安森美MOS驱动_厂家_价格_品牌_库存

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型号：NTTFS4C02NTAG 编号：C604498

封装：WDFN-8(3.3x3.3)

品牌：onsemi(安森美)

功率 MOSFET 30 V，170 A，单 N 沟道，8FL

数据手册

单价：
￥1.49316 / 个

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型号：FDP7N60NZ 编号：C330166

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

数据手册

1+
￥11.18
10+
￥9.46
50+
￥8.52
100+
￥7.45
500+
￥6.98
1000+
￥6.77

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型号：FQB34P10TM 编号：C462761

封装：D2PAK

品牌：onsemi(安森美)

该 P 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。

数据手册

1+
￥11.58
10+
￥9.84
30+
￥8.75
100+
￥7.64
500+
￥7.14
800+
￥6.92

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型号：FDMC007N08LC 编号：C890916

封装：PQFN-8(3.3x3.3)

品牌：onsemi(安森美)

数据手册

10+
￥5.876
50+
￥5.198
500+
￥5.0624
2000+
￥4.8364

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型号：FDPF770N15A 编号：C899175

封装：TO-220F-3

品牌：onsemi(安森美)

数据手册

1+
￥12.35
10+
￥12.08
30+
￥11.9
100+
￥11.72

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型号：FDP42AN15A0 编号：C243050

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

N 沟道，PowerTrench MOSFET，150 V，35A，42mΩ

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单价：
￥7.7976 / 个

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型号：FDG6308P 编号：C236894

封装：SC-88-6

品牌：onsemi(安森美)

此 P 沟道 1.8V 指定 MOSFET 使用先进的低压 PowerTrench 工艺。此产品非常适用于电池管理应用。

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3000+
￥6.600105
6000+
￥6.483289
9000+
￥6.424881

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型号：NTP6410ANG 编号：C184252

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

这是一款 100 V N 沟道功率 MOSFET。

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单价：
￥11.38368 / 个

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型号：NVMFS6B25NLT1G 编号：C2936883

封装：DFN-5(5.9x4.9)

品牌：onsemi(安森美)

1+
￥8.814
50+
￥8.136
100+
￥8.0004
500+
￥7.7292
1000+
￥7.5936

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型号：FDMS7650 编号：C255598

封装：PQFN-8(5x6)

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 专为提高 DC/DC 转换器的总效率以及最大程度降低其开关节点噪声而设计，可以使用同步开关 PWM 控制器，也可以使用传统开关 PWM 控制器。它经过了优化，可实现低门极电荷和极低 RDS(ON)。

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1+
￥14.15
10+
￥12.1
30+
￥10.81
100+
￥8.48
500+
￥7.88
1000+
￥7.63

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型号：FDP085N10A-F102 编号：C605050

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，适用于最大程度降低导通电阻，同时保持出色的开关性能。

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单价：
￥8.84124 / 个

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型号：WPH4003-1E 编号：C411219

封装：TO-3PF-3

品牌：onsemi(安森美)

N沟道 1700V

数据手册

1+
￥18.46
10+
￥18.08
30+
￥17.83
100+
￥17.57

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型号：FDP75N08A 编号：C243053

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

N 沟道 75V 75A

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1+
￥19.85
10+
￥17.05
50+
￥14.91
100+
￥13.23
500+
￥12.45
1000+
￥12.1

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型号：NVHL110N65S3F 编号：C606159

封装：TO-247

品牌：onsemi(安森美)

SUPERFET III MOSFET 是安森美半导体的全新高压超结 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻，以及更低门极电荷方面的卓越性能。此先进技术专用于最大程度降低导电损耗，提供卓越的开关性能，并且可以承受极端 dv/dt 速率。因此，SUPERFET III MOSFET 适用于各种电源系统，实现系统小型化和更高能效。SUPERFET III FRFET MOSFET 优化的体二极管逆向恢复性能可以消除附加组件，提高系统可靠性。

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