安森美MOS驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：NTMFS6H836NT1G 编号：C604458

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

特性：小尺寸（5x6mm），适合紧凑设计。低导通电阻RDS(on)，以最小化传导损耗。低栅极电荷QG和电容，以最小化驱动损耗。这些器件为无铅产品，符合RoHS标准

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1+
￥9.45
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￥7.75
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￥6.81

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型号：FCPF360N65S3R0L 编号：C348537

封装：TO-220F

品牌：onsemi(安森美)

SUPERFET III MOSFET是全新的高压超结（SJ）MOSFET系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻和较低的栅极电荷性能。这种先进技术旨在最大限度地减少传导损耗，提供卓越的开关性能，并能承受极高的dv/dt速率。因此，SUPERFET III MOSFET易驱动系列有助于解决EMI问题，并便于设计实施。

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1+
￥10.59
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￥10.2

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型号：NVMFS5C420NLT1G 编号：C2902072

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

特性：小尺寸（5×6mm），适合紧凑设计。低RDS(on)，以最小化传导损耗。低QG和电容，以最小化驱动损耗。 NVMFS5C420NLWF-可焊侧翼选项，便于增强光学检测。 AEC-Q101合格且具备PPAP能力。这些器件无铅且符合RoHS标准

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1+
￥15.45
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￥15.07
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￥14.81

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型号：HUF75344G3 编号：C463040

封装：TO-247

品牌：onsemi(安森美)

这些 N 沟道功率 MOSFET 采用创新的 UltraFET 工艺制造。这种先进工艺技术实现了单位硅面积内最低的通态电阻，可以带来出色的性能。此器件能够在雪崩模式下承受高能量并且二极管具有极低的反向恢复时间和存储电荷。此器件设计用于能效非常重要的应用，例如开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器、低电压总线开关以及便携式设备和电池供电产品的功率管理。以前的开发类型为TA75344。

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1+
￥24.75
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￥24.19
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￥23.82

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型号：NTMFS0D5N03CT1G 编号：C2902064

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

特性：先进封装 (5x6mm)，具有出色的热传导性。超低的导通电阻RDS(on)，可提高系统效率。无铅、无卤/无溴化阻燃剂，符合RoHS标准。应用：ORing。电机驱动

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1+
￥32.75
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￥28.25
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￥25.57

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型号：FDP8440 编号：C348532

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

特性：RDS(on) = 1.64 mΩ (TTP) @ VGS = 10 V, ID = 80 A。 Qg(tot) = 345 nC (Typ.) @ VGS = 10 V。低米勒电荷。低Qrr体二极管。 UIS能力（单脉冲和重复脉冲）。符合RoHS标准。应用：电动工具。电机驱动器和不间断电源

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￥19.74
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￥18.99

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型号：NTMFS5C410NLTT1G 编号：C900304

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

特性：小尺寸（5x6 mm），适合紧凑型设计。低导通电阻RDS(on)，可降低传导损耗。低栅极电荷QG和电容，可降低驱动损耗。具有可焊侧翼选项，便于光学检测。无铅、无卤、符合RoHS标准

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1+
￥38.61
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￥33.38
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型号：NTMFS2D5N08XT1G 编号：C24511979

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

特性：低QRR，软恢复体二极管。低RDS(on)，以最小化传导损耗。低QG和电容，以最小化驱动损耗。这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂，且符合RoHS标准。应用：DC-DC和AC-DC中的同步整流。隔离式DC-DC转换器中的初级开关

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￥6.15408 / 个

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型号：ECH8310-TL-H 编号：C890594

封装：ECH-8

品牌：onsemi(安森美)

特性：4V驱动。无卤合规。内置保护二极管

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50+
￥7.264933
200+
￥5.960971
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￥4.868126
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型号：NTMFS5C604NLT1G 编号：C348545

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

特性：小尺寸封装（5x6 mm），适合紧凑设计。低导通电阻RDS(on)，以最小化传导损耗。低栅极电荷QG和电容，以最小化驱动损耗。这些器件无PC且符合RoHS标准

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单价：
￥8.22731 / 个

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型号：NVMFWS4D5N08XT1G 编号：C29841638

封装：DFNW-5(5x6)

品牌：onsemi(安森美)

特性：低QR，软恢复体二极管。低RDS(on)以最小化传导损耗。低QG和电容以最小化驱动损耗。AEC-Q101合格且具备PPAP能力。这些器件无铅、无卤/无BFR且符合RoHS标准。应用：直流-直流和交流-直流中的同步整流（SR）。隔离式直流-直流转换器中的初级开关

单价：
￥5.04324 / 个

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型号：FDN342P 编号：C241806

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此 P 沟道 2.5V 指定 MOSFET 是先进的 PowerTrench 工艺的坚固门极版本。它针对较宽门极驱动电压额定值 (2.5V – 12V) 的电源管理应用进行了优化。

