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首页 > 热门关键词 > 安森美MOS驱动
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1个N沟道 耐压:40V 电流:50A 电流:316A
型号：NVMFSC0D9N04CL 编号：C894168
封装：DFN-8(4.9x5.8)
品牌：onsemi(安森美)
特性：先进的双面冷却封装。 小尺寸（5×6mm），适合紧凑设计。 超低导通电阻RDS(on)，以最小化传导损耗。 低栅极电荷QG和电容，以最小化驱动损耗。 通过AEC-Q101认证，可提供生产件批准程序（PPAP）文件。 这些器件无铅且符合RoHS标准。 MSL1坚固的封装设计
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  • 1+

    ￥50.61

  • 10+

    ￥43.1

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    ￥38.52
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    1个N沟道 耐压:40V 电流:378A
    型号：NTMFS5C404NT1G 编号：C604433
    封装：DFN5(5x6)
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：小尺寸（5x6mm），适合紧凑设计。 低RθJC，以最小化传导损耗。 低QG和电容，以最小化驱动损耗。 这些器件为无铅产品，符合RoHS标准
    数据手册

    • 1+

      ￥54.3012 ￥73.38

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      ￥40.7424 ￥63.66

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      ￥28.4958 ￥52.77
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    耐压:20V 电流:5.1A
    型号：NTGS3446T1G 编号：C893999
    封装：TSOP-6
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：超低导通电阻（RDS(on)）。 更高的效率，延长电池续航时间。 逻辑电平栅极驱动。 二极管具有高速、软恢复特性。 规定雪崩能量。 规定高温下的漏电流（IDSS）。应用：便携式和电池供电产品的电源管理，如电脑、打印机、PCMCIA卡、手机和无绳设备。 锂离子电池应用
    数据手册

    • 1+

      ￥3.74

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      ￥3.05

    • 30+

      ￥2.71
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    1个N沟道 耐压:80V 电流:22A
    型号：NTMFS6H864NLT1G 编号：C900321
    封装：DFN5(5x6)
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：小尺寸（5×6mm），适合紧凑设计。 低RDS(on)，以最小化传导损耗。 低QG和电容，以最小化驱动损耗。 这些器件无铅且符合RoHS标准
    数据手册

    • 1+

      ￥3.91

    • 10+

      ￥3.81

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      ￥3.74

    • 100+

      ￥3.68
  • 有货
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    1个P沟道 耐压:40V 电流:13.2A
    型号：NVTFS052P04M8LTAG 编号：C900512
    封装：WDFN-8(3.3x3.3)
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：小尺寸（3.3×3.3mm），适合紧凑设计。 低RDS(on)，以最小化传导损耗。 低电容，以最小化驱动损耗。 可焊侧翼产品。 AEC-Q101合格且具备PPAP能力。 这些器件无铅、无卤素/BFR且符合RoHS标准
    数据手册

    • 1+

      ￥4.86

    • 10+

      ￥3.96

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      ￥3.51
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    1个N沟道 耐压:40V 电流:14A 43A
    型号：NVD5C478NT4G 编号：C887739
    封装：TO-252(DPAK)
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：低RDS(on)以最小化传导损耗。 低ΩG和电容以最小化驱动损耗。 通过AEC-Q101认证且具备PPAP能力。 这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂且符合RoHS标准
    数据手册

    • 1+

      ￥6.4395 ￥7.95

    • 10+

      ￥5.5238 ￥7.78

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      ￥4.6726 ￥7.66

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      ￥4.6055 ￥7.55
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    1个N沟道 耐压:50V 电流:14A
    型号：RFD14N05LSM 编号：C719826
    封装：DPAK-3
    品牌：onsemi(安森美)
    此类 N 沟道功率 MOSFET 是使用 MegaFET 工艺生产的。此工艺使用接近 LSI 集成电路的特性尺寸，可实现硅的优化利用，因此性能非常出色。此类器件适用于开关稳压器、开关转换器、电机驱动器和继电器驱动器等应用。此性能是通过一个特殊的门极氧化层设计实现的，该设计可在 3V 到 5V 电压内的门极偏置下提供全额定传导，因此可以真正实现直接从逻辑电平 (5V) 集成电路中的开关电源控制。之前的开发型号为 TA09870。
    数据手册

