安森美MOS驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：FDG6308P 编号：C236894

封装：SC-88-6

品牌：onsemi(安森美)

此 P 沟道 1.8V 指定 MOSFET 使用先进的低压 PowerTrench 工艺。此产品非常适用于电池管理应用。

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3000+
￥6.614121
6000+
￥6.496012
9000+
￥6.436957

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型号：NVMFS6B25NLT1G 编号：C2936883

封装：DFN-5(5.9x4.9)

品牌：onsemi(安森美)

1+
￥8.814
50+
￥8.136
100+
￥7.797
500+
￥7.5936
1000+
￥7.458

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型号：FDB050AN06A0 编号：C462993

封装：D2PAK

品牌：onsemi(安森美)

N 沟道 PowerTrench MOSFET 60 V，80 A，5 m?，此款最新的屏蔽门极 PowerTrench MOSFET 具有较小的 QSYNC，出色的软反向恢复本征体二极管性能，开关速度快，可大幅提高同步整流的效率。

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1600+
￥7.34558
3200+
￥7.278802
4800+
￥7.212024

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型号：NVMFWS2D5N08XT1G 编号：C37575488

封装：DFNW-5

品牌：onsemi(安森美)

1500+
￥7.18773
3000+
￥7.122387
4500+
￥7.057044

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型号：FDMS7650 编号：C255598

封装：PQFN-8(5x6)

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 专为提高 DC/DC 转换器的总效率以及最大程度降低其开关节点噪声而设计，可以使用同步开关 PWM 控制器，也可以使用传统开关 PWM 控制器。它经过了优化，可实现低门极电荷和极低 RDS(ON)。

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1+
￥14.15
10+
￥12.1
30+
￥10.81
100+
￥8.48
500+
￥7.88
1000+
￥7.63

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型号：NTMFSC004N08MC 编号：C894040

封装：DFN-8(5.1x6.2)

品牌：onsemi(安森美)

特性：先进的双面冷却封装。超低导通电阻（RDS(on)），以最小化传导损耗。 MSL1 坚固封装设计。这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂，符合 RoHS 标准。应用：或门 FET/负载开关。同步整流器

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3000+
￥8.8539
6000+
￥8.77341
9000+
￥8.69292

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型号：FDMS003N08C 编号：C463247

封装：PQFN-8

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MV MOSFET 使用安森美半导体先进的 PowerTrench 工艺生产，该工艺结合了屏蔽门极技术。此工艺经过了优化，可最大程度降低导通电阻，同时可保持卓越的开关性能，以及业内最佳的软体二极管。

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1+
￥21.1875
20+
￥20.34
100+
￥19.4925
200+
￥18.984
500+
￥18.645

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型号：NTMFSC2D9N08H 编号：C3277806

封装：DFN-8(5x6.15)

品牌：onsemi(安森美)

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3000+
￥8.05244
6000+
￥7.979236
9000+
￥7.906032

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型号：NVHL110N65S3F 编号：C606159

封装：TO-247

品牌：onsemi(安森美)

SUPERFET III MOSFET 是安森美半导体的全新高压超结 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻，以及更低门极电荷方面的卓越性能。此先进技术专用于最大程度降低导电损耗，提供卓越的开关性能，并且可以承受极端 dv/dt 速率。因此，SUPERFET III MOSFET 适用于各种电源系统，实现系统小型化和更高能效。SUPERFET III FRFET MOSFET 优化的体二极管逆向恢复性能可以消除附加组件，提高系统可靠性。

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1+
￥26.27
10+
￥25.65
30+
￥25.24
90+
￥24.83

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型号：FDPF2D3N10C 编号：C899163

封装：TO-220F

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MV MOSFET 是使用安森美半导体先进的 PowerTrench 工艺生产的，该工艺结合了屏蔽门极技术。此工艺经过了优化，可最大程度降低导通电阻，同时可保持卓越的开关性能，以及业内最佳的软体二极管。

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单价：
￥21.04164 / 个

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型号：NVHL065N65S3F 编号：C3290725

封装：TO-247-4LD

品牌：onsemi(安森美)

特性：超低栅极电荷和低有效输出电容。较低的品质因数（RDS(ON)max × Qgtyp 和 RDS(ON)max × EOSS）。通过 AEC-Q101 认证且具备生产件批准程序（PPAP）能力。这些器件无铅且符合 RoHS 标准

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1+
￥49.4
10+
￥42.29
30+
￥36.28
100+
￥32.65

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型号：NTH4L080N120SC1 编号：C898275

封装：TO-247-4

品牌：onsemi(安森美)

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1+
￥48.4035
100+
￥47.5617
300+
￥46.7199

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型号：FCH023N65S3-F155 编号：C604985

封装：TO-247-3

品牌：onsemi(安森美)

SUPERFET III MOSFET 是安森美半导体的全新高压超结 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻，以及更低门极电荷方面的卓越性能。此先进技术专用于最大程度降低导电损耗，提供卓越的开关性能，并且可以承受极端 dv/dt 速率。因此，SUPERFET III MOSFET Easy drive 系列有助于管理 EMI 问题，实现更简单的设计实施。

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