安森美MOS驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：NVMYS003N08LHTWG 编号：C3278347

封装：LFPAK-4(5x6)

品牌：onsemi(安森美)

特性：小尺寸（5x6mm），适合紧凑设计。低RDS(on)，以最小化传导损耗。低QG和电容，以最小化驱动损耗。 LFPAK4封装，行业标准。 AEC-Q101合格且具备PPAP能力。这些器件无铅且符合RoHS标准

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型号：HUF75344P3 编号：C898686

封装：TO-220AB-3

品牌：onsemi(安森美)

这些N沟道功率MOSFET采用创新的UltraFET工艺制造。这种先进工艺技术实现了单位硅面积内最低的通态电阻，可以带来出色的性能。此器件能够在雪崩模式下承受高能量并且二极管具有极低的反向恢复时间和存储电荷。此器件设计用于能效非常重要的应用，例如开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器、低电压总线开关以及便携式设备和电池供电产品的功率管理。以前的开发类型为TA75344。

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型号：NVMFWS0D9N04XMT1G 编号：C31999769

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

特性：低导通电阻RDS(on)，以最小化传导损耗。低电容，以最小化驱动损耗。小尺寸（5x6 mm），紧凑设计。通过AEC-Q101认证，具备生产件批准程序（PPAP）能力。这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂（BFR），符合RoHS标准。应用：电机驱动。电池保护

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￥20.86
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型号：NTMFS5C604NLT1G 编号：C348545

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

特性：小尺寸封装（5x6 mm），适合紧凑设计。低导通电阻RDS(on)，以最小化传导损耗。低栅极电荷QG和电容，以最小化驱动损耗。这些器件无PC且符合RoHS标准

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1500+
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型号：NTMTS6D0N15MC 编号：C2902180

封装：PowerTDFN-8(7.9x8)

品牌：onsemi(安森美)

特性：小尺寸（8x8mm），适合紧凑设计。低导通电阻RDS(on)，可降低传导损耗。低栅极电荷QG和电容，可降低驱动损耗。无铅、无卤、符合RoHS标准。应用：电动工具。电池供电吸尘器

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型号：NVMTS1D2N08H 编号：C894186

封装：DFNW-8(8.4x8.3)

品牌：onsemi(安森美)

特性：小尺寸（8x8mm），适合紧凑设计。低RDS(on)，以最小化传导损耗。低QG和电容，以最小化驱动损耗。通过AEC-Q101认证且具备生产件批准程序（PPAP）能力。这些器件无铅且符合RoHS标准

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型号：NTMJS0D8N04CLTWG 编号：C894043

封装：LFPAK-8

品牌：onsemi(安森美)

特性：小尺寸封装（5×6mm），适合紧凑设计。低R₀JC(m)，以最小化传导损耗。低QG和电容，以最小化驱动损耗。 LFPAK8封装，行业标准。这些器件无铅且符合RoHS标准

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型号：NVMFS5C404NWFET1G 编号：C3277825

封装：DFNW-5(4.9x5.9)

品牌：onsemi(安森美)

特性：小尺寸（5x6 mm），适合紧凑设计。低导通电阻RDS(on)，以最小化传导损耗。低栅极电荷QG和电容，以最小化驱动损耗。 NVMFS5C404NWF-可焊侧翼选项，便于光学检测。通过AEC-Q101认证，具备PPAP能力。这些器件无铅且符合RoHS标准

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型号：NVMTS1D6N10MCTXG 编号：C3288328

封装：DFNW-8(8.3x8.4)

品牌：onsemi(安森美)

特性：小尺寸（8x8 mm），适合紧凑设计。低Rₒₙ，以最小化传导损耗。低Q₃和电容，以最小化驱动损耗。新型Power 88封装。通过AEC-Q101认证，具备PPAP能力。这些器件无PD，符合RoHS标准

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型号：NVMTS0D6N04CLTXG 编号：C894184

封装：DFNW-8

品牌：onsemi(安森美)

特性：小尺寸（8x8mm），适合紧凑设计。低导通电阻，可降低传导损耗。低栅极电荷和电容，可降低驱动损耗。可焊侧翼电镀，便于光学检测。通过AEC-101认证，可提供生产件批准程序文件。无铅、无卤、符合RoHS标准

