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封装：TO-220F

UniFET™ MOSFET是基于平面条纹和DMOS技术的高压MOSFET产品系列。该MOSFET经过专门设计，可降低导通电阻，并提供更出色的开关性能和更高的雪崩能量强度。通过寿命控制技术，UniFET FRFET® MOSFET的体二极管反向恢复性能得到了提升

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型号：NTD360N65S3H 编号：C2902165

封装：DPAK

品牌：onsemi(安森美)

SUPERFET III MOSFET是全新的高压超结（SJ）MOSFET系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻和较低的栅极电荷性能。这种先进技术旨在最小化传导损耗，提供卓越的开关性能，并能承受极高的dv/dt速率。因此，SUPERFET III FAST MOSFET系列有助于缩小各种电源系统的尺寸并提高系统效率。

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型号：FDB3502 编号：C898556

封装：TO-263AB

品牌：onsemi(安森美)

此N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的Power Trench工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越开关性能而定制的。

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型号：FCPF380N65FL1-F154 编号：C3290540

封装：TO-220F

品牌：onsemi(安森美)

SUPERFET II MOSFET是全新的高压超结（SJ）MOSFET系列，采用电荷平衡技术，具有出色的低导通电阻和较低的栅极电荷性能。这种先进技术旨在最大限度地减少传导损耗，提供卓越的开关性能，并能承受极高的dv/dt速率。因此，SUPERFET II MOSFET非常适合用于各种追求小型化和更高效率的电源系统。SUPERFET II FRFET MOSFET的体二极管经过优化的反向恢复性能，可以去除额外的元件并提高系统可靠性。

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型号：FDMS86201 编号：C891094

封装：Power56-8

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持出色的开关性能。

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型号：NTD20N06T4G 编号：C179610

封装：DPAK

品牌：onsemi(安森美)

适用于电源、转换器、功率电机控制和桥式电路中的低压高速开关应用。

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型号：FQD5P10TM 编号：C903739

封装：DPAK

品牌：onsemi(安森美)

这款P沟道增强型功率MOSFET采用专有的平面条形和DMOS技术制造。这种先进的MOSFET技术经过特别设计，可降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用

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型号：NTMFS6H800NLT1G 编号：C604455

封装：SO-8FL-EP-5.8mm

品牌：onsemi(安森美)

适用于紧凑和高效设计的工业用功率 MOSFET，采用 5x6mm 扁平引线封装且具有较高的热性能。

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型号：NVMFS5C628NLT1G 编号：C900447

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，安装在 5x6mm 扁平引线封装中且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。AEC-Q101 认证 MOSFET 且具备生产件批准程序(PPAP) 功能，适用于汽车应用。

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型号：FCP400N80Z 编号：C898524

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

SuperFET II MOSFET 是全新的高压超结 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻，以及更低门极电荷方面的卓越性能。此技术专用于最大程度降低导电损耗，提供卓越的开关性能、dv/dt 速率和更高的雪崩能量。另外，内部门极电源 ESD 二极管可承受 2kV 以上的 HBM 浪涌应力。因此，SuperFET II MOSFET 非常适用于开关电源应用，如音频、笔记本电脑适配器、照明、ATX 电源和工业电源应用。

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型号：HUF76629D3ST 编号：C903780

封装：DPAK(TO-252)

品牌：onsemi(安森美)

特性：典型导通电阻：当VGS = 10V、ID = 20A时，为41mΩ。典型总栅极电荷：当VGS = 10V、ID = 20A时，为39nC。具备UIS能力。符合RoHS标准。通过AEC Q101认证。应用：汽车发动机控制。动力总成管理

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型号：FDPF44N25T 编号：C899166

封装：TO-220F

品牌：onsemi(安森美)

UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。此 MOSFET 适用于降低导通电阻，提供更好的开关性能以及更高的雪崩能量强度。此器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。

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型号：NTGS3136PT1G 编号：C604398

封装：TSOP-6

品牌：onsemi(安森美)

特性：低RDS(on)，采用TSOP-6封装。 1.8V栅极额定值。快速开关。 NV前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用；符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力。这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂（BFR），并符合RoHS标准。应用：优化用于便携式设备的电池和负载管理应用。高端负载开关

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型号：FDMA1023PZ 编号：C890889

封装：VDFN-6(2x2)

品牌：onsemi(安森美)

此器件专门设计为手机和其他超便携应用中电池充电开关的单封装解决方案。它具有两个独立的 P 沟道 MOSFET，且均具有低导通电阻，可实现最低的导电损耗。在典型的共源配置中联接时，可以实现双向电流流动。MicroFET 2x2 封装对于其物理尺寸来说提供了卓越的热性能，非常适合线性模式应用。

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型号：FDMS86320 编号：C463962

封装：Power56-8

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 专为提高 DC/DC 转换器的总能效以及最大程度降低其开关节点噪声而设计，可以使用同步开关 PWM 控制器，也可以使用传统开关 PWM 控制器。它经过了优化，可实现低门极电荷、低 RDS(ON)、快速开关和体二极管逆向恢复性能。

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型号：EFC4C012NLTDG 编号：C895363

封装：WLCSP-6(1.9x3.5)

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道功率 MOSFET 使用安森美半导体的沟槽技术生产，这是专为最大程度减小门极电荷、实现超低导通电阻而设计的技术。此器件适用于笔记本电脑应用。

