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型号：L6472HTR 编号：C222220

封装：HTSSOP-28

品牌：ST(意法半导体)

采用运动引擎和SPI的完全集成微步进电机驱动器

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1+
￥38.79
10+
￥33.07
30+
￥29.58
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￥26.66

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型号：STM32MP157AAC3 编号：C511448

封装：TFBGA-361(12x12)

品牌：ST(意法半导体)

特性：包含先进的专利技术。 32位双核Arm Cortex-A7，每个核心L1有32K字节指令缓存和32K字节数据缓存，256K字节统一二级缓存，具备Arm NEON和Arm TrustZone。 32位Arm Cortex-M4带FPU/MPU，最高209 MHz（最高703 CoreMark）。外部DDR内存最高1 Gbyte，支持LPDDR2/LPDDR3-1066 16/32位、DDR3/DDR3L-1066 16/32位。 708 K字节内部SRAM，包括256 K字节AXI SYSRAM、384 K字节AHB SRAM、64 K字节备份域AHB SRAM和4 K字节备份域SRAM。双模式Quad-SPI内存接口。灵活的外部内存控制器，最高16位数据总线，可连接外部IC和SLC NAND内存，最高8位ECC。具备TrustZone外设，Cortex-M4资源隔离

数据手册

1+
￥53.87
10+
￥46.84
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￥42.56
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型号：MP6540HGU-A-Z 编号：C6228188

封装：QFN-26(5x5)

品牌：MPS(芯源)

MP6540H和MP6540HA是三相无刷直流电机驱动器。这些器件集成了由六个N沟道功率MOSFET组成的三个半桥、预驱动器、栅极驱动电源和电流检测放大器。MP6540H的每个半桥都有使能（EN）和PWM输入，而MP6540HA则有独立的高端和低端输入。除此之外，这两款器件完全相同。除非另有说明，本文档中对MP6540H的引用同样适用于MP6540HA。根据散热和PCB条件，MP6540H可提供高达6A的峰值电流和5A的连续输出电流。MP6540H使用内部电荷泵为高端MOSFET产生栅极驱动电源电压，并采用涓流充电电路，以维持足够的栅极驱动电压，实现100%占空比运行。内部安全特性包括热关断、欠压锁定（UVLO）和过流保护（OCP）。MP6540H采用QFN - 26（5mmx5mm）封装。

1+
￥60.0148
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￥52.6661
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￥47.7896

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型号：AM3352BZCZ80 编号：C1522308

封装：NFBGA-324

品牌：TI(德州仪器)

AM3352 Sitara 处理器: Arm Cortex-A8、1Gb 以太网、支持显示效果、CAN

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1+
￥71.67
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￥61.27
30+
￥54.93
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￥49.61

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型号：TMC4671-LA 编号：C465954

封装：QFN-76-EP(6.5x10.5)

品牌：TRINAMIC

TMC4671是一款完全集成的伺服控制器，可为无刷直流电机（BLDC）/永磁同步电机（PMSM）、两相步进电机、直流电机和音圈电机提供磁场定向控制（FOC）。所有控制功能均由硬件实现。集成的ADC、位置传感器接口和位置插值器，使该控制器成为适用于广泛伺服应用的全功能伺服控制器。

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1+
￥92.99
10+
￥83.95
30+
￥76.89
100+
￥70.73

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型号：GR6205 编号：C18164412

封装：SOT-23-6

品牌：GR(国睿)

电机驱动芯片 5V，双向马达驱动芯片，可驱动马达正转、反转、停止

20+
￥0.1857
200+
￥0.1425
600+
￥0.1185
3000+
￥0.1041
9000+
￥0.0916
21000+
￥0.0848

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型号：GR2103 编号：C18164496

封装：SOP-8

品牌：GR(国睿)

半桥驱动 GR2103是一款高性价比的高压半桥栅极驱动专用芯片，设计用于高压、高速驱动N型大功率 MOS管、IGBT管。内置欠压（UVLO）保护功能，防止功率管在过低的电压下工作，提高效率。内置防止直通功能和死区时间，防止功率管发生直通，有效保护功率器件。

5+
￥0.7249
50+
￥0.5809
150+
￥0.5089
500+
￥0.4549
2500+
￥0.4117
4000+
￥0.39

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型号：SM410501N/8 编号：C252200

封装：插件

品牌：ARKLED(方舟)

0.5 英寸单位数码管。极性共阳。黑面，白胶。发光颜色:红色。晶片材质:AlGaInP

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5+
￥0.9331
50+
￥0.7214
220+
￥0.6853
440+
￥0.5721
2420+
￥0.5217
5060+
￥0.4914

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型号：FAN3111CSX(UMW) 编号：C20623207

封装：SOT-23-5

品牌：UMW(友台半导体)

设计用于在低端开关应用中驱动 N 沟道增强型 MOSFET。具有双 CMOS 输入，其阈值参考 VDD，可与 PWM 控制器和其他与驱动器使用相同电源电压的输入信号源配合使用。

5+
￥1.2273
50+
￥0.9597
150+
￥0.845
500+
￥0.7019
3000+
￥0.6382
6000+
￥0.6

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型号：BDR6122T 编号：C908104

封装：WDFN-8-EP(2x2)

品牌：巴丁微

是一款直流电机驱动IC，输出DC电流达可到1.8A，适用于电动牙刷、智能锁、消费类产品以及其它低压或者电池供电的运动控制产品。

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5+
￥1.278
50+
￥0.9907
150+
￥0.8675
500+
￥0.7139
2500+
￥0.6455

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型号：TF2003M-TR-JSM 编号：C7432830

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

单相桥驱动，高同低反，逻辑输出电平。

1+
￥1.332 ￥1.48
10+
￥1.305 ￥1.45
30+
￥1.287 ￥1.43
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￥1.26 ￥1.4

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型号：EG3012S 编号：C2987452

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

EG3012S是一款高性价比的大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、欠压关断电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器中的驱动电路。 EG3012S高端的工作电压可达80V，Vcc的电源电压范围宽11V~30V，静态功耗低仅4.5mA。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道HIN和LIN内建了一个10K下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出结构采用半桥式达林顿管结构，采用SOP8封装。

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