安森美MOS驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：NTH4LN067N65S3H 编号：C2902094

封装：TO-247-4

品牌：onsemi(安森美)

数据手册

1+
￥31.09
10+
￥27.05
30+
￥23.75
90+
￥21.32
510+
￥20.2
990+
￥19.7

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型号：NVMFS5A140PLZT1G 编号：C900417

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

特性：小尺寸（5×6mm），适合紧凑设计。低RDS(on)，以最小化传导损耗。可选择可焊侧翼选项，以增强光学检测。通过AEC-Q101认证，具备PPAP能力。这些器件无铅且符合RoHS标准

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1+
￥31.53
10+
￥26.84
30+
￥23.97
100+
￥21.58

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型号：FCH041N60F 编号：C330155

封装：TO-247-3

品牌：onsemi(安森美)

SuperFET II MOSFET 是全新的高压超结 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻，以及更低门极电荷方面的卓越性能。此技术专用于最大程度降低导电损耗，提供卓越的开关性能、dv/dt 速率和更高的雪崩能量。因此，SuperFET II MOSFET 非常适用于开关电源应用，如 PFC、服务器/电信电源、FPD TV 电源、ATX 电源和工业电源应用。SuperFET II FRFET MOSFET 优化的体二极管反向恢复性能可以消除附加组件，提高系统可靠性。

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1+
￥25.518564
20+
￥24.481224
100+
￥23.85882
200+
￥22.82148
500+
￥22.406544

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型号：FCH067N65S3-F155 编号：C604988

封装：TO-247-3

品牌：onsemi(安森美)

SUPERFET III MOSFET 是安森美半导体的全新高压超结 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻，以及更低门极电荷方面的出色性能。此先进技术专用于最大程度降低导通损耗，提供出色的开关性能，并且可以承受极端 dv/dt 速率。因此，SUPERFET III MOSFET Easy drive 系列有助于管理 EMI 问题，实现更轻松的设计实施。

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单价：
￥20.412 / 个

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型号：ATP304-TL-H 编号：C605302

封装：ATPAK-3

品牌：onsemi(安森美)

ATP304 是一款 P 沟道功率 MOSFET，-60V，-100A，6.5mΩ，ATPAK

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单价：
￥16.084656 / 个

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型号：FCH077N65F-F155 编号：C604991

封装：TO-247-3

品牌：onsemi(安森美)

SuperFET II MOSFET 是全新的高压超结 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻，以及更低门极电荷方面的卓越性能。此技术专用于最大程度降低导电损耗，提供卓越的开关性能、dv/dt 速率和更高的雪崩能量。因此，SuperFET II MOSFET 非常适用于开关电源应用，如 PFC、服务器/电信电源、FPD TV 电源、ATX 电源和工业电源应用。SuperFET II FRFET MOSFET 优化的体二极管逆向恢复性能可以消除附加组件，提高系统可靠性。

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1+
￥25.0182
20+
￥24.0012
100+
￥23.391
200+
￥22.374
500+
￥21.9672

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型号：NVH4L040N120SC1 编号：C898286

封装：TO-247-4

品牌：onsemi(安森美)

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1+
￥275.1
5+
￥262.5
30+
￥249.9

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型号：NTNS3A65PZT5G 编号：C606047

封装：SOT-883-3

品牌：onsemi(安森美)

65+
￥3.942244
200+
￥3.504216
500+
￥2.861777
1000+
￥2.452951

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型号：FDN3401 编号：C3276470

封装：-

品牌：onsemi(安森美)

1+
￥0.3352
10+
￥0.2665
30+
￥0.2322
100+
￥0.2064
500+
￥0.1858
1000+
￥0.1755

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型号：BSS123L 编号：C890262

封装：SOT-23-3

品牌：onsemi(安森美)

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81000+
￥0.18228
162000+
￥0.179242
324000+
￥0.174685
648000+
￥0.16709

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型号：NTNS3164NZT5G 编号：C260430

封装：SOT-883-3

品牌：onsemi(安森美)

