安森美MOS驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：NTA7002NT1G 编号：C145524

封装：SC-75(SOT-416)

品牌：onsemi(安森美)

小信号 MOSFET 30 V，154 mA，单，N 沟道，门极 ESD 保护，SC-75

数据手册

10+
￥0.3365
100+
￥0.2705
300+
￥0.2375
3000+
￥0.2058
6000+
￥0.186
9000+
￥0.176

有货

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型号：NTD3055L104T4G 编号：C10668

封装：DPAK

品牌：onsemi(安森美)

适用于电源、转换器、功率电机控制和桥式电路中的低压高速开关应用。

数据手册

1+
￥3.4
10+
￥2.69
30+
￥2.39
100+
￥2.01
500+
￥1.66
1000+
￥1.56

有货

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型号：NTMFS5C410NLT1G 编号：C348540

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

功率 MOSFET，40V，0.82 m，330 A，单 N 沟道

数据手册

1+
￥7.59
10+
￥6.44
30+
￥5.8
100+
￥4.73
500+
￥4.42
1500+
￥4.27

有货

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型号：NTR4170NT1G 编号：C236116

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

这是一款 30 V N 沟道功率 MOSFET。

数据手册

5+
￥0.9289
50+
￥0.7396
150+
￥0.645
500+
￥0.5741
3000+
￥0.5173
6000+
￥0.4889

有货

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型号：2N7000 编号：C232838

封装：TO-92-3L

品牌：onsemi(安森美)

该款N沟道小信号MOSFET采用安森美专有的高单元密度DMOS技术生产，旨在最大程度减少导通电阻，同时提供稳固、可靠和快速的开关性能表现。它们可用于需要高达400mA DC的大多数应用，并可提供高达2A的脉冲电流，尤其适合低电压、低电流应用。

数据手册

5+
￥1.5926
50+
￥1.3141
150+
￥1.1947
1000+
￥0.9953
2000+
￥0.929
5000+
￥0.8892

有货

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型号：FDC5614P 编号：C48167

封装：SuperSOT-6

品牌：onsemi(安森美)

P沟道,-60V,-3A,105mΩ@-10V

数据手册

5+
￥2.1639
50+
￥1.6795
150+
￥1.4719
500+
￥1.2129
3000+
￥1.0976
6000+
￥1.0284

有货

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型号：NTD2955T4G 编号：C10663

封装：DPAK

品牌：onsemi(安森美)

此功率 MOSFET 适用于承受雪崩和换相模式下的高能量。适用于电源、转换器和功率电机控制中的低压高速开关应用。此类器件尤其适用于二极管速度和换相安全运行区域非常关键的桥式电路，可针对非预期的瞬时电压提供附加安全裕度。

数据手册

1+
￥3.51
10+
￥2.81
30+
￥2.52
100+
￥1.75
500+
￥1.59
1000+
￥1.49

有货

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型号：NTF2955T1G 编号：C17265

封装：SOT-223

品牌：onsemi(安森美)

这是 SOT-223 封装中的 -60 V，P 沟道 MOSFET。此器件非常坚固，拥有很大的安全运行区域。

数据手册

1+
￥3.76
10+
￥2.95
30+
￥2.6
100+
￥2.17
500+
￥1.86
1000+
￥1.74

有货

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型号：NTF3055L108T1G 编号：C152278

封装：SOT-223

品牌：onsemi(安森美)

适用于电源、转换器、功率电机控制和桥式电路中的低压高速开关应用。

数据手册

1+
￥4.51
10+
￥3.65
30+
￥3.22
100+
￥2.79
500+
￥2.3
1000+
￥2.17

有货

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型号：FDS6681Z 编号：C236906

封装：SO-8

品牌：onsemi(安森美)

此 P 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻。此器件适用于笔记本电脑和便携式电池组中常见的电源管理和负载开关应用。

数据手册

1+
￥5.34
10+
￥4.34
30+
￥3.85
100+
￥3.35
500+
￥3.06
1000+
￥2.91

有货

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型号：FDMS86101 编号：C102622

封装：Power56-8

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。

数据手册

1+
￥7.3
10+
￥6.04
30+
￥5.35
100+
￥4.57
500+
￥3.91
1000+
￥3.75

有货

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型号：FDA59N30 编号：C140696

封装：TO-3PN

品牌：onsemi(安森美)

UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。此 MOSFET 适用于降低导通电阻，提供更佳的开关性能以及更高的雪崩能量强度。此器件系列适用于开关电力转换器应用，如功率系数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。

