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1个N沟道耐压:100V 电流:47.1A

型号：NVMFS015N10MCLT1G 编号：C900404

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

特性：小尺寸 (5×6mm)，适合紧凑设计。低RDS(on)，以最小化传导损耗。低QG和电容，以最小化驱动损耗。有可焊侧翼选项，便于光学检测。通过AEC-Q101认证，可提供生产件批准程序文件。这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂，符合RoHS标准

数据手册

1+
￥7.73
10+
￥6.51
30+
￥5.84
100+
￥5.08
500+
￥4.75
1500+
￥4.59

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:50A

型号：RFP50N06 编号：C274239

封装：TO-220AB

品牌：onsemi(安森美)

此类 N 沟道功率 MOSFET 是使用 MegaFET 工艺生产的。此工艺使用接近 LSI 集成电路的特性尺寸，可实现硅的优化利用，因此性能非常出色。此类器件适用于开关稳压器、开关转换器、电机驱动器和继电器驱动器等应用。此类晶体管可直接在集成电路中运行。之前的开发型号为 TA09526。

数据手册

1+
￥9.79
10+
￥8.29
50+
￥7.35
100+
￥6.38
500+
￥5.94
800+
￥5.75

有货

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耐压:650V 电流:19A

型号：FCH165N65S3R0-F155 编号：C898126

封装：TO-247-3

品牌：onsemi(安森美)

SUPERFET III MOSFET是全新的高压超结（SJ）MOSFET系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻和较低的栅极电荷性能。该先进技术旨在最大限度地减少传导损耗，提供卓越的开关性能，并能承受极端的dv/di速率。因此，SUPERFET III MOSFET易驱动系列有助于解决EMI问题，并便于设计实施。

数据手册

1+
￥13.442 ￥25.85
10+
￥9.366 ￥22.3
30+
￥6.4576 ￥20.18
90+
￥5.776 ￥18.05
510+
￥5.4592 ￥17.06
990+
￥5.3184 ￥16.62

有货

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1个N沟道耐压:150V 电流:41.9A

型号：NTMFS022N15MC 编号：C2902172

封装：PQFN-8(4.9x5.8)

品牌：onsemi(安森美)

特性：小尺寸（5 x 6 mm），适合紧凑设计。低RDS(on)，以最小化传导损耗。低QG和电容，以最小化驱动损耗。 100% UIL测试。这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂，符合RoHS标准。应用：同步整流。 AC-DC和DC-DC电源

数据手册

1+
￥18.17
10+
￥15.44
30+
￥13.82

有货

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1个N沟道耐压:80V 电流:59A

型号：NVMFS6H848NLT1G 编号：C900478

封装：DFN-5(5.9x4.9)

品牌：onsemi(安森美)

特性：小尺寸（5x6 mm），适合紧凑设计。低导通电阻RDS(on)，以最小化传导损耗。低栅极电荷QG和电容，以最小化驱动损耗。 NVMFS6H848NLWF 可焊侧翼选项，便于光学检测。通过 AEC-Q101 认证，可提供 PPAP 文件。这些器件为无铅产品，符合 RoHS 标准

数据手册

1+
￥20.11
10+
￥17.31
30+
￥15.56

有货

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1个N沟道耐压:600V 电流:20.2A

型号：FCMT199N60 编号：C455163

封装：Power-88

品牌：onsemi(安森美)

SuperFET II MOSFET 是全新的高压超结 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻，以及更低门极电荷方面的出色性能。此技术专用于最大程度降低导通损耗，提供出色的开关性能、dv/dt 速率和更高的雪崩能量。因此，SuperFET II MOSFET 非常适用于开关电源应用，如服务器/电信电源、适配器和太阳能逆变器应用。Power88 封装是一款超薄表面贴装封装（高 1mm），体积和占位都很小 (8x8 mm2)。采用 Power88 封装的 SUPERFET III MOSFET 具有更低的寄生电源感应以及分离的电源和驱动源，可提供出色的开关性能。Power88 提供 1 级湿度敏感性 (MSL 1)。

数据手册

1+
￥30.0168 ￥34.11
10+
￥22.9476 ￥29.42
30+
￥18.1152 ￥26.64
100+
￥16.1976 ￥23.82
500+
￥15.3136 ￥22.52
1000+
￥14.9124 ￥21.93

有货

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2个N沟道耐压:60V 电流:111A

型号：NVMFD5C650NLT1G 编号：C604573

封装：DFN-8(5x6)

品牌：onsemi(安森美)

