安森美MOS驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：NVMFS5C638NLWFT1G 编号：C604612

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

适用于紧凑和高能效设计的汽车用功率 MOSFET，采用 5x6mm 扁平引线封装且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。

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型号：FDMS10C4D2N 编号：C891044

封装：PQFN-8(5x6)

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MV MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，该工艺结合了屏蔽门极技术。此工艺经过了优化，可最大程度降低导通电阻，同时使用业内最佳的软体二极管来保持出色的开关性能。

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型号：NVMJST0D9N04CTXG 编号：C5208903

封装：LFPAK-10(7.5x5)

品牌：onsemi(安森美)

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型号：NTMFS6H818NT1G 编号：C604457

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，安装在 5x6mm 扁平引线封装中且具有较高的热性能。

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型号：NTP150N65S3HF 编号：C604471

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

SUPERFET III MOSFET 是安森美半导体的全新高压超结 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻，以及更低门极电荷方面的卓越性能。此先进工艺专用于最大程度降低导电损耗，提供卓越的开关性能，并且可以承受极端 dv/dt 速率。因此，SUPERFET III MOSFET 适用于各种电源系统，实现系统小型化和更高能效。SUPERFET III FRFET MOSFET 优化的体二极管逆向恢复性能可以消除附加组件，提高系统可靠性。

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型号：FDMC2610 编号：C890928

封装：WDFN-8(3.3x3.3)

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 是先进的 Power Trench 工艺的坚固门极版本。此产品非常适用于电源管理应用。

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型号：NVMFWS2D1N08XT1G 编号：C37414275

封装：SO-5FL

品牌：onsemi(安森美)

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型号：FDMS8050ET30 编号：C891080

封装：Power-56-8

品牌：onsemi(安森美)

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型号：FCPF11N60 编号：C899121

封装：TO-220F

品牌：onsemi(安森美)

SuperFET MOSFET采用电荷平衡技术，具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。该技术旨在最大程度降低传导损耗，提供卓越的开关性能、dv/dt速率和更高的雪崩能量。因此，SuperFET MOSFET非常适用于开关电源应用，如功率因数校正（PFC）、服务器/电信电源、平板电视电源、ATX电源和工业电源应用

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型号：FDP023N08B-F102 编号：C516098

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，适用于最大程度降低导通电阻，同时保持出色的开关性能。

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型号：NVMFS5C628NLWFAFT1G 编号：C604610

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，安装在 5x6mm 扁平引线封装中且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。AEC-Q101 认证 MOSFET 且具备生产件批准程序(PPAP) 功能，适用于汽车应用。

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型号：FDPF10N60ZUT 编号：C336034

封装：TO-220F

品牌：onsemi(安森美)

UniFET II MOSFET是基于先进的平面条形和DMOS技术的高压MOSFET系列。这一先进的MOSFET系列在平面MOSFET中具有最小的导通电阻，同时还具备出色的开关性能和更高的雪崩能量强度。此外，内部栅源ESD二极管使UniFET II MOSFET能够承受超过2kV的人体模型（HBM）浪涌应力

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型号：FCP165N65S3 编号：C604997

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

SUPERFET III MOSFET 是安森美半导体的全新高压超结 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻，以及更低门极电荷方面的卓越性能。此先进工艺专用于最大程度降低导电损耗，提供卓越的开关性能，并且可以承受极端 dv/dt 速率。因此，SUPERFET III MOSFET Easy drive 系列有助于管理 EMI 问题，实现更简单的设计实施。

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