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首页 > 热门关键词 > 安森美MOS驱动
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ECH8661 是一款功率 MOSFET,30V,7A,24mΩ,-30V,-5.5A,39mΩ,互补双 ECH8,用于通用开关设备应用。
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  • 1+

    ¥8.84
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    ¥7.39
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    ¥6.59
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    ¥5.69
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    ¥5.29
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    ¥5.11
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  • N 沟道,PowerTrench MOSFET,150V,29A,54mΩ,这种最新的屏蔽门极 PowerTrench MOSFET 具有更小的 QSYNC,卓越的软逆向恢复本征体二极管性能,开关速度快,可大幅提高同步整流的能效。
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    • 单价:

      ¥6.59124 / 个
    UItraFET 器件结合了各种特性,可在电源转换应用中提供标杆式效率。此类器件针对 rDS(on)、低 ESR、低总电荷和 Miller 门极电荷而优化,适用于高频 DC/DC 转换器。
    数据手册
    • 单价:

      ¥8.76372 / 个
    该逻辑电平垂直功率 MOSFET 是一个通用型零部件,具有目前低成本功率封装的“最佳设计”。该零部件是应对雪崩能量问题的理想设计。漏源极二极管具有理想的快速软恢复特性。
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    • 单价:

      ¥2.98056 / 个
    800 V SUPERFET III MOSFET 是高性能 MOSFET 系列,提供 800 V 击穿电压。新的 800 V SUPERFET III MOSFET 针对反激式转换器的初级开关进行了优化,凭借其优化设计,能够在不影响 EMI 性能的情况下降低开关损耗和外壳温度。此外,内部齐纳二极管显著提高了 ESD 能力。这一新型 800 V SUPERFET III MOSFET 系列因其在开关电源应用(如笔记本电脑适配器、音频、照明、ATX 电源和工业电源)中的卓越性能,能够实现更高效、紧凑、低温和更可靠的应用。
    数据手册
    • 单价:

      ¥7.1892 / 个
    UItraFET 器件结合了各种特性,可在电源转换应用中提供标杆式能效。此类器件针对 rDS(on)、低 ESR、低总电荷和 Miller 门极电荷而优化,适用于高频 DC/DC 转换器。
    • 单价:

      ¥12.86832 / 个
    UniFET II MOSFET是基于先进的平面条形和DMOS技术的高压MOSFET系列。这一先进的MOSFET系列在平面MOSFET中具有最小的导通电阻,同时还具备出色的开关性能和更高的雪崩能量强度。此外,内部栅源ESD二极管使UniFET II MOSFET能够承受超过2kV的人体模型(HBM)浪涌应力
    • 1+

      ¥24.76
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      ¥21.36
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      ¥19.33
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      ¥17.29
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      ¥16.34
    • 1000+

      ¥15.92
  • 订货
  • 特性:低导通电阻,以减少传导损耗。 高电流能力。 规定雪崩能量。 可焊侧翼产品。 NVM前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用;符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序(PPAP)能力。 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂(BFR),并符合RoHS标准
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    • 单价:

      ¥11.44056 / 个
    SUPERFET III MOSFET 是安森美半导体的全新高压超结 (SJ) MOSFET 系列,利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻,以及更低门极电荷方面的出色性能。此先进技术专用于最大程度降低导通损耗,提供出色的开关性能,并且可以承受极端 dv/dt 速率。因此,SUPERFET III MOSFET Easy drive 系列有助于管理 EMI 问题,实现更轻松的设计实施。
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    • 单价:

      ¥24.88512 / 个
    特性:典型导通电阻 (RDS(on)) 为 160 mΩ。 超低栅极电荷 (QG(tot)=34 nC)。 低有效输出电容 (C0SS = 50 pF)。 100% 经过单脉冲非钳位感性负载 (UIL) 测试。 该器件无卤化物,符合 RoHS 指令豁免条款 7a,二级互连无铅 (2LI)。应用:UPS。 DC-DC 转换器
    数据手册
    • 1+

      ¥41.93
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      ¥41.04
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      ¥35.84
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      ¥35.24
  • 订货
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      ¥0.3352
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      ¥0.2665
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      ¥0.2322
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      ¥0.2064
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      ¥0.1858
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      ¥0.1755
  • 订货
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      ¥0.4468
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      ¥0.4373
    • 150+