    • 1+

      ￥7

    • 10+

      ￥5.87

    • 30+

      ￥5.25
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    1个N沟道 耐压:60V 电流:50A
    型号：NTMFS5C673NT1G 编号：C900313
    封装：DFN5(5x6)
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：小尺寸（5×6mm），适用于紧凑设计。 低RDS(on)，以最小化传导损耗。 低QG和电容，以最小化驱动损耗。 这些器件无铅且符合RoHS标准
    数据手册

    • 1+

      ￥8.51

    • 10+

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    • 30+

      ￥6.43
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    2个P沟道 耐压:30V 电流:7A
    型号：FDS4935A 编号：C236903
    封装：SOIC-8
    品牌：onsemi(安森美)
    此 P 沟道 MOSFET 是先进的 PowerTrench 工艺的坚固门极版本。它针对需要较宽门极驱动电压额定值 (4.5V – 20V) 的电源管理应用进行了优化。
    数据手册

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      ￥8.64

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    1个N沟道 耐压:100V 电流:105A
    型号：NTMFS005N10MCLT1G 编号：C2902099
    封装：SO-8FL
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：小尺寸（5x6 mm），适合紧凑设计。 低导通电阻RDS(on)，以减少传导损耗。 低栅极电荷QG和电容，以减少驱动损耗。 这些器件无铅、无卤素、无铍，符合RoHS标准。应用：同步整流。 AC-DC和DC-DC电源
    数据手册

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      ￥9.35

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      ￥9
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    1个P沟道 耐压:40V 电流:11A
    型号：FDS4675 编号：C236902
    封装：SO-8
    品牌：onsemi(安森美)
    此 P 沟道 MOSFET 是先进的 PowerTrench 工艺的坚固门极版本。它针对需要较宽门极驱动电压额定值 (4.5V – 20V) 的电源管理应用进行了优化。
    数据手册

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      ￥9.54

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    1个N沟道 耐压:100V 电流:8.4A 电流:31A
    型号：NVMFS021N10MCLT1G 编号：C5205667
    封装：DFN-5(5x6)
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：小尺寸（5x6 mm），适合紧凑设计。 低RDS(on)，以最小化传导损耗。 低QG和电容，以最小化驱动损耗。 NVMFWS021N10MCL 可焊侧翼选项，便于光学检测。 通过 AEC-Q101 认证，可提供 PPAP 文件。 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂，符合 RoHS 标准
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      ￥9.93

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    1个N沟道 耐压:40V 电流:29A 电流:155A
    型号：NTMFS5H419NLT1G 编号：C604449
    封装：DFN-5(5x6)
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：小尺寸（5x6mm），适合紧凑设计。 低导通电阻RDS(on)，以最小化传导损耗。 低栅极电荷QG和电容，以最小化驱动损耗。 这些器件无铅且符合RoHS标准
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    • 1+

      ￥10.09

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      ￥6.2
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    1个N沟道 耐压:100V 电流:132A
    型号：NVMFS3D6N10MCLT1G 编号：C900408
    封装：DFN-5(5.9x4.9)
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：小尺寸（5x6 mm），适合紧凑设计。 低导通电阻 RDS(on)，以最小化传导损耗。 低栅极电荷 QG 和电容，以最小化驱动损耗。 可焊侧翼选项，便于光学检测。 通过 AEC-Q101 认证，具备 PPAP 能力。 无铅、无卤素/无溴化阻燃剂，符合 RoHS 标准
    数据手册

    • 1+

      ￥13.53

    • 10+

      ￥13.22

    • 30+

      ￥13.01
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    1个N沟道 耐压:60V 电流:70A
    型号：RFP70N06 编号：C898823
    封装：TO-220AB
    品牌：onsemi(安森美)
    此类 N 沟道功率 MOSFET 是使用 MegaFET 工艺生产的。此工艺使用接近 LSI 电路的特性尺寸，可实现硅的优化利用，因此性能非常出色。此类器件适用于开关稳压器、开关转换器、电机驱动器和继电器驱动器等应用。此类晶体管可直接在集成电路中运行。之前的开发型号为 TA78440。
    数据手册

