安森美MOS驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：IRLM220ATF 编号：C894847

封装：SOT-223-4

品牌：onsemi(安森美)

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￥2.2662
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￥1.1541

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型号：FDD8878 编号：C241791

封装：TO-252(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

数据手册

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￥2.27
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￥2.22
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￥2.15

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型号：FDZ1416NZ 编号：C895387

封装：WLCSP(1.4X1.6)

品牌：onsemi(安森美)

数据手册

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￥2.3101
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￥1.8265
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￥1.6193
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￥1.3607
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型号：NVATS4A101PZT4G 编号：C894156

封装：TO-252-3

品牌：onsemi(安森美)

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￥2.356
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￥1.6515
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￥1.2703
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￥1.1998

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型号：FQD2N60CTM-WS 编号：C903730

封装：TO-252AA

品牌：onsemi(安森美)

数据手册

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￥2.3704
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￥1.2072

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型号：NVTFS5124PLWFTWG 编号：C896036

封装：WDFN-8(3.3x3.3)

品牌：onsemi(安森美)

适用于紧凑和高能效设计的汽车用功率 MOSFET，采用 3x3mm 扁平引线封装且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。

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￥2.3819
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￥1.213

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型号：FDMC510P-F106 编号：C890934

封装：WDFN-8(3.3x3.3)

品牌：onsemi(安森美)

此P沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产，这一先进工艺已针对r

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型号：FDS4672A 编号：C114903

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 专为提高 DC/DC 转换器的总能效而设计，可以使用同步开关 PWM 控制器，也可以使用传统开关 PWM 控制器。它经过了优化，可实现低门极电荷、低 RDS(ON) 和快速开关。

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型号：EMH2418R-TL-H 编号：C606014

封装：SOT-383F

品牌：onsemi(安森美)

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￥1.78
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型号：NVMFS6H852NLT1G 编号：C900482

封装：DFN-5(5.9x4.9)

品牌：onsemi(安森美)

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型号：NTMFS4C35NT1G 编号：C900293

封装：SO-8-FL-5.8mm

品牌：onsemi(安森美)

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￥2.58
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￥2.04
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￥1.81
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￥1.52
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￥1.39
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型号：FDS6930B 编号：C10440

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

此类 N 沟道逻辑电平 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适合最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。此类器件适用于需要线内低功率损耗和快速开关的低压和电池供电应用。

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型号：FDMS7692A 编号：C891075

封装：Power-56-8

品牌：onsemi(安森美)

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￥2.06
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￥1.33

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型号：NTMFD4902NFT1G 编号：C96241

封装：DFN-8-EP(5.2x6.2)

品牌：onsemi(安森美)

数据手册

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型号：NVMFD5489NLWFT1G 编号：C900376

封装：DFN-8(4.9x5.9)

品牌：onsemi(安森美)

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￥1.33

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型号：NTLJS4D7N03HTAG 编号：C894012

封装：PQFN-6(2x2)

品牌：onsemi(安森美)

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￥2.62
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￥1.34

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型号：IRFU220BTU-AM002 编号：C896108

封装：TO-251

品牌：onsemi(安森美)

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￥2.64
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型号：FDD6612A 编号：C241781

封装：TO-252

品牌：onsemi(安森美)

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￥2.65
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￥2.59
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￥2.55
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￥2.51

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型号：FDD8445 编号：C467449

封装：TO-252AB

品牌：onsemi(安森美)

N 沟道 Power Trench MOSFET 40V，50A，8.7mΩ

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￥2.66
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￥2.53

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型号：FDMC7680 编号：C463949

封装：MLP(3.3x3.3)

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 使用先进的 PowerTrench 工艺生产，特别适用于最大程度降低导通电阻。此器件适用于笔记本电脑和便携式电池组中常见的功率和负载开关应用。

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1+
￥2.69
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型号：FDC3601N 编号：C719810

封装：SuperSOT-6

品牌：onsemi(安森美)

此类 N 沟道 100V 指定 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持低门极电荷，实现卓越的开关性能。此类器件适用于无法采用更昂贵的 SO-8 和 TSSOP-8 封装的应用，可为其在非常小的占地面积中提供卓越的功率耗散。

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￥2.77
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￥2.18
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￥1.93
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500+
￥1.47
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￥1.39

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型号：FDN8601 编号：C367389

封装：SOT-23-3

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 Power Trench 工艺生产的，针对 rDS(on)、开关性能和坚固性进行了优化。

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￥2.78
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￥1.97
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型号：FDY300NZ 编号：C236912

封装：SOT-523F

品牌：onsemi(安森美)

此单 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 Power Trench 工艺设计的，可优化 RDS(ON) @ VGS = 2.5V。

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1+
￥2.78
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￥2.22
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￥1.97
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￥1.67
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￥1.53
1000+
￥1.45

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型号：FQP8N60C 编号：C2705

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

N沟道,600V,7.5A,1.2Ω@10V

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1+
￥2.79
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￥2.73
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￥2.69
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￥2.65

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型号：FQB8P10TM 编号：C462762

封装：D2PAK(TO-263)

品牌：onsemi(安森美)

1+
￥2.79
10+
￥2.73
30+
￥2.69
100+
￥2.65

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型号：FDD6630A 编号：C241782

封装：TO-252

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 专为提高 DC/DC 转换器的总能效而设计，可以使用同步开关 PWM 控制器，也可以使用传统开关 PWM 控制器。它经过了优化，可实现低门极电荷、低 RDS(ON) 和快速开关。

数据手册

1+
￥2.84
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￥2.32
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￥2.09
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￥1.81
500+
￥1.69
1000+
￥1.62

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型号：NTTFS115P10M5 编号：C894098

封装：WDFN-8-EP(3.3x3.3)

品牌：onsemi(安森美)

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￥2.85
10+
￥2.79
30+
￥2.75
100+
￥2.7

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型号：NTLUD3A260PZTBG 编号：C894017

封装：UDFN-6(1.6x1.6)

品牌：onsemi(安森美)

功率 MOSFET，?20 V，-2.1 A，?Cool 双 P 沟道，ESD，1.6x1.6x0.55 mm UDFN 封装

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1+
￥2.85
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￥2.25
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￥2
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￥1.68
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￥1.54
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￥1.45

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型号：FDMC7200S 编号：C255594

封装：Power-33-8

品牌：onsemi(安森美)

此器件包括了两个特制的 N 沟道 MOSFET，采用双 Power33 (3 mm X 3 mm MLP) 封装。开关节点已经内部联接，可实现同步降压转换器的轻松布置和布线。控制 MOSFET (Q1) 和同步 MOSFET (Q2) 可提供最佳功率能效。

数据手册

1+
￥2.89
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￥2.32
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￥2.07
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￥1.77
500+
￥1.63
1000+
￥1.55

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型号：NVMFD5877NLWFT1G 编号：C900384

封装：DFN-8(4.9x5.9)

品牌：onsemi(安森美)

数据手册

1+
￥2.91
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￥2.3
30+
￥2.04
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￥1.72
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￥1.57
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