安森美MOS驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：FDBL0120N40 编号：C900875

封装：MO-299A

品牌：onsemi(安森美)

特性：典型 RDS(on) = 0.9mΩ，VGS = 10V，ID = 80A。典型 Qg(tot) = 90nC，VGS = 10V，ID = 80A。 UIS 能力。 RoHS 合规。应用：工业电机驱动。工业电源

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￥10.2483 ￥17.37
10+
￥8.3251 ￥16.99
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￥6.5247 ￥16.73
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￥6.4272 ￥16.48

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型号：FCPF165N65S3L1 编号：C606098

封装：TO-220F

品牌：onsemi(安森美)

SUPERFET III MOSFET 是利用电荷平衡技术的新型高压超结 (SJ) MOSFET 系列，具有出色的低导通电阻和较低的栅极电荷性能。这种先进技术旨在最大限度减少传导损耗，提供卓越的开关性能，并能承受极高的 dv/dt 速率。因此，SUPERFET III MOSFET 易驱动系列有助于管理 EMI 问题，并便于设计实施。

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1+
￥12.88
10+
￥10.95
50+
￥9.75

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型号：NVMFWS2D9N04XMT1G 编号：C39179053

封装：DFNW-5(5x6)

品牌：onsemi(安森美)

特性：低导通电阻，以最小化传导损耗。低电容，以最小化驱动损耗。小尺寸（5 x 6 mm），设计紧凑。通过 AEC-Q101 认证，具备 PPAP 能力。这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂，符合 RoHS 标准。应用：电机驱动。电池保护

1+
￥13.08
10+
￥11.18
30+
￥9.99

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型号：RFP70N06 编号：C898823

封装：TO-220AB

品牌：onsemi(安森美)

此类 N 沟道功率 MOSFET 是使用 MegaFET 工艺生产的。此工艺使用接近 LSI 电路的特性尺寸，可实现硅的优化利用，因此性能非常出色。此类器件适用于开关稳压器、开关转换器、电机驱动器和继电器驱动器等应用。此类晶体管可直接在集成电路中运行。之前的开发型号为 TA78440。

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1+
￥16.86
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￥14.33
50+
￥12.74

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型号：HUF75639G3 编号：C898256

封装：TO-247

品牌：onsemi(安森美)

此类 N 沟道功率 MOSFET 使用创新的 UltraFET 工艺生产。此先进工艺技术可实现每单位硅面积最低的导通电阻，从而产生出色的性能。此器件可承受雪崩模式下的高能量，二极管具有很短的逆向恢复时间和极低的存储电荷。它适用于功率能效非常重要的应用，如开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器、低压总线开关，以及便携式和电池运行产品中的功率管理。

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1+
￥19.38
10+
￥17.7942 ￥18.93
30+
￥15.6408 ￥18.62
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￥15.3804 ￥18.31

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型号：NTTFS1D8N02P1E 编号：C894099

封装：PQFN-8(3.3x3.3)

品牌：onsemi(安森美)

特性：小尺寸，适合紧凑设计。低导通电阻RDS(on)，以最小化传导损耗。低栅极电荷QG和电容，以最小化驱动损耗。这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂，符合RoHS标准。应用：DC-DC转换器。电源负载开关

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1+
￥19.4818 ￥33.02
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￥13.9552 ￥28.48
30+
￥10.0542 ￥25.78
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￥8.9934 ￥23.06
500+
￥8.502 ￥21.8
1000+
￥8.2797 ￥21.23

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型号：CPH3459-TL-W 编号：C890537

封装：CPH-3

品牌：onsemi(安森美)

特性：导通电阻 RDS(on)1 = 2.8Ω（典型值），4V驱动。无卤合规。输入电容 Ciss = 90pF（典型值）。内置保护二极管

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￥19.84
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￥17.03
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￥15.35

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型号：NTMTSC002N10MCTXG 编号：C2902299

封装：DFNW-8(8.4x8.3)

品牌：onsemi(安森美)

特性：小尺寸封装（8x8mm），适合紧凑设计。低导通电阻RDS(on)，可降低传导损耗。低栅极电荷QG和电容，可降低驱动损耗。新型Power 88双散热封装。无铅产品，符合RoHS标准

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1+
￥29.7171 ￥33.39
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￥25.8014 ￥32.66
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￥22.1973 ￥32.17
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￥21.8661 ￥31.69

