安森美MOS驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：FDS6375 编号：C903628

封装：SOP-8

品牌：onsemi(安森美)

此 P 沟道 2.5V 指定 MOSFET 是先进的 PowerTrench 工艺的坚固门极版本。它针对较宽门极驱动电压额定值 (2.5V – 8V) 的电源管理应用进行了优化。

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50+
￥12.097734
200+
￥10.151343
500+
￥8.430776
1000+
￥7.097338

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型号：HUF75321P3 编号：C184884

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

此类 N 沟道功率 MOSFET 是使用创新的 UltraFET 工艺生产的。此先进工艺技术可实现每单位硅面积最低的导通电阻，从而产生出色的性能。此器件可承受雪崩模式下的高能量，二极管具有很短的逆向恢复时间和极低的存储电荷。它适用于功率能效非常重要的应用，如开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器、低压总线开关，以及便携式和电池供电产品中的功率管理。之前的开发型号为 TA75321。

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单价：
￥4.20024 / 个

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型号：NVMFD6H846NLWFT1G 编号：C900401

封装：DFN-8(4.9x5.9)

品牌：onsemi(安森美)

特性：小尺寸（5×6mm），适合紧凑设计。低RDS(on)，以最小化传导损耗。低QG和电容，以最小化驱动损耗。可选择可焊侧翼选项，以增强光学检测。 AEC-Q101合格且具备PPAP能力。这些器件无铅且符合RoHS标准

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单价：
￥4.32888 / 个

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型号：NTTFS4C05NTAG 编号：C184139

封装：PDFN-8(3.3x3.3)

品牌：onsemi(安森美)

特性：低RDS(on)以最小化传导损耗。低电容以最小化驱动损耗。优化的栅极电荷以最小化开关损耗。这些器件为无铅、无卤/无溴化阻燃剂且符合RoHS标准。应用：DC-DC转换器。功率负载开关

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1+
￥1.56
100+
￥1.536
500+
￥1.524
800+
￥1.512
1500+
￥1.5

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型号：NTHL099N60S5 编号：C2902234

封装：TO-247

品牌：onsemi(安森美)

SUPERFET V MOSFET易驱动系列在硬开关和软开关拓扑中，兼具出色的开关性能，同时不会牺牲易用性和产生电磁干扰（EMI）问题。

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1+
￥61.71
10+
￥53.54
30+
￥48.56
90+
￥44.39

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型号：HUF75639S3ST 编号：C463041

封装：TO-263AB

品牌：onsemi(安森美)

此类 N 沟道功率 MOSFET 是使用创新的 UltraFET 工艺生产的。此先进工艺技术可实现每单位硅面积最低的导通电阻，从而产生出色的性能。此器件可承受雪崩模式下的高能量，二极管具有很短的逆向恢复时间和极低的存储电荷。它适用于功率能效非常重要的应用，如开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器、低压总线开关，以及便携式和电池供电产品中的功率管理。

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10+
￥3.6612
100+
￥3.5256
200+
￥3.2544
1000+
￥3.1188
2000+
￥3.03744

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型号：FDS9400A 编号：C241822

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

这款P沟道MOSFET是采用先进功率沟槽工艺的耐用栅极版本。它针对需要宽范围栅极驱动电压额定值（4.5V - 25V）的电源管理应用进行了优化。

1+
￥12.08
10+
￥10.3
30+
￥9.32
100+
￥8.21
500+
￥7.72
1000+
￥7.49

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型号：NVMFS005N10MCLT1G 编号：C5208134

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

特性：小尺寸（5×6mm），适合紧凑设计。低RDS(on)，以最小化传导损耗。低QG和电容，以最小化驱动损耗。通过AEC-Q101认证，具备PPAP能力。无铅、无卤素/无溴化阻燃剂、无铍，符合RoHS标准

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单价：
￥5.8854 / 个

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型号：HUF75639P3 编号：C898691

封装：TO-220-3

品牌：onsemi(安森美)

此类 N 沟道功率 MOSFET 是使用创新的 UltraFET 工艺生产的。此先进工艺技术可实现每硅面积最低的导通电阻，从而产生出色的性能。此器件可承受雪崩模式下的高能量，二极管具有很短的逆向恢复时间和极低的存储电荷。它适用于功率能效非常重要的应用，如开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器、低压总线开关，以及便携式和电池运行产品中的电源管理。

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单价：
￥7.89984 / 个

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型号：FCMT299N60 编号：C463232

封装：Power-88

品牌：onsemi(安森美)

SuperFET II MOSFET 是全新的高压超结 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻，以及更低门极电荷方面的出色性能。此技术专用于最大程度降低导通损耗，提供出色的开关性能、dv/dt 速率和更高的雪崩能量。因此，SuperFET II MOSFET 非常适用于开关电源应用，如服务器/电信电源、适配器和太阳能逆变器应用。Power88 封装是一款超薄表面贴装封装（高 1mm），体积和占位都极小 (8x8 mm2)。SuperFET II MOSFET 采用 Power88 封装，具有更低的寄生电源电感以及分离的电源和驱动源，可提供出色的开关性能。Power88 提供 1 级湿度敏感性 (MSL 1)。

