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价格(含税)

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1个N沟道耐压:55V 电流:20A

型号：HUF75329D3ST 编号：C903777

封装：TO-252AA

品牌：onsemi(安森美)

此类 N 沟道功率 MOSFET 使用创新的 UltraFET 工艺生产。此先进工艺技术可实现每单位硅面积最低的导通电阻，从而产生出色的性能。此器件可承受雪崩模式下的高能量，二极管具有很短的逆向恢复时间和极低的存储电荷。它适用于功率能效非常重要的应用，如开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器、低压总线开关，以及便携式和电池运行产品中的功率管理。之前开发型号 TA75329。

数据手册

5000+
￥2.828724
10000+
￥2.80324
15000+
￥2.752272

我要订货

1个N沟道耐压:100V 电流:56A

型号：HUF75639P3-F102 编号：C898692

封装：TO-220-3

品牌：onsemi(安森美)

此类 N 沟道功率 MOSFET 是使用创新的 UltraFET 工艺生产的。此先进工艺技术可实现每硅面积最低的导通电阻，从而产生出色的性能。此器件可承受雪崩模式下的高能量，二极管具有很短的逆向恢复时间和极低的存储电荷。它适用于功率能效非常重要的应用，如开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器、低压总线开关，以及便携式和电池运行产品中的电源管理。

数据手册

1+
￥10.2
200+
￥3.95
500+
￥3.81
800+
￥3.74

订货

我要订货

1个N沟道耐压:200V 电流:3.6A

型号：FDD2670 编号：C903559

封装：TO-252

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 专为提高 DC/DC 转换器的总能效而设计，可以使用同步开关 PWM 控制器，也可以使用传统开关 PWM 控制器。与具有相当的 RDS(ON) 规格的其他 MOSFET 相比，此类 MOSFET 开关速度更快，门极电荷更低。因此该 MOSFET 驱动简单，也更安全（即使在非常高的频率下亦是如此），DC/DC 电源设计具有更高的总体能效。

数据手册

2500+
￥5.195355
5000+
￥5.14855
7500+
￥5.05494

我要订货

1个N沟道耐压:650V 电流:10A

型号：FCMT360N65S3 编号：C890866

封装：PQFN-4(8x8)

品牌：onsemi(安森美)

SUPERFET III MOSFET 是安森美半导体的全新高压超结 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻，以及更低门极电荷方面的卓越性能。此技术专用于最大程度降低导电损耗，提供卓越的开关性能、dv/dt 速率和更高的雪崩能量。因此，SUPERFET III MOSFET 非常适用于开关电源应用，如服务器/电信电源、适配器和太阳能反相器应用。Power88 封装是一款超薄表面贴装封装（高 1mm），体积和占地面积都很小 (8 * 8 mm2)。Power88 封装内的 SUPERFET III MOSFET 具有更低的寄生电源电感以及分离的电源和驱动源，可提供卓越的开关性能。Power88 提供 1 级湿度敏感性 (MSL 1)。

数据手册

单价：
￥11.819952 / 个

我要订货

1个N沟道耐压:60V 电流:115mA

型号：2N7002LT1G 编号：C16338

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

N沟道,60V,0.115A,7.5Ω@10V

数据手册

20+
￥0.1952
200+
￥0.1509
600+
￥0.1312
3000+
￥0.1099
9000+
￥0.104
21000+
￥0.1

有货

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1个N沟道耐压:50V 电流:200mA

型号：BSS138LT1G 编号：C82045

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

特性：低阈值电压 (VGS(th): 0.5V-1.5V)，适合低压应用。微型SOT-23表面贴装封装，节省电路板空间。BVSS前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用；符合AEC-Q101标准且具备PPAP能力。这些器件无铅且符合RoHS标准。应用：DC-DC转换器。便携式和电池供电产品的电源管理，如计算机、打印机、PCM/CIA卡、移动和无绳电话

数据手册

20+
￥0.2513
200+
￥0.2
600+
￥0.1772
3000+
￥0.1525
9000+
￥0.1456
21000+
￥0.141

有货

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1个N沟道耐压:25V 电流:0.22A

型号：FDV301N 编号：C15310

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道逻辑电平增强型场效应晶体管是使用高单元密度的 DMOS 专属技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻。此器件是专为在低压应用中替代数字晶体管而设计的。因为无需偏置电阻，所以此单 N 沟道 FET 可以替代若干具有各种偏置电阻值的数字晶体管。

