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首页 > 热门关键词 > 安森美MOS驱动
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功率 MOSFET, ?20 V,?9.4 A,?Cool 单 P 沟道, ESD,2.0x2.0x0.55 mm UDFN 封装
数据手册
  • 1+

    ¥1.281
  • 10+

    ¥1.0129
  • 30+

    ¥0.8979
  • 100+

    ¥0.7546
  • 500+

    ¥0.6907
  • 1000+

    ¥0.6524
  • 订货
    • 1+

      ¥1.3034
    • 10+

      ¥1.0305
    • 30+

      ¥0.9136
    • 100+

      ¥0.7677
    • 500+

      ¥0.7027
    • 1000+

      ¥0.6638
  • 订货
    • 10+

      ¥1.37295
    • 100+

      ¥1.3221
    • 200+

      ¥1.2204
    • 1000+

      ¥1.16955
    • 2000+

      ¥1.1187
    • 1+

      ¥1.38
    • 10+

      ¥1.35
    • 30+

      ¥1.33
    • 100+

      ¥1.31
  • 订货
    • 1+

      ¥1.4867
    • 10+

      ¥1.1755
    • 30+

      ¥1.0421
    • 100+

      ¥0.8757
    • 500+

      ¥0.8016
    • 1000+

      ¥0.7571
  • 订货
  • 功率 MOSFET, ?20 V,-5.6 A,?Cool 双 P 沟道, 2.0x2.0x0.55 mm UDFN 封装
    数据手册
    • 1+

      ¥1.5247
    • 10+

      ¥1.2055
    • 30+

      ¥1.0687
    • 100+

      ¥0.898
    • 500+

      ¥0.8221
    • 1000+

      ¥0.7764
  • 订货
    • 1+

      ¥1.5312
    • 10+

      ¥1.2106
    • 30+

      ¥1.0733
    • 100+

      ¥0.9019
    • 500+

      ¥0.8256
    • 1000+

      ¥0.7798
  • 订货
  • 此 N 沟道 2.5V 指定 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的,特别适用于最大程度降低导通电阻,同时保持低门极电荷,实现出色的开关性能。这些器件具有出色的功率耗散,与较大的 SO-8 和 TSSOP-8 封装相比,占位非常小。
    数据手册
    • 1+

      ¥0.444
    • 500+

      ¥0.4366
    • 1000+

      ¥0.4255
    • 5000+

      ¥0.4144
    N沟道,30V,79A,5.5mΩ@4.5V
    数据手册
    • 50+

      ¥7.913754
    • 200+

      ¥6.493336
    • 500+

      ¥5.302891
    • 1000+

      ¥4.545335
    功率 MOSFET,30 V,38A,单 N 沟道,?8FL
    数据手册
    • 1+

      ¥1.646
    • 10+

      ¥1.3015
    • 30+

      ¥1.1538
    • 100+

      ¥0.9695
    • 500+

      ¥0.8875
    • 1000+

      ¥0.8383
  • 订货
    • 1+

      ¥1.67
    • 10+

      ¥1.63
    • 30+

      ¥1.61
    • 100+

      ¥1.59
  • 订货
  • 功率 MOSFET -20 V,-8.2 A,单 P 沟道, 2.0x2.0x0.55 mm UDFN 封装
    数据手册
    • 1+

      ¥1.7093
    • 10+

      ¥1.3515
    • 30+

      ¥1.1982
    • 100+

      ¥1.0068
    • 500+

      ¥0.9216
    • 1000+

      ¥0.8705
  • 订货
  • 此单 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 Power Trench 工艺设计的,可基于特制的 MicroFET 引线框架优化 RDS(on) @VGS=2.5V。
    数据手册
    • 10+