特性：小尺寸（5x6 mm），适合紧凑设计。低导通电阻RDS(on)，以减少传导损耗。低栅极电荷QG和电容，以减少驱动损耗。可焊侧翼选项，便于光学检测。通过AEC-Q101认证，可提供生产件批准程序（PPAP）文件。这些器件无铅且符合RoHS标准

数据手册

1+
￥34.12
10+
￥29.07
30+
￥26.07

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:39A 262A

型号：NTMJS1D4N06CLTWG 编号：C894049

封装：LFPAK-8

品牌：onsemi(安森美)

特性：小尺寸（5x6mm），适合紧凑设计。低导通电阻RDS(on)，以最小化传导损耗。低栅极电荷QG和电容，以最小化驱动损耗。 LFPAK8封装，行业标准。这些器件无铅且符合RoHS标准

数据手册

1+
￥36.456 ￥58.8
10+
￥26.5304 ￥51.02
30+
￥19.4334 ￥46.27
100+
￥17.7618 ￥42.29

有货

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耐压:150V 电流:78A

型号：NTMFS011N15MC 编号：C894035

封装：FQFN-8(5x6)

品牌：onsemi(安森美)

特性：小尺寸封装（5 x 6 mm），适合紧凑设计。低导通电阻 RDS(on)，可降低传导损耗。低栅极电荷 QG 和电容，可降低驱动损耗。无铅、无卤、符合 RoHS 标准。应用：同步整流。 AC-DC 和 DC-DC 电源

数据手册

1+
￥63.5096 ￥82.48
10+
￥52.8228 ￥78.84
30+
￥41.3478 ￥72.54
100+
￥38.2128 ￥67.04

有货

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1个P沟道耐压:20V 电流:1.37A

型号：NTS4101PT1G 编号：C3279675

封装：SOT-323

品牌：onsemi(安森美)

特性：领先的。20 V沟槽，实现低导通电阻RDS(on)。2.5 V额定电压，适用于低电压栅极驱动。SC-70表面贴装，占用空间小（2x2 mm）。提供无铅封装。应用：高端负载开关。充电电路

数据手册

5+
￥0.4874
50+
￥0.3814
150+
￥0.3284
500+
￥0.2886
3000+
￥0.2568
6000+
￥0.2409

有货

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耐压:50V 电流:0.22A

型号：BSS138-G 编号：C890264

封装：SOT-23-3

品牌：onsemi(安森美)

这些N沟道增强型场效应晶体管采用体专有的高单元密度DMOS技术制造。这些产品旨在最大限度地降低导通电阻，同时提供坚固、可靠且快速的开关性能。这些产品特别适用于低电压、低电流应用，如小型伺服电机控制、功率MOSFET栅极驱动器及其他开关应用

5+
￥0.8081
50+
￥0.7897
150+
￥0.7774

有货

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2个N沟道耐压:20V 电流:6.5A

型号：FDS9926A 编号：C903644

封装：SO-8

品牌：onsemi(安森美)

此类 N 沟道 2.5V 指定 MOSFET 使用先进的 PowerTrench 工艺。它针对较宽门极驱动电压额定值 (2.5V – 10V) 的电源管理应用进行了优化。

数据手册

5+
￥1.6377
50+
￥1.6117
150+
￥1.5943

有货

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1个P沟道耐压:20V 电流:4.5A

型号：FDC640P 编号：C241774

封装：SuperSOT-6

品牌：onsemi(安森美)

此 P 沟道 2.5V 指定 MOSFET 使用先进的 PowerTrench 工艺的坚固门极版本。它针对较宽门极驱动电压额定值 (2.5V – 12V) 的功率管理应用进行了优化。

数据手册

5+
￥1.6993
50+
￥1.3206
150+
￥1.1583
500+
￥0.9558
3000+
￥0.8657
6000+
￥0.8115

有货

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1个N沟道耐压:100V 电流:3.7A

型号：FDT3612 编号：C127977

封装：SOT-223-3

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 专为提高 DC/DC 转换器的总效率而设计，可以使用同步开关 PWM 控制器，也可以使用传统开关 PWM 控制器。与具有相当的 RDS(ON) 规格的其他 MOSFET 相比，此类 MOSFET 开关速度更快，门极电荷更低。因此该 MOSFET 驱动简单，也更安全（即使在非常高的频率下亦是如此），DC/DC 电源设计具有更高的总体效率。

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1+
￥3.6
10+
￥2.9
30+
￥2.55
100+
￥2.21

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:5A

型号：CPH6341-TL-W 编号：C890562

封装：SOT-26-6

品牌：onsemi(安森美)

特性：低导通电阻。高速开关。 4V驱动。内置保护二极管

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1+
￥3.69
10+
￥3.02
30+
￥2.69
100+
￥2.36

