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1个N沟道耐压:800V 电流:8A

型号：FQAF13N80 编号：C898053

封装：TO-3PF-3

品牌：onsemi(安森美)

这款 N 沟道增强型功率 MOSFET 采用仙童半导体公司专有的平面条形和 DMOS 技术制造。这种先进的 MOSFET 技术经过特别设计，可降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正（PFC）和电子灯镇流器

数据手册

1+
￥35.71
10+
￥30.8
30+
￥27.88

有货

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1个N沟道+1个P沟道耐压:150V 电流:2.4A 电流:900mA

型号：FDMC8097AC 编号：C890954

封装：WDFN-8

品牌：onsemi(安森美)

这些双 N 和 P 沟道增强型功率 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持出色的开关性能。缩小实现有源箝位拓扑所需的空间；实现同类最佳的功率密度。

数据手册

1+
￥37.94
10+
￥37.07
30+
￥36.49

有货

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1个N沟道耐压:650V 电流:20A

型号：NTB190N65S3HF 编号：C604393

封装：TO-263

品牌：onsemi(安森美)

SUPERFET III MOSFET 是安森美半导体的全新高压超结 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻，以及更低门极电荷方面的出色性能。此先进技术专用于最大程度降低导通损耗，提供出色的开关性能，并且可以承受极端 dv/dt 速率。因此，SUPERFET III MOSFET 适用于各种电源系统，实现系统小型化和更高效能。SUPERFET III FRFET MOSFET 优化的体二极管反向恢复性能可以消除附加组件，提高系统可靠性。

数据手册

1+
￥38.85
10+
￥33.72
30+
￥29.52

有货

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1个N沟道耐压:650V 电流:20.6A

型号：FCPF190N65FL1-F154 编号：C3280898

封装：TO-220F

品牌：onsemi(安森美)

SUPERFET II MOSFET是一款全新的高压超结（SJ）MOSFET产品系列，它采用电荷平衡技术，具备出色的低导通电阻和较低的栅极电荷性能。这项先进技术旨在最大程度降低传导损耗，提供卓越的开关性能，并能承受极高的dv/dt速率。因此，SUPERFET II MOSFET非常适合用于各类追求小型化和更高效率的电源系统

数据手册

1+
￥38.93
10+
￥37.94
30+
￥37.27

有货

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N沟道 650V 24A

型号：FCPF150N65F 编号：C899124

封装：TO-220F

品牌：onsemi(安森美)

SuperFET II MOSFET 是全新的高压超结 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻，以及更低门极电荷方面的卓越性能。SuperFET II FRFETMOSFET 具有更快速和更耐用的本征体二极管性能和快速开关，尤其在谐振开关应用中可实现更佳可靠性和高能效。SuperFET II FRFET 非常适用于开关电源应用，如服务器/电信电源、太阳能逆变器、FPD TV 电源、计算电源、照明和工业电源应用。

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1+
￥39.81
10+
￥38.94
30+
￥38.36

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:245A

型号：FDMS86550ET60 编号：C891106

封装：Power-56-8

品牌：onsemi(安森美)

安森美半导体先进的 PowerTrench 工艺特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。

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1+
￥41.01
10+
￥39.96
30+
￥39.26

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:80A

型号：FDP5800 编号：C898594

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，适用于最大程度降低导通电阻，同时保持出色的开关性能。

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1+
￥42.99
10+
￥37.3
30+
￥33.83

有货

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N沟道,电流:40A,耐压:650V

型号：NTP067N65S3H 编号：C2902087

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

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1+
￥45.99
10+
￥44.94
30+
￥44.23

有货

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1个N沟道耐压:100V 电流:200A

型号：FDB0260N1007L 编号：C898539

封装：TO-263-7

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于为工业应用最大程度降低导通电阻，同时保持出色的坚固性和开关性能。

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1+
￥55.01
10+
￥53.76
30+
￥52.92

有货

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N沟道MOSFET，650 V，76 A，41 mΩ

型号：FCH041N65F-F085 编号：C604987

封装：TO-247-3

品牌：onsemi(安森美)

SuperFET II MOSFET是安森美半导体全新的高压超结（SJ）MOSFET系列，采用电荷平衡技术，具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。该技术旨在最大限度地降低传导损耗，提供卓越的开关性能、dv/dt速率和更高的雪崩能量。因此，SuperFET II MOSFET非常适合软开关和硬开关拓扑，如高压全桥和半桥DC-DC、交错式升压PFC、混合动力汽车（HEV）-电动汽车（EV）的升压PFC

