货

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型号：TC4424AVOA713-JSM 编号：C7498963

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

驱动配置：低边负载类型：MOSFET 电源电压：4.5V~25V 峰值灌电流：4A 峰值拉电流：4A 双通道锁存保护 -40℃到125℃

1+
￥2.184 ￥2.73
10+
￥1.704 ￥2.13
30+
￥1.496 ￥1.87
100+
￥1.232 ￥1.54
500+
￥1.12 ￥1.4
1000+
￥1.048 ￥1.31

有货

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型号：HT33153ARZ 编号：C5241940

封装：SOP-8

品牌：HTCSEMI(海天芯)

HT33153专为高功率应用的IGBT驱动器而设计，这些应用包括交流感应电机控制、无刷直流电机控制和不间断电源。尽管该器件专为驱动分立和模块式IGBT而设计，但它也为驱动功率MOSFET和双极晶体管提供了经济高效的解决方案。器件保护功能包括可选择的退饱和或过流检测以及欠压检测

数据手册

1+
￥2.247 ￥3.21
10+
￥2.205 ￥3.15
30+
￥2.177 ￥3.11
100+
￥2.149 ￥3.07

有货

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型号：GS2011CR-G 编号：C22462630

封装：SMD,10x6.9mm

品牌：Guangcai Display(光彩显示)

0.2英寸，单八，共阴，红光，灰面贴片数码管

1+
￥2.85
10+
￥2.22
30+
￥1.95
100+
￥1.61
500+
￥1.46
1500+
￥1.37

有货

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型号：GS3011CB-G 编号：C22462660

封装：SMD,12x7.3mm

品牌：Guangcai Display(光彩显示)

0.3英寸，单八，共阴，蓝光，灰面贴片数码管

1+
￥2.92
10+
￥2.29
30+
￥2.02
100+
￥1.68
500+
￥1.53
1500+
￥1.44

有货

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型号：SCT51240TWBR 编号：C509058

封装：TSOT-23-5L

品牌：SCT(芯洲科技)

SCT51240是一款宽电源、单通道、高速、低端栅极驱动器，适用于功率MOSFET、IGBT以及GaN等宽带隙器件。24V电源轨可增强驱动器在功率器件转换期间的输出振铃耐受性。该器件能在低于5V的电源下进行开关操作，因此非常适合低电压阈值功率器件

数据手册

1+
￥2.92
10+
￥2.31
30+
￥2.05
100+
￥1.73
500+
￥1.42
1000+
￥1.34

有货

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型号：EG3113 编号：C480666

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

EG3113是一款高性价比的大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器中的驱动电路。 EG3113高端的工作电压可达600V，低端Vcc的电源电压范围宽2.8V~20V，静态功耗小于5uA。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道HIN内建了一个200K下拉电阻，LIN内建了上拉5V高电位，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力I0+/-Ω2/2.5A，采用SOP8封装。

数据手册

1+
￥2.93
10+
￥2.29
30+
￥2.02
100+
￥1.67
500+
￥1.34
1000+
￥1.25

有货

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型号：DRV8838DSGR 编号：C86667

封装：WSON-8-EP(2x2)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8838 具有相位/使能控制的 11V、1.8A H 桥电机驱动器

数据手册

1+
￥2.94
10+
￥2.28
30+
￥2
100+
￥1.64
500+
￥1.49
1000+
￥1.39

有货

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型号：HT1621BRQZ 编号：C2886391

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：HTCSEMI(海天芯)

RAM映射32x4 多功能LCD驱动

数据手册

1+
￥3.12
10+
￥2.73
30+
￥2.54
100+
￥2.34
500+
￥1.77
1000+
￥1.71

有货

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型号：DGD21904MS14-13 编号：C526567

封装：SO-14

品牌：DIODES(美台)

DGD21904M是一款高压/高速栅极驱动器，能够以半桥配置驱动N沟道MOSFET和IGBT。高压处理技术使DGD21904M的高端在高dV/dt条件下的自举操作中可切换至600V。DGD21904M的逻辑输入与标准TTL和CMOS电平（低至3.3V）兼容，便于与控制设备接口

数据手册

1+
￥3.13
10+
￥2.4
30+
￥2.04
100+
￥1.68
500+
￥1.47
1000+
￥1.35

有货

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型号：EG21867 编号：C20416238

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

EG21867是一款高性价比的大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器中的驱动电路。 EG21867高端的工作电压可达600V，低端VCC的电源电压范围宽7.7V~20V，静态电流约200μA。输入通道HIN和LIN内建了一个250K下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力10+1-4/4A，采用SOP8封装。

1+
￥3.23
10+
￥2.51
30+
￥2.2
100+
￥1.81
500+
￥1.64
1000+
￥1.53

有货

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型号：FP7208BXR-G1 编号：C6847470

封装：SOP-8(EP)

品牌：Advanced Analog Technology(类比)

用于LED驱动器的升压拓扑开关稳压器。它提供内置栅极驱动引脚，用于驱动外部N沟道MOSFET。误差放大器的同相输入端连接到0.2V参考电压。它具有通过外部电容设置的可编程软启动时间，以及通过外部电阻设置的过压保护。LED电流可以通过连接到EN引脚的外部信号进行调节。EN引脚可接受直流电压或PWM信号。PWM信号滤波组件包含在芯片内。

1+
￥3.26
10+
￥2.52
30+
￥2.21
100+
￥1.82
500+
￥1.65
1000+
￥1.54

有货

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型号：SP410251N/21 编号：C252216

封装：插件

品牌：ARKLED(方舟)

0.25英寸三位数码LED显示屏。极性共阳。黑面，白胶。发光颜色：红色。晶片材质：AlGaInP

数据手册

1+
￥3.27
10+
￥2.57
30+
￥2.27
100+
￥1.89
400+
￥1.73
800+
￥1.63

有货

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型号：EG2129 编号：C20416234

封装：SSOP-24

品牌：EG(屹晶微)

EG2129是一款高性价比带两个路比较器功能的全桥驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、SD控制电路、欠压关断电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路。 EG2129高端的工作电压可达600V，低端VCC的电源电压范围宽10V~20V，静态功耗低。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道HIN和LIN内建了250K下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力I0+/-0.6/1.0A，采用SSOP24封装。

1+
￥3.37
10+
￥2.97
30+
￥2.76
100+
￥2.56
500+
￥2.44
1000+
￥2.38

有货

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型号：NSG2153D 编号：C46473165

封装：SOP-8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

NSG2153(1)D 是一款集成了 50% 占空比振荡器的 600V 半桥栅极驱动器，能够驱动 N 型 MOSFET 或 IGBT 器件。NSG2153(1)D 的 CT 端在低电压（1/6th VCC）时能够同时关断高低侧输出。当 VCC 电压低于欠压阈值时，NSG2153(1)D 会将 CT 端电压拉低，同时关闭高低侧输出。NSG2153(1)D 具有很强的输出驱动能力，输出拉/灌电流脉冲峰值可以达到 +1.2A/-1.5A。NSG2153(1)D 内置死区逻辑，防止高低侧功率 MOSFET 或 IGBT 器件直通。另外，NSG2153(1)D 集成有自举二极管，用于对高侧进行自举充电。