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型号：1HP04CH-TL-W 编号：C353734

封装：TO-236AB

品牌：onsemi(安森美)

这款功率 MOSFET 采用安森美半导体（ON Semiconductor）的沟槽技术制造，该技术专门用于降低栅极电荷和导通电阻。此器件适用于对栅极电荷驱动要求较低或对导通电阻要求较低的应用。

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100+
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型号：NTLJD4116NT1G 编号：C894005

封装：WDFN-6(2x2)

品牌：onsemi(安森美)

特性：WDFN封装，提供裸露的漏极焊盘，实现出色的热传导。 2x2 mm的占位面积与SC-88相同。 2x2 mm封装中最低的RDS(on)解决方案。 1.5 V RDS(on)额定值，可在低电压栅极驱动逻辑电平下工作。低外形（<0.8 mm），便于在薄型环境中安装。这是无铅器件。应用：DC-DC转换器（降压和升压电路）。低端负载开关

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型号：MCH6342-TL-W 编号：C480774

封装：SC-88FL(MCPH-6)

品牌：onsemi(安森美)

这款功率 MOSFET 采用安森美半导体（ON Semiconductor）的沟槽技术制造，该技术专门用于最小化栅极电荷和降低导通电阻。此器件适用于对栅极电荷驱动要求较低或对导通电阻有要求的应用。

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型号：NVD5C446NT4G 编号：C604534

封装：TO-252(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

特性：低RDS(on)，以最小化传导损耗。低Q₂和电容，以最小化驱动损耗。通过AEC-Q101认证，可提供PPAP文件。这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂，符合RoHS标准

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型号：NVMFS6H864NT1G 编号：C604627

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

特性：小尺寸封装（5x6mm），适合紧凑设计。低导通电阻RDS(on)，以最小化传导损耗。低栅极电荷QG和电容，以最小化驱动损耗。可选择可焊侧翼封装，便于光学检测。通过AEC-Q101认证，可提供生产件批准程序（PPAP）文件。这些器件无铅且符合RoHS标准

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￥4.17
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型号：NTTFS020N06CTAG 编号：C900338

封装：WDFN-8-EP(3.3x3.3)

品牌：onsemi(安森美)

特性：小尺寸封装 (3.3x3.3mm)，适用于紧凑设计。低RDS(on)，以最小化传导损耗。低QG和电容，以最小化驱动损耗。这些器件为无铅、无卤/无溴化阻燃剂，且符合RoHS标准。应用：电动工具。电池供电的真空吸尘器

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型号：NVMFD6H852NLT1G 编号：C900402

封装：DFN-8(4.9x5.9)

品牌：onsemi(安森美)

特性：小尺寸（5x6 mm），适合紧凑设计。低导通电阻RDS(on)，以最小化传导损耗。低栅极电荷QG和电容，以最小化驱动损耗。可写边缘选项，用于增强光学检查。通过AEC-Q101认证，具备PPAP能力。这些器件无铅且符合RoHS标准

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￥5.11
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￥4.99
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￥4.91

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型号：NVMFS5H610NLWFT1G 编号：C3277734

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

特性：小尺寸（5×6mm），适合紧凑设计。低RDS(on)，以最小化传导损耗。低QG和电容，以最小化驱动损耗。 AEC-Q101合格且具备PPAP能力。这些器件无铅且符合RoHS标准

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￥5.47
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型号：FDN308P 编号：C255599

封装：SOT-23-3

品牌：onsemi(安森美)

此 P 沟道 2.5V 指定 MOSFET 使用先进的 PowerTrench 工艺的坚固门极版本。它针对较宽门极驱动电压额定值 (2.5V – 12V) 的功率管理应用进行了优化。

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￥5.47
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￥4.49
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￥4

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型号：NTMFS5C670NT1G 编号：C900312

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

特性：小尺寸封装（5×6mm），适合紧凑设计。低导通电阻RDS(on)，可降低传导损耗。低栅极电荷QG和电容，可降低驱动损耗。无铅且符合RoHS标准

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1+
￥5.76
10+
￥4.67
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￥4.13

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型号：NTMFS6H824NT1G 编号：C5205620

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

特性：小尺寸封装（5x6 mm），适合紧凑型设计。低导通电阻 RDS(on)，可降低传导损耗。低栅极电荷 QG 和电容，可降低驱动损耗。无铅且符合 RoHS 标准