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型号：FCPF290N80 编号：C899134

封装：TO-220F

品牌：onsemi(安森美)

SuperFET II MOSFET 是全新的高压超结 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻，以及更低门极电荷方面的卓越性能。此技术专用于最大程度降低导电损耗，提供卓越的开关性能、dv/dt 速率和更高的雪崩能量。因此，SuperFET II MOSFET 非常适用于开关电源应用，如 PFC、服务器/电信电源、FPD TV 电源、ATX 电源和工业电源应用。

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型号：FQB19N20CTM 编号：C898637

封装：D2PAK

品牌：onsemi(安森美)

此N沟道增强型功率MOSFET采用专有平面条纹和DMOS技术制造。这种先进的MOSFET技术经过特别设计，可降低导通电阻，并提供出色的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正（PFC）和电子灯镇流器。

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型号：FQP11N40C 编号：C243074

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正（PFC）及照明灯电子镇流器。

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型号：FDB86363-F085 编号：C898567

封装：D2PAK(TO-263)

品牌：onsemi(安森美)

特性：典型RDS(on)=2.0 mΩ，VGS = 10 V，ID = 80 A。典型Qg(tot)=131 nC，VGS = 10 V，ID = 80 A。 UIS能力。 AEC-Q101合格且具备PPAP能力。此器件无铅、无卤化物且符合RoHS标准。应用：汽车发动机控制。动力总成管理

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型号：FCPF11N60 编号：C899121

封装：TO-220F

品牌：onsemi(安森美)

SuperFET MOSFET采用电荷平衡技术，具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。该技术旨在最大程度降低传导损耗，提供卓越的开关性能、dv/dt速率和更高的雪崩能量。因此，SuperFET MOSFET非常适用于开关电源应用，如功率因数校正（PFC）、服务器/电信电源、平板电视电源、ATX电源和工业电源应用

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型号：FQPF27P06 编号：C463030

封装：TO-220F

品牌：onsemi(安森美)

此 P 沟道增强型功率 MOSFET 是使用安森美半导体的平面条纹和 DMOS 专属技术生产的。此先进 MOSFET 技术特别适用于降低导通电阻，提供出色的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。

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￥25.93
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型号：FDP038AN06A0 编号：C898580

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

特性：RDS(on) = 3.5mΩ (Typ.) @ VGS = 10V, ID = 80A。 QG(tot) = 96nC (Typ.) @ VGS = 10V。低米勒电荷。低Qrr体二极管。 UIS能力（单脉冲和重复脉冲）。应用：用于ATX/服务器/电信电源的同步整流。电池保护电路

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型号：FDA59N25 编号：C898138

封装：TO-3PN

品牌：onsemi(安森美)

UniFET MOSFET是基于平面条纹和DMOS技术的高压MOSFET系列。该MOSFET旨在降低导通电阻，提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度。该器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正（PFC）、平板显示（FPD）电视电源、ATX和电子灯镇流器。

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￥27.83
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￥24.04
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￥21.79

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型号：NTPF125N65S3H 编号：C2902183

封装：TO-220F

品牌：onsemi(安森美)

SUPERFET III MOSFET是全新的高压超结（SJ）MOSFET产品系列，采用电荷平衡技术，具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。这项先进技术旨在最大限度地降低传导损耗，提供卓越的开关性能，并能承受极高的dv/dt速率。因此，SUPERFET III FAST MOSFET系列有助于缩小各类电源系统的体积并提高系统效率

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￥28.27
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型号：NVMFS5A140PLZT1G 编号：C900417

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

特性：小尺寸（5×6mm），适合紧凑设计。低RDS(on)，以最小化传导损耗。可选择可焊侧翼选项，以增强光学检测。通过AEC-Q101认证，具备PPAP能力。这些器件无铅且符合RoHS标准

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￥31.53
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￥26.84
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￥23.97

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型号：FDP053N08B-F102 编号：C898584

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，该工艺适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。

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型号：FDG6332C-F085 编号：C606020

封装：SC-70-6

品牌：onsemi(安森美)

N沟道和P沟道MOSFET采用先进的PowerTrench工艺制造，该工艺经过特别优化，可在保持出色开关性能的同时，最大程度降低导通电阻。这些器件专为在极小的占位面积内实现卓越的功率耗散而设计，适用于采用更大、更昂贵的TSSOP - 8和SSOP - 6封装不切实际的应用场景。

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型号：FDB8832 编号：C463460

封装：D2PAK(TO-263)

品牌：onsemi(安森美)

特性：典型导通电阻rDS(on)：在VGS = 5V、ID = 80A时为1.5mΩ。典型总栅极电荷Qg(5)：在VGS = 5V时为100nC。低米勒电荷。低Qrr体二极管。具备UIS能力（单脉冲和重复脉冲）。符合RoHS标准。应用：起动机/交流发电机系统。电子动力转向系统

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型号：NTB190N65S3HF 编号：C604393

封装：TO-263

品牌：onsemi(安森美)

SUPERFET III MOSFET 是安森美半导体的全新高压超结 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻，以及更低门极电荷方面的出色性能。此先进技术专用于最大程度降低导通损耗，提供出色的开关性能，并且可以承受极端 dv/dt 速率。因此，SUPERFET III MOSFET 适用于各种电源系统，实现系统小型化和更高效能。SUPERFET III FRFET MOSFET 优化的体二极管反向恢复性能可以消除附加组件，提高系统可靠性。

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