    • 1+

      ￥16.86

    • 10+

      ￥14.33

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      ￥12.74
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    N沟道 25V 310A
    型号：NTTFSSCH0D7N02X 编号：C48538038
    封装：WDFN-9(3.3x3.3)
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：先进的源极朝下中心栅极双冷却封装技术（3.3×3.3mm）实现出色的热传导。超低导通电阻，提高系统效率。低栅极电荷和电容，使驱动和开关损耗最小化。这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂，符合RoHS标准。应用：高开关频率DC-DC转换。同步整流

    • 1+

      ￥19.15

    • 10+

      ￥18.73

    • 30+

      ￥18.45
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:40V 电流:210A
    型号：NTMFS5H414NLT1G 编号：C604448
    封装：SO-8FL
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：小尺寸封装（5x6 mm），适合紧凑设计。 低导通电阻RDS(on)，可降低传导损耗。 低栅极电荷QG和电容，可降低驱动损耗。 无铅器件，符合RoHS标准
    数据手册

    • 1+

      ￥30.4214 ￥41.11

    • 10+

      ￥22.8288 ￥35.67

    • 30+

      ￥17.469 ￥32.35

    • 100+

      ￥15.9678 ￥29.57
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    1个N沟道 耐压:100V
    型号：NTBLS1D5N10MCTXG 编号：C5208886
    封装：TOLL-8L
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：低RDS(ON)以最小化传导损耗。 低QG和电容以最小化驱动损耗。 降低开关噪声/EMI。 这些器件无铅且符合RoHS标准
    数据手册

    • 1+

      ￥31.06

    • 10+

      ￥30.33

    • 30+

      ￥29.84
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:40V 电流:277A
    型号：NVMTS1D1N04CTXG 编号：C3288329
    封装：DFNW-8(8.3x8.4)
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：小尺寸（8×8mm），适合紧凑设计。 低RDS(on)，以最小化传导损耗。 低QG和电容，以最小化驱动损耗。 新型Power 88封装。 AEC-Q101合格且具备PPAP能力。 这些器件无铅且符合RoHS标准
    数据手册

    • 1+

      ￥32.06

    • 10+

      ￥30.49

    • 30+

      ￥29.54
  • 有货
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    耐压:80V 电流:337A
    型号：NVMTS1D2N08H 编号：C894186
    封装：DFNW-8(8.4x8.3)
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：小尺寸（8x8mm），适合紧凑设计。 低RDS(on)，以最小化传导损耗。 低QG和电容，以最小化驱动损耗。 通过AEC-Q101认证且具备生产件批准程序（PPAP）能力。 这些器件无铅且符合RoHS标准
    数据手册

    • 1+

      ￥33.62

    • 10+

      ￥28.82

    • 30+

      ￥25.9
  • 有货
    • 立即购买
    60V 398.2A
    型号：NTMTS001N06CLTXG 编号：C604460
    封装：DFNW-8(8.4x8.3)
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：小尺寸（8x8mm），便于紧凑设计。 低导通电阻，以最小化传导损耗。 低栅极电荷和电容，以最小化驱动损耗。 采用Power 88封装，为行业标准。 这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂，符合RoHS标准
    数据手册

    • 1+

      ￥36

    • 10+

      ￥31.06

    • 30+

      ￥28.05
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:30V 电流:69A
    型号：NTMFS4C06NT1G 编号：C463636
    封装：SO-8FL
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：低导通电阻，以最小化传导损耗。 低电容，以最小化驱动损耗。 优化的栅极电荷，以最小化开关损耗。 这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂，符合RoHS标准。应用：CPU电源供应。 DC-DC转换器
    数据手册

    • 1+

      ￥2.7

    • 10+

      ￥2.63

    • 30+

      ￥2.58
  • 有货
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    2个N沟道 耐压:30V 电流:4.6A
    型号：NTLJD4116NT1G 编号：C894005
    封装：WDFN-6(2x2)
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：WDFN封装，提供裸露的漏极焊盘，实现出色的热传导。 2x2 mm的占位面积与SC-88相同。 2x2 mm封装中最低的RDS(on)解决方案。 1.5 V RDS(on)额定值，可在低电压栅极驱动逻辑电平下工作。 低外形（<0.8 mm），便于在薄型环境中安装。 这是无铅器件。应用：DC-DC转换器（降压和升压电路）。 低端负载开关
    数据手册