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￥6.11
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￥5.96
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￥5.85

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型号：NVTFS040N10MCLTAG 编号：C5205719

封装：WDFN-8

品牌：onsemi(安森美)

特性：小尺寸（3.3 x 3.3 mm），适合紧凑设计。低导通电阻（RDS(on)），以最小化传导损耗。低电容，以最小化驱动损耗。 NVTFWS040N10MCL-可焊侧翼产品。通过AEC-Q101认证且具备生产件批准程序（PPAP）能力。这些器件为无铅且符合RoHS标准

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1+
￥6.29
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￥6.15
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￥6.05

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型号：NTTFS012N10MDTAG 编号：C5208924

封装：WDFN-8(3.3x3.3)

品牌：onsemi(安森美)

特性：屏蔽栅MOSFET技术。低RDS(on)以最小化传导损耗。低QG和电容以最小化驱动损耗。低QRR，软恢复体二极管。低QSS以提高轻载效率。这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂、无铍，并且符合RoHS标准。应用：隔离式DC-DC转换器中的初级开关。 DC-DC和AC-DC中的同步整流（SR）

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￥6.4
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￥6.29

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型号：NVLJWS013N03CLTAG 编号：C5208094

封装：WDFNW-6(2.05x2.05)

品牌：onsemi(安森美)

特性：小尺寸，适合紧凑设计。低RDS(on)，以最小化传导损耗。低QG和电容，以最小化驱动损耗。可焊侧翼选项，便于光学检测。通过AEC-Q101认证，具备生产件批准程序(PPAP)能力。无铅且符合RoHS标准

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1+
￥6.83
10+
￥6.69
30+
￥6.59

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型号：NVLJWD023N04CLTAG 编号：C5208090

封装：WDFNW-6(2.2x2.3)

品牌：onsemi(安森美)

特性：小尺寸，适合紧凑设计。低RDS(on)，以最小化传导损耗。低QG和电容，以最小化驱动损耗。可焊侧翼选项，便于光学检测。通过AEC-Q101认证，具备PPAP能力。无铅且符合RoHS标准

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1+
￥8.15
10+
￥7.96
30+
￥7.84

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型号：NDS9945 编号：C274608

封装：SO-8

品牌：onsemi(安森美)

SO-8 N沟道增强模式功率场效应晶体管采用飞兆专有的高密度DMOS技术生产。这种密度非常高的工艺是专为提供卓越开关性能和最大限度地降低通态电阻而定制的。这些器件特别适合需要快速开关、低线路内功率损耗以及抗瞬变能力的磁碟驱动器电机控制、电池供电电路等低电压应用。

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￥9.42
10+
￥9.22
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￥9.08

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型号：NTMFS6H836NT1G 编号：C604458

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

特性：小尺寸（5x6mm），适合紧凑设计。低导通电阻RDS(on)，以最小化传导损耗。低栅极电荷QG和电容，以最小化驱动损耗。这些器件为无铅产品，符合RoHS标准

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1+
￥9.59
10+
￥7.89
30+
￥6.95

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型号：NTMS10P02R2G 编号：C274623

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

特性：超低导通电阻（RDS(on)）。更高的效率，延长电池寿命。逻辑电平栅极驱动。微型SOIC-8表面贴装封装。二极管具有高速、软恢复特性。规定了雪崩能量。应用：便携式和电池供电产品的电源管理，如移动电话、无绳电话和PCMCIA卡

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￥9.74
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￥8.23
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￥7.29

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型号：FCPF360N65S3R0L 编号：C348537

封装：TO-220F

品牌：onsemi(安森美)

SUPERFET III MOSFET是全新的高压超结（SJ）MOSFET系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻和较低的栅极电荷性能。这种先进技术旨在最大限度地减少传导损耗，提供卓越的开关性能，并能承受极高的dv/dt速率。因此，SUPERFET III MOSFET易驱动系列有助于解决EMI问题，并便于设计实施。

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￥10.36
50+
￥10.2

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型号：NTMFS0D9N04XMT1G 编号：C23600629

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

特性：低导通电阻RDS(on)，以最小化传导损耗。低电容，以最小化驱动损耗。小尺寸（5x6 mm），设计紧凑。这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂，符合RoHS标准。应用：电机驱动。电池保护

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