安森美MOS驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：NVMYS003N08LHTWG 编号：C3278347

封装：LFPAK-4(5x6)

品牌：onsemi(安森美)

特性：小尺寸（5x6mm），适合紧凑设计。低RDS(on)，以最小化传导损耗。低QG和电容，以最小化驱动损耗。 LFPAK4封装，行业标准。 AEC-Q101合格且具备PPAP能力。这些器件无铅且符合RoHS标准

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1+
￥19.67
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￥19.22
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￥18.92

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型号：NVMFWS3D0N08XT1G 编号：C36981641

封装：-

品牌：onsemi(安森美)

特性：低QRR，软恢复体二极管。低RDS(on)以最小化传导损耗。低QG和电容以最小化驱动损耗。 AEC-Q101合格且具备PPAP能力。这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂且符合RoHS标准。应用：直流-直流和交流-直流中的同步整流（SR）。隔离式直流-直流转换器中的初级开关

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￥20.03
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￥19.6
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型号：HUF75344P3 编号：C898686

封装：TO-220AB-3

品牌：onsemi(安森美)

这些N沟道功率MOSFET采用创新的UltraFET工艺制造。这种先进工艺技术实现了单位硅面积内最低的通态电阻，可以带来出色的性能。此器件能够在雪崩模式下承受高能量并且二极管具有极低的反向恢复时间和存储电荷。此器件设计用于能效非常重要的应用，例如开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器、低电压总线开关以及便携式设备和电池供电产品的功率管理。以前的开发类型为TA75344。

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￥20.04
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￥19.58
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型号：NVB099N65S3 编号：C3288222

封装：D2PAK-3(TO-263-3)

品牌：onsemi(安森美)

SUPERFET III MOSFET是全新的高压超结（SJ）MOSFET系列，采用电荷平衡技术，具备出色的低导通电阻和较低的栅极电荷性能。这项先进技术旨在最大限度地降低传导损耗，提供卓越的开关性能，并能承受极高的dv/dt速率。因此，SUPERFET III MOSFET易驱动系列有助于解决电磁干扰（EMI）问题，且便于设计实现

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￥21.52
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￥21
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型号：NVMYS021N10MCLTWG 编号：C5208112

封装：LFPAK-4

品牌：onsemi(安森美)

特性：小尺寸（5x6mm），便于紧凑设计。低导通电阻，以降低传导损耗。低栅极电荷和电容，以降低驱动损耗。通过AEC-Q101认证并具备生产件批准程序（PPAP）能力。这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂（BFR），并符合RoHS标准

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￥24.41
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￥23.85
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型号：NTMTS6D0N15MC 编号：C2902180

封装：PowerTDFN-8(7.9x8)

品牌：onsemi(安森美)

特性：小尺寸（8x8mm），适合紧凑设计。低导通电阻RDS(on)，可降低传导损耗。低栅极电荷QG和电容，可降低驱动损耗。无铅、无卤、符合RoHS标准。应用：电动工具。电池供电吸尘器

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￥25.34
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￥24.75
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￥23.13

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型号：NTMJS0D8N04CLTWG 编号：C894043

封装：LFPAK-8

品牌：onsemi(安森美)

特性：小尺寸封装（5×6mm），适合紧凑设计。低R₀JC(m)，以最小化传导损耗。低QG和电容，以最小化驱动损耗。 LFPAK8封装，行业标准。这些器件无铅且符合RoHS标准

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1+
￥34.11
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￥33.33
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型号：NVMFWS0D4N04XMT1G 编号：C5209352

封装：DFNW-5(5x6)(SO-8-FL)

品牌：onsemi(安森美)

特性：低导通电阻，以减少传导损耗。低电容，以减少驱动损耗。小尺寸（5x6mm），设计紧凑。通过AEC-Q101认证，可提供生产件批准程序（PPAP）文件。这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂（BFR），符合RoHS标准。应用：电机驱动。电池保护

