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价格(含税)

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1个P沟道耐压:60V 电流:0.18A

型号：NDS0605 编号：C124476

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此 P 沟道增强型电场效应晶体管是使用 Fairchild 的高单元密度 DMOS 专属技术生产的。这种极高密度工艺可最大程度地降低导通电阻，提供了坚固可靠的性能和快速的开关。NDS0605 可用于最高要求 0.18A DC 的大多数应用，可以提供高达 1 A 的脉冲电流，且工作量极小。此产品尤其适用于需要低电流高压侧开关的低压应用。

数据手册

5+
￥0.5308
50+
￥0.4241
150+
￥0.3707
500+
￥0.3307
3000+
￥0.2817
6000+
￥0.2657

有货

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1个N沟道耐压:50V 电流:0.22A

型号：BSS138K 编号：C255592

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

N 沟道逻辑电平增强型场效应晶体管 50V，0.22A，1.6Ω

数据手册

5+
￥0.5379
50+
￥0.4393
150+
￥0.39
500+
￥0.353
3000+
￥0.2834
6000+
￥0.2686

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:3.1A

型号：NTR4170NT1G 编号：C236116

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

这是一款 30 V N 沟道功率 MOSFET。

数据手册

5+
￥0.8952
50+
￥0.7128
150+
￥0.6216
500+
￥0.5533
3000+
￥0.4985
6000+
￥0.4712

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:12A

型号：NTD3055-094T4G 编号：C179612

封装：DPAK

品牌：onsemi(安森美)

设计用于电源、转换器、动力电机控制和桥接电路中的低电压、高速开关应用。

数据手册

1+
￥3.99
10+
￥3.12
30+
￥2.69
100+
￥2.26
500+
￥2.01
1000+
￥1.87

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:310mA

型号：NTR5103NT1G 编号：C152469

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

小信号 MOSFET，60 V，310mA，单 N 沟道，SOT-23

数据手册

10+
￥0.2602
100+
￥0.2074
300+
￥0.181
3000+
￥0.1612
6000+
￥0.1454
9000+
￥0.1375

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:1.13A

型号：NTR4502PT1G 编号：C12325

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

P沟道,-30V,-1.95A,200mΩ@-10V

数据手册

5+
￥0.659
50+
￥0.5236
150+
￥0.4559
500+
￥0.4051
3000+
￥0.3194
6000+
￥0.2991

有货

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1个P沟道耐压:60V 电流:2.9A

型号：NVGS5120PT1G 编号：C604548

封装：TSOP-6

品牌：onsemi(安森美)

适用于低功率应用的汽车用功率 MOSFET。-60V -2.9A，111 Ω，单 P 沟道，TSOP-6，逻辑电平。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。

数据手册

1+
￥0.8784 ￥4.88
10+
￥0.7884 ￥4.38
30+
￥0.738 ￥4.1
100+
￥0.6804 ￥3.78
500+
￥0.6552 ￥3.64
1000+
￥0.6444 ￥3.58

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:1.7A

型号：NDS355AN 编号：C236917

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

SuperSOT-3 N 沟道逻辑电平增强型电场效应晶体管是使用安森美半导体的高单元密度 DMOS 专属技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻。此类器件特别适用于笔记本电脑、手机、PCMCIA 卡和其他电池供电电路等低压应用，在此类应用中需要采用非常小形的表面贴装封装，实现快速开关和线路内低功率损耗。

数据手册

5+
￥1.517
50+
￥1.2001
150+
￥1.0643
500+
￥0.8948
3000+
￥0.7496
6000+
￥0.7044

有货

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1个P沟道耐压:60V 电流:2.5A

型号：NDT2955 编号：C194179

封装：SOT-223

品牌：onsemi(安森美)

此 60V P 沟道 MOSFET 是使用 Fairchild Semiconductor 的高压沟槽工艺生产的。此产品非常适用于电源管理应用。

数据手册

5+
￥2.589
50+
￥2.0069
150+
￥1.7574
500+
￥1.4461
2500+
￥1.3075
4000+
￥1.2244

有货

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1个P沟道耐压:60V 电流:12A

型号：NTD2955T4G 编号：C10663

封装：DPAK

品牌：onsemi(安森美)

此功率 MOSFET 适用于承受雪崩和换相模式下的高能量。适用于电源、转换器和功率电机控制中的低压高速开关应用。此类器件尤其适用于二极管速度和换相安全运行区域非常关键的桥式电路，可针对非预期的瞬时电压提供附加安全裕度。

