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首页 > 热门关键词 > 安森美MOS驱动
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1个N沟道 耐压:100V 电流:131A
型号：NTMFS3D6N10MCLT1G 编号：C900268
封装：DFN-5(5.9x4.9)
品牌：onsemi(安森美)
数据手册

  • 3000+

    ￥7.57575

  • 6000+

    ￥7.5075

  • 9000+

    ￥7.43925
我要订货
1个N沟道 耐压:40V 电流:145A
型号：NVMFD5C446NLWFT1G 编号：C900386
封装：DFN-8(4.9x5.9)
品牌：onsemi(安森美)
适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，安装在 5x6mm 扁平引线封装中且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。AEC-Q101 认证 MOSFET 且具备生产件批准程序(PPAP) 功能，适用于汽车应用。
数据手册

  • 单价：

    ￥16.84236 / 个
我要订货
1个N沟道 耐压:200V 电流:62A
型号：FDB2614 编号：C898555
封装：D2PAK(TO-263)
品牌：onsemi(安森美)
此 N 沟道 MOSFET 是使用 PowerTrench 工艺生产的，该工艺适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。
数据手册

  • 10+

    ￥6.102

  • 100+

    ￥5.876

  • 200+

    ￥5.424

  • 1000+

    ￥5.198

  • 2000+

    ￥5.0624
我要订货
1个N沟道 耐压:100V 电流:178A
型号：NTMTSC4D2N10GTXG 编号：C3290176
封装：TDFN-8-W(8.3x8.4)
品牌：onsemi(安森美)
特性：宽安全工作区，适用于线性模式操作。 低热阻RθJC，以最小化传导损耗。 高脉冲单雪崩电流能力，增强耐用性。 小尺寸封装（8x8 mm），顶部金属散热。 这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂，符合RoHS标准。应用：48 V热插拔系统。 负载开关
数据手册

  • 单价：

    ￥22.36812 / 个
我要订货
N沟道,电流:100A,耐压:500V
型号：FDL100N50F 编号：C2840585
封装：TO-264-3
品牌：onsemi(安森美)
UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。此 MOSFET 适用于降低导通电阻，提供更佳的开关性能以及更高的雪崩能量强度。UniFET FRFET MOSFET 的体二极管的反向恢复性能由于终生控制而得以提高。其 trr 小于 100nsec，反向 dv/dt 抗扰度为15V/ns，而普通 MOSFET 的这两个指标分别为 200nsec 和4.5V/nsec 以上。因此，在 MOSFET 体二极管的性能非常重要的某些应用中，它可以消除附加组件，提高系统可靠性。此器件系列适用于开关电力转换器应用，如功率系数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。
数据手册

  • 1+

    ￥134.79

  • 10+

    ￥117.35

  • 25+

    ￥107.34

  • 100+

    ￥98.6
  • 订货
    • 我要订货
    NTNS3A65PZT5G
    型号：NTNS3A65PZT5G 编号：C606047
    封装：SOT-883-3
    品牌：onsemi(安森美)

    • 70+

      ￥4.029335

    • 200+

      ￥3.58163

    • 500+

      ￥2.924999

    • 1000+

      ￥2.507141
    我要订货
    1个N沟道 耐压:20V 电流:238mA
    型号：NVA4001NT1G 编号：C5205655
    封装：SC-75(SOT-416)
    品牌：onsemi(安森美)
    适用于低功率应用的汽车用功率 MOSFET。 20 V，238 mA，单 N 沟道，门极 ESD 防护通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，且符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。
    数据手册

    • 单价：

      ￥0.5232 / 个
    我要订货
    1个N沟道 耐压:30V 电流:1.4A
    型号：FDN361BN 编号：C188506
    封装：SOT-23-3
    品牌：onsemi(安森美)
    N沟道,30V,1.4A,110mΩ@10V
    数据手册

    • 1+

      ￥1.83

    • 10+

      ￥1.8

    • 30+

      ￥1.77

    • 100+

      ￥1.75
  • 订货
    • 我要订货
    P沟道 MOSFET,电流:-8A,耐压:-12V
    型号：FDME905PT 编号：C328028
    封装：SMD
    品牌：onsemi(安森美)
    此器件专门针对手机和其他超便携应用中的电池充电或负载开关而设计。它具有一个带有低导通电阻的 MOSFET。MicroFET 1.6x1.6 薄封装对于其物理尺寸来说提供了卓越的热性能，非常适合线性模式应用。
    数据手册

