安森美MOS驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：NTMFD6H846NLT1G 编号：C900257

封装：DFN-8(4.9x5.9)

品牌：onsemi(安森美)

特性：小尺寸封装（5×6mm），适合紧凑设计。低RDS(ON)，以最小化传导损耗。低QG和电容，以最小化驱动损耗。无铅器件，符合RoHS标准

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型号：NTMFS1D1N04XMT1G 编号：C22452760

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

特性：低导通电阻 (RDS(on))，以减少传导损耗。低电容，以减少驱动损耗。小尺寸 (5 x 6 mm)，设计紧凑。这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂，符合 RoHS 标准。应用：电机驱动。电池保护

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型号：FCPF360N65S3R0L-F154 编号：C2902104

封装：TO-220F

品牌：onsemi(安森美)

SUPERFET III MOSFET是全新的高压超结（SJ）MOSFET系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻和较低的栅极电荷性能。这种先进技术旨在最小化传导损耗，提供卓越的开关性能，并能承受极高的dv/dt速率。因此，SUPERFET III MOSFET易驱动系列有助于解决EMI问题，并便于设计实施。

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型号：NVTFS4C02NWFTAG 编号：C2902190

封装：WDFN-8-EP(3.3x3.3)

品牌：onsemi(安森美)

特性：低导通电阻（RDS(ON)），以最小化传导损耗。低电容，以最小化驱动损耗。优化的栅极电荷，以最小化开关损耗。可选择可焊侧翼（NVTFS4C02NWF），以增强光学检测。通过 AEC-Q101 认证，具备生产件批准程序（PPAP）能力。这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂，符合 RoHS 标准。应用：反向电池保护。 DC-DC 转换器输出驱动

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型号：NVTFS8D1N08HTAG 编号：C3282050

封装：WDFN-8(3.3x3.3)

品牌：onsemi(安森美)

特性：小尺寸 (5x6mm)，适合紧凑设计。低RDS(on)，以最小化传导损耗。低QG和电容，以最小化驱动损耗。 NVTFWS8D1N08H-可焊侧翼选项，便于光学检测。符合AEC-Q101标准，可提供生产件批准程序 (PPAP) 文件。这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂 (BFR)，并符合RoHS标准

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型号：NTMFS5C628NT1G 编号：C900310

封装：DFN-5(5.9x4.9)

品牌：onsemi(安森美)

特性：小尺寸（5x6mm），适合紧凑设计。低导通电阻，以最小化传导损耗。低栅极电荷和电容，以最小化驱动损耗。这些器件无铅且符合RoHS标准

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型号：FDD5612 编号：C241779

封装：TO-252

品牌：onsemi(安森美)

这款N沟道MOSFET专为提高采用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的整体效率而设计。与具有类似RDS(ON)规格的其他MOSFET相比，这些MOSFET具有更快的开关速度和更低的栅极电荷。因此，该MOSFET易于驱动且驱动更安全（即使在非常高的频率下），并且能够实现整体效率更高的DC/DC电源设计

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型号：NTMFS1D3N04XMT1G 编号：C27869249

封装：DFN-5(5x6)

品牌：onsemi(安森美)

特性：低RDS(on)，以最小化传导损耗。低电容，以最小化驱动损耗。小尺寸（5×6mm），设计紧凑。这些器件无铅、无卤素/BFR，符合RoHS标准。应用：电机驱动。电池保护

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￥13.93
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型号：NTMFS6H801NLT1G 编号：C900316

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

特性：小尺寸（5x6 mm），适合紧凑设计。低导通电阻 RDS(on)，可降低传导损耗。低栅极电荷 QG 和电容，可降低驱动损耗。无铅且符合 RoHS 标准

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型号：NTMFS6H818NLT1G 编号：C900317

封装：DFN-5(5.9x4.9)

品牌：onsemi(安森美)

特性：小尺寸 (5x6 mm)，适合紧凑设计。低RDS(on)，以最小化传导损耗。低QG和电容，以最小化驱动损耗。这些器件无铅且符合RoHS标准

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￥16.42
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型号：NTMFS0D9N04XLT1G 编号：C25988881

