安森美MOS驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：NTMFS0D5N03CT1G 编号：C2902064

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

特性：先进封装 (5x6mm)，具有出色的热传导性。超低的导通电阻RDS(on)，可提高系统效率。无铅、无卤/无溴化阻燃剂，符合RoHS标准。应用：ORing。电机驱动

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1+
￥32.75
10+
￥28.25
30+
￥25.57

有货

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型号：NTMFS5C410NLTT1G 编号：C900304

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

特性：小尺寸（5x6 mm），适合紧凑型设计。低导通电阻RDS(on)，可降低传导损耗。低栅极电荷QG和电容，可降低驱动损耗。具有可焊侧翼选项，便于光学检测。无铅、无卤、符合RoHS标准

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1+
￥38.61
10+
￥33.38
30+
￥28.13

有货

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型号：FDP8440 编号：C348532

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

特性：RDS(on) = 1.64 mΩ (TTP) @ VGS = 10 V, ID = 80 A。 Qg(tot) = 345 nC (Typ.) @ VGS = 10 V。低米勒电荷。低Qrr体二极管。 UIS能力（单脉冲和重复脉冲）。符合RoHS标准。应用：电动工具。电机驱动器和不间断电源

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1+
￥19.74
10+
￥19.29
50+
￥18.99

有货

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型号：NVTFS9D6P04M8LTAG 编号：C900546

封装：WDFN-8(3.3x3.3)

品牌：onsemi(安森美)

特性：小尺寸 (3.3x3.3mm)，适合紧凑设计。低导通电阻 (RDS(on))，以最小化传导损耗。低电容，以最小化驱动损耗。NVTFWS9D6P04M8L 可焊侧翼产品。AEC-Q101 认证且具备 PPAP 能力。这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂且符合 RoHS 标准

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1+
￥9.6
10+
￥8.13
30+
￥7.32

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型号：NTMFS1D3N04XMT1G 编号：C27869249

封装：DFN-5(5x6)

品牌：onsemi(安森美)

特性：低RDS(on)，以最小化传导损耗。低电容，以最小化驱动损耗。小尺寸（5×6mm），设计紧凑。这些器件无铅、无卤素/BFR，符合RoHS标准。应用：电机驱动。电池保护

5+
￥2.97308
10+
￥2.92182
15+
￥2.8193

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型号：NTMTSC1D6N10MCTXG 编号：C2902300

封装：DFNW-8(8.4x8.3)

品牌：onsemi(安森美)

特性：小尺寸（8x8mm），便于紧凑设计。低 RDS(on)，以最小化传导损耗。低 QG 和电容，以最小化驱动损耗。新型 Power 88 双散热封装。这些器件无铅且符合 RoHS 标准

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单价：
￥20.55456 / 个

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型号：NVMFS005N10MCLT1G 编号：C5208134

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

特性：小尺寸（5×6mm），适合紧凑设计。低RDS(on)，以最小化传导损耗。低QG和电容，以最小化驱动损耗。通过AEC-Q101认证，具备PPAP能力。无铅、无卤素/无溴化阻燃剂、无铍，符合RoHS标准

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3000+
￥5.443995
6000+
￥5.39495
9000+
￥5.29686

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型号：NTMFS6H801NLT1G 编号：C900316

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

特性：小尺寸（5x6 mm），适合紧凑设计。低导通电阻 RDS(on)，可降低传导损耗。低栅极电荷 QG 和电容，可降低驱动损耗。无铅且符合 RoHS 标准

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1500+
￥6.61958
3000+
￥6.559402
4500+
￥6.499224

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型号：FDT3612 编号：C127977

封装：SOT-223-3

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 专为提高 DC/DC 转换器的总效率而设计，可以使用同步开关 PWM 控制器，也可以使用传统开关 PWM 控制器。与具有相当的 RDS(ON) 规格的其他 MOSFET 相比，此类 MOSFET 开关速度更快，门极电荷更低。因此该 MOSFET 驱动简单，也更安全（即使在非常高的频率下亦是如此），DC/DC 电源设计具有更高的总体效率。