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1+
￥66.59
10+
￥64.26

有货

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1个N沟道耐压:650V 电流:44A

型号：NVB072N65S3 编号：C604523

封装：D2PAK

品牌：onsemi(安森美)

SUPERFET III MOSFET 是安森美半导体的全新高压超结 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻，以及更低门极电荷方面的出色性能。此先进技术专用于最大程度降低导通损耗，提供出色的开关性能，并且可以承受极端 dv/dt 速率。因此，SUPERFET III MOSFET Easy drive 系列有助于管理 EMI 问题，实现更轻松的设计实施。

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1+
￥67.1
10+
￥57.82
30+
￥48.15

有货

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1个N沟道耐压:80V 电流:351A

型号：NTBLS1D1N08H 编号：C606157

封装：MO-299A

品牌：onsemi(安森美)

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1+
￥69.34
10+
￥67.18

有货

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1个N沟道耐压:650V 电流:75A

型号：NTHL019N65S3H 编号：C2902293

封装：TO-247

品牌：onsemi(安森美)

SUPERFET III MOSFET利用电荷平衡技术，具有出色的低导通电阻和较低的栅极电荷性能。这种先进技术旨在最大限度地减少传导损耗，提供卓越的开关性能，并能承受极高的dv/dt速率。因此，SUPERFET III MOSFET FAST系列有助于缩小各种电源系统的体积并提高系统效率。

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1+
￥120.74
10+
￥115.06
30+
￥105.23

有货

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NTHL050N65S3HF

型号：NTHL050N65S3HF 编号：C604406

封装：TO-247-3

品牌：onsemi(安森美)

技术文档和设计资源模拟模型?(3) 封装图纸?(1) 数据表?(1)

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1+
￥129.95
10+
￥125.9

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:2A

型号：FDG315N 编号：C905055

封装：SC-70-6

品牌：onsemi(安森美)

这款N沟道逻辑电平MOSFET采用先进的PowerTrench工艺制造，该工艺经过特别优化，可最大程度降低导通电阻，同时保持出色的开关性能。这些器件非常适合需要低在线功率损耗和快速开关的低压及电池供电应用。

数据手册

1+
￥3.22
10+
￥2.54
30+
￥2.25
100+
￥1.88
500+
￥1.54
1000+
￥1.44

订货

我要订货

1个N沟道耐压:60V 电流:12A

型号：NTD3055L104T4G 编号：C10668

封装：DPAK

品牌：onsemi(安森美)

适用于电源、转换器、功率电机控制和桥式电路中的低压高速开关应用。

数据手册

10+
￥1.944
100+
￥1.872
200+
￥1.728
1000+
￥1.656
2000+
￥1.584

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1个P沟道耐压:60V 电流:12A

型号：NVD2955T4G 编号：C5205656

封装：TO-252(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

可承受雪崩和换相模式下高能量的汽车用功率 MOSFET。适用于电源、转换器和功率电机控制中的低压高速开关应用。此类器件尤其适用于二极管速度和换相安全运行区域非常关键的桥式电路，可针对非预期的瞬时电压提供附加安全裕度。AEC-Q101 认证 MOSFET 且具备生产件批准程序(PPAP) 功能，适用于汽车应用。

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1+
￥4.81
10+
￥3.92
30+
￥3.47

有货

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2个P沟道耐压:20V 电流:3.8A

型号：FDS9933A 编号：C241823

封装：SO-8

品牌：onsemi(安森美)

此类 P 沟道 2.5V 指定 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持低门极电荷，实现卓越的开关性能。

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1+
￥4.93
10+
￥4.81
30+
￥4.74

有货

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耐压:60V 电流:17.2A

型号：FQU20N06LTU 编号：C518879

封装：IPAK(TO-251)

品牌：onsemi(安森美)

此N沟道增强型功率MOSFET采用专有平面条纹和DMOS技术生产。这种先进的MOSFET技术经过特别设计，可降低导通电阻，并提供出色的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。

数据手册

1+
￥6.54
10+
￥5.31
30+
￥4.7

有货

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1个N沟道耐压:20V 电流:50A

型号：FDD3706 编号：C467442

封装：DPAK(TO-252)

品牌：onsemi(安森美)

这款N沟道MOSFET专为提高使用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的整体效率而设计。它针对低栅极电荷、低RDS(ON)、快速开关速度和小封装下极低的RDS(ON)进行了优化。

1+
￥6.89
10+
￥6.74
30+
￥6.64

有货

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1个P沟道耐压:20V 电流:2.6A

型号：FDZ661PZ 编号：C895389

封装：WLCSP-4(0.8X0.8)

