安森美MOS驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：NVMFS5C456NLAFT1G 编号：C900434

封装：DFN-5(5.9x4.9)

品牌：onsemi(安森美)

适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，安装在 5x6mm 扁平引线封装中且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。AEC-Q101 认证 MOSFET 且具备生产件批准程序(PPAP) 功能，适用于汽车应用。

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型号：NVDS015N15MCT4G 编号：C887747

封装：DPAK

品牌：onsemi(安森美)

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型号：FDMA1023PZ 编号：C890889

封装：VDFN-6(2x2)

品牌：onsemi(安森美)

此器件专门设计为手机和其他超便携应用中电池充电开关的单封装解决方案。它具有两个独立的 P 沟道 MOSFET，且均具有低导通电阻，可实现最低的导电损耗。在典型的共源配置中联接时，可以实现双向电流流动。MicroFET 2x2 封装对于其物理尺寸来说提供了卓越的热性能，非常适合线性模式应用。

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型号：NVMFS5C450NLAFT1G 编号：C604599

封装：DFN-5(5.9x4.9)

品牌：onsemi(安森美)

适用于紧凑和高能效设计的汽车用功率 MOSFET，采用 5x6mm 扁平引线封装且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。

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型号：FDS86141 编号：C903639

封装：SO-8

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持出色的开关性能。

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型号：FDP2552 编号：C128787

封装：TO-220-3

品牌：onsemi(安森美)

N 沟道 PowerTrench MOSFET 150 V，37 A，36 mΩ

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型号：NTTFD2D8N03P1E 编号：C894094

封装：WQFN-12(3.3x3.3)

品牌：onsemi(安森美)

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型号：FDP120N10 编号：C898587

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 是使用 PowerTrench 工艺生产的，该工艺适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。

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型号：FDD2572 编号：C903558

封装：TO-252AA

品牌：onsemi(安森美)

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型号：FDMB3800N 编号：C890914

封装：MLP-8(1.9x3)

品牌：onsemi(安森美)

此类 N 沟道逻辑电平 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适合最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。此类器件适用于需要线内低功率损耗和快速开关的低压和电池供电应用。

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型号：NVMFS5C670NLAFT1G 编号：C604615

封装：DFN-5(5.9x4.9)

品牌：onsemi(安森美)

适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，安装在 5x6mm 扁平引线封装中且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。AEC-Q101 认证 MOSFET 且具备生产件批准程序(PPAP) 功能，适用于汽车应用。

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型号：FDPF190N15A 编号：C605056

封装：TO-220F

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，适用于最大程度降低导通电阻，同时保持出色的开关性能。

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型号：NVMFS5C612NLWFAFT1G 编号：C900445

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，安装在 5x6mm 扁平引线封装中且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。AEC-Q101 认证 MOSFET 且具备生产件批准程序(PPAP) 功能，适用于汽车应用。

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型号：NVMFWS003N10MCT1G 编号：C5208103

封装：DFNW-5(5x6)(SO-8-FL)

品牌：onsemi(安森美)

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型号：NTMFSC0D9N04CL 编号：C894041

封装：DFN-8(5.1x6.2)

品牌：onsemi(安森美)

特性：先进的双面冷却封装。超低导通电阻 (RDS(on))，以最小化传导损耗。 MSL1 坚固封装设计。这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂且符合 RoHS 标准。应用：或门场效应管/负载开关。同步整流器

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型号：FDMC8360L 编号：C890958

封装：PQFN-8

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，该工艺结合了屏蔽门极技术。此工艺经过了优化，可最大程度降低导通电阻，同时可保持出色的开关性能。

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型号：FCD360N65S3R0 编号：C352882

封装：TO-252

品牌：onsemi(安森美)

SUPERFET III MOSFET 是安森美半导体的全新高压超结 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻，以及更低门极电荷方面的出色性能。此先进技术专用于最大程度降低导通损耗，提供出色的开关性能，并且可以承受极端 dv/dt 速率。因此，SUPERFET III MOSFET Easy drive 系列有助于管理 EMI 问题，实现更轻松的设计实施。