有货

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1个N沟道耐压:100V 电流:6.5A 21A

型号：NVMFS040N10MCLT1G 编号：C5205668

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

特性：小尺寸（5×6mm），便于紧凑设计。低RDS(ON)，以最小化传导损耗。低QG和电容，以最小化驱动损耗。通过AEC-Q101认证且具备PPAP能力。可焊侧翼产品。这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂、无铍，且符合RoHS标准

数据手册

1+
￥4
10+
￥3.28
30+
￥2.93

有货

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1个P沟道耐压:40V 电流:64A

型号：NVTFWS9D6P04M8LTAG 编号：C900561

封装：WDFN-8(3.3x3.3)

品牌：onsemi(安森美)

特性：小尺寸封装 (3.3×3.3mm)，适用于紧凑设计。低导通电阻，以最小化传导损耗。低电容，以最小化驱动损耗。可焊侧翼产品。通过AEC-Q101认证，具备生产件批准程序（PPAP）能力。这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂（BFR），并符合RoHS标准

数据手册

1+
￥4.15
10+
￥4.05
30+
￥3.99

有货

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2个N沟道耐压:80V 电流:25A

型号：NVMFD6H852NLT1G 编号：C900402

封装：DFN-8(4.9x5.9)

品牌：onsemi(安森美)

特性：小尺寸（5x6 mm），适合紧凑设计。低导通电阻RDS(on)，以最小化传导损耗。低栅极电荷QG和电容，以最小化驱动损耗。可写边缘选项，用于增强光学检查。通过AEC-Q101认证，具备PPAP能力。这些器件无铅且符合RoHS标准

数据手册

1+
￥5.1042 ￥5.43
10+
￥4.4604 ￥5.31
30+
￥3.8702 ￥5.23
100+
￥3.8184 ￥5.16

有货

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2个N沟道耐压:60V 电流:32A

型号：NTMFD016N06CT1G 编号：C900241

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

特性：小尺寸（5x6 mm），便于紧凑设计。低 RDS(on)，以最小化传导损耗。低 QG 和电容，以最小化驱动损耗。这些器件为无铅、无卤/无溴化阻燃剂且符合 RoHS 标准。应用：电动工具。电池供电的真空吸尘器

数据手册

1+
￥8.0189 ￥9.01
10+
￥5.9487 ￥7.53
30+
￥4.6368 ￥6.72
100+
￥4.002 ￥5.8
500+
￥3.7191 ￥5.39
1500+
￥3.5949 ￥5.21

有货

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40V、240A、1.2mΩ MOSFET

型号：FDBL0120N40 编号：C900875

封装：MO-299A

品牌：onsemi(安森美)

特性：典型 RDS(on) = 0.9mΩ，VGS = 10V，ID = 80A。典型 Qg(tot) = 90nC，VGS = 10V，ID = 80A。 UIS 能力。 RoHS 合规。应用：工业电机驱动。工业电源

数据手册

1+
￥9.0324 ￥17.37
10+
￥7.1358 ￥16.99
30+
￥5.3536 ￥16.73
100+
￥5.2736 ￥16.48

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:67A

型号：NTTFS4C06NTWG 编号：C893912

封装：WDFN-8(3.3x3.3)

品牌：onsemi(安森美)

特性：低导通电阻（RDS(on)），以最小化传导损耗。低电容，以最小化驱动损耗。优化的栅极电荷，以最小化开关损耗。这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂，且符合RoHS标准。应用：DC-DC转换器。电源负载开关

数据手册

1+
￥11.76
10+
￥9.87
30+
￥8.68

有货

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1个N沟道耐压:650V 电流:19A

型号：FCPF165N65S3L1 编号：C606098

封装：TO-220F

品牌：onsemi(安森美)

SUPERFET III MOSFET 是利用电荷平衡技术的新型高压超结 (SJ) MOSFET 系列，具有出色的低导通电阻和较低的栅极电荷性能。这种先进技术旨在最大限度减少传导损耗，提供卓越的开关性能，并能承受极高的 dv/dt 速率。因此，SUPERFET III MOSFET 易驱动系列有助于管理 EMI 问题，并便于设计实施。

数据手册

1+
￥12.88
10+
￥10.95
50+
￥9.75

有货

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N沟道 40V 94A

型号：NVMFWS2D9N04XMT1G 编号：C39179053

封装：DFNW-5(5x6)

品牌：onsemi(安森美)

特性：低导通电阻，以最小化传导损耗。低电容，以最小化驱动损耗。小尺寸（5 x 6 mm），设计紧凑。通过 AEC-Q101 认证，具备 PPAP 能力。这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂，符合 RoHS 标准。应用：电机驱动。电池保护

