安森美MOS驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：NTMFS4C10NT1G 编号：C96242

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

特性：低RDS(on)以最小化传导损耗。低电容以最小化驱动损耗。优化的栅极电荷以最小化开关损耗。这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂，符合RoHS标准。应用：CPU电源供应。 DC-DC转换器

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￥6.22
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￥5.04
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￥4.44

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型号：NVMFS6H852NLWFT1G 编号：C900483

封装：DFN-5(5.9x4.9)

品牌：onsemi(安森美)

特性：小尺寸（5x6 mm），适合紧凑设计。低RDS(on)，以最小化传导损耗。低QG和电容，以最小化驱动损耗。 NVMFS6H852NLWF-可焊侧翼选项，便于光学检测。通过AEC-Q101认证，具备PPAP能力。无铅且符合RoHS标准

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1+
￥8.24
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￥8.05
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￥7.93

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型号：NTMFS5C426NT1G 编号：C463402

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

特性：小尺寸（5x6mm），适合紧凑设计。低导通电阻RDS(on)，以最小化传导损耗。低栅极电荷QG和电容，以最小化驱动损耗。这些器件无铅且符合RoHS标准

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￥9.75
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￥8.08
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￥7.17
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￥6.14

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型号：NVMFWS2D3N04XMT1G 编号：C37181652

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

特性：低RDS(on)以最小化传导损耗。低电容以最小化驱动损耗。小尺寸（5×6mm），设计紧凑。通过AECQ101认证，可提供生产件批准程序（PPAP）文件。这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂（BFR），符合RoHS标准。应用：电机驱动。电池保护

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￥9.91
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￥9.69
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￥9.55

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型号：NTBS9D0N10MC 编号：C898808

封装：D2PAK

品牌：onsemi(安森美)

特性：低导通电阻（RDS(on)），以最小化传导损耗。低栅极电荷（QG）和电容，以最小化驱动损耗。降低开关噪声/电磁干扰。这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂，且符合RoHS标准。应用：电动工具、电池供电的吸尘器。无人机、物料搬运

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￥10.42
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￥10.18
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￥10.02
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￥9.86

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型号：FDD3670 编号：C236890

封装：TO-252-2

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 专为提高 DC/DC 转换器的总能效而设计，可以使用同步开关 PWM 控制器，也可以使用传统开关 PWM 控制器。与具有相当的 RDS(ON) 规格的其他 MOSFET 相比，此类 MOSFET 开关速度更快，门极电荷更低。因此该 MOSFET 驱动简单，也更安全（即使在非常高的频率下亦是如此），DC/DC 电源设计具有更高的总体能效。

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￥10.67
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型号：FDS5670 编号：C274240

封装：SO-8

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 专为提高 DC/DC 转换器的总能效而设计，可以使用同步开关 PWM 控制器，也可以使用传统开关 PWM 控制器。与具有相当的 RDS(ON) 规格的其他 MOSFET 相比，此类 MOSFET 开关速度更快，门极电荷更低。因此该 MOSFET 驱动简单，也更安全（即使在非常高的频率下亦是如此），DC/DC 电源设计具有更高的总体能效。

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1+
￥11.88
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￥11.63
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￥11.47

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型号：NTMFS0D6N04XMT1G 编号：C23291596

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

特性：低导通电阻（RDS(on)），以最小化传导损耗。低电容，以最小化驱动损耗。小尺寸（5×6mm），紧凑设计。这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂，符合RoHS标准。应用：电机驱动。电池保护

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￥18.08
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￥17.62
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￥17.31

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型号：FDBL9403-F085T6 编号：C2902246

封装：HPSOF-8

品牌：onsemi(安森美)

特性：低RDS(on)，以最小化传导损耗。低QG和电容，以最小化驱动损耗。通过AEC-Q101认证，具备生产件批准程序（PPAP）能力。小尺寸封装（TOLL），适合紧凑设计。这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂（BFR），符合RoHS标准

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1+
￥18.86
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￥16.11
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￥14.48

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型号：CPH3459-TL-W 编号：C890537

封装：CPH-3

品牌：onsemi(安森美)

特性：导通电阻 RDS(on)1 = 2.8Ω（典型值），4V驱动。无卤合规。输入电容 Ciss = 90pF（典型值）。内置保护二极管

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￥19.84
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￥17.03
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￥15.35

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型号：NTP011N15MC 编号：C2902301

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

特性：屏蔽栅MOSFET技术。最大RDS(on)=10.9 mΩ，VGS = 10 V，ID = 41 A。比其他MOSFET供应商的Qrr低50%。降低开关噪声/电磁干扰。 100% UIL测试。这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂，符合RoHS标准。应用：用于ATX/服务器/电信电源的同步整流。电机驱动器和不间断电源