数据手册

1+
￥2.86
10+
￥2.57
30+
￥2.42
100+
￥1.83
500+
￥1.75
1000+
￥1.7

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:3A

型号：NTF3055L108T1G 编号：C152278

封装：SOT-223

品牌：onsemi(安森美)

适用于电源、转换器、功率电机控制和桥式电路中的低压高速开关应用。

数据手册

1+
￥6.63
10+
￥5.39
30+
￥4.77
100+
￥4.15
500+
￥3.45
1000+
￥3.26

有货

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1个P沟道耐压:8V 电流:3.7A

型号：NTR2101PT1G 编号：C168745

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

这是一款 8.0 V P 沟道功率 MOSFET。

数据手册

5+
￥0.7757
50+
￥0.6133
150+
￥0.5321
500+
￥0.4712
3000+
￥0.3898
6000+
￥0.3655

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:2A

型号：FDN360P 编号：C124463

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此 P 沟道逻辑电平 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持低门极电荷，实现卓越的开关性能。此类器件非常适用于要求线内低功率损耗和快速开关的低压和电池供电应用。

数据手册

5+
￥1.0895
50+
￥0.8664
150+
￥0.7708
500+
￥0.6515
3000+
￥0.5055
6000+
￥0.4736

有货

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2个N沟道耐压:25V 电流:0.5A

型号：FDG6303N 编号：C512895

封装：SC-70-6

品牌：onsemi(安森美)

这些双N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管采用飞兆半导体专有的高电池密度DMOS技术生产。这种密度非常高的工艺是专为最大限度地降低导通阻抗而定制的。该器件特别为低电压应用设计，以替代双极数字晶体管和小信号MOSFETS。

数据手册

5+
￥1.4307
50+
￥1.1147
150+
￥0.9792
500+
￥0.8102
3000+
￥0.735
6000+
￥0.6898

有货

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1个P沟道耐压:20V 电流:1.6A

型号：FDN338P 编号：C24855

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此 P 沟道 2.5V 指定 MOSFET 使用先进的低压 PowerTrench 工艺。此产品非常适用于电池管理应用。

数据手册

5+
￥1.7837
50+
￥1.3827
150+
￥1.2108
500+
￥0.9963
3000+
￥0.9008
6000+
￥0.8435

有货

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1个P沟道耐压:60V 电流:5.7A

型号：NTTFS5116PLTAG 编号：C513050

封装：WDFN-8(3.3x3.3)

品牌：onsemi(安森美)

特性：低导通电阻（RDS(on)）。快速开关。这些器件无铅且符合RoHS标准。应用：负载开关。 DC电机控制

数据手册

1+
￥2.79
10+
￥2.17
30+
￥1.9
100+
￥1.57
500+
￥1.42
1500+
￥1.33

有货

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1个N沟道耐压:100V 电流:60A

型号：FDMS86101DC 编号：C605042

封装：PQFN-8(5x6)

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench工艺生产的，该工艺结合了屏蔽门极技术。同时结合了硅和 Dual Cool 封装技术的发展，可提供最低的 rDS(on)，因为具有极低的结到环境热阻，同时可保持卓越的开关性能。

数据手册

1+
￥3.34
10+
￥2.66
30+
￥2.37
100+
￥2
500+
￥1.84
1000+
￥1.74

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:12A

型号：NTD3055L104T4G 编号：C10668

封装：DPAK

品牌：onsemi(安森美)

适用于电源、转换器、功率电机控制和桥式电路中的低压高速开关应用。

数据手册

1+
￥3.46
10+
￥2.73
30+
￥2.42
100+
￥2.03
500+
￥1.66
1000+
￥1.56

有货

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1个P沟道耐压:60V 电流:15.5A

型号：NTD20P06LT4G 编号：C179611

封装：DPAK

品牌：onsemi(安森美)

功率 MOSFET -60 V，-15.5 A，单 P 沟道 DPAK

数据手册

1+
￥4.03
10+
￥3.22
30+
￥2.81
100+
￥2.4
500+
￥2.16
1000+
￥2.03

有货

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1个P沟道耐压:500V 电流:2.1A

型号：FQD3P50TM 编号：C246440

封装：TO-252-2

品牌：onsemi(安森美)

此 P 沟道增强型功率 MOSFET 是使用平面条纹和 DMOS 专属技术生产的。此先进 MOSFET 技术适用于降低导通电阻，提供卓越的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、有源功率系数校正 (PFC) 和电子灯镇流器。

