安森美MOS驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：NTMFD6H846NLT1G 编号：C900257

封装：DFN-8(4.9x5.9)

品牌：onsemi(安森美)

特性：小尺寸封装（5×6mm），适合紧凑设计。低RDS(ON)，以最小化传导损耗。低QG和电容，以最小化驱动损耗。无铅器件，符合RoHS标准

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型号：FCPF360N65S3R0L-F154 编号：C2902104

封装：TO-220F

品牌：onsemi(安森美)

SUPERFET III MOSFET是全新的高压超结（SJ）MOSFET系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻和较低的栅极电荷性能。这种先进技术旨在最小化传导损耗，提供卓越的开关性能，并能承受极高的dv/dt速率。因此，SUPERFET III MOSFET易驱动系列有助于解决EMI问题，并便于设计实施。

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型号：NTMFS1D1N04XMT1G 编号：C22452760

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

特性：低导通电阻 (RDS(on))，以减少传导损耗。低电容，以减少驱动损耗。小尺寸 (5 x 6 mm)，设计紧凑。这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂，符合 RoHS 标准。应用：电机驱动。电池保护

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型号：NVTFS8D1N08HTAG 编号：C3282050

封装：WDFN-8(3.3x3.3)

品牌：onsemi(安森美)

特性：小尺寸 (5x6mm)，适合紧凑设计。低RDS(on)，以最小化传导损耗。低QG和电容，以最小化驱动损耗。 NVTFWS8D1N08H-可焊侧翼选项，便于光学检测。符合AEC-Q101标准，可提供生产件批准程序 (PPAP) 文件。这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂 (BFR)，并符合RoHS标准

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型号：NVMFS5C420NLT1G 编号：C2902072

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

特性：小尺寸（5×6mm），适合紧凑设计。低RDS(on)，以最小化传导损耗。低QG和电容，以最小化驱动损耗。 NVMFS5C420NLWF-可焊侧翼选项，便于增强光学检测。 AEC-Q101合格且具备PPAP能力。这些器件无铅且符合RoHS标准

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￥15.45
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￥15.07
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型号：HUF75345P3 编号：C898687

封装：TO-220-3

品牌：onsemi(安森美)

此类 N 沟道功率 MOSFET 是使用创新的 UltraFET 工艺生产的。此先进工艺技术可实现每硅面积最低的导通电阻，从而产生出色的性能。此器件可承受雪崩模式下的高能量，二极管具有很短的反向恢复时间和极低的存储电荷。它适用于功率效率非常重要的应用，如开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器、低压总线开关，以及便携式和电池运行产品中的电源管理。

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型号：NTMFS6H818NLT1G 编号：C900317

封装：DFN-5(5.9x4.9)

品牌：onsemi(安森美)

特性：小尺寸 (5x6 mm)，适合紧凑设计。低RDS(on)，以最小化传导损耗。低QG和电容，以最小化驱动损耗。这些器件无铅且符合RoHS标准

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￥16.42
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￥16.05
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型号：NVMFS6H818NLT1G 编号：C900467

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

特性：小尺寸封装（5x6 mm），适合紧凑设计。低导通电阻RDS(ON)，以最小化传导损耗。低栅极电荷QG和电容，以最小化驱动损耗。 NVMFS6H818NLWF具有可焊侧翼选项，便于光学检测。通过AEC-Q101认证，可提供PPAP文件。这些器件为无铅产品，符合RoHS标准

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￥17.73
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￥17.31
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￥17.03

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型号：NTMFS0D9N04XLT1G 编号：C25988881

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

特性：低导通电阻RDS(on)，以最小化传导损耗。低反向恢复电荷QRR，具有软恢复特性，以最小化ERR损耗和电压尖峰。低栅极电荷QG和电容，以最小化驱动和开关损耗。这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂，符合RoHS标准。应用：高开关频率DC-DC转换。同步整流

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￥17.86
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￥17.5
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型号：NTMFS0D7N04XLT1G 编号：C25988880

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

特性：低导通电阻 (RDS(on))，以最小化传导损耗。低反向恢复电荷 (QRR)，具有软恢复特性，以最小化反向恢复能量 (ERR) 损耗和电压尖峰。低栅极电荷 (QG) 和电容，以最小化驱动和开关损耗。这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂，符合 RoHS 标准。应用：高开关频率 DC-DC 转换。同步整流

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￥18.19
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￥17.73
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￥17.42

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型号：FDBL9403-F085T6 编号：C2902246

封装：HPSOF-8

品牌：onsemi(安森美)