    • 1+

      ￥3.1

    • 10+

      ￥3.03

    • 30+

      ￥2.99
  • 有货
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    1个P沟道 耐压:20V 电流:2.4A
    型号：FDN302P 编号：C96567
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    此P沟道2.5V特定MOSFET采用安森美先进的PowerTrench工艺的坚固栅极版本。它针对具有宽范围栅极驱动电压（2.5V-12V）的电源管理应用进行了优化。
    数据手册

    • 1+

      ￥3.24

    • 10+

      ￥2.6

    • 30+

      ￥2.32
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:60V 电流:11A
    型号：RFD3055LESM9A 编号：C236921
    封装：DPAK-3
    品牌：onsemi(安森美)
    此类 N 沟道增强模式功率 MOSFET 使用最新的制造工艺生产。此工艺使用接近 LSI 电路的特性尺寸，可实现硅的优化利用，因此性能非常出色。此类器件适用于开关稳压器、开关转换器、电机驱动器和继电器驱动器等应用。此类晶体管可直接在集成电路中运行。之前的开发型号为 TA49158。
    数据手册

    • 1+

      ￥3.25

    • 10+

      ￥3.18

    • 30+

      ￥3.14
  • 有货
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    1个P沟道 耐压:40V 电流:49A
    型号：NVTFWS014P04M8LTAG 编号：C900554
    封装：WDFN-8(3.3x3.3)
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：小尺寸 (3.3×3.3mm)，适合紧凑设计。 低RDS(on)，以最小化传导损耗。 低电容，以最小化驱动损耗。 可焊侧翼产品。 通过AEC-Q101认证，具备PPAP能力。 这些器件无铅、无卤素/BFR，符合RoHS标准
    数据手册

    • 1+

      ￥3.33

    • 10+

      ￥3.26

    • 30+

      ￥3.21
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    1个N沟道 耐压:60V 电流:33A
    型号：NTMFS016N06CT1G 编号：C900260
    封装：SO-8-FL-5.9mm
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：小尺寸封装（5x6 mm），适合紧凑设计。 低导通电阻RDS(on)，以最小化传导损耗。 低栅极电荷QG和电容，以最小化驱动损耗。 这些器件为无铅、无卤/无溴化阻燃剂，且符合RoHS标准。应用：电动工具，电池供电的真空吸尘器。 无人机
    数据手册

    • 1+

      ￥3.54

    • 10+

      ￥3.46

    • 30+

      ￥3.41
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:40V 电流:51A
    型号：NTTFS5C466NLTAG 编号：C900355
    封装：WDFN-8-EP(3.3x3.3)
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：小尺寸 (3.3 x 3.3 mm)，适合紧凑设计。 低RDS(on)，以最小化传导损耗。 低电容，以最小化驱动损耗。 这些器件无铅且符合RoHS标准
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    1个N沟道 耐压:80V 电流:8.1A 30A
    型号：NVTFS6H860NLTAG 编号：C900538
    封装：WDFN-8(3.3x3.3)
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：小尺寸封装（3.3x3.3mm），适合紧凑设计。 低导通电阻，可降低传导损耗。 低电容，可降低驱动损耗。 产品具有可焊侧翼。 通过AEC-Q101认证，具备生产件批准程序（PPAP）能力。 无铅且符合RoHS标准
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    1个P沟道 耐压:20V 电流:10A
    型号：NTMS10P02R2G 编号：C274623
    封装：SOIC-8
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：超低导通电阻（RDS(on)）。 更高的效率，延长电池寿命。 逻辑电平栅极驱动。 微型SOIC-8表面贴装封装。 二极管具有高速、软恢复特性。 规定了雪崩能量。应用：便携式和电池供电产品的电源管理，如移动电话、无绳电话和PCMCIA卡
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