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单价：
￥0.788858 / 个

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型号：BUZ11-NR4941 编号：C898499

封装：TO-220AB

品牌：onsemi(安森美)

这是一款 N 沟道增强型硅门极功率 MOSFET，适用于开关调节器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器以及需要高速、低门极驱动功率的高功率双极开关晶体管驱动器。此型号可直接以集成电路运行。之前的研发型号为 TA9771。

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单价：
￥3.25212 / 个

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型号：NTMFS3D5N08XT1G 编号：C22708856

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

特性：低 QRR，软恢复体二极管。低 RDS(on)，以最小化传导损耗。低 QG 和电容，以最小化驱动损耗。这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂，且符合 RoHS 标准。应用：直流-直流和交流-直流中的同步整流 (SR)。隔离式直流-直流转换器中的初级开关

单价：
￥4.47744 / 个

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型号：MMBF170 编号：C719769

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道增强型场效应晶体管是使用 Fairchild 的高单元密度 DMOS 专属技术生产的。此产品可最大程度地降低导通电阻，同时具备坚固、可靠和快速开关性能。它可用于最高要求 500mA DC 的大多数应用。这些产品尤其适合低电压、低电流应用，如小型伺服电机控制、功率 MOSFET 门极驱动器和其他开关应用。

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100+
￥0.2295
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型号：RFD16N06LESM9A 编号：C887755

封装：DPAK-3

品牌：onsemi(安森美)

这些 N 沟道功率 MOSFET 采用现代工艺生产。此工艺使用接近 LSI 集成电路的特性尺寸，可实现硅的优化利用，因此性能非常出色。这些器件适用于开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器，以及双极晶体管的发射器开关等应用。此性能是通过一个特殊的门极氧化层设计实现的，它能在 3V 到 5V 范围内的门极偏置下提供全额定传导，因此可以真正实现直接在逻辑电平 (5V) 集成电路中的开关电源控制。之前的开发型号为 TA49027。

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单价：
￥5.7084 / 个

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型号：FDS2670 编号：C903617

封装：SO-8

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 专为提高 DC/DC 转换器的总体效能而设计，可以使用同步开关 PWM 控制器，也可以使用传统开关 PWM 控制器。与具有相当的 RDS(ON) 规格的其他 MOSFET 相比，此类 MOSFET 开关速度更快，门极电荷更低。因此，该 MOSFET 驱动简单，也更安全（即使在非常高的频率下亦是如此），DC/DC 电源设计具有更高的总体效能。

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单价：
￥5.68668 / 个

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型号：FCMT180N65S3 编号：C504889

封装：PQFN-4(8x8)

品牌：onsemi(安森美)

SUPERFET III MOSFET 是安森美半导体的全新高压超结 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻，以及更低门极电荷方面的卓越性能。此工艺专用于最大程度降低导电损耗，提供卓越的开关性能、dv/dt 速率和更高的雪崩能量。因此，SUPERFET III MOSFET 非常适用于开关电源应用，如服务器/电信电源、适配器和太阳能反相器应用。Power88 封装是一款超薄表面贴装封装，高度（高 1mm）和占位都很小 (8 * 8 mm2)。Power88 封装内的 SUPERFET III MOSFET 具有更低的寄生电源电感以及分离的电源和驱动源，可提供卓越的开关性能。Power88 提供 1 级湿度敏感性 (MSL 1)。

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单价：
￥17.03628 / 个

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型号：NVBLS1D5N10MCTXG 编号：C5208083

封装：TOLL-8L

品牌：onsemi(安森美)

特性：低RDS(on)以最小化传导损耗。低QG和电容以最小化驱动损耗。通过AEC-Q101认证且具备PPAP能力。降低开关噪声/电磁干扰。这些器件无铅且符合RoHS标准

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1+
￥32.61
10+
￥31.78
30+
￥31.22
100+
￥30.67

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型号：FCMT125N65S3 编号：C504888

封装：PQFN-4(8x8)

品牌：onsemi(安森美)

SUPERFET III MOSFET 是安森美半导体的全新高压超结 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻，以及更低门极电荷方面的卓越性能。此工艺专用于最大程度降低导电损耗，提供卓越的开关性能、dv/dt 速率和更高的雪崩能量。因此，SUPERFET III MOSFET 非常适用于开关电源应用，如服务器/电信电源、适配器和太阳能反相器应用。Power88 封装是一款超薄表面贴装封装，高度（高 1mm）和占位都很小 (8 * 8 mm2)。Power88 封装内的 SUPERFET III MOSFET 具有更低的寄生电源电感以及分离的电源和驱动源，可提供卓越的开关性能。Power88 提供 1 级湿度敏感性 (MSL 1)。

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单价：
￥21.06804 / 个

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型号：NTMTS4D3N15MC 编号：C2902179

封装：PowerTDFN-8(7.9x8)

品牌：onsemi(安森美)

