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首页 > 热门关键词 > 安森美MOS驱动
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N 沟道,PowerTrench MOSFET,60V,50A,10.5mΩ
数据手册
  • 10+

    ¥6.102
  • 100+

    ¥5.876
  • 200+

    ¥5.424
  • 1000+

    ¥5.198
  • 2000+

    ¥4.972
SUPERFET III MOSFET是利用电荷平衡技术的全新高压超结(SJ)MOSFET系列,具有出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。这种先进技术旨在最大限度地减少传导损耗,提供卓越的开关性能,并承受极端的dv/dt速率。因此,SUPERFET III MOSFET非常适合用于各种追求小型化和更高效率的电源系统。SUPERFET III FRFET MOSFET的体二极管具有优化的反向恢复性能,可以去除额外的元件并提高系统可靠性。
数据手册
  • 1+

    ¥33.68
  • 10+

    ¥28.94
  • 30+

    ¥26.13
  • 有货
  • 技术文档和设计资源 模拟模型?(3) 封装图纸?(1) 数据表?(1)
    数据手册
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      ¥146.4
    • 30+

      ¥139.2
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      ¥0.42576
    • 48000+

      ¥0.418664
    • 96000+

      ¥0.40802
    • 192000+

      ¥0.39028
    • 60+

      ¥4.167616
    • 200+

      ¥3.704548
    • 500+

      ¥3.02538
    • 1000+

      ¥2.593183
    • 3000+

      ¥5.139411
    • 6000+

      ¥5.09311
    • 9000+

      ¥5.000508
    • 4500+

      ¥2.633586
    • 9000+

      ¥2.60986
    • 13500+

      ¥2.562408
    此 P 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的,经过了优化可最大程度降低导通电阻,同时保持卓越的开关性能。
    数据手册
    • 15000+

      ¥1.573425
    • 30000+

      ¥1.55925
    • 45000+

      ¥1.5309
    此 P 沟道 MOSFET 是使用 PowerTrench 专属技术生产的,可提供低 rDS(on) 和优化的 BVdss 能力,为应用带来卓越性能优势。
    数据手册
    • 100+

      ¥2.4408
    • 200+

      ¥2.373
    • 300+

      ¥2.15152
    适用于电源、转换器、功率电机控制和桥式电路中的低压高速开关应用。
    数据手册
    • 5000+

      ¥2.991561
    • 10000+

      ¥2.96461
    • 15000+

      ¥2.910708
    此 N 沟道逻辑电平 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的,特别适用于最大程度降低导通电阻,同时保持卓越的开关性能。增加了 G-S 齐纳以提高 ESD 电压水平。
    数据手册
    • 6000+

      ¥2.652012
    • 12000+

      ¥2.62812
    • 18000+

      ¥2.580336
    此功率 MOSFET 导通电阻低。此器件适用于便携设备的电源开关等应用。最适合 1 至 2 节锂离子电池应用。
    数据手册
    • 50+

      ¥12.896465
    • 200+

      ¥10.821568
    • 500+

      ¥8.987404
    • 1000+

      ¥7.565927
    此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的,特别适用于最大程度降低导通电阻。此器件非常适用于需要在小空间内实现超低 rDS(on) 的应用,如高性能 VRM、POL 和 Oring 功能。
    数据手册
    • 3000+

      ¥3.0303
    • 6000+

      ¥3.003
    • 9000+

      ¥2.9484
    FDMC6675BZ专为最大限度降低负载开关应用中的损耗而设计。它结合了硅技术和封装技术的先进成果,可提供极低的导通电阻RDS(on)和静电放电(ESD)保护。
    • 3000+

      ¥3.050169
    • 6000+

      ¥3.02269
    • 9000+

      ¥2.967732
    此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的,特别适用于最大程度降低导通电阻,同时保持卓越的开关性能。
    数据手册
    • 5000+

      ¥2.757906
    • 10000+

      ¥2.73306
    • 15000+

      ¥2.683368
    此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的,特别适用于最大程度降低导通电阻,同时保持卓越的开关性能。
    数据手册
    • 3000+

      ¥7.8859
    • 6000+

      ¥7.81421
    • 9000+

      ¥7.74252
    • 10+

      ¥4.725
    • 100+

      ¥4.55
    • 200+

      ¥4.2
    • 1000+

      ¥4.025
    • 2000+

      ¥3.85
    此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 Power Trench 工艺生产的,针对 rDS(on)、开关性能和坚固性进行了优化。
    数据手册
    • 10+

      ¥3.051
    • 100+

      ¥2.938
    • 200+

      ¥2.712
    • 1000+

      ¥2.599
    • 2000+

      ¥2.486
    此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的,该工艺结合了屏蔽门极技术。此工艺经过了优化,可最大程度降低导通电阻,同时可保持卓越的开关性能。
    数据手册
    • 10+

      ¥4.2714
    • 100+

      ¥4.1132
    • 200+

      ¥3.7968
    • 1000+

      ¥3.6386
    • 2000+

      ¥3.4804
    • 3000+

      ¥5.775
    • 6000+

      ¥5.7225
    • 9000+

      ¥5.67
    此 N 沟道 MOSFET 专为提高 DC/DC 转换器的总能效以及最大程度降低其开关节点噪声而设计,可以使用同步开关 PWM 控制器,也可以使用传统开关 PWM 控制器。它经过了优化,可实现低门极电荷、低 RDS(ON)、快速开关和体二极管逆向恢复功能。
    数据手册
    • 3000+

      ¥5.25141
    • 6000+

      ¥5.2041
    • 9000+

      ¥5.10948
    此单 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 Power Trench 工艺设计的,可基于特制的 MicroFET 引线框架优化 rDS(ON) @ VGS = 1.8 V。
    数据手册
    • 5000+

      ¥2.048061
    • 10000+

      ¥2.02961
    • 15000+

      ¥1.992708
    UItraFET 器件结合了各种特性,可在电源转换应用中提供标杆式能效。此类器件针对 rDS(on)、低 ESR、低总电荷和 Miller 门极电荷而优化,适用于高频 DC/DC 转换器。
    • 单价:

      ¥11.581488 / 个
    • 1+

      ¥8.19
    • 50+

      ¥7.56
    • 100+

      ¥7.245
    • 500+

      ¥7.056
    • 1000+

      ¥6.93
    此 N 沟道 MOSFET 是使用 PowerTrench 工艺生产的,该工艺适用于最大程度降低导通电阻,同时保持卓越的开关性能。
    数据手册
    • 10+

      ¥6.102
    • 100+

      ¥5.876
    • 200+

      ¥5.424
    • 1000+

      ¥5.198
    • 2000+

      ¥4.972
    特性:低导通电阻,以减少传导损耗。 高电流能力。 规定雪崩能量。 可焊侧翼产品。 NVM前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用;符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序(PPAP)能力。 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂(BFR),并符合RoHS标准
    数据手册
    • 1500+

      ¥10.48718
    • 3000+

      ¥10.391842
    • 4500+

      ¥10.296504
    此 N 沟道增强型功率 MOSFET 是使用安森美半导体的平面条纹和 DMOS 专属技术生产的。此先进 MOSFET 技术特别适用于降低导通电阻,提供出色的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正 (PFC) 和电子灯镇流器。
    数据手册
    • 单价:

      ¥12.525084 / 个
    • 1+

      ¥31.09
    • 10+

      ¥27.05
    • 30+

      ¥23.75
    • 90+

      ¥21.32
    • 510+

      ¥20.2
    • 990+

      ¥19.7
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