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1个N沟道耐压:20V 电流:210mA

型号：NTK3043NT5G 编号：C896489

封装：SOT-723

品牌：onsemi(安森美)

特性：支持高密度PCB制造。比SC-89占位面积小44%，比SC-89薄38%。低电压驱动，适用于便携式设备。低阈值电平，VGS(TH) < 1.3V。低外形（< 0.5mm），可轻松适配超薄环境，如便携式电子产品。可在标准逻辑电平栅极驱动下工作，便于使用相同基本拓扑向更低电平迁移。应用：接口、开关。高速开关

数据手册

5+
￥0.7243
50+
￥0.7081
150+
￥0.6974

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:69A

型号：NTMFS4C06NT1G 编号：C463636

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

特性：低导通电阻，以最小化传导损耗。低电容，以最小化驱动损耗。优化的栅极电荷，以最小化开关损耗。这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂，符合RoHS标准。应用：CPU电源供应。 DC-DC转换器

数据手册

1+
￥2.6
10+
￥2.54
30+
￥2.49

有货

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1个N沟道耐压:40V 电流:51A

型号：NTTFS5C466NLTAG 编号：C900355

封装：WDFN-8-EP(3.3x3.3)

品牌：onsemi(安森美)

特性：小尺寸 (3.3 x 3.3 mm)，适合紧凑设计。低RDS(on)，以最小化传导损耗。低电容，以最小化驱动损耗。这些器件无铅且符合RoHS标准

数据手册

1+
￥3.72
10+
￥3.64
30+
￥3.58

有货

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1个N沟道+1个P沟道耐压:100V 电流:3.6A

型号：NTMC083NP10M5L 编号：C2902235

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

特性：小尺寸（5 x 6mm），适合紧凑设计。低导通电阻（RDS(on)），以最小化传导损耗。低栅极电荷（QG）和电容，以最小化驱动损耗。该部件未进行静电放电保护。这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂，符合RoHS标准。应用：电动工具、电池供电的吸尘器。无人机、物料搬运

数据手册

1+
￥4.17
10+
￥4.07
30+
￥4.01

有货

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1个P沟道耐压:12V 电流:10A

型号：ECH8308-TL-H 编号：C890593

封装：ECH-8

品牌：onsemi(安森美)

特性：最适合负载开关。 1.8V驱动。保护二极管。低导通电阻。无卤合规

数据手册

1+
￥6.02
10+
￥5.88
30+
￥5.79

有货

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1个N沟道耐压:40V 电流:29A 电流:155A

型号：NTMFS5H419NLT1G 编号：C604449

封装：DFN-5(5x6)

品牌：onsemi(安森美)

特性：小尺寸（5x6mm），适合紧凑设计。低导通电阻RDS(on)，以最小化传导损耗。低栅极电荷QG和电容，以最小化驱动损耗。这些器件无铅且符合RoHS标准

数据手册

1+
￥6.12
10+
￥5.96
30+
￥5.86

有货

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1个N沟道耐压:50V 电流:14A

型号：RFD14N05LSM 编号：C719826

封装：DPAK-3

品牌：onsemi(安森美)

此类 N 沟道功率 MOSFET 是使用 MegaFET 工艺生产的。此工艺使用接近 LSI 集成电路的特性尺寸，可实现硅的优化利用，因此性能非常出色。此类器件适用于开关稳压器、开关转换器、电机驱动器和继电器驱动器等应用。此性能是通过一个特殊的门极氧化层设计实现的，该设计可在 3V 到 5V 电压内的门极偏置下提供全额定传导，因此可以真正实现直接从逻辑电平 (5V) 集成电路中的开关电源控制。之前的开发型号为 TA09870。

数据手册

1+
￥7
10+
￥5.87
30+
￥5.25

有货

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1个N沟道耐压:80V 电流:42A

型号：NVMFS6H852NLWFT1G 编号：C900483

封装：DFN-5(5.9x4.9)