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1+
￥26.38
10+
￥25.81
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￥25.43

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型号：FCMT080N65S3 编号：C890865

封装：TDFN-4(8x8)

品牌：onsemi(安森美)

SUPERFET III MOSFET是全新的高压超结（SJ）MOSFET产品系列，它采用电荷平衡技术，具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。这项先进技术旨在最大限度地降低传导损耗，提供卓越的开关性能，并能承受极高的dv/dt速率。因此，SUPERFET III MOSFET易驱动系列有助于解决电磁干扰（EMI）问题，使设计实施更加简便

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￥36.35
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￥26.9

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型号：NTBLS4D0N15MC 编号：C606054

封装：MO-299A

品牌：onsemi(安森美)

特性：低导通电阻RDS(on)，以降低传导损耗。低栅极电荷QG和电容，以降低驱动损耗。降低开关噪声/电磁干扰。这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂，符合RoHS标准。应用：电动工具、电池驱动的吸尘器。无人机、物料搬运

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1+
￥36.48
10+
￥31.68
30+
￥28.76

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型号：NVMFS5C404NWFET1G 编号：C3277825

封装：DFNW-5(4.9x5.9)

品牌：onsemi(安森美)

特性：小尺寸（5x6 mm），适合紧凑设计。低导通电阻RDS(on)，以最小化传导损耗。低栅极电荷QG和电容，以最小化驱动损耗。 NVMFS5C404NWF-可焊侧翼选项，便于光学检测。通过AEC-Q101认证，具备PPAP能力。这些器件无铅且符合RoHS标准

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￥49.06
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￥47.94
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￥47.2

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型号：NTK3043NT5G 编号：C896489

封装：SOT-723

品牌：onsemi(安森美)

特性：支持高密度PCB制造。比SC-89占位面积小44%，比SC-89薄38%。低电压驱动，适用于便携式设备。低阈值电平，VGS(TH) < 1.3V。低外形（< 0.5mm），可轻松适配超薄环境，如便携式电子产品。可在标准逻辑电平栅极驱动下工作，便于使用相同基本拓扑向更低电平迁移。应用：接口、开关。高速开关

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￥1.0648
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150+
￥1.0253

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型号：NTMFS4841NHT1G 编号：C900271

封装：SO-8

品牌：onsemi(安森美)

特性：低导通电阻，以最小化传导损耗。低电容，以最小化驱动损耗。优化的栅极电荷，以最小化开关损耗。这些是无铅器件。应用：CPU电源供应。 DC-DC转换器

1+
￥2.58
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￥2.51
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￥2.47

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型号：NVTFS6H888NLTAG 编号：C900543

封装：WDFN-8(3x3)

品牌：onsemi(安森美)

特性：小尺寸 (3.3x3.3mm)，便于紧凑设计。低RDS(on)，以最小化传导损耗。低电容，以最小化驱动损耗。可焊侧翼产品。 AEC-Q101合格且具备PPAP能力。这些器件无铅且符合RoHS标准

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1+
￥4.17
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￥3.33
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￥2.91

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型号：NTMC083NP10M5L 编号：C2902235

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

特性：小尺寸（5 x 6mm），适合紧凑设计。低导通电阻（RDS(on)），以最小化传导损耗。低栅极电荷（QG）和电容，以最小化驱动损耗。该部件未进行静电放电保护。这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂，符合RoHS标准。应用：电动工具、电池供电的吸尘器。无人机、物料搬运

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1+
￥4.17
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￥4.07
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￥4.01

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型号：NTMFS4C55NT1G 编号：C463191

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

特性：低 RDS(on) 以最小化传导损耗。低电容以最小化驱动损耗。优化栅极电荷以最小化开关损耗。这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂，且符合 RoHS 标准。应用：CPU 电源供应。 DC-DC 转换器

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￥5.82
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￥5.7
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￥5.62
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￥5.53

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型号：ECH8308-TL-H 编号：C890593

封装：ECH-8

品牌：onsemi(安森美)

特性：最适合负载开关。 1.8V驱动。保护二极管。低导通电阻。无卤合规

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￥6.02
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￥5.88
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￥5.79

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型号：NVMYS1D6N04CLTWG 编号：C3288610

封装：LFPAK-4(5x6)

品牌：onsemi(安森美)

特性：低RDS(ON)以最小化传导损耗。低QG和电容以最小化驱动损耗。通过AEC-Q101认证且具备PPAP能力。 LFPAK4封装，行业标准。这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂且符合RoHS标准

