安森美MOS驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：NVMFS6H800NT1G 编号：C606309

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

特性：小尺寸 (5×6mm)，适合紧凑设计。低RDS(ON)，以最小化传导损耗。低QG和电容，以最小化驱动损耗。可焊侧翼选项，便于光学检测。通过AEC-Q101认证且具备PPAP能力。无铅且符合RoHS标准

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1+
￥34.37
10+
￥29.64
30+
￥26.84

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型号：NTMTS001N06CLTXG 编号：C604460

封装：DFNW-8(8.4x8.3)

品牌：onsemi(安森美)

特性：小尺寸（8x8mm），便于紧凑设计。低导通电阻，以最小化传导损耗。低栅极电荷和电容，以最小化驱动损耗。采用Power 88封装，为行业标准。这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂，符合RoHS标准

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1+
￥36
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￥31.06
30+
￥28.05

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型号：BSS138-G 编号：C890264

封装：SOT-23-3

品牌：onsemi(安森美)

这些N沟道增强型场效应晶体管采用体专有的高单元密度DMOS技术制造。这些产品旨在最大限度地降低导通电阻，同时提供坚固、可靠且快速的开关性能。这些产品特别适用于低电压、低电流应用，如小型伺服电机控制、功率MOSFET栅极驱动器及其他开关应用

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￥0.5926
50+
￥0.5774
150+
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型号：NTNS0K8N021ZTCG 编号：C896492

封装：XDFN-3(0.4x0.6)

品牌：onsemi(安森美)

特性：低轮廓超小封装，XDFN3 (0.62×0.42×0.4mm)，适用于空间极度受限的应用。 1.5V 栅极驱动。这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂，符合 RoHS 标准。应用：小信号负载开关。高速接口

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￥2.6979 ￥3.91
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￥2.1942 ￥3.18
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￥1.9458 ￥2.82
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￥1.6974 ￥2.46
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￥1.5525 ￥2.25
1000+
￥1.4766 ￥2.14

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型号：CPH6341-TL-W 编号：C890562

封装：SOT-26-6

品牌：onsemi(安森美)

特性：低导通电阻。高速开关。 4V驱动。内置保护二极管

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1+
￥3.69
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￥3.02
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￥2.69
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￥2.36

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型号：NVD5C464NLT4G 编号：C887736

封装：TO-252(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

特性：低RDS(on)以最小化传导损耗。低QG和电容以最小化驱动损耗。通过AEC-Q101认证且具备PPAP能力。这些器件无铅、无卤素/BFR且符合RoHS标准

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￥4.5609 ￥6.61
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￥3.8173 ￥6.47
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￥3.1213 ￥6.37
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￥3.0772 ￥6.28

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型号：NVTFS6H850NLWFTAG 编号：C900533

封装：WDFN-8(3.3x3.3)

品牌：onsemi(安森美)

特性：小尺寸（3.3×3.3mm），适合紧凑设计。低导通电阻（RDS(on)），以最小化传导损耗。低电容，以最小化驱动损耗。可湿侧翼产品。通过AEC-Q101认证，具备生产件批准程序（PPAP）能力。无铅器件，符合RoHS标准

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1+
￥4.7292 ￥5.63
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￥4.0774 ￥5.51
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￥3.4752 ￥5.43
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￥3.424 ￥5.35

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型号：NVTFS4C13NTAG 编号：C463645

封装：WDFN-8(3.3x3.3)

品牌：onsemi(安森美)

特性：低RDS(on)，以最小化传导损耗。低电容，以最小化驱动损耗。优化的栅极电荷，以最小化开关损耗。可焊侧翼产品。 NVT前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用；符合AEC-Q101标准且具备PPAP能力。这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂且符合RoHS标准

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￥4.75
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￥4.2315 ￥4.65
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￥3.7098 ￥4.58
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￥3.6531 ￥4.51

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型号：FDD3690 编号：C903563

封装：TO-252-2

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 专为提高 DC/DC 转换器的总能效而设计，可以使用同步开关 PWM 控制器，也可以使用传统开关 PWM 控制器。与具有相当的 RDS(ON) 规格的其他 MOSFET 相比，此类 MOSFET 开关速度更快，门极电荷更低。因此该 MOSFET 驱动简单，也更安全（即使在非常高的频率下亦是如此），DC/DC 电源设计具有更高的总体能效。

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1+
￥6.2792 ￥6.68
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￥5.4684 ￥6.51
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￥4.7286 ￥6.39
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￥4.6472 ￥6.28

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型号：NVTFWS9D6P04M8LTAG 编号：C900561

封装：WDFN-8(3.3x3.3)

品牌：onsemi(安森美)

特性：小尺寸封装 (3.3×3.3mm)，适用于紧凑设计。低导通电阻，以最小化传导损耗。低电容，以最小化驱动损耗。可焊侧翼产品。通过AEC-Q101认证，具备生产件批准程序（PPAP）能力。这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂（BFR），并符合RoHS标准

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1+
￥7.32
10+
￥6.12
30+
￥5.46

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型号：FDMC86012 编号：C890962

封装：PQFN-8

品牌：onsemi(安森美)