1+
￥13.08
10+
￥11.18
30+
￥9.99

有货

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1个N沟道耐压:150V 电流:37.2A

型号：NTTFS022N15MC 编号：C2902080

封装：WDFN-8-EP(3.3x3.3)

品牌：onsemi(安森美)

特性：小尺寸（3.3×3.3mm），适合紧凑设计。低导通电阻RDS(on)，以最小化传导损耗。低电容，以最小化驱动损耗。这些器件无铅、无卤素/BFR，符合RoHS标准。应用：初级DC-DC MOSFET。 DC-DC和AC-DC中的同步整流器

数据手册

1+
￥13.91
10+
￥13.56
30+
￥13.34

有货

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1个N沟道耐压:25V 电流:150A

型号：NTTFS1D8N02P1E 编号：C894099

封装：PQFN-8(3.3x3.3)

品牌：onsemi(安森美)

特性：小尺寸，适合紧凑设计。低导通电阻RDS(on)，以最小化传导损耗。低栅极电荷QG和电容，以最小化驱动损耗。这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂，符合RoHS标准。应用：DC-DC转换器。电源负载开关

数据手册

1+
￥17.1704 ￥33.02
10+
￥11.9616 ￥28.48
30+
￥8.2496 ￥25.78
100+
￥7.3792 ￥23.06
500+
￥6.976 ￥21.8
1000+
￥6.7936 ￥21.23

有货

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1个N沟道耐压:100V 电流:56A

型号：HUF75639G3 编号：C898256

封装：TO-247

品牌：onsemi(安森美)

此类 N 沟道功率 MOSFET 使用创新的 UltraFET 工艺生产。此先进工艺技术可实现每单位硅面积最低的导通电阻，从而产生出色的性能。此器件可承受雪崩模式下的高能量，二极管具有很短的逆向恢复时间和极低的存储电荷。它适用于功率能效非常重要的应用，如开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器、低压总线开关，以及便携式和电池运行产品中的功率管理。

数据手册

1+
￥20.3797 ￥21.01
10+
￥17.8785 ￥20.55
30+
￥15.5925 ￥20.25
90+
￥15.3538 ￥19.94

有货

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1个N沟道耐压:40V 电流:455A

型号：NTMFS0D5N04XLT1G 编号：C5208889

封装：DFN-5(5x6)

品牌：onsemi(安森美)

特性：低 RDS(on)，以尽量减少传导损耗。低 QRR，具有软恢复功能，以尽量减少 ERR 损耗和电压尖峰。低 QG 和电容，以尽量减少驱动和开关损耗。这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂，符合 RoHS 标准。应用：高开关频率 DC-DC 转换。同步整流

1+
￥22.32
10+
￥18.33
30+
￥15.95

有货

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1个N沟道耐压:100V 电流:236A

型号：NTMTSC002N10MCTXG 编号：C2902299

封装：DFNW-8(8.4x8.3)

品牌：onsemi(安森美)

特性：小尺寸封装（8x8mm），适合紧凑设计。低导通电阻RDS(on)，可降低传导损耗。低栅极电荷QG和电容，可降低驱动损耗。新型Power 88双散热封装。无铅产品，符合RoHS标准

数据手册

1+
￥27.3798 ￥33.39
10+
￥23.5152 ￥32.66
30+
￥19.9454 ￥32.17
100+
￥19.6478 ￥31.69

有货

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1个N沟道耐压:80V 电流:203A

型号：NTBLS1D7N08H 编号：C2902163

封装：H-PSOF-8L

品牌：onsemi(安森美)

特性：低RDS(on)，以最小化传导损耗。低QG和电容，以最小化驱动损耗。降低开关噪声/电磁干扰。这些器件无铅且符合RoHS标准。应用：电动工具、电池供电的吸尘器。无人机、物料搬运

数据手册

1+
￥44.2568 ￥45.16
10+
￥38.8784 ￥44.18
30+
￥33.9456 ￥43.52
100+
￥33.4308 ￥42.86

有货

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40V 533A

型号：NTMTS0D6N04CTXG 编号：C604462

封装：DFNW-8(8.4x8.3)

品牌：onsemi(安森美)

特性：小尺寸 (8 x 8 mm)，适合紧凑设计。低RDS(on)，以最小化传导损耗。低QG和电容，以最小化驱动损耗。这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂，符合RoHS标准。应用：电动工具、电池供电的真空吸尘器。无人机、物料搬运

数据手册

1+
￥48.38
10+
￥41.74
30+
￥37.7

有货

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