安森美MOS驱动_厂家_价格_品牌_库存

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描述

价格(含税)

库存

操作

型号：FDMS3660S 编号：C255597

封装：PQFN-8(5x6)

品牌：onsemi(安森美)

此器件在一个双 PQFN 封装中包括了两个特制的 N 沟道 MOSFET。开关节点已经内部连接，可实现同步降压转换器的轻松布置和布线。控制 MOSFET (Q1) 和同步 SyncFET (Q2) 可提供最佳功率效率。

数据手册

10+
￥6.102
100+
￥5.876
200+
￥5.424
1000+
￥5.198
2000+
￥4.972

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型号：NVMFS6H818NT1G 编号：C604625

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，采用 5x6mm 扁平引线封装，具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。通过 AEC-Q101 认证 MOSFET 且符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。

数据手册

1500+
￥8.02736
3000+
￥7.954384
4500+
￥7.881408

我要订货

型号：FDPF770N15A 编号：C899175

封装：TO-220F-3

品牌：onsemi(安森美)

数据手册

1+
￥12.35
10+
￥12.08
30+
￥11.9
100+
￥11.72

订货

我要订货

型号：FQB34P10TM 编号：C462761

封装：D2PAK

品牌：onsemi(安森美)

该 P 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。

数据手册

1600+
￥9.15233
3200+
￥9.069127
4800+
￥8.985924

我要订货

型号：NTP6410ANG 编号：C184252

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

这是一款 100 V N 沟道功率 MOSFET。

数据手册

850+
￥10.43504
1700+
￥10.340176
2550+
￥10.245312

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型号：WPH4003-1E 编号：C411219

封装：TO-3PF-3

品牌：onsemi(安森美)

N沟道 1700V

数据手册

1+
￥18.46
10+
￥18.08
30+
￥17.83
100+
￥17.57

订货

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型号：FDP75N08A 编号：C243053

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

N 沟道 75V 75A

数据手册

1+
￥19.85
10+
￥17.05
50+
￥14.91
100+
￥13.23
500+
￥12.45
1000+
￥12.1

订货

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型号：FQPF8N80C 编号：C44094

封装：TO-220F

品牌：onsemi(安森美)

N沟道,800V,8A,1.55Ω@10V

数据手册

180+
￥10.799365
360+
￥10.606519
540+
￥10.510096

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型号：FQPF9N90CT 编号：C330169

封装：TO-220F-3

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道增强型功率 MOSFET 是使用安森美半导体的平面条纹和 DMOS 专属工艺生产的。此先进 MOSFET 技术适用于降低导通电阻，提供卓越的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正 (PFC) 和电子灯镇流器。

数据手册

10+
￥27.092209
100+
￥23.37367
1000+
￥21.514401

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型号：FCH47N60N 编号：C330158

封装：TO-247-3

品牌：onsemi(安森美)

数据手册

1+
￥29.07
10+
￥25.08
30+
￥22.7
90+
￥20.3
510+
￥19.19
990+
￥18.69

订货

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型号：NVBLS1D7N10MCTXG 编号：C5208085

封装：TOLL-8L

品牌：onsemi(安森美)

数据手册

1+
￥31.39
10+
￥30.59
30+
￥30.05
100+
￥29.52

订货

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型号：NVMFS6B14NLT1G 编号：C184966

封装：DFN-5(5.9x4.9)

品牌：onsemi(安森美)

N沟道,100V,55A

数据手册

1+
￥33.7
10+
￥28.98
30+
￥26.11
100+
￥23.7

订货

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型号：FDH3632 编号：C898141

封装：TO-247

品牌：onsemi(安森美)

N 沟道 PowerTrench MOSFET 100V，80A，9m?

数据手册

单价：
￥15.389784 / 个

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型号：FCH47N60NF 编号：C330159

封装：TO-247-3

品牌：onsemi(安森美)

数据手册

1+
￥41.87
10+
￥36.33
30+
￥32.95
90+
￥30.12

订货

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型号：FCA35N60 编号：C330103

封装：TO-3P

品牌：onsemi(安森美)

数据手册

1+
￥16.95
20+
￥16.272
100+
￥15.594
200+
￥15.1872
500+
￥14.916

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型号：HUF75652G3 编号：C898257

封装：TO-247-3

品牌：onsemi(安森美)

特性：超低导通电阻：rDS(ON) = 0.008 Ω，VGS = 10 V。温度补偿的PSPICE™和SABER™电气模型。Spice和SABER热阻抗模型。峰值电流与脉冲宽度曲线。UIS额定曲线。该器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂，符合RoHS标准

数据手册

单价：
￥34.139016 / 个

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型号：NTB45N06T4G 编号：C145523

封装：TO-263-2

品牌：onsemi(安森美)

N沟道,60V,45A,26mΩ@10V

数据手册

1+
￥122
30+
￥116

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型号：NTHL027N65S3HF 编号：C604403

封装：TO-247

品牌：onsemi(安森美)

SUPERFET III MOSFET 是安森美半导体的全新高压超结 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻，以及更低门极电荷方面的卓越性能。此先进技术专用于最大程度降低导电损耗，提供卓越的开关性能，并且可以承受极端 dv/dt 速率。因此，SUPERFET III MOSFET 适用于各种电源系统，实现系统小型化和更高能效。SUPERFET III FRFET MOSFET 优化的体二极管逆向恢复性能可以消除附加组件，提高系统可靠性。

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