此器件专用于提高 DC-DC 转换器的能效。在 MOSFET 结构中使用新型技术，门极电荷和电容的各个组件得以优化，可降低开关损耗。低门极电阻和极低米勒电荷可在自适应和固定死区时间门极驱动电路中实现卓越性能。保持了极低 rDS(on)，提供了一个亚逻辑电平器件。

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1+
￥8.0178 ￥17.43
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￥6.138 ￥17.05
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￥4.368 ￥16.8
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￥4.3004 ￥16.54

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型号：FDS2670 编号：C903617

封装：SO-8

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 专为提高 DC/DC 转换器的总体效能而设计，可以使用同步开关 PWM 控制器，也可以使用传统开关 PWM 控制器。与具有相当的 RDS(ON) 规格的其他 MOSFET 相比，此类 MOSFET 开关速度更快，门极电荷更低。因此，该 MOSFET 驱动简单，也更安全（即使在非常高的频率下亦是如此），DC/DC 电源设计具有更高的总体效能。

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1+
￥8.1489 ￥11.81
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￥5.9708 ￥10.12
30+
￥4.4443 ￥9.07
100+
￥3.9102 ￥7.98
500+
￥3.675 ￥7.5
1000+
￥3.5672 ￥7.28

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型号：FDS4935A 编号：C236903

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

此 P 沟道 MOSFET 是先进的 PowerTrench 工艺的坚固门极版本。它针对需要较宽门极驱动电压额定值 (4.5V – 20V) 的电源管理应用进行了优化。

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1+
￥8.64
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￥7.2
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￥6.41

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型号：NTMFS5C426NT1G 编号：C463402

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

特性：小尺寸（5x6mm），适合紧凑设计。低导通电阻RDS(on)，以最小化传导损耗。低栅极电荷QG和电容，以最小化驱动损耗。这些器件无铅且符合RoHS标准

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1+
￥10.44
10+
￥8.78
30+
￥7.86

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型号：NVMFWS4D5N08XT1G 编号：C29841638

封装：DFNW-5(5x6)

品牌：onsemi(安森美)

特性：低QR，软恢复体二极管。低RDS(on)以最小化传导损耗。低QG和电容以最小化驱动损耗。AEC-Q101合格且具备PPAP能力。这些器件无铅、无卤/无BFR且符合RoHS标准。应用：直流-直流和交流-直流中的同步整流（SR）。隔离式直流-直流转换器中的初级开关

1+
￥11.92
10+
￥11.66
30+
￥11.49

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型号：NVMFS3D6N10MCLT1G 编号：C900408

封装：DFN-5(5.9x4.9)

品牌：onsemi(安森美)

特性：小尺寸（5x6 mm），适合紧凑设计。低导通电阻 RDS(on)，以最小化传导损耗。低栅极电荷 QG 和电容，以最小化驱动损耗。可焊侧翼选项，便于光学检测。通过 AEC-Q101 认证，具备 PPAP 能力。无铅、无卤素/无溴化阻燃剂，符合 RoHS 标准

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1+
￥12.98
10+
￥12.66
30+
￥12.45

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型号：NVMFS016N10MCLT1G 编号：C3288267

封装：DFN-5(5x6)(SO-8FL)

品牌：onsemi(安森美)

特性：小尺寸（5×6mm），适合紧凑设计。低RDS(on)，以最小化传导损耗。低QG和电容，以最小化驱动损耗。通过AEC-Q101认证，具备PPAP能力。这些器件无铅、无卤素/BFR、无铍，符合RoHS标准

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1+
￥13.62
10+
￥11.58
30+
￥10.3

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型号：NTMFS6H836NLT1G 编号：C900318

封装：DFN-5(5.9x4.9)

品牌：onsemi(安森美)

特性：小尺寸（5x6mm），适合紧凑设计。低RDS(on)，以最小化传导损耗。低QG和电容，以最小化驱动损耗。这些器件无铅且符合RoHS标准

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1+
￥14.55
10+
￥12.38
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￥11.02

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型号：NVMTS1D1N04CTXG 编号：C3288329

封装：DFNW-8(8.3x8.4)

品牌：onsemi(安森美)

特性：小尺寸（8×8mm），适合紧凑设计。低RDS(on)，以最小化传导损耗。低QG和电容，以最小化驱动损耗。新型Power 88封装。 AEC-Q101合格且具备PPAP能力。这些器件无铅且符合RoHS标准

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1+
￥32.06
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￥30.49
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￥29.54

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型号：FCMT199N60 编号：C455163

封装：Power-88

品牌：onsemi(安森美)

SuperFET II MOSFET 是全新的高压超结 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻，以及更低门极电荷方面的出色性能。此技术专用于最大程度降低导通损耗，提供出色的开关性能、dv/dt 速率和更高的雪崩能量。因此，SuperFET II MOSFET 非常适用于开关电源应用，如服务器/电信电源、适配器和太阳能逆变器应用。Power88 封装是一款超薄表面贴装封装（高 1mm），体积和占位都很小 (8x8 mm2)。采用 Power88 封装的 SUPERFET III MOSFET 具有更低的寄生电源感应以及分离的电源和驱动源，可提供出色的开关性能。Power88 提供 1 级湿度敏感性 (MSL 1)。

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