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1个N沟道耐压:100V 电流:56A

型号：HUF75639P3-F102 编号：C898692

封装：TO-220-3

品牌：onsemi(安森美)

此类 N 沟道功率 MOSFET 是使用创新的 UltraFET 工艺生产的。此先进工艺技术可实现每硅面积最低的导通电阻，从而产生出色的性能。此器件可承受雪崩模式下的高能量，二极管具有很短的逆向恢复时间和极低的存储电荷。它适用于功率能效非常重要的应用，如开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器、低压总线开关，以及便携式和电池运行产品中的电源管理。

数据手册

1+
￥10.2
200+
￥3.95
500+
￥3.81
800+
￥3.74

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1个N沟道耐压:200V 电流:3.6A

型号：FDD2670 编号：C903559

封装：TO-252

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 专为提高 DC/DC 转换器的总能效而设计，可以使用同步开关 PWM 控制器，也可以使用传统开关 PWM 控制器。与具有相当的 RDS(ON) 规格的其他 MOSFET 相比，此类 MOSFET 开关速度更快，门极电荷更低。因此该 MOSFET 驱动简单，也更安全（即使在非常高的频率下亦是如此），DC/DC 电源设计具有更高的总体能效。

数据手册

单价：
￥5.6166 / 个

我要订货

1个N沟道耐压:650V 电流:10A

型号：FCMT360N65S3 编号：C890866

封装：PQFN-4(8x8)

品牌：onsemi(安森美)

SUPERFET III MOSFET 是安森美半导体的全新高压超结 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻，以及更低门极电荷方面的卓越性能。此技术专用于最大程度降低导电损耗，提供卓越的开关性能、dv/dt 速率和更高的雪崩能量。因此，SUPERFET III MOSFET 非常适用于开关电源应用，如服务器/电信电源、适配器和太阳能反相器应用。Power88 封装是一款超薄表面贴装封装（高 1mm），体积和占地面积都很小 (8 * 8 mm2)。Power88 封装内的 SUPERFET III MOSFET 具有更低的寄生电源电感以及分离的电源和驱动源，可提供卓越的开关性能。Power88 提供 1 级湿度敏感性 (MSL 1)。

数据手册

单价：
￥13.13328 / 个

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1个N沟道耐压:60V 电流:115mA

型号：2N7002LT1G 编号：C16338

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

N沟道,60V,0.115A,7.5Ω@10V

数据手册

20+
￥0.1952
200+
￥0.1509
600+
￥0.1312
3000+
￥0.1099
9000+
￥0.104
21000+
￥0.1

有货

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1个N沟道耐压:50V 电流:200mA

型号：BSS138LT1G 编号：C82045

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

特性：低阈值电压 (VGS(th): 0.5V-1.5V)，适合低压应用。微型SOT-23表面贴装封装，节省电路板空间。BVSS前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用；符合AEC-Q101标准且具备PPAP能力。这些器件无铅且符合RoHS标准。应用：DC-DC转换器。便携式和电池供电产品的电源管理，如计算机、打印机、PCM/CIA卡、移动和无绳电话

数据手册

10+
￥0.2565
100+
￥0.2138
300+
￥0.1919
3000+
￥0.1656
6000+
￥0.1593
9000+
￥0.155

有货

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1个N沟道耐压:25V 电流:0.22A

型号：FDV301N 编号：C15310

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道逻辑电平增强型场效应晶体管是使用高单元密度的 DMOS 专属技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻。此器件是专为在低压应用中替代数字晶体管而设计的。因为无需偏置电阻，所以此单 N 沟道 FET 可以替代若干具有各种偏置电阻值的数字晶体管。

数据手册

10+
￥0.2667
100+
￥0.2127
300+
￥0.1887
1500+
￥0.1421
4500+
￥0.1349
10500+
￥0.13

有货

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1个N沟道耐压:100V 电流:0.17A

型号：BSS123LT1G 编号：C78755

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

功率 MOSFET 170 mA，100 V，N 沟道 SOT-23

数据手册

20+
￥0.2612
200+
￥0.2048
600+
￥0.1798
3000+
￥0.1486
9000+
￥0.1411
21000+
￥0.136

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:380mA

型号：2N7002KT1G 编号：C116584

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

MOSFET，小信号，60 V，380mA，单 N 沟道，SOT-23

数据手册

20+
￥0.218
200+
￥0.1717
600+
￥0.146
3000+
￥0.1306
9000+
￥0.1172
21000+
￥0.11

有货

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1个N沟道耐压:25V 电流:680mA

型号：FDV303N 编号：C80498

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

N沟道,25V,0.68A,450mΩ@4.5V；FDV301N的大电流版本

数据手册

10+
￥0.3092
100+
￥0.2428
300+
￥0.2096
3000+
￥0.1847
6000+
￥0.1648
9000+
￥0.1549

有货

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1个P沟道耐压:50V 电流:130mA

型号：BSS84LT1G 编号：C82079

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

P 沟道功率 MOSFET，逻辑电平，-50V，-130mA，10Ω，SOT-23 逻辑电平

数据手册

10+
￥0.3157
100+
￥0.2492
300+
￥0.2159
3000+
￥0.1909
6000+
￥0.171
9000+
￥0.161

有货

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2个N沟道耐压:20V 电流:540mA

型号：NTZD3154NT1G 编号：C145189

封装：SOT-563

品牌：onsemi(安森美)