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1+
￥10.2
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￥8.56
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￥7.53

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型号：NTTFS6H854NLTAG 编号：C900364

封装：WDFN-8(3.3x3.3)

品牌：onsemi(安森美)

特性：小尺寸（3.3x3.3mm），适合紧凑设计。低RDS(on)，以最小化传导损耗。低电容，以最小化驱动损耗。这些器件无铅且符合RoHS标准

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1+
￥10.33
10+
￥8.78
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￥7.81

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型号：NTMFS5C628NLT3G 编号：C604443

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

特性：小尺寸（5x6mm），适合紧凑设计。低RθJC，以最小化传导损耗。低QG和电容，以最小化驱动损耗。这些器件无铅且符合RoHS标准

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1+
￥12.61
10+
￥12.3
30+
￥12.09

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型号：NVMFS6D1N08HT1G 编号：C900463

封装：DFN-5(5.9x4.9)

品牌：onsemi(安森美)

特性：小尺寸（5x6mm），适合紧凑设计。低导通电阻RDS(on)，以最小化传导损耗。低栅极电荷QG和电容，以最小化驱动损耗。 NVMFSW6D1N08H-可焊侧翼选项，便于光学检测。通过AEC-Q101认证，可提供生产件批准程序（PPAP）文件。这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂、无铍，符合RoHS标准。应用：同步整流。 AC-DC和DC-DC电源

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1+
￥13
10+
￥12.71
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￥12.51

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型号：NVMFS016N10MCLT1G 编号：C3288267

封装：DFN-5(5x6)(SO-8FL)

品牌：onsemi(安森美)

特性：小尺寸（5×6mm），适合紧凑设计。低RDS(on)，以最小化传导损耗。低QG和电容，以最小化驱动损耗。通过AEC-Q101认证，具备PPAP能力。这些器件无铅、无卤素/BFR、无铍，符合RoHS标准

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1+
￥13.62
10+
￥11.58
30+
￥10.3

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型号：HUF75339P3 编号：C184834

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

此类 N 沟道功率 MOSFET 使用创新的 UltraFET 工艺生产。此先进工艺技术可实现每单位硅面积最低的导通电阻，从而产生出色的性能。此器件可承受雪崩模式下的高能量，二极管具有很短的逆向恢复时间和极低的存储电荷。它适用于功率能效非常重要的应用，如开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器、低压总线开关，以及便携式和电池运行产品中的功率管理。之前开发型号 TA75339。

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1+
￥14.84
10+
￥12.68
50+
￥11.34

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型号：NVMJS3D0N06CTWG 编号：C5205712

封装：LFPAK-8

品牌：onsemi(安森美)

特性：小尺寸（5x6mm），适用于紧凑设计。低导通电阻RDS(on)，以最小化传导损耗。低栅极电荷QG和电容，以最小化驱动损耗。通过AEC-Q101认证，具备生产件批准程序（PPAP）能力。无铅且符合RoHS标准

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1+
￥15.84
10+
￥15.5
30+
￥15.27

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型号：NVMFS6H818NLT1G 编号：C900467

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

特性：小尺寸封装（5x6 mm），适合紧凑设计。低导通电阻RDS(ON)，以最小化传导损耗。低栅极电荷QG和电容，以最小化驱动损耗。 NVMFS6H818NLWF具有可焊侧翼选项，便于光学检测。通过AEC-Q101认证，可提供PPAP文件。这些器件为无铅产品，符合RoHS标准

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1+
￥17.78
10+
￥17.36
30+
￥17.08

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型号：NTP5D0N15MC 编号：C898811

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

特性：屏蔽栅MOSFET技术。最大RDS(ON) = 5.0 mΩ，在VGS = 10 V，ID = 97 A时。 Qrr比其他MOSFET供应商低50%。降低开关噪声/EMI。 100% UIL测试。这些器件无铅、无卤素/BFR且符合RoHS标准。应用：ATX/服务器/电信电源的同步整流。电机驱动和不间断电源

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1+
￥19.56
10+
￥19.09
30+
￥18.78

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型号：NVMYS003N08LHTWG 编号：C3278347

封装：LFPAK-4(5x6)

品牌：onsemi(安森美)

特性：小尺寸（5x6mm），适合紧凑设计。低RDS(on)，以最小化传导损耗。低QG和电容，以最小化驱动损耗。 LFPAK4封装，行业标准。 AEC-Q101合格且具备PPAP能力。这些器件无铅且符合RoHS标准

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