小信号 MOSFET 20V 245mA 1.5 Ω 单 N 沟道 SOT883，带 ESD 保护

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16000+
￥0.602862
32000+
￥0.587535
48000+
￥0.567099
96000+
￥0.551772

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型号：3SK264-5-TG-E 编号：C3276825

封装：-

品牌：onsemi(安森美)

1+
￥1.431
200+
￥0.5538
500+
￥0.5343
1000+
￥0.5247

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型号：FDN361BN 编号：C188506

封装：SOT-23-3

品牌：onsemi(安森美)

N沟道,30V,1.4A,110mΩ@10V

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1+
￥1.83
10+
￥1.8
30+
￥1.77
100+
￥1.75

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型号：FDME905PT 编号：C328028

封装：SMD

品牌：onsemi(安森美)

此器件专门针对手机和其他超便携应用中的电池充电或负载开关而设计。它具有一个带有低导通电阻的 MOSFET。MicroFET 1.6x1.6 薄封装对于其物理尺寸来说提供了卓越的热性能，非常适合线性模式应用。

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5000+
￥0.944
10000+
￥0.92
15000+
￥0.888
30000+
￥0.864

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型号：FQD3N60CTM 编号：C3281325

封装：TO-252(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

10+
￥1.8306
100+
￥1.7628
200+
￥1.6272
1000+
￥1.5594
2000+
￥1.4916

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型号：FDG316P 编号：C258211

封装：SC-70-6

品牌：onsemi(安森美)

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1+
￥2.48
10+
￥2.43
30+
￥2.4
100+
￥2.37

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型号：FQD1N60CTM 编号：C241840

封装：TO-252

品牌：onsemi(安森美)

1 A, 600 V, RDS(on)=11.5 Ω (Max.) @ VGS=10 V, ID=0.5 A 该N沟道增强型功率MOSFET采用专有平面条纹和DMOS技术生产。这种先进的MOSFET技术经过特别定制，可降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正（PFC）和电子灯镇流器。

5+
￥67.78698
10+
￥64.021037
100+
￥55.233836
1000+
￥50.840234

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型号：NVTR4502PT1G 编号：C146792

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

汽车用功率 MOSFET。 -30V，-1.95A，200mΩ，单 P 沟道，SOT-23 通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。

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3000+
￥0.826
6000+
￥0.805
9000+
￥0.777
18000+
￥0.756

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型号：FDC653N 编号：C10887

封装：SSOT-6

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道增强型场效应功率晶体管是使用高单元密度的 DMOS 专属工艺生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻。此类器件特别适用于笔记本电脑、手机、PCMICA 卡和其他电池供电电路等低压应用，在此类应用中需要在非常小形的表面贴装封装中实现快速开关和线路内低功率损耗。

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6000+
￥1.848483
12000+
￥1.83183
18000+
￥1.798524

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型号：PCP1302-TD-H 编号：C899996

封装：SOT-89-3

品牌：onsemi(安森美)

数据手册

5+
￥51.512474
10+
￥48.65067
100+
￥41.973127
1000+
￥38.634355

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型号：NDS355N 编号：C274606

封装：SOT-23-3

品牌：onsemi(安森美)

数据手册

1+
￥3.47
10+
￥2.73
30+
￥2.41
100+
￥2.01
500+
￥1.83
1000+
￥1.72

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型号：NTMS7N03R2G 编号：C97779

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

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20+
￥15.97312
100+
￥13.780731
1000+
￥12.684536

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型号：NTMD4N03R2G 编号：C513049

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

特性：设计用于低电压、高速开关应用。超低导通电阻，提供更高效率并延长电池寿命。RDS(on) = 0.048Ω，VGS = 10V（典型值）。RDS(on) = 0.065Ω，VGS = 4.5V（典型值）。微型SO-8表面贴装封装，节省电路板空间。二极管适用于桥式电路。应用：DC-DC转换器。计算机

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