特性：低RDS(on)，以最小化传导损耗。低QG和电容，以最小化驱动损耗。通过AEC-Q101认证，具备生产件批准程序（PPAP）能力。小尺寸封装（TOLL），适合紧凑设计。这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂（BFR），符合RoHS标准

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￥18.86
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￥16.11
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￥14.48

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型号：NTMFS0D6N03CT1G 编号：C2902063

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

特性：先进封装（5x6mm），具有出色的热传导性。超低导通电阻RDS(on)，可提高系统效率。这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂，符合RoHS标准。应用：或门。电机驱动

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￥24.54
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￥24.03
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￥23.7

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型号：NVMFWS3D6N10MCLT1G 编号：C900500

封装：DFN-5(5.9x4.9)

品牌：onsemi(安森美)

特性：小尺寸（5x6 mm），适合紧凑设计。低导通电阻 RDS(on)，以最小化传导损耗。低栅极电荷 QG 和电容，以最小化驱动损耗。可焊侧翼选项，便于光学检测。通过 AEC-Q101 认证，具备 PPAP 能力。无铅、无卤素/无溴化阻燃剂，符合 RoHS 标准

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￥25.96
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￥25.4
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￥25.02

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型号：NTP011N15MC 编号：C2902301

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

特性：屏蔽栅MOSFET技术。最大RDS(on)=10.9 mΩ，VGS = 10 V，ID = 41 A。比其他MOSFET供应商的Qrr低50%。降低开关噪声/电磁干扰。 100% UIL测试。这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂，符合RoHS标准。应用：用于ATX/服务器/电信电源的同步整流。电机驱动器和不间断电源

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￥26.38
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￥25.43

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型号：NVMFD5C650NLWFT1G 编号：C900394

封装：DFN-8(4.9x5.9)

品牌：onsemi(安森美)

特性：小尺寸（5x6 mm），适合紧凑设计。低RDS(on)，以最小化传导损耗。低QG和电容，以最小化驱动损耗。可湿侧翼选项，增强光学检测。通过AEC-Q101认证，具备PPAP能力。这些器件无铅且符合RoHS标准

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1+
￥27.11
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￥26.54
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￥26.16

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型号：FDBL0240N100 编号：C605016

封装：HPSOF-8

品牌：onsemi(安森美)

特性：最大RDS(on)=2.8 mΩ，VGS = 10 V，ID = 80 A。最大Qg(tot)=111 nC，VGS = 10 V，ID = 80 A。 UIS能力。符合RoHS标准。应用：工业电机驱动。工业电源

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1+
￥30.26
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￥29.5
30+
￥29

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型号：NTB011N15MC 编号：C2902229

封装：TO-263

品牌：onsemi(安森美)

特性：屏蔽栅MOSFET技术。最大导通电阻RDS(ON)：在VGS = 10V、ID = 41A时为10.9mΩ。 Qrr比其他MOSFET供应商低50%。降低开关噪声/电磁干扰。 100%进行UIL测试。这些器件无铅、无卤、无溴化阻燃剂，符合RoHS标准。应用：ATX/服务器/电信电源的同步整流。电机驱动和不间断电源

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1+
￥31.17
10+
￥26.89
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￥24.34

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型号：NVMTS001N06CTXG 编号：C894182

封装：DFNW-8(8.4x8.3)

品牌：onsemi(安森美)

特性：小封装尺寸（8x8mm），适合紧凑设计。低导通电阻，可降低传导损耗。低栅极电荷和电容，可降低驱动损耗。通过AEC-Q101认证，可提供生产件批准程序（PPAP）文件。可焊侧翼电镀，便于光学检测。无铅、无卤素/无溴化阻燃剂（BFR），符合RoHS标准

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1+
￥31.6
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￥30.79
30+
￥30.25

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型号：NTB5D0N15MC 编号：C2902058

封装：TO-263

品牌：onsemi(安森美)

特性：屏蔽栅MOSFET技术。最大RDS(ON)=5.0 mΩ，VGS = 10 V，ID = 97 A。 Qrr比其他MOSFET供应商低50%。降低开关噪声/EMI。 100% UIL测试。这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂，符合RoHS标准。应用：ATX/服务器/电信电源的同步整流。电机驱动器和不间断电源

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1+
￥37.72
10+
￥32.63
30+
￥27.9

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型号：NTBLS1D7N08H 编号：C2902163

封装：H-PSOF-8L

品牌：onsemi(安森美)

特性：低RDS(on)，以最小化传导损耗。低QG和电容，以最小化驱动损耗。降低开关噪声/电磁干扰。这些器件无铅且符合RoHS标准。应用：电动工具、电池供电的吸尘器。无人机、物料搬运

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1+
￥38.56
10+
￥37.58
30+
￥36.92

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型号：NTMTS0D6N04CTXG 编号：C604462