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型号：FDMS5352 编号：C891060

封装：Power-56-8

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。

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型号：NVMFS5C450NLWFAFT1G 编号：C900432

封装：DFN-5(5.9x4.9)

品牌：onsemi(安森美)

适用于紧凑和高能效设计的汽车用功率 MOSFET，采用 5x6mm 扁平引线封装且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。

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型号：FDP083N15A-F102 编号：C128791

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，该工艺适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。

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型号：NTTFSSH1D3N04XL 编号：C48538174

封装：WDFN-9

品牌：onsemi(安森美)

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型号：FDD9407L-F085 编号：C903600

封装：DPAK(TO-252)

品牌：onsemi(安森美)

特性：典型值：VGS = 10V、ID = 80A 时，RDS(on) = 1.4mΩ。典型值：VGS = 10V、ID = 80A 时，Qg(tot) = 96nC。 UIS 能力。符合 RoHS 标准。符合 AEC Q101 标准。应用：汽车发动机控制。动力总成管理

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型号：NTPF190N65S3H 编号：C2902185

封装：TO-220F

品牌：onsemi(安森美)

SUPERFET III MOSFET是全新的高压超结（SJ）MOSFET系列，采用电荷平衡技术，具有出色的低导通电阻和较低的栅极电荷性能。这项先进技术旨在最大限度地减少传导损耗，提供卓越的开关性能，并能承受极高的dv/dt速率。因此，SUPERFET III FAST MOSFET系列有助于缩小各种电源系统的尺寸并提高系统效率。

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型号：FDD8N50NZTM 编号：C903598

封装：TO-252(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

UniFET™ II MOSFET基于先进的平面条形和DMOS技术。这一先进的MOSFET系列在平面MOSFET中具有最低的导通电阻，同时还具备出色的开关性能和更高的雪崩能量强度。此外，内部栅源ESD二极管使UniFET™ II MOSFET能够承受超过2kV的人体模型（HBM）浪涌应力

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型号：FDP050AN06A0 编号：C258215

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

N 沟道，PowerTrench MOSFET，60V，80 A，5 mΩ

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￥17.36
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型号：NVTFS002N04CLTAG 编号：C900501

封装：WDFN-8(3.3x3.3)

品牌：onsemi(安森美)

适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，采用 3x3mm 扁平引线封装，且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。

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型号：FCPF380N60E 编号：C330161

封装：TO-220F

品牌：onsemi(安森美)

SuperFET II MOSFET 是全新的高压超结 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻，以及更低门极电荷方面的卓越性能。此工艺专用于最大程度降低导电损耗，提供卓越的开关性能、dv/dt 速率和更高的雪崩能量。因此，SuperFET II MOSFET 非常适用于开关电源应用，如 PFC、服务器/电信电源、FPD TV 电源、ATX 电源和工业电源应用。

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型号：FDB390N15A 编号：C463941

封装：D2PAK-3

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，该工艺适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。

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型号：NTPF165N65S3H 编号：C2902184

封装：TO-220F

品牌：onsemi(安森美)

SUPERFET III MOSFET是全新的高压超结（SJ）MOSFET产品系列，采用电荷平衡技术，具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。这项先进技术旨在最大限度降低传导损耗，提供卓越的开关性能，并能承受极高的dv/dt速率。因此，SUPERFET III MOSFET FAST系列有助于缩小各类电源系统的体积并提高系统效率

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￥21.14
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￥20.24

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型号：FQB19N20CTM 编号：C898637

封装：D2PAK

品牌：onsemi(安森美)

此N沟道增强型功率MOSFET采用专有平面条纹和DMOS技术制造。这种先进的MOSFET技术经过特别设计，可降低导通电阻，并提供出色的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正（PFC）和电子灯镇流器。

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