数据手册

20+
￥0.2467
200+
￥0.1927
600+
￥0.1687
3000+
￥0.1221
9000+
￥0.1149
21000+
￥0.1101

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:380mA

型号：2N7002KT1G 编号：C116584

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

MOSFET，小信号，60 V，380mA，单 N 沟道，SOT-23

数据手册

20+
￥0.218
200+
￥0.1717
600+
￥0.146
3000+
￥0.1306
9000+
￥0.1172
21000+
￥0.11

有货

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1个N沟道耐压:100V 电流:0.17A

型号：BSS123LT1G 编号：C78755

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

功率 MOSFET 170 mA，100 V，N 沟道 SOT-23

数据手册

20+
￥0.244
200+
￥0.19
600+
￥0.16
3000+
￥0.1301
9000+
￥0.1145
21000+
￥0.1061

有货

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1个N沟道耐压:25V 电流:680mA

型号：FDV303N 编号：C80498

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

N沟道,25V,0.68A,450mΩ@4.5V；FDV301N的大电流版本

数据手册

10+
￥0.3057
100+
￥0.2432
300+
￥0.2119
3000+
￥0.1884
6000+
￥0.1697
9000+
￥0.1603

有货

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1个P沟道耐压:50V 电流:130mA

型号：BSS84LT1G 编号：C82079

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

P 沟道功率 MOSFET，逻辑电平，-50V，-130mA，10Ω，SOT-23 逻辑电平

数据手册

10+
￥0.2928
100+
￥0.2324
300+
￥0.2022
3000+
￥0.1795
6000+
￥0.1614
9000+
￥0.1524

有货

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1个P沟道耐压:20V 电流:3.2A

型号：NTR4101PT1G 编号：C35920

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

这是一个 20 V P 沟道功率 MOSFET。

数据手册

5+
￥0.6233
50+
￥0.5052
150+
￥0.4462
500+
￥0.4019
3000+
￥0.3179
6000+
￥0.3002

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:235A

型号：NTMFS5C612NLT1G 编号：C348543

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

功率 MOSFET，60V，196A，1.5mΩ，单 N 沟道

数据手册

1+
￥4.96
10+
￥3.94
30+
￥3.43
100+
￥2.92
500+
￥2.62
1500+
￥2.46

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:0.5A

型号：MMBF170LT1G 编号：C28871

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

功率 MOSFET，500 mA，60 V，N 沟道，SOT?23

数据手册

10+
￥0.3591
100+
￥0.2799
300+
￥0.2403
3000+
￥0.2106
6000+
￥0.1868
9000+
￥0.1749

有货

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1个P沟道耐压:8V 电流:1.4A

型号：NTS2101PT1G 编号：C140583

封装：SOT-323

品牌：onsemi(安森美)

这是一款 8.0 V P 沟道功率 MOSFET。

数据手册

10+
￥0.4957
100+
￥0.4065
300+
￥0.3619
3000+
￥0.2819
6000+
￥0.2551
9000+
￥0.2417

有货

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1个P沟道耐压:20V 电流:2.4A

型号：FDN304P 编号：C241803

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此 P 沟道 1.8V 指定 MOSFET 使用先进的低压 PowerTrench 工艺。此产品非常适用于电池管理应用。

数据手册

5+
￥1.4981
50+
￥1.2099
150+
￥1.0863
500+
￥0.9322
3000+
￥0.7848
6000+
￥0.7436

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:8.8A

型号：FDS4435BZ 编号：C23931

封装：SO-8

品牌：onsemi(安森美)

此 P 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻。此器件适用于笔记本电脑和便携式电池组中常见的电源管理和负载开关应用。

数据手册

5+
￥2.0373
50+
￥1.6785
150+
￥1.5247
500+
￥1.3329
2500+
￥1.2474
5000+
￥1.1962

有货

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1个N沟道耐压:40V 电流:200A

型号：NTMFS5C430NLT1G 编号：C194661

封装：DFN5(5x6)

品牌：onsemi(安森美)

功率 MOSFET，40 V，1.4 mΩ，200 A，单 N 沟道

数据手册

1+
￥3.27
10+
￥2.58
30+
￥2.28
100+
￥1.91
500+
￥1.64
1500+
￥1.54

有货

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1个P沟道耐压:20V

型号：FDN340P 编号：C75469

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此 P 沟道逻辑电平 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持低门极电荷，实现卓越的开关性能。此类器件非常适用于便携式电子应用：负载开关和电源管理、电池充电电路和 DC/DC 转换。

数据手册

5+
￥1.0256
50+
￥0.819
150+
￥0.7304
500+
￥0.6199
3000+
￥0.4973
6000+
￥0.4678

有货

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1个P沟道耐压:60V 电流:3A

型号：FDC5614P 编号：C48167

封装：SuperSOT-6

品牌：onsemi(安森美)

