安森美MOS驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：FDMS86202ET120 编号：C891095

封装：Power56-8

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，该工艺结合了屏蔽门极技术。此工艺经过了优化，可最大程度降低导通电阻，同时可保持卓越的开关性能。

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￥33.41
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型号：NTP095N65S3H 编号：C2902084

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

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型号：FDB2552 编号：C241749

封装：D2PAK-3

品牌：onsemi(安森美)

N 沟道，PowerTrench MOSFET，150V，37A，36mΩ，这种最新的屏蔽门极 PowerTrench MOSFET 具有更小的 QSYNC，卓越的软逆向恢复本征体二极管性能，开关速度快，可大幅提高同步整流的能效。

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型号：FDB045AN08A0 编号：C236883

封装：D2PAK(TO-263)

品牌：onsemi(安森美)

N 沟道 PowerTrench MOSFET 75 V，80 A，4.5 m? 此款最新的屏蔽门极 PowerTrench MOSFET 具有更小的 QSYNC 和软反向恢复本征体二极管性能，开关速度快，可大幅提高同步整流的效率。

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￥34.65
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型号：FQP12N60C 编号：C899368

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用专有平面条纹DMOS技术生产。这种先进技术经过特别设计，可最大限度地降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关电源、有源功率因数校正、基于半桥拓扑的电子灯镇流器。

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型号：FDMC8097AC 编号：C890954

封装：WDFN-8

品牌：onsemi(安森美)

这些双 N 和 P 沟道增强型功率 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持出色的开关性能。缩小实现有源箝位拓扑所需的空间；实现同类最佳的功率密度。

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型号：FDB2532 编号：C236885

封装：D2PAK(TO-263)

品牌：onsemi(安森美)

特性：RDS(on) = 14 mΩ（典型值），@ VGS = 10 V，ID = 33 A。 QG(tot) = 82 nC（典型值），@ VGS = 10 V。低米勒电荷。低 Qrr 体二极管。 UIS 能力（单脉冲和重复脉冲）。应用：消费电器。同步整流

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型号：FCPF150N65F 编号：C899124

封装：TO-220F

品牌：onsemi(安森美)

SuperFET II MOSFET 是全新的高压超结 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻，以及更低门极电荷方面的卓越性能。SuperFET II FRFETMOSFET 具有更快速和更耐用的本征体二极管性能和快速开关，尤其在谐振开关应用中可实现更佳可靠性和高能效。SuperFET II FRFET 非常适用于开关电源应用，如服务器/电信电源、太阳能逆变器、FPD TV 电源、计算电源、照明和工业电源应用。

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￥39.81
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型号：FDMS86550ET60 编号：C891106

封装：Power-56-8

品牌：onsemi(安森美)

安森美半导体先进的 PowerTrench 工艺特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。

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￥41.01
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型号：FDFS2P106A 编号：C903607

封装：SO-8

品牌：onsemi(安森美)

FDFS2P106A 在 SO-8 封装内将 PowerTrench MOSFET 技术的卓越性能与极低正电压降的肖特基势垒整流器相结合。此器件特别适合用作 DC-DC 转换器的单封装方案。它具有快速开关、低门极电荷 MOSFET，且导通电阻极低。独立联接的肖特基二极管使其可用于各种 DC/DC 转换器拓扑结构。

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￥42.03
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型号：FDP5800 编号：C898594

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，适用于最大程度降低导通电阻，同时保持出色的开关性能。

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￥42.99
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￥37.3
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型号：NTP067N65S3H 编号：C2902087

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

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型号：NTHL120N60S5Z 编号：C5208913

封装：TO-247-3LD

品牌：onsemi(安森美)

SUPERFET V MOSFET Easy Drive系列结合了出色的开关性能，且在硬开关和软开关拓扑中都不会牺牲易用性和EMI问题。

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￥46.73
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型号：NTBLS1D7N10MCTXG 编号：C5208082

封装：TOLL-8L

品牌：onsemi(安森美)

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型号：FDB0260N1007L 编号：C898539

封装：TO-263-7

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于为工业应用最大程度降低导通电阻，同时保持出色的坚固性和开关性能。

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￥55.01
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型号：FDMS86350ET80 编号：C891098

封装：Power-56-8

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 使用先进的 PowerTrench 工艺生产，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。

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型号：NVB072N65S3 编号：C604523

封装：D2PAK

品牌：onsemi(安森美)

SUPERFET III MOSFET 是安森美半导体的全新高压超结 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻，以及更低门极电荷方面的出色性能。此先进技术专用于最大程度降低导通损耗，提供出色的开关性能，并且可以承受极端 dv/dt 速率。因此，SUPERFET III MOSFET Easy drive 系列有助于管理 EMI 问题，实现更轻松的设计实施。