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8000+
￥1.603395
16000+
￥1.58895
24000+
￥1.56006

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型号：NTMFS3D5N08XT1G 编号：C22708856

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

特性：低 QRR，软恢复体二极管。低 RDS(on)，以最小化传导损耗。低 QG 和电容，以最小化驱动损耗。这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂，且符合 RoHS 标准。应用：直流-直流和交流-直流中的同步整流 (SR)。隔离式直流-直流转换器中的初级开关

3000+
￥4.141632
6000+
￥4.10432
9000+
￥4.029696

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型号：NTMFS2D5N08XT1G 编号：C24511979

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

特性：低QRR，软恢复体二极管。低RDS(on)，以最小化传导损耗。低QG和电容，以最小化驱动损耗。这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂，且符合RoHS标准。应用：DC-DC和AC-DC中的同步整流。隔离式DC-DC转换器中的初级开关

3000+
￥5.64124
6000+
￥5.589956
9000+
￥5.538672

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型号：FDS5670 编号：C274240

封装：SO-8

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 专为提高 DC/DC 转换器的总能效而设计，可以使用同步开关 PWM 控制器，也可以使用传统开关 PWM 控制器。与具有相当的 RDS(ON) 规格的其他 MOSFET 相比，此类 MOSFET 开关速度更快，门极电荷更低。因此该 MOSFET 驱动简单，也更安全（即使在非常高的频率下亦是如此），DC/DC 电源设计具有更高的总体能效。

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2500+
￥5.73496
5000+
￥5.682824
7500+
￥5.630688

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型号：NTBLS1D5N10MCTXG 编号：C5208886

封装：TOLL-8L

品牌：onsemi(安森美)

特性：低RDS(ON)以最小化传导损耗。低QG和电容以最小化驱动损耗。降低开关噪声/EMI。这些器件无铅且符合RoHS标准

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1+
￥29.279
100+
￥28.7698
300+
￥28.2606

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型号：NTBLS4D0N15MC 编号：C606054

封装：MO-299A

品牌：onsemi(安森美)

特性：低导通电阻RDS(on)，以降低传导损耗。低栅极电荷QG和电容，以降低驱动损耗。降低开关噪声/电磁干扰。这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂，符合RoHS标准。应用：电动工具、电池驱动的吸尘器。无人机、物料搬运

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1+
￥33.3
10+
￥28.51
30+
￥25.59

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型号：NVMTS4D3N15MC 编号：C2902189

封装：PowerTDFN-8(7.9x8)

品牌：onsemi(安森美)

特性：小尺寸封装 (8x8mm)，适合紧凑设计。低导通电阻RDS(ON)，以降低传导损耗。低栅极电荷QG和电容，以降低驱动损耗。通过AEC-Q101认证，可提供生产件批准程序(PPAP)文件。无铅、无卤/无溴化阻燃剂，符合RoHS标准

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单价：
￥21.821724 / 个

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型号：FDN342P 编号：C241806

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此 P 沟道 2.5V 指定 MOSFET 是先进的 PowerTrench 工艺的坚固门极版本。它针对较宽门极驱动电压额定值 (2.5V – 12V) 的电源管理应用进行了优化。

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18000+
￥0.819746
36000+
￥0.798905
54000+
￥0.771117
108000+
￥0.750276

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型号：NVMFS021N10MCLT1G 编号：C5205667

封装：DFN-5(5x6)

品牌：onsemi(安森美)

特性：小尺寸（5x6 mm），适合紧凑设计。低RDS(on)，以最小化传导损耗。低QG和电容，以最小化驱动损耗。 NVMFWS021N10MCL 可焊侧翼选项，便于光学检测。通过 AEC-Q101 认证，可提供 PPAP 文件。这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂，符合 RoHS 标准

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4500+
￥1.991118
9000+
￥1.97318
13500+
￥1.937304

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型号：NVTFS070N10MCLTAG 编号：C5208186