数据手册

1+
￥6.44
10+
￥5.32
30+
￥4.77
100+
￥3.98
500+
￥3.65
1000+
￥3.48

有货

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1个N沟道耐压:100V 电流:60A

型号：FDMS86101 编号：C102622

封装：Power56-8

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。

数据手册

1+
￥6.67
10+
￥5.52
30+
￥4.88
100+
￥4.16
500+
￥3.55
1000+
￥3.41

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:50A

型号：NVTFS5C673NLTAG 编号：C604646

封装：WDFN-8(3x3)

品牌：onsemi(安森美)

适用于紧凑和高能效设计的汽车用功率 MOSFET，采用 3x3mm 扁平引线封装且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。

数据手册

1+
￥7.11
10+
￥5.89
30+
￥5.27
100+
￥4.67
500+
￥4.3
1500+
￥4.12

有货

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耐压:100V 电流:50A

型号：FDMS86163P 编号：C469176

封装：PQFN-8(4.9x5.8)

品牌：onsemi(安森美)

此 P 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。

数据手册

1+
￥7.55
10+
￥6.29
30+
￥5.6
100+
￥4.24
500+
￥3.89
1000+
￥3.73

有货

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1个N沟道耐压:900V 电流:4A

型号：FQP4N90C 编号：C350835

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

这款N沟道增强型功率MOSFET采用专利平面条形和DMOS技术制造。这种先进的MOSFET技术经过专门设计，可降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正（PFC）和电子灯镇流器

数据手册

1+
￥11.6
10+
￥9.76
50+
￥8.45
100+
￥7.26
500+
￥6.73
1000+
￥6.5

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:340mA

型号：2N7002WT1G 编号：C232391

封装：SC-70(SOT-323)

品牌：onsemi(安森美)

特性：ESD 保护。低导通电阻（RDS(on)）。小尺寸表面贴装封装。 2V 前缀适用于汽车和其他需要独特现场和控制变更要求的应用；符合 AEC-Q101 标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力。这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂（BFR）且符合 RoHS 标准。应用：低端负载开关。电平转换电路

数据手册

20+
￥0.2485
200+
￥0.1991
600+
￥0.1717
3000+
￥0.1388
9000+
￥0.1245
21000+
￥0.1168

有货

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1个P沟道耐压:60V 电流:0.12A

型号：NDS0610 编号：C83570

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此 P 沟道增强型场效应晶体管是使用 Fairchild 的高单元密度 DMOS 专属技术生产的。这种极高密度工艺可最大程度地降低导通电阻，提供了坚固可靠的性能和快速的开关。NDS0610 可用于最高要求 120mA DC 的大多数应用，可以提供高达 1 A 的电流，且工作量极小。此产品尤其适用于需要低电流高压侧开关的低压应用。

数据手册

5+
￥0.5103
50+
￥0.4061
150+
￥0.354
500+
￥0.315
3000+
￥0.2457
6000+
￥0.2301

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:2.1A

型号：MGSF1N03LT1G 编号：C236231

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此类小型表面贴装 MOSFET 的低 RDS(on) 可确保最小的功率损耗和节能，使得这些器件适用于空间敏感型电源管理电路。典型应用为 DC-DC 转换器以及便携式和电池供电产品中的电源管理，如计算机、打印机、PCMCIA 卡、手机和无绳电话。

数据手册

5+
￥0.9221
50+
￥0.7513
150+
￥0.6658
500+
￥0.5575
3000+
￥0.5063
6000+
￥0.4806

有货

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1个N沟道+1个P沟道耐压:20V 电流:540mA

型号：NTZD3155CT1G 编号：C236117

封装：SOT-563

品牌：onsemi(安森美)

特性：领先的沟槽技术，实现低导通电阻（RDS(on)）性能。高效的系统性能。低阈值电压。静电放电（ESD）保护栅极。小尺寸封装，尺寸为 1.6×1.6mm。这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂，符合 RoHS 标准。应用：DC-DC 转换电路。带电平转换的负载/电源开关

数据手册

5+
￥0.9259
50+
￥0.7317
150+
￥0.6346
500+
￥0.5618
2500+
￥0.5035
4000+
￥0.4744

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:500mA

型号：BS170 编号：C111691

封装：TO-92

品牌：onsemi(安森美)

MOSFET，小信号，500 mA，60 V

数据手册

5+
￥1.029
50+
￥0.79
150+
￥0.6876
1000+
￥0.5521
2000+
￥0.4952
5000+
￥0.461

有货

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1个N沟道耐压:20V 电流:1.7A

型号：FDN335N 编号：C241804

封装：SOT-23-3

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 2.5V 指定 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持低门极电荷，实现卓越的开关性能。

数据手册

5+
￥1.0537
50+
￥0.8168
150+
￥0.7152
500+
￥0.5886
3000+
￥0.5322
6000+
￥0.4983

有货

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