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1个N沟道耐压:250V 电流:44A

型号：FDPF44N25T 编号：C899166

封装：TO-220F

品牌：onsemi(安森美)

UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。此 MOSFET 适用于降低导通电阻，提供更好的开关性能以及更高的雪崩能量强度。此器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。

数据手册

1+
￥14.6
10+
￥14.3
50+
￥13.38

有货

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1个N沟道耐压:800V 电流:17A

型号：FCPF290N80 编号：C899134

封装：TO-220F

品牌：onsemi(安森美)

SuperFET II MOSFET 是全新的高压超结 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻，以及更低门极电荷方面的卓越性能。此技术专用于最大程度降低导电损耗，提供卓越的开关性能、dv/dt 速率和更高的雪崩能量。因此，SuperFET II MOSFET 非常适用于开关电源应用，如 PFC、服务器/电信电源、FPD TV 电源、ATX 电源和工业电源应用。

数据手册

1+
￥19.56
10+
￥16.78
50+
￥15.13

有货

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1个N沟道耐压:600V 电流:29A

型号：FCP125N60E 编号：C898510

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

SuperFET II MOSFET 是全新的高压超结 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻，以及更低门极电荷方面的卓越性能。此工艺专用于最大程度降低导电损耗，提供卓越的开关性能、dv/dt 速率和更高的雪崩能量。因此，SuperFET II MOSFET easy-drive 系列与 SuperFET II MOSFET 系列相比，提供了略慢的升降时间。此系列通过“E”零件编号后缀表示，有助于管理 EMI 问题，和简化设计实施。对于必须绝对保证开关损耗最小的更快开关应用中，请考虑 SuperFET II MOSFET 系列。

数据手册

1+
￥22.62
10+
￥22.16
30+
￥21.85

有货

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1个N沟道耐压:80V 电流:110A

型号：FDB86363-F085 编号：C898567

封装：D2PAK(TO-263)

品牌：onsemi(安森美)

特性：典型RDS(on)=2.0 mΩ，VGS = 10 V，ID = 80 A。典型Qg(tot)=131 nC，VGS = 10 V，ID = 80 A。 UIS能力。 AEC-Q101合格且具备PPAP能力。此器件无铅、无卤化物且符合RoHS标准。应用：汽车发动机控制。动力总成管理

数据手册

1+
￥23.32
10+
￥22.77
30+
￥22.41

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:80A

型号：FDP038AN06A0 编号：C898580

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

特性：RDS(on) = 3.5mΩ (Typ.) @ VGS = 10V, ID = 80A。 QG(tot) = 96nC (Typ.) @ VGS = 10V。低米勒电荷。低Qrr体二极管。 UIS能力（单脉冲和重复脉冲）。应用：用于ATX/服务器/电信电源的同步整流。电池保护电路

数据手册

1+
￥27.21
10+
￥23.47
50+
￥21.25

有货

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1个N沟道耐压:250V 电流:59A

型号：FDA59N25 编号：C898138

封装：TO-3PN

品牌：onsemi(安森美)

UniFET MOSFET是基于平面条纹和DMOS技术的高压MOSFET系列。该MOSFET旨在降低导通电阻，提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度。该器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正（PFC）、平板显示（FPD）电视电源、ATX和电子灯镇流器。

数据手册

1+
￥27.83
10+
￥24.04
30+
￥21.79

有货

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1个N沟道耐压:650V 电流:24A

型号：NTPF125N65S3H 编号：C2902183

封装：TO-220F

品牌：onsemi(安森美)

SUPERFET III MOSFET是全新的高压超结（SJ）MOSFET产品系列，采用电荷平衡技术，具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。这项先进技术旨在最大限度地降低传导损耗，提供卓越的开关性能，并能承受极高的dv/dt速率。因此，SUPERFET III FAST MOSFET系列有助于缩小各类电源系统的体积并提高系统效率

数据手册

1+
￥28.27
10+
￥24.38
50+
￥22.07

有货

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耐压:20V 电流:0.7A

型号：FDG6332C-F085 编号：C606020

封装：SC-70-6

品牌：onsemi(安森美)

N沟道和P沟道MOSFET采用先进的PowerTrench工艺制造，该工艺经过特别优化，可在保持出色开关性能的同时，最大程度降低导通电阻。这些器件专为在极小的占位面积内实现卓越的功率耗散而设计，适用于采用更大、更昂贵的TSSOP - 8和SSOP - 6封装不切实际的应用场景。

数据手册

1+
￥35.51
10+
￥30.54
30+
￥27.51

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:80A

型号：FDB8832 编号：C463460

封装：D2PAK(TO-263)

品牌：onsemi(安森美)