封装：WDFN-8

品牌：onsemi(安森美)

特性：小尺寸封装（3.3×3.3mm），适合紧凑设计。低导通电阻，可降低传导损耗。低电容，可降低驱动损耗。可焊侧翼产品。通过AEC-Q101认证，具备PPAP能力。无铅且符合RoHS标准

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1+
￥5.71
10+
￥5.58
30+
￥5.5
100+
￥5.41

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型号：NVBLS1D5N10MCTXG 编号：C5208083

封装：TOLL-8L

品牌：onsemi(安森美)

特性：低RDS(on)以最小化传导损耗。低QG和电容以最小化驱动损耗。通过AEC-Q101认证且具备PPAP能力。降低开关噪声/电磁干扰。这些器件无铅且符合RoHS标准

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1+
￥32.61
10+
￥31.78
30+
￥31.22
100+
￥30.67

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型号：MMBF170 编号：C719769

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道增强型场效应晶体管是使用 Fairchild 的高单元密度 DMOS 专属技术生产的。此产品可最大程度地降低导通电阻，同时具备坚固、可靠和快速开关性能。它可用于最高要求 500mA DC 的大多数应用。这些产品尤其适合低电压、低电流应用，如小型伺服电机控制、功率 MOSFET 门极驱动器和其他开关应用。

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100+
￥0.2295
1000+
￥0.221
3000+
￥0.2125
6000+
￥0.1955
10000+
￥0.1904

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型号：NTR4101PT1H 编号：C894085

封装：SOT-23-3

品牌：onsemi(安森美)

特性：领先的 -20V 沟槽技术，实现低导通电阻。 -1.8V 额定电压，适用于低电压栅极驱动。 SOT-23 表面贴装，占用空间小。 NTRV 前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用；符合 AEC-Q101 标准，具备 PPAP 能力。这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂，符合 RoHS 标准。应用：便携式设备的负载/电源管理。计算机的负载/电源管理

12000+
￥0.832726
24000+
￥0.811555
36000+
￥0.783327
72000+
￥0.762156

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型号：RFD16N06LESM9A 编号：C887755

封装：DPAK-3

品牌：onsemi(安森美)

这些 N 沟道功率 MOSFET 采用现代工艺生产。此工艺使用接近 LSI 集成电路的特性尺寸，可实现硅的优化利用，因此性能非常出色。这些器件适用于开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器，以及双极晶体管的发射器开关等应用。此性能是通过一个特殊的门极氧化层设计实现的，它能在 3V 到 5V 范围内的门极偏置下提供全额定传导，因此可以真正实现直接在逻辑电平 (5V) 集成电路中的开关电源控制。之前的开发型号为 TA49027。

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2500+
￥5.28027
5000+
￥5.2327
7500+
￥5.13756

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型号：FCMT180N65S3 编号：C504889

封装：PQFN-4(8x8)

品牌：onsemi(安森美)

SUPERFET III MOSFET 是安森美半导体的全新高压超结 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻，以及更低门极电荷方面的卓越性能。此工艺专用于最大程度降低导电损耗，提供卓越的开关性能、dv/dt 速率和更高的雪崩能量。因此，SUPERFET III MOSFET 非常适用于开关电源应用，如服务器/电信电源、适配器和太阳能反相器应用。Power88 封装是一款超薄表面贴装封装，高度（高 1mm）和占位都很小 (8 * 8 mm2)。Power88 封装内的 SUPERFET III MOSFET 具有更低的寄生电源电感以及分离的电源和驱动源，可提供卓越的开关性能。Power88 提供 1 级湿度敏感性 (MSL 1)。

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单价：
￥15.332652 / 个

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型号：FCMT125N65S3 编号：C504888

封装：PQFN-4(8x8)

品牌：onsemi(安森美)