品牌：onsemi(安森美)

特性：小尺寸（5x6 mm），适合紧凑设计。低RDS(on)，以最小化传导损耗。低QG和电容，以最小化驱动损耗。 NVMFS6H852NLWF-可焊侧翼选项，便于光学检测。通过AEC-Q101认证，具备PPAP能力。无铅且符合RoHS标准

数据手册

1+
￥8.24
10+
￥8.05
30+
￥7.93

有货

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1个N沟道耐压:40V 电流:85A

型号：NVTFS5C454NLTAG 编号：C900523

封装：WDFN-8(3.3x3.3)

品牌：onsemi(安森美)

特性：小尺寸（3.3×3.3 mm），适合紧凑设计。低导通电阻RDS(on)，以最小化传导损耗。低电容，以最小化驱动损耗。可焊侧翼产品。通过AEC-Q101认证，具备PPAP能力。这些器件无铅且符合RoHS标准

数据手册

1+
￥8.51
10+
￥7.05
30+
￥6.25

有货

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1个N沟道耐压:100V 电流:20A

型号：FDD3670 编号：C236890

封装：TO-252-2

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 专为提高 DC/DC 转换器的总能效而设计，可以使用同步开关 PWM 控制器，也可以使用传统开关 PWM 控制器。与具有相当的 RDS(ON) 规格的其他 MOSFET 相比，此类 MOSFET 开关速度更快，门极电荷更低。因此该 MOSFET 驱动简单，也更安全（即使在非常高的频率下亦是如此），DC/DC 电源设计具有更高的总体能效。

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1+
￥9.88
10+
￥8.26
30+
￥7.37
100+
￥5.8

有货

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N沟道，标准栅极MOSFET

型号：NVMFWS2D3N04XMT1G 编号：C37181652

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

特性：低RDS(on)以最小化传导损耗。低电容以最小化驱动损耗。小尺寸（5×6mm），设计紧凑。通过AECQ101认证，可提供生产件批准程序（PPAP）文件。这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂（BFR），符合RoHS标准。应用：电机驱动。电池保护

1+
￥9.91
10+
￥9.69
30+
￥9.55

有货

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1个N沟道耐压:40V 电流:185A

型号：NVMYS1D6N04CLTWG 编号：C3288610

封装：LFPAK-4(5x6)

品牌：onsemi(安森美)

特性：低RDS(ON)以最小化传导损耗。低QG和电容以最小化驱动损耗。通过AEC-Q101认证且具备PPAP能力。 LFPAK4封装，行业标准。这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂且符合RoHS标准

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1+
￥10.2
10+
￥8.56
30+
￥7.53

有货

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1个N沟道耐压:150V 电流:37.2A

型号：NTTFS022N15MC 编号：C2902080

封装：WDFN-8-EP(3.3x3.3)

品牌：onsemi(安森美)

特性：小尺寸（3.3×3.3mm），适合紧凑设计。低导通电阻RDS(on)，以最小化传导损耗。低电容，以最小化驱动损耗。这些器件无铅、无卤素/BFR，符合RoHS标准。应用：初级DC-DC MOSFET。 DC-DC和AC-DC中的同步整流器

数据手册

1+
￥12.07
10+
￥11.78
30+
￥11.58

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:150A

型号：NTMFS5C628NLT3G 编号：C604443

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

特性：小尺寸（5x6mm），适合紧凑设计。低RθJC，以最小化传导损耗。低QG和电容，以最小化驱动损耗。这些器件无铅且符合RoHS标准

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1+
￥12.61
10+
￥12.3
30+
￥12.09

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:162A

型号：NVTFS4C02NWFTAG 编号：C2902190

封装：WDFN-8-EP(3.3x3.3)

品牌：onsemi(安森美)