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单价：
￥14.60556 / 个

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型号：HUF75345G3 编号：C898255

封装：TO-247-3

品牌：onsemi(安森美)

此类 N 沟道功率 MOSFET 是使用创新的 UltraFET 工艺生产的。此先进工艺技术可实现每硅面积最低的导通电阻，从而产生出色的性能。此器件可承受雪崩模式下的高能量，二极管具有很短的逆向恢复时间和极低的存储电荷。它适用于功率能效非常重要的应用，如开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器、低压总线开关，以及便携式和电池供电产品中的电源管理。

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单价：
￥15.00576 / 个

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型号：NVMFS6H824NLT1G 编号：C900470

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

特性：小尺寸封装（5x6 mm），适合紧凑设计。低导通电阻RDS(on)，以最小化传导损耗。低栅极电荷QG和电容，以最小化驱动损耗。 NVMFS6H824NLWF 可焊侧翼选项，便于光学检测。通过 AEC-Q101 认证，具备 PPAP 能力。无铅、无卤化物，符合 RoHS 标准

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单价：
￥9.73068 / 个

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型号：NVMTS4D3N15MC 编号：C2902189

封装：PowerTDFN-8(7.9x8)

品牌：onsemi(安森美)

特性：小尺寸封装 (8x8mm)，适合紧凑设计。低导通电阻RDS(ON)，以降低传导损耗。低栅极电荷QG和电容，以降低驱动损耗。通过AEC-Q101认证，可提供生产件批准程序(PPAP)文件。无铅、无卤/无溴化阻燃剂，符合RoHS标准

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单价：
￥24.24636 / 个

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型号：NTMTSC4D3N15MC 编号：C2902181

封装：TDFNW-8(8.3x8.4)

品牌：onsemi(安森美)

特性：小尺寸封装（8x8mm），适合紧凑设计。低导通电阻RDS(on)，可降低传导损耗。低栅极电荷QG和电容，可降低驱动损耗。无铅、无卤、符合RoHS标准。应用：电动工具。电池供电吸尘器

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单价：
￥21.98112 / 个

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型号：NTMTS1D6N10MCTXG 编号：C2902236

封装：DFNW-8(8.4x8.3)

品牌：onsemi(安森美)

特性：小尺寸（8x8mm），适用于紧凑设计。低导通电阻，以最小化传导损耗。低栅极电荷和电容，以最小化驱动损耗。新型 Power 88 封装。这些器件无铅且符合 RoHS 标准

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单价：
￥41.52024 / 个

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型号：NTBLS0D8N08XTXG 编号：C22416475

封装：HPSOF-8L

品牌：onsemi(安森美)

特性：低QRR，软恢复体二极管。低RDS(on)以最小化传导损耗。低QG和电容以最小化驱动损耗。这些器件无铅、无卤/BFR且符合RoHS标准。应用：直流-直流和交流-直流中的同步整流（SR）。隔离式直流-直流转换器中的初级开关

1+
￥55.64
10+
￥48.27
30+
￥43.78
100+
￥40.02

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型号：NVMTS0D7N06CTXG 编号：C894185

封装：DFNW-8

品牌：onsemi(安森美)

特性：小尺寸（8x8mm），适合紧凑设计。低RDS(on)，以最小化传导损耗。低QG和电容，以最小化驱动损耗。通过AEC-Q101认证，具备PPAP能力。可焊侧翼电镀，便于光学检测。这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂，符合RoHS标准

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单价：
￥40.54272 / 个

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型号：FDS4675-F085 编号：C903623

封装：SO-8

品牌：onsemi(安森美)

这款P沟道MOSFET是采用先进功率沟槽工艺的耐用栅极版本。它针对需要宽范围栅极驱动电压额定值（4.5V - 20V）的电源管理应用进行了优化。

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1+
￥8.79
10+
￥7.22
30+
￥6.36
100+
￥5.38
500+
￥4.95
1000+
￥4.75

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型号：NTMS4916NR2G 编号：C463883

封装：SO-8

品牌：onsemi(安森美)

特性：低RDS(on)以最小化传导损耗。低电容以最小化驱动损耗。优化的栅极电荷以最小化开关损耗。针对5V、12V栅极驱动进行优化。这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂，且符合RoHS标准。应用：DC-DC转换器。打印机

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1+
￥3.3
10+
￥2.56
30+
￥2.25
100+
￥1.85
500+
￥1.68
1000+
￥1.57

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型号：NTR3A052PZT1G 编号：C604479

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

特性：领先的 -20V 沟槽技术，实现低导通电阻 RDS(on)。 -1.8V 额定电压，适用于低电压栅极驱动。这些器件无铅、无卤素/BFR，符合 RoHS 标准。应用：电源负载开关

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50+
￥9.322127
200+
￥7.648925
500+
￥6.246622
1000+
￥5.354247