SUPERFET III MOSFET 是安森美半导体的全新高压超结 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻，以及更低门极电荷方面的卓越性能。此工艺专用于最大程度降低导电损耗，提供卓越的开关性能、dv/dt 速率和更高的雪崩能量。因此，SUPERFET III MOSFET 非常适用于开关电源应用，如服务器/电信电源、适配器和太阳能反相器应用。Power88 封装是一款超薄表面贴装封装，高度（高 1mm）和占位都很小 (8 * 8 mm2)。Power88 封装内的 SUPERFET III MOSFET 具有更低的寄生电源电感以及分离的电源和驱动源，可提供卓越的开关性能。Power88 提供 1 级湿度敏感性 (MSL 1)。

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单价：
￥18.961236 / 个

我要订货

型号：NTMTS4D3N15MC 编号：C2902179

封装：PowerTDFN-8(7.9x8)

品牌：onsemi(安森美)

特性：小尺寸封装（8x8 mm），适合紧凑设计。低导通电阻RDS(ON)，可降低传导损耗。低栅极电荷QG和电容，可降低驱动损耗。无铅、无卤、符合RoHS标准。应用：电动工具。电池供电吸尘器

数据手册

单价：
￥23.740344 / 个

我要订货

型号：NTMFS2D3N04XMT1G 编号：C24511978

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

特性：低导通电阻（RDS(on)），以最小化传导损耗。低电容，以最小化驱动损耗。小尺寸（5×6mm），紧凑设计。这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂，符合RoHS标准。应用：电机驱动。电池保护

4500+
￥2.625705
9000+
￥2.60205
13500+
￥2.55474

我要订货

型号：FDS3590 编号：C903618

封装：SO-8

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 专为提高 DC/DC 转换器的总能效而设计，可以使用同步开关 PWM 控制器，也可以使用传统开关 PWM 控制器。与具有相当的 RDS(ON) 规格的其他 MOSFET 相比，此类 MOSFET 开关速度更快，门极电荷更低。因此该 MOSFET 驱动简单，也更安全（即使在非常高的频率下亦是如此），DC/DC 电源设计具有更高的总体能效。

数据手册

5000+
￥2.332554
10000+
￥2.31154
15000+
￥2.269512

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型号：FDMC8651 编号：C463244

封装：Power-33-8

品牌：onsemi(安森美)

此器件专为提高 DC/DC 转换器的效率而设计。使用 MOSFET结构中的新技术，对门极电荷和电容的各种组件进行了优化，以减少开关损耗。低门极电阻和极低的 Miller 电荷可使自适应和固定死区时间门极驱动电路具有出色的性能。维持极低的 rDS(on)，以提供子逻辑电平器件。

数据手册

3000+
￥3.879006
6000+
￥3.84406
9000+
￥3.774168

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型号：RFD14N05SM9A 编号：C464113

封装：TO-252

品牌：onsemi(安森美)

此类 N 沟道功率 MOSFET 是使用 MegaFET 工艺生产的。此工艺使用接近 LSI 集成电路的特性尺寸，可实现硅的优化利用，因此性能非常出色。此类器件适用于开关稳压器、开关转换器、电机驱动器和继电器驱动器等应用。此类晶体管可直接在集成电路中运行。之前的开发型号为 TA09770。

数据手册

5000+
￥2.230101
10000+
￥2.21001
15000+
￥2.169828

我要订货

型号：RFD16N05LSM9A 编号：C184094

封装：TO-252(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

这些 N 沟道逻辑电平功率 MOSFET 是使用 MegaFET 工艺生产的。此工艺使用接近 LSI 集成电路的特性尺寸，可实现硅的优化利用，因此性能非常出色。它们适用于可编程控制器、汽车开关、开关稳压器、电机继电器驱动器及双极晶体管的发射器开关等应用中的逻辑电平 (5V) 驱动电源。此性能是通过一个特殊的门极氧化层设计实现的，它能在 3V 到 5V 范围内的门极偏置下提供全额定传导，因此可以真正实现直接在逻辑电路电源电压中的开关电源控制。之前的开发型号为 TA09871。

数据手册

5000+
￥2.773668
10000+
￥2.74868
15000+
￥2.698704

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