特性：低导通电阻（RDS(ON)），以最小化传导损耗。低电容，以最小化驱动损耗。优化的栅极电荷，以最小化开关损耗。可选择可焊侧翼（NVTFS4C02NWF），以增强光学检测。通过 AEC-Q101 认证，具备生产件批准程序（PPAP）能力。这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂，符合 RoHS 标准。应用：反向电池保护。 DC-DC 转换器输出驱动

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1+
￥12.71
10+
￥12.44
30+
￥12.26

有货

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1个N沟道耐压:80V 电流:89A

型号：NVMFS6D1N08HT1G 编号：C900463

封装：DFN-5(5.9x4.9)

品牌：onsemi(安森美)

特性：小尺寸（5x6mm），适合紧凑设计。低导通电阻RDS(on)，以最小化传导损耗。低栅极电荷QG和电容，以最小化驱动损耗。 NVMFSW6D1N08H-可焊侧翼选项，便于光学检测。通过AEC-Q101认证，可提供生产件批准程序（PPAP）文件。这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂、无铍，符合RoHS标准。应用：同步整流。 AC-DC和DC-DC电源

数据手册

1+
￥13
10+
￥12.71
30+
￥12.51

有货

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1个N沟道耐压:60V

型号：NVMJS3D0N06CTWG 编号：C5205712

封装：LFPAK-8

品牌：onsemi(安森美)

特性：小尺寸（5x6mm），适用于紧凑设计。低导通电阻RDS(on)，以最小化传导损耗。低栅极电荷QG和电容，以最小化驱动损耗。通过AEC-Q101认证，具备生产件批准程序（PPAP）能力。无铅且符合RoHS标准

数据手册

1+
￥15.84
10+
￥15.5
30+
￥15.27

有货

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N沟道标准栅极MOSFET，80V，3mΩ，135A

型号：NVMFWS3D0N08XT1G 编号：C36981641

封装：-

品牌：onsemi(安森美)

特性：低QRR，软恢复体二极管。低RDS(on)以最小化传导损耗。低QG和电容以最小化驱动损耗。 AEC-Q101合格且具备PPAP能力。这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂且符合RoHS标准。应用：直流-直流和交流-直流中的同步整流（SR）。隔离式直流-直流转换器中的初级开关

1+
￥20.03
10+
￥19.6
30+
￥19.3

有货

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1个N沟道耐压:100V

型号：NVMYS021N10MCLTWG 编号：C5208112

封装：LFPAK-4

品牌：onsemi(安森美)

特性：小尺寸（5x6mm），便于紧凑设计。低导通电阻，以降低传导损耗。低栅极电荷和电容，以降低驱动损耗。通过AEC-Q101认证并具备生产件批准程序（PPAP）能力。这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂（BFR），并符合RoHS标准

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1+
￥24.41
10+
￥23.85
30+
￥23.48

有货

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1个N沟道耐压:80V 电流:14A

型号：NVTFS6H888NLTAG 编号：C900543

封装：WDFN-8(3x3)

品牌：onsemi(安森美)

特性：小尺寸 (3.3x3.3mm)，便于紧凑设计。低RDS(on)，以最小化传导损耗。低电容，以最小化驱动损耗。可焊侧翼产品。 AEC-Q101合格且具备PPAP能力。这些器件无铅且符合RoHS标准

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1+
￥2.44
10+
￥2.38
30+
￥2.34

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:400mA

型号：BS270 编号：C896686

封装：TO-92

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道增强型 MOSFET 是使用专利的高单元密度 DMOS 技术生产的。此产品可最大程度地降低导通电阻，同时具备强固、可靠和快速开关性能。它可用于最高要求 500 mA DC 的大多数应用。这些产品尤其适合低电压、低电流应用，如小型伺服电机控制、功率 MOSFET 门极驱动器和其他开关应用。

数据手册

1+
￥2.49
10+
￥1.98
30+
￥1.77

有货

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1个N沟道耐压:30V

型号：NTMFS4841NHT1G 编号：C900271

封装：SO-8

品牌：onsemi(安森美)

