安森美MOS驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：FDMS86255ET150 编号：C891097

封装：Power-56-8

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，该工艺结合了屏蔽门极技术。此工艺经过了优化，可最大程度降低导通电阻，同时可保持出色的开关性能。

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1+
￥40.72
10+
￥35.82
30+
￥32.84

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型号：FDBL86361-F085 编号：C900881

封装：HPSOF-8

品牌：onsemi(安森美)

特性：典型RDS(on) = 1.1 mΩ，VGS = 10V，ID = 80 A。典型Qg(tot) = 172 nC，VGS = 10V，ID = 80 A。 UIS能力。 AEC-Q101合格且具备PPAP能力。这些器件无铅且符合RoHS标准。应用：汽车发动机控制。动力总成管理

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1+
￥42.53
10+
￥36.9
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￥33.46

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型号：FDA24N50 编号：C463235

封装：TO-3PN

品牌：onsemi(安森美)

N沟道,500V,24A,190mΩ@10V

1+
￥42.84
10+
￥37.29
30+
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型号：FDB0190N807L 编号：C462725

封装：TO-263-7

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 使用先进的 PowerTrench 工艺生产，该工艺特别适用于为工业应用最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的坚固性和开关性能。

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1+
￥53.63
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￥52.42
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型号：NVHL050N65S3HF 编号：C898292

封装：TO-247

品牌：onsemi(安森美)

SUPERFET III MOSFET是全新的高压超结（SJ）MOSFET系列，采用电荷平衡技术，具有出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。这项先进技术可将传导损耗降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受极高的dv/dt速率。因此，SUPERFET III MOSFET非常适合用于各种追求小型化和更高效率的电源系统

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￥75.06
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型号：FCD900N60Z 编号：C352877

封装：TO-252(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

SuperFET II MOSFET是全新的高压超结（SJ）MOSFET系列，采用电荷平衡技术，具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。该技术旨在最大程度降低传导损耗，提供卓越的开关性能、dv/dt速率和更高的雪崩能量。因此，SuperFET II MOSFET非常适用于开关电源应用，如功率因数校正（PFC）、服务器/电信电源、平板电视电源、ATX电源和工业电源应用

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单价：
￥5.10948 / 个

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型号：NTMFS6B05NT1G 编号：C184716

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

N沟道,100V,104A

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型号：NTTFD4D0N04HLTWG 编号：C894095

封装：WDFN-12

品牌：onsemi(安森美)

该器件在双封装中包含两个专用N沟道MOSFET。开关节点已内部连接，便于同步降压转换器的布局和布线。控制MOSFET (Q2) 和同步MOSFET (Q1) 旨在提供最佳功率效率。

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单价：
￥5.86644 / 个

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型号：FCP125N60E 编号：C898510

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

SuperFET II MOSFET 是全新的高压超结 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻，以及更低门极电荷方面的卓越性能。此工艺专用于最大程度降低导电损耗，提供卓越的开关性能、dv/dt 速率和更高的雪崩能量。因此，SuperFET II MOSFET easy-drive 系列与 SuperFET II MOSFET 系列相比，提供了略慢的升降时间。此系列通过“E”零件编号后缀表示，有助于管理 EMI 问题，和简化设计实施。对于必须绝对保证开关损耗最小的更快开关应用中，请考虑 SuperFET II MOSFET 系列。

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