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型号：FCMT080N65S3 编号：C890865

封装：TDFN-4(8x8)

品牌：onsemi(安森美)

SUPERFET III MOSFET是全新的高压超结（SJ）MOSFET产品系列，它采用电荷平衡技术，具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。这项先进技术旨在最大限度地降低传导损耗，提供卓越的开关性能，并能承受极高的dv/dt速率。因此，SUPERFET III MOSFET易驱动系列有助于解决电磁干扰（EMI）问题，使设计实施更加简便

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1+
￥35.24
10+
￥30.04
30+
￥25.78

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型号：NTMFS5C404NT1G 编号：C604433

封装：DFN5(5x6)

品牌：onsemi(安森美)

特性：小尺寸（5x6mm），适合紧凑设计。低RθJC，以最小化传导损耗。低QG和电容，以最小化驱动损耗。这些器件为无铅产品，符合RoHS标准

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1+
￥59.4378 ￥73.38
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￥45.1986 ￥63.66
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￥35.2214 ￥57.74
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￥32.1897 ￥52.77

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型号：NTMFS6H864NLT1G 编号：C900321

封装：DFN5(5x6)

品牌：onsemi(安森美)

特性：小尺寸（5×6mm），适合紧凑设计。低RDS(on)，以最小化传导损耗。低QG和电容，以最小化驱动损耗。这些器件无铅且符合RoHS标准

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1+
￥3.12
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￥3.05
30+
￥2.99

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型号：FDN302P 编号：C96567

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此P沟道2.5V特定MOSFET采用安森美先进的PowerTrench工艺的坚固栅极版本。它针对具有宽范围栅极驱动电压（2.5V-12V）的电源管理应用进行了优化。

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1+
￥3.24
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￥2.6
30+
￥2.32

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型号：RFD3055LESM9A 编号：C236921

封装：DPAK-3

品牌：onsemi(安森美)

此类 N 沟道增强模式功率 MOSFET 使用最新的制造工艺生产。此工艺使用接近 LSI 电路的特性尺寸，可实现硅的优化利用，因此性能非常出色。此类器件适用于开关稳压器、开关转换器、电机驱动器和继电器驱动器等应用。此类晶体管可直接在集成电路中运行。之前的开发型号为 TA49158。

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1+
￥3.25
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￥3.18
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￥3.14

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型号：NTMFS016N06CT1G 编号：C900260

封装：SO-8-FL-5.9mm

品牌：onsemi(安森美)

特性：小尺寸封装（5x6 mm），适合紧凑设计。低导通电阻RDS(on)，以最小化传导损耗。低栅极电荷QG和电容，以最小化驱动损耗。这些器件为无铅、无卤/无溴化阻燃剂，且符合RoHS标准。应用：电动工具，电池供电的真空吸尘器。无人机

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1+
￥3.54
10+
￥3.46
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￥3.41

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型号：NVTFS014P04M8LTAG 编号：C900507

封装：WDFN-8(3x3)

品牌：onsemi(安森美)

特性：小尺寸 (3.3×3.3mm)，适合紧凑设计。低RDS(on)，以最小化传导损耗。低电容，以最小化驱动损耗。可焊侧翼产品。通过AEC-Q101认证，具备PPAP能力。这些器件无铅、无卤素/BFR，符合RoHS标准

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1+
￥4.16
10+
￥4.07
30+
￥4.01

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型号：NVTFWS052P04M8LTAG 编号：C900560

封装：WDFN-8(3x3)

品牌：onsemi(安森美)

特性：小尺寸（3.3×3.3mm），适合紧凑设计。低RDS(on)，以最小化传导损耗。低电容，以最小化驱动损耗。可焊侧翼产品。 AEC-Q101合格且具备PPAP能力。这些器件无铅、无卤素/BFR且符合RoHS标准

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1+
￥4.85
10+
￥3.96
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￥3.51

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型号：NVTFS6H860NLTAG 编号：C900538

封装：WDFN-8(3.3x3.3)

品牌：onsemi(安森美)

特性：小尺寸封装（3.3x3.3mm），适合紧凑设计。低导通电阻，可降低传导损耗。低电容，可降低驱动损耗。产品具有可焊侧翼。通过AEC-Q101认证，具备生产件批准程序（PPAP）能力。无铅且符合RoHS标准