    • 1+

      ￥1.94

    • 10+

      ￥1.9

    • 30+

      ￥1.87

    • 100+

      ￥1.85
  • 订货
    • 我要订货
    P沟道,电流:-1.6A,耐压:-30V
    型号：FDG316P 编号：C258211
    封装：SC-70-6
    品牌：onsemi(安森美)
    数据手册

    • 65+

      ￥4.276676

    • 200+

      ￥3.80149

    • 500+

      ￥3.10455

    • 1000+

      ￥2.661043
    我要订货
    1个N沟道 耐压:30V 电流:5A
    型号：FDC653N 编号：C10887
    封装：SSOT-6
    品牌：onsemi(安森美)
    此 N 沟道增强型场效应功率晶体管是使用高单元密度的 DMOS 专属工艺生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻。此类器件特别适用于笔记本电脑、手机、PCMICA 卡和其他电池供电电路等低压应用，在此类应用中需要在非常小形的表面贴装封装中实现快速开关和线路内低功率损耗。
    数据手册

    • 单价：

      ￥1.99836 / 个
    我要订货
    N沟道 MOSFET,电流:1.6A,耐压:30V
    型号：NDS355N 编号：C274606
    封装：SOT-23-3
    品牌：onsemi(安森美)
    数据手册

    • 1+

      ￥3.47

    • 10+

      ￥2.73

    • 30+

      ￥2.41

    • 100+

      ￥2.01

    • 500+

      ￥1.83

    • 1000+

      ￥1.72
  • 订货
    • 我要订货
    耐压:30V 电流:6.8A
    型号：FDMA530PZ 编号：C605027
    封装：DFN-6-EP(2x2)
    品牌：onsemi(安森美)
    此器件专门针对手机和其他超便携应用中的电池充电或负载开关而设计。它具有一个带有低导通电阻的 MOSFET。MicroFET 2x2 封装对于其物理尺寸来说提供了卓越的热性能，非常适合线性模式应用。
    数据手册

    • 单价：

      ￥2.445 / 个
    我要订货
    1个N沟道 耐压:30V 电流:4.8A
    型号：NTMS7N03R2G 编号：C97779
    封装：SOIC-8
    品牌：onsemi(安森美)
    数据手册

    • 20+

      ￥16.486092

    • 100+

      ￥14.223295

    • 1000+

      ￥13.091897
    我要订货
    30V N沟道MOSFET,电流:10A,耐压:30V
    型号：FDS6690AS 编号：C241812
    封装：SO-8
    品牌：onsemi(安森美)
    数据手册

    • 10+

      ￥3.375

    • 100+

      ￥3.25

    • 200+

      ￥3

    • 1000+

      ￥2.875

    • 2000+

      ￥2.8
    我要订货
    N沟道,电流:24A,耐压:60V
    型号：NTD24N06T4G 编号：C274617
    封装：DPAK
    品牌：onsemi(安森美)
    数据手册

    • 50+

      ￥13.71638

    • 200+

      ￥11.509568

    • 500+

      ￥9.558792

    • 1000+

      ￥8.046943
    我要订货
    1个N沟道 耐压:80V 电流:42A
    型号：NVMFS6H852NLT1G 编号：C900482
    封装：DFN-5(5.9x4.9)
    品牌：onsemi(安森美)
    数据手册

    • 单价：

      ￥2.30496 / 个
    我要订货
    1个N沟道 耐压:30V 电流:13.5A
    型号：FDS6670AS 编号：C179750
    封装：SOIC-8
    品牌：onsemi(安森美)
    N沟 30V 13.5A
    数据手册

    • 50+

      ￥9.714064

    • 200+

      ￥7.970514

    • 500+

      ￥6.509254

    • 1000+

      ￥5.57936
    我要订货
    N沟道,电流:15A,耐压:60V
    型号：FQPF20N06 编号：C243106
    封装：TO-220FPAB-3
    品牌：onsemi(安森美)
    N沟道
    数据手册

    • 1+

      ￥4.54

    • 10+

      ￥4.45

    • 50+

      ￥4.38

    • 100+

      ￥4.32
  • 订货
    • 我要订货
    N沟道,电流:65A,耐压:60V
    型号：FDP65N06 编号：C243051
    封装：TO-220
    品牌：onsemi(安森美)
    数据手册