品牌：onsemi(安森美)

FDZ661PZ采用仙童（Fairchild）先进的1.5 V PowerTrench®工艺设计，并结合了先进的“细间距”超薄晶圆级芯片尺寸封装（Thin WLCSP）工艺，可最大程度减少印刷电路板（PCB）占用空间并降低导通电阻rDS(on)。这款先进的晶圆级芯片尺寸封装（WLCSP）MOSFET代表了封装技术的一项突破，使该器件兼具出色的热传导特性和超薄外形（0

数据手册

1+
￥6.94
10+
￥5.8
30+
￥5.18

有货

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2个N沟道耐压:30V 电流:7.5A

型号：FDS8978 编号：C236910

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 专为提高 DC/DC 转换器的总能效而设计，可以使用同步开关 PWM 控制器，也可以使用传统开关 PWM 控制器。它经过了优化，可实现低门极电荷、低 RDS(ON) 和快速开关。

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1+
￥7.07
10+
￥5.99
30+
￥5.39

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:7A

型号：FDS5690 编号：C903627

封装：SO-8

品牌：onsemi(安森美)

这款 N 沟道 MOSFET 采用半导体公司先进的 PowerTrench 工艺制造，该工艺经过特别优化，可最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。这些器件非常适合需要低线路功率损耗和快速开关的低压及电池供电应用。

数据手册

1+
￥7.17
10+
￥5.91
30+
￥5.22

有货

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1个N沟道耐压:600V 电流:4.5A

型号：FDPF5N60NZ 编号：C330167

封装：TO-220F

品牌：onsemi(安森美)

UniFET™ II MOSFET是基于先进的平面条纹和DMOS技术的高压MOSFET系列。这一先进的MOSFET系列在平面MOSFET中具有最小的导通电阻，同时还具备卓越的开关性能和更高的雪崩能量强度。此外，内部栅源ESD二极管使UniFET II MOSFET能够承受超过2kV的人体模型（HBM）浪涌应力

数据手册

1+
￥7.76
10+
￥6.44
50+
￥5.72

有货

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1个N沟道耐压:500V 电流:9A

型号：FDPF10N50FT 编号：C243060

封装：TO-220F

品牌：onsemi(安森美)

UniFET™ MOSFET是基于平面条纹和DMOS技术的高压MOSFET产品系列。该MOSFET经过专门设计，可降低导通电阻，并提供更出色的开关性能和更高的雪崩能量强度。通过寿命控制技术，UniFET FRFET® MOSFET的体二极管反向恢复性能得到了提升

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1+
￥8.53
10+
￥7.08
50+
￥6.28

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:46A

型号：NTD5865NLT4G 编号：C145546

封装：DPAK

品牌：onsemi(安森美)

N 沟道,60V,16A,16mΩ@10V

数据手册

单价：
￥4.601 / 个

我要订货

N沟道耐压:60V 电流:20A

型号：NTD20N06T4G 编号：C179610

封装：DPAK

品牌：onsemi(安森美)

适用于电源、转换器、功率电机控制和桥式电路中的低压高速开关应用。

数据手册

1+
￥11.49
10+
￥11.24
30+
￥11.08

有货

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1个N沟道耐压:600V 电流:10A

型号：FDPF10N60NZ 编号：C62848

封装：TO-220F

品牌：onsemi(安森美)

UniFETTM II MOSFET是高压MOSFET系列产品，基于平面条形技术和DMOS技术。该先进MOSFET系列产品在平面MOSFET产品中具有最小的通态电阻，还可提供卓越的开关性能和更高的雪崩能量强度。此外，内部的栅源ESD二极管使UniFETTM II MOSFET产品可承受超过2kV的HBM静电冲击应力。

数据手册

1+
￥11.99
10+
￥10.33
50+
￥9.29

有货

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1个P沟道耐压:100V 电流:3.6A

型号：FQD5P10TM 编号：C903739

封装：DPAK

品牌：onsemi(安森美)

这款P沟道增强型功率MOSFET采用专有的平面条形和DMOS技术制造。这种先进的MOSFET技术经过特别设计，可降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用

数据手册

1+
￥13.06
10+
￥11.16
30+
￥9.97

有货

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1个N沟道耐压:100V 电流:104A

型号：NTMFS6B05NT1G 编号：C184716

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

N沟道,100V,104A

数据手册

1+
￥14.49
10+
￥12.44
30+
￥11.16

有货

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