这是一个 20 V N 沟道功率 MOSFET。

数据手册

10+
￥0.3206
100+
￥0.2556
300+
￥0.2231
1000+
￥0.1987
4000+
￥0.1792
8000+
￥0.1694

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:2.2A

型号：FDN337N 编号：C241805

封装：SOT-23-3

品牌：onsemi(安森美)

SuperSOT-3 N 沟道逻辑电平增强型电场效应晶体管是使用高单元密度的 DMOS 专属技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻。此类器件特别适用于笔记本电脑、手机、PCMCIA 卡和其他电池供电电路等低压应用，在此类应用中需要在非常小形的表面贴装封装中实现快速开关和线路内低功率损耗。

数据手册

5+
￥1.1363
50+
￥0.8907
150+
￥0.7854
500+
￥0.6541
3000+
￥0.5956
6000+
￥0.5605

有货

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2个N沟道耐压:30V 电流:250mA

型号：NTJD4001NT1G 编号：C190019

封装：SOT-363

品牌：onsemi(安森美)

特性：低栅极电荷，实现快速开关。小尺寸封装，比TSOP-6小30%。栅极具备ESD保护。NVTJD4001N符合AEC Q101标准。这些器件为无铅产品，符合RoHS标准。应用：低端负载开关。锂离子电池供电设备，如手机、个人数字助理、数码相机

数据手册

5+
￥0.5776
50+
￥0.4622
150+
￥0.4045
500+
￥0.3612
3000+
￥0.2939
6000+
￥0.2766

有货

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1个N沟道耐压:20V 电流:1.3A

型号：NDS331N 编号：C192741

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此类 N 沟道逻辑电平增强型电场效应晶体管是使用 Fairchild 的高单元密度 DMOS 专属技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻。此类器件特别适用于笔记本电脑、手机、PCMCIA 卡和其他电池供电电路等低压应用，在此类应用中需要在非常小形的表面贴装封装中实现快速开关和线路内低功率损耗。

数据手册

5+
￥1.0253
50+
￥0.8007
150+
￥0.7045
500+
￥0.5845
3000+
￥0.531
6000+
￥0.499

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:0.5A

型号：MMBF170LT1G 编号：C28871

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

功率 MOSFET，500 mA，60 V，N 沟道，SOT?23

数据手册

10+
￥0.3638
100+
￥0.2839
300+
￥0.244
3000+
￥0.2141
6000+
￥0.1901
9000+
￥0.1781

有货

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1个N沟道耐压:50V 电流:0.22A

型号：BSS138K 编号：C255592

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

N 沟道逻辑电平增强型场效应晶体管 50V，0.22A，1.6Ω

数据手册

5+
￥0.575
50+
￥0.4742
150+
￥0.4238
500+
￥0.386
3000+
￥0.3149
6000+
￥0.2998

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:235A

型号：NTMFS5C612NLT1G 编号：C348543

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

功率 MOSFET，60V，196A，1.5mΩ，单 N 沟道

数据手册

1+
￥5.32
10+
￥4.22
30+
￥3.67
100+
￥3.13
500+
￥2.8
1500+
￥2.63

有货

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1个N沟道耐压:20V 电流:3.2A

型号：NTR4501NT1G 编号：C85416

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

N沟道,20V,3.2A,80mΩ@4.5V

数据手册

5+
￥0.7183
50+
￥0.5714
150+
￥0.4979
500+
￥0.4428
3000+
￥0.3987
6000+
￥0.3766

有货

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1个P沟道耐压:20V 电流:3.2A

型号：NTR4101PT1G 编号：C35920

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

这是一个 20 V P 沟道功率 MOSFET。

数据手册

5+
￥0.8204
50+
￥0.6715
150+
￥0.597
500+
￥0.5412
3000+
￥0.4352
6000+
￥0.4128

有货

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1个N沟道耐压:600V 电流:0.2A 停产

型号：FQT1N60CTF-WS 编号：C258152

封装：SOT-223

品牌：onsemi(安森美)