    • 1+

      ￥4.92

    • 10+

      ￥4.01

    • 30+

      ￥3.55

    • 100+

      ￥3.1

    • 500+

      ￥2.83

    • 1000+

      ￥2.69
  • 订货
    • 我要订货
    耐压:60V 电流:22A
    型号：SVD5867NLT4G 编号：C889916
    封装：TO-252(DPAK)
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：低RDS(on)以最小化传导损耗。 高电流能力。 规定雪崩能量。 通过AEC-Q101认证且具备PPAP能力。 这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂且符合RoHS标准

    • 50+

      ￥9.536918

    • 200+

      ￥8.002533

    • 500+

      ￥6.646172

    • 1000+

      ￥5.594992
    我要订货
    2个N沟道 耐压:30V 电流:2.9A
    型号：FDMA2002NZ 编号：C258214
    封装：VDFN-6(2x2)
    品牌：onsemi(安森美)
    此器件专门设计用作蜂窝手持机和其他超便携应用中双开关要求的单封装方案。它具有两个独立的 N 沟道 MOSFET，且都具有低导通电阻，可实现最低的导电损耗。就其物理尺寸而言，MicroFET 2x2 具有出色的热性能，非常适合线性模式应用。
    数据手册

    • 单价：

      ￥1.89996 / 个
    我要订货
    N沟道,电流:54A,耐压:30V
    型号：FDP8880 编号：C243058
    封装：ITO-220AB-3
    品牌：onsemi(安森美)
    数据手册

    • 1+

      ￥5.63

    • 10+

      ￥4.58

    • 30+

      ￥4.06

    • 100+

      ￥3.38

    • 500+

      ￥3.07

    • 1000+

      ￥2.91
  • 订货
    • 我要订货
    1个P沟道 耐压:30V 电流:3.5A
    型号：NTGS3455T1G 编号：C274619
    封装：TSOP-6
    品牌：onsemi(安森美)
    MOSFET，-3.5 A，?30 V，P 沟道，TSOP?6
    数据手册

    • 单价：

      ￥1.08816 / 个
    我要订货
    N沟道,电流:11.5A,耐压:500V
    型号：FDP12N50 编号：C243043
    封装：TO-220
    品牌：onsemi(安森美)
    N沟道
    数据手册

    • 1+

      ￥6.17

    • 10+

      ￥5.03

    • 30+

      ￥4.46

    • 100+

      ￥3.89

    • 500+

      ￥3.55

    • 1000+

      ￥3.38
  • 订货
    • 我要订货
    NTTFS002N04CLTAG-SR01
    型号：NTTFS002N04CLTAG-SR01 编号：C5205501
    封装：WDFN-8
    品牌：onsemi(安森美)

    • 单价：

      ￥4.21632 / 个
    我要订货
    1个N沟道 耐压:80V 电流:68A
    型号：NTTFS6H850NTAG 编号：C604509
    封装：WDFN-8(3.3x3.3)
    品牌：onsemi(安森美)
    适用于紧凑和高效设计的商用功率 MOSFET，采用 3x3mm 扁平引线封装，且具有较高的热性能。
    数据手册

    • 单价：

      ￥1.73472 / 个
    我要订货
    1个N沟道 耐压:100V 电流:2.2A
    型号：FDMA86108LZ 编号：C890905
    封装：VDFN-6(2x2)
    品牌：onsemi(安森美)
    此器件用于为同步降压转换器提供最高能效和热性能。低 rDS(on) 和门极电荷提供了卓越的开关性能。
    数据手册

    • 单价：

      ￥3.34104 / 个
    我要订货
    1个P沟道
    型号：NVMFS9D6P04M8LT1G 编号：C5205508
    封装：SO-8FL
    品牌：onsemi(安森美)
    数据手册

    • 单价：

      ￥3.87372 / 个
    我要订货
    N沟道,电流:114A,耐压:30V
    型号：FDP8874 编号：C243057
    封装：ITO-220AB-3
    品牌：onsemi(安森美)
    N沟道
    数据手册

    • 1+

      ￥8.39

    • 10+

      ￥6.94

    • 30+

      ￥6.15

    • 100+

      ￥5.25

    • 500+

      ￥4.85

    • 1000+

      ￥4.67
  • 订货
    • 我要订货
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