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

特性：低导通电阻RDS(on)，以最小化传导损耗。低反向恢复电荷QRR，具有软恢复特性，以最小化ERR损耗和电压尖峰。低栅极电荷QG和电容，以最小化驱动和开关损耗。这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂，符合RoHS标准。应用：高开关频率DC-DC转换。同步整流

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型号：NTMFS0D7N04XLT1G 编号：C25988880

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

特性：低导通电阻 (RDS(on))，以最小化传导损耗。低反向恢复电荷 (QRR)，具有软恢复特性，以最小化反向恢复能量 (ERR) 损耗和电压尖峰。低栅极电荷 (QG) 和电容，以最小化驱动和开关损耗。这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂，符合 RoHS 标准。应用：高开关频率 DC-DC 转换。同步整流

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￥18.19
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型号：FCMT250N65S3 编号：C604995

封装：PQFN-4(8x8)

品牌：onsemi(安森美)

SUPERFET III MOSFET 是安森美半导体的全新高压超结 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻，以及更低门极电荷方面的卓越性能。此技术专用于最大程度降低导电损耗，提供卓越的开关性能、dv/dt 速率和更高的雪崩能量。因此，SUPERFET III MOSFET 非常适用于开关电源应用，如服务器/电信电源、适配器和太阳能逆变器应用。Power88 封装是一款超薄表面贴装封装（高 1mm），体积和占地面积都很小 (8 * 8 mm2)。Power88 封装内的 SUPERFET III MOSFET 具有更低的寄生电源电感以及分离的电源和驱动源，可提供卓越的开关性能。Power88 提供 1 级湿度敏感性 (MSL 1)。

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型号：NVMFWS0D9N04XMT1G 编号：C31999769

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

特性：低导通电阻RDS(on)，以最小化传导损耗。低电容，以最小化驱动损耗。小尺寸（5x6 mm），紧凑设计。通过AEC-Q101认证，具备生产件批准程序（PPAP）能力。这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂（BFR），符合RoHS标准。应用：电机驱动。电池保护

1+
￥20.86
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￥20.41
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型号：NTMFS0D6N03CT1G 编号：C2902063

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

特性：先进封装（5x6mm），具有出色的热传导性。超低导通电阻RDS(on)，可提高系统效率。这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂，符合RoHS标准。应用：或门。电机驱动

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￥24.54
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型号：NVMJST2D6N08HTXG 编号：C5208907

封装：LFPAK-10(7.5x5)

品牌：onsemi(安森美)

特性：小尺寸（5x7mm），适合紧凑设计。低RDS(on)，以最小化传导损耗。低QG和电容，以最小化驱动损耗。 TCPAK57顶部散热封装（TCPAK10）。通过AEC-Q101认证且可提供生产件批准程序文件。这些器件无铅且符合RoHS标准

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￥25.84
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￥25.25
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型号：NVMFWS3D6N10MCLT1G 编号：C900500

封装：DFN-5(5.9x4.9)

品牌：onsemi(安森美)

特性：小尺寸（5x6 mm），适合紧凑设计。低导通电阻 RDS(on)，以最小化传导损耗。低栅极电荷 QG 和电容，以最小化驱动损耗。可焊侧翼选项，便于光学检测。通过 AEC-Q101 认证，具备 PPAP 能力。无铅、无卤素/无溴化阻燃剂，符合 RoHS 标准

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1+
￥25.96
10+
￥25.4
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￥25.02

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型号：NVMFD5C650NLWFT1G 编号：C900394

封装：DFN-8(4.9x5.9)

品牌：onsemi(安森美)

特性：小尺寸（5x6 mm），适合紧凑设计。低RDS(on)，以最小化传导损耗。低QG和电容，以最小化驱动损耗。可湿侧翼选项，增强光学检测。通过AEC-Q101认证，具备PPAP能力。这些器件无铅且符合RoHS标准

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￥27.11
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￥26.54
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￥26.16

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型号：FDBL0240N100 编号：C605016

封装：HPSOF-8

品牌：onsemi(安森美)