特性：典型导通电阻rDS(on)：在VGS = 5V、ID = 80A时为1.5mΩ。典型总栅极电荷Qg(5)：在VGS = 5V时为100nC。低米勒电荷。低Qrr体二极管。具备UIS能力（单脉冲和重复脉冲）。符合RoHS标准。应用：起动机/交流发电机系统。电子动力转向系统

1+
￥36.17
10+
￥31.44
30+
￥28.63

有货

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1个N沟道耐压:150V 电流:63A

型号：FDMS86255ET150 编号：C891097

封装：Power-56-8

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，该工艺结合了屏蔽门极技术。此工艺经过了优化，可最大程度降低导通电阻，同时可保持出色的开关性能。

数据手册

1+
￥40.72
10+
￥35.82
30+
￥32.84

有货

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1个N沟道耐压:80V 电流:300A

型号：FDBL86361-F085 编号：C900881

封装：HPSOF-8

品牌：onsemi(安森美)

特性：典型RDS(on) = 1.1 mΩ，VGS = 10V，ID = 80 A。典型Qg(tot) = 172 nC，VGS = 10V，ID = 80 A。 UIS能力。 AEC-Q101合格且具备PPAP能力。这些器件无铅且符合RoHS标准。应用：汽车发动机控制。动力总成管理

数据手册

1+
￥42.53
10+
￥36.9
30+
￥33.46

有货

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1个N沟道耐压:500V 电流:24A

型号：FDA24N50 编号：C463235

封装：TO-3PN

品牌：onsemi(安森美)

N沟道,500V,24A,190mΩ@10V

1+
￥42.84
10+
￥37.29
30+
￥33.9

有货

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1个N沟道耐压:80V 电流:270A

型号：FDB0190N807L 编号：C462725

封装：TO-263-7

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 使用先进的 PowerTrench 工艺生产，该工艺特别适用于为工业应用最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的坚固性和开关性能。

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1+
￥53.63
10+
￥52.42
30+
￥51.61

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:157A

型号：FDMC8010DC 编号：C555489

封装：PQFN-8(3.3x3.3)

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的。同时结合了硅和 Dual Cool 封装技术的发展，可提供最低的 rDS(on)，同时利用极低的结到环境热阻保持出色的开关性能。

数据手册

6000+
￥3.242421
12000+
￥3.21321
18000+
￥3.154788

我要订货

1个N沟道耐压:60V 电流:26A 电流:133A

型号：NVMYS3D3N06CLTWG 编号：C894200

封装：LFPAK-4(5x6)

品牌：onsemi(安森美)

适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，采用 5x6mm LFPAK 封装且具有较高的热性能。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，且符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于需要更高板级可靠性的汽车应用。

数据手册

3000+
￥4.537236
6000+
￥4.49636
9000+
￥4.414608

我要订货

NVMFS6H801NT1G

型号：NVMFS6H801NT1G 编号：C604623

封装：DFN-5(5.9x4.9)

品牌：onsemi(安森美)

适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，安装在 5x6mm 扁平引线封装中且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。AEC-Q101 认证 MOSFET 且具备生产件批准程序(PPAP) 功能，适用于汽车应用。

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1500+
￥7.77062
3000+
￥7.699978
4500+
￥7.629336

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1个N沟道耐压:25V 电流:334A

型号：NTMFS4H01NFT1G 编号：C348542

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

N沟道,25V 54A

数据手册

1+
￥26.52
10+
￥25.93
30+
￥24.49

有货

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耐压:60V 电流:300A

型号：FDBL0110N60 编号：C900874

封装：MO-299A

品牌：onsemi(安森美)

N 沟道，PowerTrench MOSFET，60V，300A，1.1mΩ

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1+
￥35.95
10+
￥35.21
30+
￥34.71

有货

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1个N沟道耐压:100V 电流:75A

型号：HUF75645P3 编号：C512967

封装：TO-220AB

品牌：onsemi(安森美)

特性：超低导通电阻：rDS(ON) = 0.014Ω，VGS = 10V。仿真模型：温度补偿的PSPICE和SABER电气模型。Spice和Saber热阻抗模型。峰值电流与脉冲宽度曲线。UIS额定曲线

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1600+
￥8.75589
3200+
￥8.676291
4800+
￥8.596692

我要订货

1个N沟道耐压:80V 电流:77A

型号：NVMFS6H836NLT1G 编号：C900474

封装：DFN-5(5.9x4.9)

品牌：onsemi(安森美)

数据手册

3000+
￥3.381948
6000+
￥3.35148
9000+
￥3.290544

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1个P沟道耐压:60V 电流:27A

型号：FQP27P06 编号：C462764

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

此 P 沟道增强型功率 MOSFET 是使用 Fairchild Semiconductor 的平面条纹和 DMOS 专属技术生产的。此先进 MOSFET 技术适用于降低导通电阻，提供卓越的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。