封装：DFNW-8(8.4x8.3)

品牌：onsemi(安森美)

特性：小尺寸 (8 x 8 mm)，适合紧凑设计。低RDS(on)，以最小化传导损耗。低QG和电容，以最小化驱动损耗。这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂，符合RoHS标准。应用：电动工具、电池供电的真空吸尘器。无人机、物料搬运

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1+
￥48.38
10+
￥41.74
30+
￥37.7

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型号：NTR4501NT1G 编号：C3280182

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

特性：领先的平面技术，实现低栅极电荷和快速开关。额定电压2.5 V，适用于低电压栅极驱动。 SOT-23表面贴装，占用空间小。 NVR前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用；符合AEC-Q101标准且具备PPAP能力。这些器件无铅且符合RoHS标准。应用：便携式设备的负载/电源开关。计算设备的负载/电源开关

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2+
￥0.6122
20+
￥0.5989
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￥0.5901

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型号：NTR4503NT1G 编号：C3280169

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

特性：领先的平面技术，实现低栅极电荷和快速开关。额定电压4.5V，适用于低电压栅极驱动。 SOT-23表面贴装，占位面积小（3 x 3mm）。 NV前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用；符合AEC-Q101标准，具备生产件批准程序（PPAP）能力。这些器件无铅且符合RoHS标准。应用：DC-DC转换。便携式设备的负载/电源开关

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5+
￥1.7027
50+
￥1.3549
150+
￥1.2059

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型号：BSS123W 编号：C890263

封装：SOT-323-3L

品牌：onsemi(安森美)

这款N沟道增强型场效应晶体管采用高单元密度沟槽MOSFET技术制造。该产品在实现极低导通电阻的同时，还具备坚固耐用、性能可靠和开关速度快的特点。该产品特别适用于低压、低电流应用，如小型伺服电机控制、功率MOSFET栅极驱动器、逻辑电平晶体管、高速线路驱动器、电源管理/电源供应以及开关应用

1+
￥4.69
10+
￥4.59
30+
￥4.52

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型号：NTD4860NT4G 编号：C242292

封装：DPAK

品牌：onsemi(安森美)

特性：沟槽技术，低RDS(on)以最小化传导损耗。低电容以最小化驱动损耗。优化的栅极电荷以最小化开关损耗。这些是无铅器件。应用：VCORE应用。 DC-DC转换器

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1+
￥4.94
10+
￥4.83
30+
￥4.76

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型号：NTTFS4928NTAG 编号：C464099

封装：WDFN-8(3.3x3.3)

品牌：onsemi(安森美)

特性：低RDS(on)以最小化传导损耗。低电容以最小化驱动损耗。优化的栅极电荷以最小化开关损耗。这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂，且符合RoHS标准。应用：DC-DC转换器。电源负载开关

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1+
￥5.17
10+
￥5.06
30+
￥4.98

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型号：NTMS4816NR2G 编号：C179627

封装：SO-8

品牌：onsemi(安森美)

特性：低导通电阻（RDS(on)），以最小化传导损耗。低电容，以最小化驱动损耗。优化的栅极电荷，以最小化开关损耗。这些器件为无铅产品，符合RoHS标准。应用：磁盘驱动器。 DC-DC转换器

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1+
￥5.92
10+
￥4.75
30+
￥4.16

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型号：FDS6575 编号：C3279847

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

这款 P 沟道 2.5V 指定 MOSFET 是仙童半导体公司先进的 PowerTrench 工艺的坚固栅极版本。它针对具有宽范围栅极驱动电压（2）的电源管理应用进行了优化。

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1+
￥6.56
10+
￥6.43
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￥6.34

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型号：NTTFS4C06NTWG 编号：C893912

封装：WDFN-8(3.3x3.3)

品牌：onsemi(安森美)

特性：低导通电阻（RDS(on)），以最小化传导损耗。低电容，以最小化驱动损耗。优化的栅极电荷，以最小化开关损耗。这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂，且符合RoHS标准。应用：DC-DC转换器。电源负载开关

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￥11.76
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￥9.87
30+
￥8.68

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型号：HUF75344G3 编号：C463040

封装：TO-247

品牌：onsemi(安森美)

这些 N 沟道功率 MOSFET 采用创新的 UltraFET 工艺制造。这种先进工艺技术实现了单位硅面积内最低的通态电阻，可以带来出色的性能。此器件能够在雪崩模式下承受高能量并且二极管具有极低的反向恢复时间和存储电荷。此器件设计用于能效非常重要的应用，例如开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器、低电压总线开关以及便携式设备和电池供电产品的功率管理。以前的开发类型为TA75344。

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