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￥67.1
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型号：NTBLS1D1N08H 编号：C606157

封装：MO-299A

品牌：onsemi(安森美)

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型号：FCH041N65F-F085 编号：C604987

封装：TO-247-3

品牌：onsemi(安森美)

SuperFET II MOSFET是安森美半导体全新的高压超结（SJ）MOSFET系列，采用电荷平衡技术，具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。该技术旨在最大限度地降低传导损耗，提供卓越的开关性能、dv/dt速率和更高的雪崩能量。因此，SuperFET II MOSFET非常适合软开关和硬开关拓扑，如高压全桥和半桥DC-DC、交错式升压PFC、混合动力汽车（HEV）-电动汽车（EV）的升压PFC

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型号：NTHL019N65S3H 编号：C2902293

封装：TO-247

品牌：onsemi(安森美)

SUPERFET III MOSFET利用电荷平衡技术，具有出色的低导通电阻和较低的栅极电荷性能。这种先进技术旨在最大限度地减少传导损耗，提供卓越的开关性能，并能承受极高的dv/dt速率。因此，SUPERFET III MOSFET FAST系列有助于缩小各种电源系统的体积并提高系统效率。

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￥120.74
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￥115.06
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￥105.23

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型号：NTHL050N65S3HF 编号：C604406

封装：TO-247-3

品牌：onsemi(安森美)

技术文档和设计资源模拟模型?(3) 封装图纸?(1) 数据表?(1)

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￥129.95
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型号：NVC3S5A51PLZT1G 编号：C604529

封装：CPH-3

品牌：onsemi(安森美)

汽车功率MOSFET，旨在最大程度降低栅极电荷和导通电阻。该MOSFET通过AEC - Q101认证，具备生产件批准程序（PPAP）能力，适用于汽车应用。

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￥3.61
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￥2.94
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￥2.61

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型号：NTD3055L170T4G 编号：C236234

封装：DPAK

品牌：onsemi(安森美)

专为电源、转换器、动力电机控制和桥接电路中的低电压、高速开关应用而设计。

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￥4.55
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￥3.7
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型号：NVD2955T4G 编号：C5205656

封装：TO-252(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

可承受雪崩和换相模式下高能量的汽车用功率 MOSFET。适用于电源、转换器和功率电机控制中的低压高速开关应用。此类器件尤其适用于二极管速度和换相安全运行区域非常关键的桥式电路，可针对非预期的瞬时电压提供附加安全裕度。AEC-Q101 认证 MOSFET 且具备生产件批准程序(PPAP) 功能，适用于汽车应用。

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￥4.81
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型号：FDS9933A 编号：C241823

封装：SO-8

品牌：onsemi(安森美)

此类 P 沟道 2.5V 指定 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持低门极电荷，实现卓越的开关性能。

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￥4.96
10+
￥4.85
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￥4.77

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型号：FQU20N06LTU 编号：C518879

封装：IPAK(TO-251)

品牌：onsemi(安森美)

此N沟道增强型功率MOSFET采用专有平面条纹和DMOS技术生产。这种先进的MOSFET技术经过特别设计，可降低导通电阻，并提供出色的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。

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￥6.54
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￥5.31
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￥4.7

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型号：FQU5N60CTU 编号：C352875

封装：TO-251-3L

品牌：onsemi(安森美)

此N沟道增强型功率MOSFET采用专有平面条纹和DMOS技术生产。这种先进的MOSFET技术经过特别设计，可降低导通电阻，并提供出色的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正（PFC）和电子灯镇流器。

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￥6.73
10+
￥5.63
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￥5.02

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型号：FDD3706 编号：C467442

封装：DPAK(TO-252)

品牌：onsemi(安森美)

这款N沟道MOSFET专为提高使用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的整体效率而设计。它针对低栅极电荷、低RDS(ON)、快速开关速度和小封装下极低的RDS(ON)进行了优化。

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￥6.89
10+
￥6.74
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￥6.64

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型号：FDS5690 编号：C903627

封装：SO-8

品牌：onsemi(安森美)

这款 N 沟道 MOSFET 采用半导体公司先进的 PowerTrench 工艺制造，该工艺经过特别优化，可最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。这些器件非常适合需要低线路功率损耗和快速开关的低压及电池供电应用。

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￥7.17
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￥5.91
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￥5.22

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型号：FDPF5N60NZ 编号：C330167

封装：TO-220F

品牌：onsemi(安森美)

UniFET™ II MOSFET是基于先进的平面条纹和DMOS技术的高压MOSFET系列。这一先进的MOSFET系列在平面MOSFET中具有最小的导通电阻，同时还具备卓越的开关性能和更高的雪崩能量强度。此外，内部栅源ESD二极管使UniFET II MOSFET能够承受超过2kV的人体模型（HBM）浪涌应力

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