特性：低导通电阻，以最小化传导损耗。低电容，以最小化驱动损耗。优化的栅极电荷，以最小化开关损耗。这些是无铅器件。应用：CPU电源供应。 DC-DC转换器

1+
￥2.64
10+
￥2.58
30+
￥2.53

有货

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N沟道,电流:6A,耐压:12V

型号：EFC4627R-TR 编号：C236230

封装：EFCP-4(1x1)

品牌：onsemi(安森美)

特性：2.5V驱动。共漏极类型。内置保护二极管。符合无卤要求。应用：锂离子电池充放电开关

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1+
￥3.78
10+
￥3.08
30+
￥2.73

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:50A

型号：NTMFS5C673NT1G 编号：C900313

封装：DFN5(5x6)

品牌：onsemi(安森美)

特性：小尺寸（5×6mm），适用于紧凑设计。低RDS(on)，以最小化传导损耗。低QG和电容，以最小化驱动损耗。这些器件无铅且符合RoHS标准

数据手册

1+
￥5.31
10+
￥5.21
30+
￥5.14

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:40A 停产

型号：ATP102-TL-H 编号：C890213

封装：ATPAK-3

品牌：onsemi(安森美)

特性：低导通电阻。超薄封装。无卤合规。大电流。 4.5V驱动。内置保护二极管

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1+
￥5.39
10+
￥4.29
30+
￥3.75

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:11.9A

型号：NTMFS4C55NT1G 编号：C463191

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

特性：低 RDS(on) 以最小化传导损耗。低电容以最小化驱动损耗。优化栅极电荷以最小化开关损耗。这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂，且符合 RoHS 标准。应用：CPU 电源供应。 DC-DC 转换器

数据手册

1+
￥5.82
10+
￥5.7
30+
￥5.62
100+
￥5.53

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:165A

型号：NTMFD001N03P9 编号：C5205613

封装：PQFN-8

品牌：onsemi(安森美)

特性：小尺寸封装（5x6mm），适合紧凑设计。低导通电阻RDS(on)，可降低传导损耗。低栅极电荷QG和电容，可降低驱动损耗。无铅、无卤、符合RoHS标准。应用：DC-DC转换器。系统电压轨

数据手册

1+
￥7.52
10+
￥7.35
30+
￥7.23

有货

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2个N沟道耐压:80V 电流:4.7A

型号：FDS3890 编号：C903620

封装：SO-8

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 专为提高 DC/DC 转换器的总体效能而设计，可以使用同步开关 PWM 控制器，也可以使用传统开关 PWM 控制器。与具有相当的 RDS(ON) 规格的其他 MOSFET 相比，此类 MOSFET 开关速度更快，门极电荷更低。因此，该 MOSFET 驱动简单，也更安全（即使在非常高的频率下亦是如此），DC/DC 电源设计具有更高的总体效能。

数据手册

1+
￥8.48
10+
￥8.29
30+
￥8.16

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1个N沟道耐压:150V 电流:41.9A

型号：NTMFS022N15MC 编号：C2902172

封装：PQFN-8(4.9x5.8)

品牌：onsemi(安森美)

特性：小尺寸（5 x 6 mm），适合紧凑设计。低RDS(on)，以最小化传导损耗。低QG和电容，以最小化驱动损耗。 100% UIL测试。这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂，符合RoHS标准。应用：同步整流。 AC-DC和DC-DC电源

数据手册

1+
￥9.86
10+
￥9.61
30+
￥9.44

有货

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1个N沟道耐压:80V 电流:41A

型号：NTTFS6H854NLTAG 编号：C900364

封装：WDFN-8(3.3x3.3)

品牌：onsemi(安森美)

特性：小尺寸（3.3x3.3mm），适合紧凑设计。低RDS(on)，以最小化传导损耗。低电容，以最小化驱动损耗。这些器件无铅且符合RoHS标准

数据手册

1+
￥10.33
10+
￥8.78
30+
￥7.81

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