特性：最大RDS(on)=2.8 mΩ，VGS = 10 V，ID = 80 A。最大Qg(tot)=111 nC，VGS = 10 V，ID = 80 A。 UIS能力。符合RoHS标准。应用：工业电机驱动。工业电源

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1+
￥30.26
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￥29.5
30+
￥29

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型号：NTB011N15MC 编号：C2902229

封装：TO-263

品牌：onsemi(安森美)

特性：屏蔽栅MOSFET技术。最大导通电阻RDS(ON)：在VGS = 10V、ID = 41A时为10.9mΩ。 Qrr比其他MOSFET供应商低50%。降低开关噪声/电磁干扰。 100%进行UIL测试。这些器件无铅、无卤、无溴化阻燃剂，符合RoHS标准。应用：ATX/服务器/电信电源的同步整流。电机驱动和不间断电源

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1+
￥31.17
10+
￥26.89
30+
￥24.34

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型号：NVMTS001N06CTXG 编号：C894182

封装：DFNW-8(8.4x8.3)

品牌：onsemi(安森美)

特性：小封装尺寸（8x8mm），适合紧凑设计。低导通电阻，可降低传导损耗。低栅极电荷和电容，可降低驱动损耗。通过AEC-Q101认证，可提供生产件批准程序（PPAP）文件。可焊侧翼电镀，便于光学检测。无铅、无卤素/无溴化阻燃剂（BFR），符合RoHS标准

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1+
￥32.84
10+
￥32.03
30+
￥31.49

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型号：NTB5D0N15MC 编号：C2902058

封装：TO-263

品牌：onsemi(安森美)

特性：屏蔽栅MOSFET技术。最大RDS(ON)=5.0 mΩ，VGS = 10 V，ID = 97 A。 Qrr比其他MOSFET供应商低50%。降低开关噪声/EMI。 100% UIL测试。这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂，符合RoHS标准。应用：ATX/服务器/电信电源的同步整流。电机驱动器和不间断电源

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1+
￥37.72
10+
￥32.63
30+
￥27.9

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型号：NVMTS1D6N10MCTXG 编号：C3288328

封装：DFNW-8(8.3x8.4)

品牌：onsemi(安森美)

特性：小尺寸（8x8 mm），适合紧凑设计。低Rₒₙ，以最小化传导损耗。低Q₃和电容，以最小化驱动损耗。新型Power 88封装。通过AEC-Q101认证，具备PPAP能力。这些器件无PD，符合RoHS标准

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1+
￥49.4
10+
￥48.28
30+
￥47.52

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型号：NTR4501NT1G 编号：C3280182

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

特性：领先的平面技术，实现低栅极电荷和快速开关。额定电压2.5 V，适用于低电压栅极驱动。 SOT-23表面贴装，占用空间小。 NVR前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用；符合AEC-Q101标准且具备PPAP能力。这些器件无铅且符合RoHS标准。应用：便携式设备的负载/电源开关。计算设备的负载/电源开关

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2+
￥0.6122
20+
￥0.5989
60+
￥0.5901

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型号：NTR4503NT1G 编号：C3280169

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

特性：领先的平面技术，实现低栅极电荷和快速开关。额定电压4.5V，适用于低电压栅极驱动。 SOT-23表面贴装，占位面积小（3 x 3mm）。 NV前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用；符合AEC-Q101标准，具备生产件批准程序（PPAP）能力。这些器件无铅且符合RoHS标准。应用：DC-DC转换。便携式设备的负载/电源开关

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5+
￥1.7027
50+
￥1.3549
150+
￥1.2059

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型号：BS270 编号：C896686

封装：TO-92

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道增强型 MOSFET 是使用专利的高单元密度 DMOS 技术生产的。此产品可最大程度地降低导通电阻，同时具备强固、可靠和快速开关性能。它可用于最高要求 500 mA DC 的大多数应用。这些产品尤其适合低电压、低电流应用，如小型伺服电机控制、功率 MOSFET 门极驱动器和其他开关应用。

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