P沟道,-60V,-3A,105mΩ@-10V

数据手册

5+
￥2.2282
50+
￥1.7356
150+
￥1.5244
500+
￥1.261
3000+
￥1.1437
6000+
￥1.0733

有货

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1个P沟道耐压:60V 电流:2.6A

型号：NTF2955T1G 编号：C17265

封装：SOT-223

品牌：onsemi(安森美)

这是 SOT-223 封装中的 -60 V，P 沟道 MOSFET。此器件非常坚固，拥有很大的安全运行区域。

数据手册

1+
￥3.16
10+
￥2.48
30+
￥2.19
100+
￥1.82
500+
￥1.56
1000+
￥1.46

有货

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2个N沟道耐压:30V 电流:17A 32A

型号：FDPC5018SG 编号：C464164

封装：PQFN-8-EP(5x6)

品牌：onsemi(安森美)

此器件在一个双封装中包括了两个特制的 N 沟道 MOSFET。开关节点已经内部连接，可实现同步降压转换器的轻松布置和布线。控制 MOSFET (Q1) 和同步 SyncFET (Q2) 可提供最佳功率效率。

数据手册

1+
￥7.23
10+
￥5.99
30+
￥5.37
100+
￥4.58
500+
￥4.21
1000+
￥4.02

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:154mA

型号：NTA7002NT1G 编号：C145524

封装：SC-75(SOT-416)

品牌：onsemi(安森美)

小信号 MOSFET 30 V，154 mA，单，N 沟道，门极 ESD 保护，SC-75

数据手册

10+
￥0.257
100+
￥0.2066
300+
￥0.1814
3000+
￥0.1571
6000+
￥0.142
9000+
￥0.1345

有货

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2个N沟道耐压:30V 电流:250mA

型号：NTJD4001NT1G 编号：C190019

封装：SOT-363

品牌：onsemi(安森美)

特性：低栅极电荷，实现快速开关。小尺寸封装，比TSOP-6小30%。栅极具备ESD保护。NVTJD4001N符合AEC Q101标准。这些器件为无铅产品，符合RoHS标准。应用：低端负载开关。锂离子电池供电设备，如手机、个人数字助理、数码相机

数据手册

5+
￥0.4809
50+
￥0.3848
150+
￥0.3368
500+
￥0.3007
3000+
￥0.2447
6000+
￥0.2303

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:3.5A

型号：NTR4171PT1G 编号：C146715

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

30 V，3.5 A，75 mΩ，单 P 沟道，功率 MOSFET，SOT-23

数据手册

5+
￥0.9894
50+
￥0.7846
150+
￥0.6821
500+
￥0.6053
3000+
￥0.5439
6000+
￥0.5131

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:150A

型号：NTMFS5C628NLT1G 编号：C145537

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

功率 MOSFET，60V，150A，2.4mΩ，单 N 沟道

数据手册

1+
￥3.76
10+
￥2.93
30+
￥2.57
100+
￥2.12
500+
￥1.92
1500+
￥1.8

有货

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1个N沟道耐压:40V 电流:330A

型号：NTMFS5C410NLT1G 编号：C348540

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

功率 MOSFET，40V，0.82 m，330 A，单 N 沟道

数据手册

1+
￥5.21
10+
￥4.28
30+
￥3.81
100+
￥3.1
500+
￥2.83
1500+
￥2.68

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:20A

型号：FDS6681Z 编号：C236906

封装：SO-8

品牌：onsemi(安森美)

此 P 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻。此器件适用于笔记本电脑和便携式电池组中常见的电源管理和负载开关应用。

数据手册

1+
￥5.34
10+
￥4.34
30+
￥3.85
100+
￥3.35
500+
￥3.06
1000+
￥2.91

有货

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1个N沟道耐压:600V 电流:2.8A

型号：FQD5N60CTM 编号：C467458

封装：DPAK

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道增强型功率 MOSFET 使用平面条纹和 DMOS 专属工艺生产。此先进 MOSFET 工艺适用于降低导通电阻，提供卓越的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正 (PFC) 和电子灯镇流器。

数据手册

1+
￥6.28
10+
￥5.05
30+
￥4.44
100+
￥3.34
500+
￥2.97
1000+
￥2.78

有货

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1个N沟道耐压:150V

型号：FDMS86200 编号：C128799

封装：PDFN-8(4.9x5.8)

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。

数据手册

1+
￥6.54
10+
￥5.35
30+
￥4.7
100+
￥3.97
500+
￥3.64
1000+
￥3.49

有货

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