      ¥2.43
    • 100+

      ¥2.34
    • 200+

      ¥2.16
    • 1000+

      ¥2.07
    • 2000+

      ¥1.98
    MOSFET,小信号,500 mA,60 V
    数据手册
    • 50+

      ¥0.783
    • 500+

      ¥0.725
    • 1000+

      ¥0.696
    • 5000+

      ¥0.667
    • 10000+

      ¥0.638
    汽车功率 MOSFET。 -20V,-1A,180mΩ,单 P 沟道,SOT-23 通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET,符合生产件批准程序 (PPAP),适用于汽车应用。
    数据手册
    • 12000+

      ¥0.842048
    • 24000+

      ¥0.82064
    • 36000+

      ¥0.792096
    • 72000+

      ¥0.770688
    功率 MOSFET -20 V,-4.1 A,?Cool 双 P 沟道,2x2 mm WDFN 封装
    数据手册
    • 6000+

      ¥1.521144
    • 12000+

      ¥1.50744
    • 18000+

      ¥1.480032
    • 1+

      ¥1.8492
    • 10+

      ¥1.4621
    • 30+

      ¥1.2962
    • 100+

      ¥1.0892
    • 500+

      ¥0.997
    • 1500+

      ¥0.9417
  • 订货
    • 1+

      ¥1.9676
    • 10+

      ¥1.5557
    • 30+

      ¥1.3792
    • 100+

      ¥1.159
    • 500+

      ¥1.0609
    • 1000+

      ¥1.002
  • 订货
    • 1+

      ¥1.9809
    • 10+

      ¥1.5662
    • 30+

      ¥1.3885
    • 100+

      ¥1.1668
    • 500+

      ¥1.068
    • 1000+

      ¥1.0088
  • 订货
    • 1+

      ¥1.9845
    • 10+

      ¥1.5691
    • 30+

      ¥1.391
    • 100+

      ¥1.1689
    • 500+

      ¥1.07
    • 1000+

      ¥1.0106
  • 订货
  • N和P沟道
    数据手册
    • 1+

      ¥2
    • 10+

      ¥1.96
    • 30+

      ¥1.94
    • 100+

      ¥1.91
  • 订货
    • 1+

      ¥2.0136
    • 10+

      ¥1.5921
    • 30+

      ¥1.4114
    • 100+

      ¥1.186
    • 500+

      ¥1.0857
    • 1000+

      ¥1.0254
  • 订货
  • MCH6353 是一款 P 沟道功率 MOSFET,-12V,-6.0A,35mΩ,单 MCPH6。
    数据手册
    • 1+

      ¥2.0583
    • 10+

      ¥1.6274
    • 30+

      ¥1.4428
    • 100+

      ¥1.2124
    • 500+

      ¥1.1098
    • 1000+

      ¥1.0482
  • 订货
    • 1+

      ¥2.1974
    • 10+

      ¥1.7374
    • 30+

      ¥1.5403
    • 100+

      ¥1.2943
    • 500+

      ¥1.1848
    • 1000+

      ¥1.119
  • 订货
    • 6000+

      ¥1.823064
    • 12000+

      ¥1.80664
    • 18000+

      ¥1.773792
    • 1+

      ¥2.2158
    • 10+

      ¥1.7519
    • 30+

      ¥1.5531
    • 100+

      ¥1.3051
    • 500+

      ¥1.1947
    • 1000+

      ¥1.1284
  • 订货
  • 此 N 沟道 PowerTrench MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的,适用于最大程度降低导通电阻,同时保持低门极电荷,实现出色的开关性能。
    数据手册
    • 9000+

      ¥1.08678
    • 18000+

      ¥1.05915
    • 27000+

      ¥1.02231
    • 54000+

      ¥0.99468
    这些P沟道逻辑电平额定MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产,这一先进工艺是专为最大程度地降低通态电阻并保持低栅极电荷以获得卓越开关性能而定制的。此类器件非常适合便携式电子应用: 负载开关和电源管理、电池充电和保护电路。
    数据手册
    • 10000+

      ¥1.446441
    • 20000+

      ¥1.43341
    • 30000+

      ¥1.407348
    • 10000+

      ¥1.636695
    • 20000+

      ¥1.62195
    • 30000+

      ¥1.59246
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