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首页 > 热门关键词 > 安森美MOS驱动
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  • 此器件专门设计用作蜂窝手持机和其他超便携应用中双开关要求的单封装方案。它具有两个独立的 N 沟道 MOSFET,且都具有低导通电阻,可实现最低的导电损耗。就其物理尺寸而言,MicroFET 2x2 具有出色的热性能,非常适合线性模式应用。
    数据手册
    • 6000+

      ¥1.757463
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      ¥1.74163
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      ¥1.709964
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      ¥2.91
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  • 此类双 N 和 P 沟道增强型电场效应晶体管是使用 Fairchild 的高单元密度 DMOS 专属技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻,可提供卓越的开关性能。此类器件尤其适用于需要快速开关、线内低功率损耗和瞬变防止的低压应用,如笔记本电脑电源管理和其他电池供电电路。
    数据手册
    • 1+

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  • MOSFET,-3.5 A,?30 V,P 沟道,TSOP?6
    数据手册
    • 9000+

      ¥1.070024
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      ¥1.04282
    • 27000+

      ¥1.006548
    • 54000+

      ¥0.979344
    此器件专门设计为手机和其他超便携应用中双开关要求的单封装解决方案。它具有两个独立的 N 沟道 MOSFET,且均具有低导通电阻,可实现最低的导电损耗。MicroFET 2x2 封装对于其物理尺寸来说提供了卓越的热性能,非常适合线性模式应用。
    数据手册
    • 6000+

      ¥1.575423
    • 12000+

      ¥1.56123
    • 18000+

      ¥1.532844
    N沟道
    数据手册
    • 1+

      ¥6.17
    • 10+

      ¥5.03
    • 30+

      ¥4.46
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      ¥3.55
    • 1000+

      ¥3.38
  • 订货
    • 3000+

      ¥3.900096
    • 6000+

      ¥3.86496
    • 9000+

      ¥3.794688
    适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET,安装在 5x6mm 扁平引线封装中且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。AEC-Q101 认证 MOSFET 且具备生产件批准程序(PPAP) 功能,适用于汽车应用。
    数据手册
    • 3000+

      ¥5.70713
    • 6000+

      ¥5.655247
    • 9000+

      ¥5.603364
    • 3000+

      ¥4.656228
    • 6000+

      ¥4.61428
    • 9000+

      ¥4.530384
    • 1+

      ¥6.82
    • 10+

      ¥6.68
    • 50+

      ¥6.58
    • 100+

      ¥6.48
  • 订货
  • 此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的,特别适用于最大程度降低导通电阻,同时保持出色的开关性能。
    数据手册
    • 2500+

      ¥3.931509
    • 5000+

      ¥3.89609
    • 7500+

      ¥3.825252
    此器件用于为同步降压转换器提供最高能效和热性能。低 rDS(on) 和门极电荷提供了卓越的开关性能。
    数据手册
    • 3000+

      ¥3.090462
    • 6000+

      ¥3.06262
    • 9000+

      ¥3.006936
    此 P 沟道增强型功率 MOSFET 是使用平面条纹和 DMOS 专属技术生产的。此先进 MOSFET 技术特别适用于降低导通电阻,提供出色的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。
    数据手册
    • 2000+

      ¥5.488617
    • 4000+

      ¥5.43917
    • 6000+

      ¥5.340276
    • 4500+

      ¥2.097012
    • 9000+

      ¥2.07812
    • 13500+

      ¥2.040336
    此 P 沟道 1.8V 指定 MOSFET 采用先进的低压 PowerTrench 工艺。此产品针对电池管理进行了优化。
    数据手册
    • 2500+

      ¥3.3705
    • 5000+

      ¥3.3063
    • 25000+

      ¥3.2314
    • 50000+

      ¥3.1672
    适用于紧凑和高能效设计的汽车用功率 MOSFET,采用 3x3mm 扁平引线封装且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET,符合生产件批准程序 (PPAP),适用于汽车应用。
    数据手册
    • 3000+

      ¥4.022529
    • 6000+

      ¥3.98629
    • 9000+

      ¥3.913812
    N沟道
    数据手册
    • 1+

      ¥8.39
    • 10+

      ¥6.94
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      ¥6.15
    • 100+

      ¥5.25
    • 500+

      ¥4.85
    • 1000+

      ¥4.67
  • 订货
  • N 沟道,PowerTrench MOSFET,150V,29A,54mΩ,这种最新的屏蔽门极 PowerTrench MOSFET 具有更小的 QSYNC,卓越的软逆向恢复本征体二极管性能,开关速度快,可大幅提高同步整流的能效。
    数据手册
    • 1600+

      ¥6.04197
    • 3200+

      ¥5.987043
    • 4800+

      ¥5.932116
    N沟道,60V,18A
    数据手册
    • 5000+

      ¥2.746473
    • 10000+

      ¥2.72173
    • 15000+

      ¥2.672244
    UItraFET 器件结合了各种特性,可在电源转换应用中提供标杆式效率。此类器件针对 rDS(on)、低 ESR、低总电荷和 Miller 门极电荷而优化,适用于高频 DC/DC 转换器。
    数据手册
    • 3000+

      ¥8.03341
    • 6000+

      ¥7.960379
    • 9000+

      ¥7.887348
    该逻辑电平垂直功率 MOSFET 是一个通用型零部件,具有目前低成本功率封装的“最佳设计”。该零部件是应对雪崩能量问题的理想设计。漏源极二极管具有理想的快速软恢复特性。
    数据手册
    • 5000+

      ¥2.757018
    • 10000+

      ¥2.73218
    • 15000+

      ¥2.682504
    与二极管桥相比,此四 mosfet 解决方案在功率耗散方面提供了十倍改善。
    数据手册
    • 3000+

      ¥4.563432
    • 6000+

      ¥4.52232
    • 9000+

      ¥4.440096
    特性:最大导通电阻 (RDS(on)):在栅源电压 (VGS) = 10 V、漏极电流 (ID) = 23 A 时为 5.9 mΩ;在 VGS = 6 V、ID = 12 A 时为 9 mΩ。 高性能技术,极低导通电阻 (RDS(on))。 无铅、无卤/无溴化阻燃剂,符合 RoHS 标准。应用:DC-DC 降压转换器。 负载点
    数据手册
    • 3000+

      ¥5.60659
    • 6000+

      ¥5.555621
    • 9000+

      ¥5.504652
    • 3000+

      ¥3.62082
    • 6000+

      ¥3.5882
    • 9000+

      ¥3.52296
    • 1+

      ¥11.18
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      ¥9.46
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      ¥8.52
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      ¥7.45
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      ¥6.98
    • 1000+

      ¥6.77
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    • 3000+

      ¥5.71582
    • 6000+

      ¥5.663858
    • 9000+

      ¥5.611896
    • 3000+

      ¥6.36196
    • 6000+

      ¥6.304124
    • 9000+

      ¥6.246288
    此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的,该工艺适用于最大程度降低导通电阻,同时保持卓越的开关性能。
    数据手册
    • 单价:

      ¥8.5536 / 个
    N 沟道,PowerTrench MOSFET,150 V,35A,42mΩ
    数据手册
    • 1600+

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