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￥34.9
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￥34.1
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￥33.57

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型号：FDBL9401-F085T6 编号：C2902245

封装：HPSOF-8L

品牌：onsemi(安森美)

特性：低 RDS(on)，以最小化传导损耗。低 QG 和电容，以最小化驱动损耗。通过 AEC-Q101 认证，具备生产件批准程序（PPAP）能力。小尺寸封装（TOLL），适合紧凑设计。这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂（BFR），符合 RoHS 标准

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1+
￥50.35
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￥43.2
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￥38.84

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型号：1HP04CH-TL-W 编号：C353734

封装：TO-236AB

品牌：onsemi(安森美)

这款功率 MOSFET 采用安森美半导体（ON Semiconductor）的沟槽技术制造，该技术专门用于降低栅极电荷和导通电阻。此器件适用于对栅极电荷驱动要求较低或对导通电阻要求较低的应用。

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型号：NTTFS5C673NLTAG 编号：C604508

封装：DFN-5(3.3x3.3)

品牌：onsemi(安森美)

特性：小尺寸封装（3.3x3.3 mm），适合紧凑设计。低导通电阻RDS(on)，可降低传导损耗。低栅极电荷QG和电容，可降低驱动损耗。无卤、无铅，符合RoHS标准

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单价：
￥1.26132 / 个

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型号：MCH6342-TL-W 编号：C480774

封装：SC-88FL(MCPH-6)

品牌：onsemi(安森美)

这款功率 MOSFET 采用安森美半导体（ON Semiconductor）的沟槽技术制造，该技术专门用于最小化栅极电荷和降低导通电阻。此器件适用于对栅极电荷驱动要求较低或对导通电阻有要求的应用。

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￥3.79
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型号：NVD5C446NT4G 编号：C604534

封装：TO-252(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

特性：低RDS(on)，以最小化传导损耗。低Q₂和电容，以最小化驱动损耗。通过AEC-Q101认证，可提供PPAP文件。这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂，符合RoHS标准

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￥3.91
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￥3.82
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型号：NVTFWS052P04M8LTAG 编号：C900560

封装：WDFN-8(3x3)

品牌：onsemi(安森美)

特性：小尺寸（3.3×3.3mm），适合紧凑设计。低RDS(on)，以最小化传导损耗。低电容，以最小化驱动损耗。可焊侧翼产品。 AEC-Q101合格且具备PPAP能力。这些器件无铅、无卤素/BFR且符合RoHS标准

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￥4.85
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￥3.96
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￥3.51

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型号：NTTFS020N06CTAG 编号：C900338

封装：WDFN-8-EP(3.3x3.3)

品牌：onsemi(安森美)

特性：小尺寸封装 (3.3x3.3mm)，适用于紧凑设计。低RDS(on)，以最小化传导损耗。低QG和电容，以最小化驱动损耗。这些器件为无铅、无卤/无溴化阻燃剂，且符合RoHS标准。应用：电动工具。电池供电的真空吸尘器

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￥4.8
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型号：ATP102-TL-H 编号：C890213

封装：ATPAK-3

品牌：onsemi(安森美)

特性：低导通电阻。超薄封装。无卤合规。大电流。 4.5V驱动。内置保护二极管

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￥5.39
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￥4.29
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型号：FDN308P 编号：C255599

封装：SOT-23-3

品牌：onsemi(安森美)

此 P 沟道 2.5V 指定 MOSFET 使用先进的 PowerTrench 工艺的坚固门极版本。它针对较宽门极驱动电压额定值 (2.5V – 12V) 的功率管理应用进行了优化。

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￥5.47
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￥4.49
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￥4

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型号：NVMFS5H610NLWFT1G 编号：C3277734

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

特性：小尺寸（5×6mm），适合紧凑设计。低RDS(on)，以最小化传导损耗。低QG和电容，以最小化驱动损耗。 AEC-Q101合格且具备PPAP能力。这些器件无铅且符合RoHS标准