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1+
￥15.7
10+
￥13.41
50+
￥11.99

有货

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1个N沟道耐压:100V 电流:80A

型号：FDWS86068-F085 编号：C891130

封装：Power56-8

品牌：onsemi(安森美)

特性：典型导通电阻：在VGS = 10 V、ID = 80 A时为5.2 mΩ。典型总栅极电荷：在VGS = 10 V、ID = 80 A时为31 nC。具备UIS能力。通过AEC Q101认证。可进行自动光学检测（AOI）的可焊侧翼。这些器件为无铅产品，符合RoHS标准。应用：汽车发动机控制。动力总成管理

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单价：
￥10.828728 / 个

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1个N沟道耐压:100V 电流:185A

型号：FDBL86066-F085 编号：C605017

封装：HPSOF-8

品牌：onsemi(安森美)

特性：典型导通电阻RDS(on)：在VGS = 10 V、ID = 80 A时为3.3 mΩ。典型总栅极电荷Qg(tot)：在VGS = 10 V、ID = 80 A时为47 nC。具有UIS能力。通过AEC Q101认证。这些器件无铅、无卤素/BFR且符合RoHS标准。应用：汽车发动机控制。动力总成管理

数据手册

单价：
￥11.177892 / 个

我要订货

1个N沟道耐压:25V

型号：NVS4409NT1G 编号：C894206

封装：SOT-323

品牌：onsemi(安森美)

特性：先进的平面技术，实现快速开关和低RDS(on)。更高的效率，延长电池寿命。通过AEC-Q101认证，具备PPAP能力。这些器件为无铅产品，符合RoHS标准。应用：升压和降压转换器。负载开关

数据手册

24000+
￥0.39744
48000+
￥0.390816
96000+
￥0.38088
192000+
￥0.36432

我要订货

1个N沟道耐压:30V 电流:2.7A

型号：FDN359BN 编号：C128794

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道逻辑电平 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持出色的开关性能。此类器件非常适用于要求线内低功率损耗和快速开关的低电压和电池供电应用。

数据手册

3000+
￥0.144
6000+
￥0.1416
12000+
￥0.138
24000+
￥0.132

我要订货

1个N沟道耐压:20V 电流:4.5A

型号：MCH3484-TL-W 编号：C480711

封装：SC-70FL(MCPH-3)

品牌：onsemi(安森美)

10+
￥5.5809
100+
￥5.3742
200+
￥4.9608
1000+
￥4.7541
2000+
￥4.5474

我要订货

2个N沟道耐压:30V 电流:7A

型号：FDS8984 编号：C61023

封装：SO-8

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 专为提高 DC/DC 转换器的总效率而设计，可以使用同步开关 PWM 控制器，也可以使用传统开关 PWM 控制器。它经过了优化，可实现低门极电荷、低 RDS(ON) 和快速开关。

数据手册

1+
￥3.45
10+
￥2.75
30+
￥2.4
100+
￥2.05

有货

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1个N沟道耐压:100V 电流:2.6A

型号：FDC3612 编号：C111970

封装：SuperSOT-6

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 专为提高 DC/DC 转换器的总效率而设计，可以使用同步开关 PWM 控制器，也可以使用传统开关 PWM 控制器。它经过了优化，可实现低门极电荷、低 RDS(ON) 和快速开关。

数据手册

3000+
￥1.1766
6000+
￥1.166
9000+
￥1.1448

我要订货

1个N沟道耐压:650V 电流:4.6A

型号：FCD5N60TM 编号：C435887

封装：TO-252AA

品牌：onsemi(安森美)

SuperFET MOSFET 是第一代高压超结 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻，以及更低门极电荷方面的卓越性能。此工艺专用于最大程度降低导电损耗，提供卓越的开关性能、dv/dt 速率和更高的雪崩能量。因此，SuperFET MOSFET 非常适用于开关电源应用，如 PFC、服务器/电信电源、FPD TV 电源、ATX 电源和工业电源应用。

数据手册

2500+
￥4.952043
5000+
￥4.90743
7500+
￥4.818204

我要订货

2个N沟道耐压:60V 电流:26A

型号：NVMFD5C680NLT1G 编号：C604575

封装：PowerTDFN-8(5x6)

品牌：onsemi(安森美)

适用于紧凑和高能效设计的汽车用功率 MOSFET，采用 5x6mm 扁平引线封装且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。

数据手册

5+
￥3.17086
10+
￥3.11619
15+
￥3.00685

我要订货

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