数据手册

1+
￥13.25
10+
￥11.11
30+
￥9.78
90+
￥8.41
450+
￥7.79
900+
￥7.52

有货

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型号：2N7002ET1G 编号：C71533

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

N 沟道 MOSFET，小信号，60V，310mA，2.5 Ω 沟槽，N 沟道， SOT23

数据手册

20+
￥0.2052
200+
￥0.1593
600+
￥0.1338
3000+
￥0.1106
9000+
￥0.0973
21000+
￥0.0901

有货

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型号：BSS84 编号：C266796

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道增强型 MOSFET 是使用高单元密度的沟槽 MOSFET 技术生产的。这种极高密度工艺可最大程度地降低导通电阻，提供强固可靠的性能和快速开关。BSS84 可以最小的损耗用于最高要求 0.13 A DC 的大多数应用，可提供高达 0.52 A 的电流。此产品尤其适合需要低电流高边开关的低压应用。

数据手册

10+
￥0.5382
100+
￥0.4422
300+
￥0.3942
3000+
￥0.3332
6000+
￥0.3044
9000+
￥0.29

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型号：NTR4503NT1G 编号：C94763

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

N沟道,30V

数据手册

5+
￥0.8397
50+
￥0.7061
150+
￥0.6393
500+
￥0.5892
3000+
￥0.4931
6000+
￥0.473

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型号：NTJD4152PT1G 编号：C236239

封装：SC-88

品牌：onsemi(安森美)

特性：领先的沟槽技术，实现低导通电阻性能。小尺寸封装（相当于SC70-6）。栅极具有ESD保护。 NV前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用；符合AEC-Q101标准且具备PPAP能力。这些是无铅器件。应用：负载/电源管理。充电电路

数据手册

5+
￥1.0281
50+
￥0.8435
150+
￥0.7512
500+
￥0.6819
3000+
￥0.5603
6000+
￥0.5326

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型号：FDN335N 编号：C241804

封装：SOT-23-3

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 2.5V 指定 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持低门极电荷，实现卓越的开关性能。

数据手册

5+
￥1.083
50+
￥0.8459
150+
￥0.7442
500+
￥0.6174
3000+
￥0.561
6000+
￥0.5271

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型号：NDS355AN 编号：C236917

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

SuperSOT-3 N 沟道逻辑电平增强型电场效应晶体管是使用安森美半导体的高单元密度 DMOS 专属技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻。此类器件特别适用于笔记本电脑、手机、PCMCIA 卡和其他电池供电电路等低压应用，在此类应用中需要采用非常小形的表面贴装封装，实现快速开关和线路内低功率损耗。

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5+
￥1.61
50+
￥1.297
150+
￥1.1628
500+
￥0.9955
3000+
￥0.8521
6000+
￥0.8074

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型号：FDMS86101DC 编号：C605042

封装：PQFN-8(5x6)

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench工艺生产的，该工艺结合了屏蔽门极技术。同时结合了硅和 Dual Cool 封装技术的发展，可提供最低的 rDS(on)，因为具有极低的结到环境热阻，同时可保持卓越的开关性能。

数据手册

1+
￥3.03
10+
￥2.35
30+
￥2.06
100+
￥1.7
500+
￥1.53
1000+
￥1.44

有货

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型号：FDD86102LZ 编号：C111627

封装：DPAK(TO-252)

品牌：onsemi(安森美)

N沟道,100V,35A,22.5mΩ@10V

数据手册

1+
￥5.24
10+
￥4.22
30+
￥3.7
100+
￥3.19
500+
￥2.71
1000+
￥2.55

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型号：NCV8403ASTT1G 编号：C266786

封装：SOT-223

品牌：onsemi(安森美)

NCV8403 是一款三端子保护低压侧智能分立器件。保护功能包括过电流、高温、ESD 和用于过电压保护的集成式漏极-门极箝位。此器件提供保护，适用于严苛的汽车环境。

数据手册

1+
￥6.69
10+
￥5.35
30+
￥4.68
100+
￥4.02
500+
￥3.62
1000+
￥3.41

有货

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型号：FQP4N90C 编号：C350835

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

这款N沟道增强型功率MOSFET采用专利平面条形和DMOS技术制造。这种先进的MOSFET技术经过专门设计，可降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正（PFC）和电子灯镇流器

数据手册

1+
￥12.91
10+
￥10.86
50+
￥9.4
100+
￥8.08
500+
￥7.49
1000+
￥7.23

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型号：FCH072N60F 编号：C352884

封装：TO-247

品牌：onsemi(安森美)

SuperFET II MOSFET 是全新的高压超结 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻，以及更低门极电荷方面的卓越性能。此技术专用于最大程度降低导电损耗，提供卓越的开关性能、dv/dt 速率和更高的雪崩能量。因此，SuperFET II MOSFET 非常适用于开关电源应用，如 PFC、服务器/电信电源、FPD TV 电源、ATX 电源和工业电源应用。SuperFET II FRFET MOSFET 优化的体二极管反向恢复性能可以消除附加组件，提高系统可靠性。

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