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1+
￥5.6
10+
￥4.5
30+
￥3.96

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型号：NTMFS6H824NT1G 编号：C5205620

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

特性：小尺寸封装（5x6 mm），适合紧凑型设计。低导通电阻 RDS(on)，可降低传导损耗。低栅极电荷 QG 和电容，可降低驱动损耗。无铅且符合 RoHS 标准

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￥6.11
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￥5.96
30+
￥5.85

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型号：NVTFS040N10MCLTAG 编号：C5205719

封装：WDFN-8

品牌：onsemi(安森美)

特性：小尺寸（3.3 x 3.3 mm），适合紧凑设计。低导通电阻（RDS(on)），以最小化传导损耗。低电容，以最小化驱动损耗。 NVTFWS040N10MCL-可焊侧翼产品。通过AEC-Q101认证且具备生产件批准程序（PPAP）能力。这些器件为无铅且符合RoHS标准

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1+
￥6.29
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￥6.15
30+
￥6.05

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型号：NTTFS012N10MDTAG 编号：C5208924

封装：WDFN-8(3.3x3.3)

品牌：onsemi(安森美)

特性：屏蔽栅MOSFET技术。低RDS(on)以最小化传导损耗。低QG和电容以最小化驱动损耗。低QRR，软恢复体二极管。低QSS以提高轻载效率。这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂、无铍，并且符合RoHS标准。应用：隔离式DC-DC转换器中的初级开关。 DC-DC和AC-DC中的同步整流（SR）

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1+
￥6.57
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￥6.4
30+
￥6.29

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型号：NVD5C464NLT4G 编号：C887736

封装：TO-252(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

特性：低RDS(on)以最小化传导损耗。低QG和电容以最小化驱动损耗。通过AEC-Q101认证且具备PPAP能力。这些器件无铅、无卤素/BFR且符合RoHS标准

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1+
￥6.61
10+
￥6.47
30+
￥6.37

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型号：NVLJWS013N03CLTAG 编号：C5208094

封装：WDFNW-6(2.05x2.05)

品牌：onsemi(安森美)

特性：小尺寸，适合紧凑设计。低RDS(on)，以最小化传导损耗。低QG和电容，以最小化驱动损耗。可焊侧翼选项，便于光学检测。通过AEC-Q101认证，具备生产件批准程序(PPAP)能力。无铅且符合RoHS标准

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￥6.83
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￥6.69
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￥6.59

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型号：NTMFD001N03P9 编号：C5205613

封装：PQFN-8

品牌：onsemi(安森美)

特性：小尺寸封装（5x6mm），适合紧凑设计。低导通电阻RDS(on)，可降低传导损耗。低栅极电荷QG和电容，可降低驱动损耗。无铅、无卤、符合RoHS标准。应用：DC-DC转换器。系统电压轨

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￥7.52
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￥7.35
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￥7.23

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型号：NVLJWD023N04CLTAG 编号：C5208090

封装：WDFNW-6(2.2x2.3)

品牌：onsemi(安森美)

特性：小尺寸，适合紧凑设计。低RDS(on)，以最小化传导损耗。低QG和电容，以最小化驱动损耗。可焊侧翼选项，便于光学检测。通过AEC-Q101认证，具备PPAP能力。无铅且符合RoHS标准

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￥8.15
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￥7.96
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￥7.84

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型号：FDS3890 编号：C903620

封装：SO-8

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 专为提高 DC/DC 转换器的总体效能而设计，可以使用同步开关 PWM 控制器，也可以使用传统开关 PWM 控制器。与具有相当的 RDS(ON) 规格的其他 MOSFET 相比，此类 MOSFET 开关速度更快，门极电荷更低。因此，该 MOSFET 驱动简单，也更安全（即使在非常高的频率下亦是如此），DC/DC 电源设计具有更高的总体效能。

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