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型号：BS270-D74Z 编号：C900829

封装：TO-92-3

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道增强型 MOSFET 是使用专利的高单元密度 DMOS 技术生产的。此产品可最大程度地降低导通电阻，同时具备强固、可靠和快速开关性能。它可用于最高要求 500 mA DC 的大多数应用。这些产品尤其适合低电压、低电流应用，如小型伺服电机控制、功率 MOSFET 门极驱动器和其他开关应用。

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1+
￥3.78
10+
￥3.05
30+
￥2.69
100+
￥2.33
500+
￥2.11
1000+
￥2

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型号：FDS6575 编号：C3279847

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

这款 P 沟道 2.5V 指定 MOSFET 是仙童半导体公司先进的 PowerTrench 工艺的坚固栅极版本。它针对具有宽范围栅极驱动电压（2）的电源管理应用进行了优化。

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20+
￥17.572784
100+
￥15.160833
1000+
￥13.954857

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型号：CPH3448-TL-W 编号：C890535

封装：CPH-3

品牌：onsemi(安森美)

特性：1.8V驱动。无卤合规。内置保护二极管

1+
￥13.68
10+
￥11.64
30+
￥10.35
100+
￥9.04
500+
￥8.45
1000+
￥8.19

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型号：NTMFS5C410NLT3G 编号：C893870

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

特性：小尺寸封装（5×6mm），适合紧凑设计。低RθJC(ON)，以最小化传导损耗。低QG和电容，以最小化驱动损耗。这些器件无铅、无卤素/BFR且符合RoHS标准

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1+
￥52.58
10+
￥45.62
30+
￥41.38
100+
￥37.82

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预售商品

型号：BSS123-F169 编号：C5205524

封装：SOT-23-3

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道增强型 MOSFET 是使用专利的高单元密度 DMOS 技术生产的。此产品可最大程度地降低导通电阻，同时具备强固、可靠和快速开关性能。BSS123 尤其适合低电压、低电流应用，如小型伺服电机控制、功率 MOSFET 门极驱动器和其他开关应用。

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1+
￥0.75
200+
￥0.2903
500+
￥0.2801
1000+
￥0.275

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预售商品

型号：NTJD1155LT2G 编号：C894002

封装：SC-88-6

品牌：onsemi(安森美)

NTJD1155L 在一个封装中集成了 P 沟道和 N 沟道 MOSFET。该器件尤其适用于需要低控制信号、低电池电压和高负载电流的便携式电子设备。该 P 沟道器件专用于使用安森美半导体先进沟槽技术的负载开关。该 N 沟道与外部电阻 (R1) 一起用作电平移位，驱动 P 沟道。该 N 沟道 MOSFET 具有内部 ESD 保护，可由低至 1.5 V 的逻辑信号驱动。 NTJD1155L 基于 1.8 至 8.0 V 的电源线运行，对 VIN 和 VON/OFF 应用 8.0 V 时可驱动最高 1.3 A 的负载。

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单价：
￥0.4428 / 个

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型号：CPH3455-TL-H 编号：C890536

封装：CPH-3

品牌：onsemi(安森美)

此功率 MOSFET 使用安森美半导体的沟槽技术生产，这是专为最大程度减小门极电荷、降低导通电阻而设计的技术。此器件适用于具有低门极电荷驱动或低导通电阻要求的应用。

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1+
￥2.35
200+
￥0.9094
500+
￥0.8775
1000+
￥0.8617

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型号：FDMC15N06 编号：C890925

封装：WDFN-8(3.3x3.3)

品牌：onsemi(安森美)

这些N沟道功率MOSFET采用创新的UItraFET工艺制造。这种先进工艺技术实现了单位硅面积内最低的通态电阻，可以带来出色的性能。此器件能够在雪崩模式下承受高能量并且二极管具有极低的反向恢复时间和存储电荷。此器件设计用于能效非常重要的应用，例如开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器、低电压总线开关以及便携式设备和电池供电产品的功率管理。

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1+
￥6.47
200+
￥2.5
500+
￥2.42
1000+
￥2.37

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型号：HUF75321D3ST 编号：C903776

封装：TO-252AA

品牌：onsemi(安森美)

此类 N 沟道功率 MOSFET 使用创新的 UltraFET 工艺生产。此先进工艺技术可实现每单位硅面积最低的导通电阻，从而产生出色的性能。此器件可承受雪崩模式下的高能量，二极管具有很短的逆向恢复时间和极低的存储电荷。它适用于功率能效非常重要的应用，如开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器、低压总线开关，以及便携式和电池运行产品中的功率管理。之前开发型号 TA75321。

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单价：
￥2.5926 / 个

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型号：HUF75329D3ST 编号：C903777

封装：TO-252AA

品牌：onsemi(安森美)

此类 N 沟道功率 MOSFET 使用创新的 UltraFET 工艺生产。此先进工艺技术可实现每单位硅面积最低的导通电阻，从而产生出色的性能。此器件可承受雪崩模式下的高能量，二极管具有很短的逆向恢复时间和极低的存储电荷。它适用于功率能效非常重要的应用，如开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器、低压总线开关，以及便携式和电池运行产品中的功率管理。之前开发型号 TA75329。

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