这是一款N沟道增强型功率MOSFET，采用专有平面条纹和DMOS技术。这种先进的MOSFET技术经过专门设计，可降低导通电阻，并提供出色的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正（PFC）和电子灯镇流器。

数据手册

1+
￥4.39
10+
￥3.62
30+
￥3.24
100+
￥2.86
500+
￥2.63
1000+
￥2.52

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:380mA

型号：2V7002KT1G 编号：C415857

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

特性：ESD 保护。低 RDS(on)。表面贴装封装。 2V 前缀适用于需要独特现场和控制变更要求的汽车和其他应用；符合 AEC-Q101 标准且具备 PPAP 能力。这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂，且符合 RoHS 标准。应用：低端负载开关。电平转换电路

数据手册

10+
￥0.3728
100+
￥0.3016
300+
￥0.2659
3000+
￥0.217
6000+
￥0.1956
9000+
￥0.1849

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:500mA

型号：BS170 编号：C111691

封装：TO-92

品牌：onsemi(安森美)

MOSFET，小信号，500 mA，60 V

数据手册

5+
￥1.0974
50+
￥0.8554
150+
￥0.7518
1000+
￥0.6224
2000+
￥0.5648
5000+
￥0.5302

有货

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1个P沟道耐压:60V 电流:1.25A

型号：FDN5618P 编号：C400792

封装：SOT-23-3

品牌：onsemi(安森美)

此 60V P 沟道 MOSFET 使用高压 PowerTrench 工艺。此产品非常适用于电源管理应用。

数据手册

5+
￥1.1672
50+
￥0.9272
150+
￥0.8072
500+
￥0.7172
3000+
￥0.6452
6000+
￥0.6092

有货

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1个P沟道耐压:150V 电流:22A

型号：FDMS86263P 编号：C455156

封装：PQFN-8(5x6)

品牌：onsemi(安森美)

此 P 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻，并针对卓越的开关性能进行了优化。

数据手册

1+
￥6.37
10+
￥5.29
30+
￥4.76
100+
￥4.18
500+
￥3.86
1000+
￥3.69

有货

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1个N沟道耐压:50V 电流:200mA

型号：BSS138LT3G 编号：C83790

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

特性：低阈值电压（VGS(th)：0.5V-1.5V），适用于低电压应用。微型SOT-23表面贴装封装，节省电路板空间。BVSS前缀适用于汽车和其他需要独特现场和控制变更要求的应用；符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力。这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂（BFR），符合RoHS标准。应用：DC-DC转换器。便携式和电池供电产品的电源管理，如计算机、打印机、PCM/CIA卡、移动电话和无绳电话

数据手册

5+
￥0.7116
50+
￥0.5638
150+
￥0.4899
500+
￥0.4344
2500+
￥0.3607
5000+
￥0.3385

有货

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1个P沟道耐压:20V 电流:2.4A

型号：FDN304P 编号：C241803

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此 P 沟道 1.8V 指定 MOSFET 使用先进的低压 PowerTrench 工艺。此产品非常适用于电池管理应用。

数据手册

5+
￥1.4514
50+
￥1.144
150+
￥1.0122
500+
￥0.8478
3000+
￥0.6906
6000+
￥0.6466

有货

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1个P沟道耐压:60V 电流:2.5A

型号：NDT2955 编号：C194179

封装：SOT-223

品牌：onsemi(安森美)

此 60V P 沟道 MOSFET 是使用 Fairchild Semiconductor 的高压沟槽工艺生产的。此产品非常适用于电源管理应用。

数据手册

5+
￥2.1809
50+
￥1.697
150+
￥1.4897
500+
￥1.231
2500+
￥1.1158
4000+
￥1.0466

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:150A

型号：NTMFS5C628NLT1G 编号：C145537

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

功率 MOSFET，60V，150A，2.4mΩ，单 N 沟道

数据手册

1+
￥3.56
10+
￥2.83
30+
￥2.47
100+
￥2.11
500+
￥1.89
1500+
￥1.78

有货

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1个N沟道耐压:600V 电流:2.8A

型号：FQD5N60CTM 编号：C467458

封装：DPAK

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道增强型功率 MOSFET 使用平面条纹和 DMOS 专属工艺生产。此先进 MOSFET 工艺适用于降低导通电阻，提供卓越的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正 (PFC) 和电子灯镇流器。

数据手册

1+
￥4.58
10+
￥3.72
30+
￥3.29
100+
￥2.51
500+
￥2.26
1000+
￥2.12

有货

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1个N沟道耐压:150V

型号：FDMS86200 编号：C128799

封装：PDFN-8(4.9x5.8)

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。

数据手册

1+
￥6.46
10+
￥5.3
30+
￥4.66
100+
￥3.93
500+
￥3.61
1000+
￥3.47

有货

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