特性：小尺寸封装（8x8 mm），适合紧凑设计。低导通电阻RDS(ON)，可降低传导损耗。低栅极电荷QG和电容，可降低驱动损耗。无铅、无卤、符合RoHS标准。应用：电动工具。电池供电吸尘器

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单价：
￥26.37816 / 个

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型号：NTR4101PT1H 编号：C894085

封装：SOT-23-3

品牌：onsemi(安森美)

特性：领先的 -20V 沟槽技术，实现低导通电阻。 -1.8V 额定电压，适用于低电压栅极驱动。 SOT-23 表面贴装，占用空间小。 NTRV 前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用；符合 AEC-Q101 标准，具备 PPAP 能力。这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂，符合 RoHS 标准。应用：便携式设备的负载/电源管理。计算机的负载/电源管理

单价：
￥0.84684 / 个

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型号：NTMFS2D3N04XMT1G 编号：C24511978

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

特性：低导通电阻（RDS(on)），以最小化传导损耗。低电容，以最小化驱动损耗。小尺寸（5×6mm），紧凑设计。这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂，符合RoHS标准。应用：电机驱动。电池保护

单价：
￥2.8386 / 个

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型号：FDS3590 编号：C903618

封装：SO-8

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 专为提高 DC/DC 转换器的总能效而设计，可以使用同步开关 PWM 控制器，也可以使用传统开关 PWM 控制器。与具有相当的 RDS(ON) 规格的其他 MOSFET 相比，此类 MOSFET 开关速度更快，门极电荷更低。因此该 MOSFET 驱动简单，也更安全（即使在非常高的频率下亦是如此），DC/DC 电源设计具有更高的总体能效。

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单价：
￥2.52168 / 个

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型号：NVMFS6H864NT1G 编号：C604627

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

特性：小尺寸封装（5x6mm），适合紧凑设计。低导通电阻RDS(on)，以最小化传导损耗。低栅极电荷QG和电容，以最小化驱动损耗。可选择可焊侧翼封装，便于光学检测。通过AEC-Q101认证，可提供生产件批准程序（PPAP）文件。这些器件无铅且符合RoHS标准

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单价：
￥2.79888 / 个

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型号：FDMC8651 编号：C463244

封装：Power-33-8

品牌：onsemi(安森美)

此器件专为提高 DC/DC 转换器的效率而设计。使用 MOSFET结构中的新技术，对门极电荷和电容的各种组件进行了优化，以减少开关损耗。低门极电阻和极低的 Miller 电荷可使自适应和固定死区时间门极驱动电路具有出色的性能。维持极低的 rDS(on)，以提供子逻辑电平器件。

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单价：
￥4.19352 / 个

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型号：RFD14N05SM9A 编号：C464113

封装：TO-252

品牌：onsemi(安森美)

此类 N 沟道功率 MOSFET 是使用 MegaFET 工艺生产的。此工艺使用接近 LSI 集成电路的特性尺寸，可实现硅的优化利用，因此性能非常出色。此类器件适用于开关稳压器、开关转换器、电机驱动器和继电器驱动器等应用。此类晶体管可直接在集成电路中运行。之前的开发型号为 TA09770。

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单价：
￥2.41092 / 个

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型号：RFD16N05LSM9A 编号：C184094

封装：TO-252(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

这些 N 沟道逻辑电平功率 MOSFET 是使用 MegaFET 工艺生产的。此工艺使用接近 LSI 集成电路的特性尺寸，可实现硅的优化利用，因此性能非常出色。它们适用于可编程控制器、汽车开关、开关稳压器、电机继电器驱动器及双极晶体管的发射器开关等应用中的逻辑电平 (5V) 驱动电源。此性能是通过一个特殊的门极氧化层设计实现的，它能在 3V 到 5V 范围内的门极偏置下提供全额定传导，因此可以真正实现直接在逻辑电路电源电压中的开关电源控制。之前的开发型号为 TA09871。

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单价：
￥2.99856 / 个

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型号：NTMFS5C670NT1G 编号：C900312

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

特性：小尺寸封装（5×6mm），适合紧凑设计。低导通电阻RDS(on)，可降低传导损耗。低栅极电荷QG和电容，可降低驱动损耗。无铅且符合RoHS标准

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单价：
￥1.50636 / 个

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型号：RFP12N10L 编号：C898822

封装：TO-220AB-3

品牌：onsemi(安森美)

此类器件是 N 沟道增强型硅门极电场效应晶体管，专门用于可编程控制器、汽车开关和电磁驱动器等应用中的逻辑电平 (5V) 驱动电源。此性能是通过一个特殊的门极氧化层设计实现的，它能在 3V 到 5V 范围内的门极偏置下提供全额定传导，因此可以真正实现直接在逻辑电路电源电压中的开关电源控制。之前的开发型号为 TA09526。

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￥3.41196 / 个

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