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1+
￥4.92
10+
￥4.79
30+
￥4.71
100+
￥4.63

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型号：NTD4804NT4G 编号：C179613

封装：DPAK

品牌：onsemi(安森美)

特性：低 RDS(on)，以最小化传导损耗。低电容，以最小化驱动损耗。优化的栅极电荷，以最小化开关损耗。通过 AEC Q101 认证。这些器件无铅且符合 RoHS 标准。应用：CPU 电源供应。 DC-DC 转换器

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1+
￥5.0116 ￥11.39
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￥4.2812 ￥9.73
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￥3.828 ￥8.7
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￥3.3616 ￥7.64
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￥3.1504 ￥7.16
1000+
￥3.058 ￥6.95

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型号：NTMFS4C10NT1G 编号：C96242

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

特性：低RDS(on)以最小化传导损耗。低电容以最小化驱动损耗。优化的栅极电荷以最小化开关损耗。这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂，符合RoHS标准。应用：CPU电源供应。 DC-DC转换器

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1+
￥6.22
10+
￥5.04
30+
￥4.44
100+
￥3.86

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型号：NVD5C478NT4G 编号：C887739

封装：TO-252(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

特性：低RDS(on)以最小化传导损耗。低ΩG和电容以最小化驱动损耗。通过AEC-Q101认证且具备PPAP能力。这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂且符合RoHS标准

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1+
￥6.996 ￥7.95
10+
￥6.0684 ￥7.78
30+
￥5.2088 ￥7.66
100+
￥5.134 ￥7.55

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型号：FDS4675 编号：C236902

封装：SO-8

品牌：onsemi(安森美)

此 P 沟道 MOSFET 是先进的 PowerTrench 工艺的坚固门极版本。它针对需要较宽门极驱动电压额定值 (4.5V – 20V) 的电源管理应用进行了优化。

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1+
￥9.54
10+
￥8.03
30+
￥7.2

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型号：NTBS9D0N10MC 编号：C898808

封装：D2PAK

品牌：onsemi(安森美)

特性：低导通电阻（RDS(on)），以最小化传导损耗。低栅极电荷（QG）和电容，以最小化驱动损耗。降低开关噪声/电磁干扰。这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂，且符合RoHS标准。应用：电动工具、电池供电的吸尘器。无人机、物料搬运

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1+
￥9.84
10+
￥9.6
30+
￥9.44
100+
￥9.28

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型号：NTMFS5C628NT1G 编号：C900310

封装：DFN-5(5.9x4.9)

品牌：onsemi(安森美)

特性：小尺寸（5x6mm），适合紧凑设计。低导通电阻，以最小化传导损耗。低栅极电荷和电容，以最小化驱动损耗。这些器件无铅且符合RoHS标准

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1+
￥13.15
10+
￥11.24
30+
￥10.04

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型号：NVMFD6H840NLT1G 编号：C604577

封装：DFN-8(5x6)

品牌：onsemi(安森美)

特性：小尺寸（5x6 mm），适合紧凑设计。低导通电阻RDS(on)，以最小化传导损耗。低栅极电荷QG和电容，以最小化驱动损耗。可写边缘选项，用于增强光学检查。通过AEC-Q101认证，具备生产件批准程序（PPAP）能力。无铅器件，符合RoHS标准

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1+
￥13.83
10+
￥13.51
30+
￥13.3

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型号：HUF75339P3 编号：C184834

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

此类 N 沟道功率 MOSFET 使用创新的 UltraFET 工艺生产。此先进工艺技术可实现每单位硅面积最低的导通电阻，从而产生出色的性能。此器件可承受雪崩模式下的高能量，二极管具有很短的逆向恢复时间和极低的存储电荷。它适用于功率能效非常重要的应用，如开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器、低压总线开关，以及便携式和电池运行产品中的功率管理。之前开发型号 TA75339。

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￥14.84
10+
￥12.68
50+
￥11.34

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型号：NTP5D0N15MC 编号：C898811

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

特性：屏蔽栅MOSFET技术。最大RDS(ON) = 5.0 mΩ，在VGS = 10 V，ID = 97 A时。 Qrr比其他MOSFET供应商低50%。降低开关噪声/EMI。 100% UIL测试。这些器件无铅、无卤素/BFR且符合RoHS标准。应用：ATX/服务器/电信电源的同步整流。电机驱动和不间断电源

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