      ¥0.4309
    • 500+

      ¥0.4246
  • 订货
  • 适用于低功率应用的汽车用功率 MOSFET。 30V,270mA,1.5Ω,单 N 沟道,SC-70,逻辑电平。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET,且符合生产件批准程序 (PPAP),适用于汽车应用。
    数据手册
    • 50+

      ¥6.668012
    • 200+

      ¥5.471189
    • 500+

      ¥4.468138
    • 1000+

      ¥3.829832
    N 沟道,100V,1A,785mΩ@1V
    数据手册
    • 15+

      ¥21.469097
    • 100+

      ¥18.522357
    • 1000+

      ¥17.048988
    • 1+

      ¥0.6505
    • 10+

      ¥0.5172
    • 30+

      ¥0.4505
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      ¥0.4005
    • 500+

      ¥0.3605
    • 1000+

      ¥0.3405
  • 订货
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      ¥0.6703
    • 10+

      ¥0.5329
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      ¥0.4643
    • 100+

      ¥0.4127
    • 500+

      ¥0.3715
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      ¥0.3509
  • 订货
    • 1+

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      ¥0.5921
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      ¥0.5158
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      ¥0.4586
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      ¥0.4128
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      ¥0.3899
  • 订货
  • 这些微型表面贴装MOSFET的低导通电阻(RDS(on))可确保功率损耗降至最低并节省能源,使这些器件非常适合用于小型电源管理电路。典型应用包括直流 - 直流转换器,以及计算机、打印机、PCMCIA卡、移动电话和无绳电话等便携式和电池供电产品的电源管理。
    数据手册
    • 单价:

      ¥0.30936 / 个
    • 1+

      ¥0.8908
    • 10+

      ¥0.7082
    • 30+

      ¥0.617
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      ¥0.5485
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      ¥0.4937
    • 1500+

      ¥0.4663
  • 订货
  • 特性:小尺寸封装(2 x 2 mm)。 低栅极电荷N沟道器件。 栅极具备ESD保护。 与SC-70封装相同(6引脚)。 通过AEC-Q101认证,具备PPAP能力。 无铅且符合RoHS标准。应用:负载电源开关。 锂离子电池供电设备
    数据手册
    • 50+

      ¥0.31188
    • 500+

      ¥0.306682
    • 3000+

      ¥0.298885
    • 10000+

      ¥0.291088
    • 1+

      ¥0.9816
    • 10+

      ¥0.7761
    • 30+

      ¥0.688
    • 100+

      ¥0.5782
    • 500+

      ¥0.5293
    • 1000+

      ¥0.4999
  • 订货
    • 1+

      ¥0.9857
    • 10+

      ¥0.7794
    • 30+

      ¥0.6909
    • 100+

      ¥0.5806
    • 500+

      ¥0.5315
    • 1000+

      ¥0.502
  • 订货
  • 小信号 MOSFET,30 V/?20 V,+0.25/?0.88 A,互补,SC?88
    数据手册
    • 单价:

      ¥0.46932 / 个
    • 10+

      ¥1.8306
    • 100+

      ¥1.7628
    • 200+

      ¥1.6272
    • 1000+

      ¥1.5594
    • 2000+

      ¥1.51872
    这些P沟道逻辑电平额定MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产,这一先进工艺是专为最大程度地降低通态电阻并保持低栅极电荷以获得卓越开关性能而定制的。此类器件非常适合便携式电子应用: 负载开关和电源管理、电池充电和保护电路。
    数据手册
    • 单价:

      ¥1.56372 / 个
    此 P 沟道 1.8V 指定 MOSFET 采用先进的低压 PowerTrench 工艺。此产品针对电池管理进行了优化。
    数据手册
    • 2500+

      ¥3.3705
    • 5000+

      ¥3.30309
    • 25000+

      ¥3.23568
    • 50000+

      ¥3.16827
    该N沟道MOSFET专为使用同步或传统开关PWM控制器来改进总体效率和在最大程度上减少DC/DC转换器的开关结点振铃而设计。已经针对低栅极电荷、低r
    数据手册
    • 单价:

      ¥6.6126 / 个
    与二极管桥相比,此四 mosfet 解决方案在功率耗散方面提供了十倍改善。
    数据手册
    • 单价:

      ¥4.93344 / 个
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