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首页 > 热门关键词 > 安森美MOS驱动
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1个N沟道 耐压:500V 电流:6A
型号：FDD6N50TM-WS 编号：C903582
封装：TO-252(DPAK)
品牌：onsemi(安森美)
UniFET MOSFET是基于平面条纹和DMOS技术的高压MOSFET系列。该MOSFET旨在降低导通电阻，并提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度。该器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示器 (FPD) 电视电源、ATX和电子灯镇流器。
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    1个N沟道 耐压:40V 电流:27A 电流:141A
    型号：FDMC8360LET40 编号：C890959
    封装：Power-33-8
    品牌：onsemi(安森美)
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    1个N沟道 耐压:100V 电流:44A
    型号：FDD3672 编号：C903561
    封装：TO-252AA
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：rDS(ON) = 24mΩ（典型值），VGS = 10V，ID = 44A。Qg(tot) = 24nC（典型值），VGS = 10V。低米勒电荷。低Qrr体二极管。高频下优化效率。UIS能力（单脉冲和重复脉冲）。应用：DC/DC转换器和离线式UPS。分布式电源架构和VRM
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    1个N沟道 耐压:800V 电流:6A
    型号：FCPF1300N80Z 编号：C463710
    封装：TO-220FP-3
    品牌：onsemi(安森美)
    SuperFET II MOSFET 是全新的高压超结 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻，以及更低门极电荷方面的卓越性能。此技术专用于最大程度降低导电损耗，提供卓越的开关性能、dv/dt 速率和更高的雪崩能量。另外，内部门极电源 ESD 二极管可承受 2kV 以上的 HBM 浪涌应力。因此，SuperFET II MOSFET 非常适用于开关电源应用，如音频、笔记本电脑适配器、照明、ATX 电源和工业电源应用。
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    1个N沟道 耐压:80V 电流:14.8A 电流:64A
    型号：NTTFS6H850NLTAG 编号：C900363
    封装：WDFN-8(3.3x3.3)
    品牌：onsemi(安森美)
    适用于紧凑和高效设计的商用功率 MOSFET，采用 3x3mm 扁平引线封装，且具有较高的热性能。
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    耐压:80V 电流:123A
    型号：FDMS4D4N08C 编号：C891059
    封装：Power56-8
    品牌：onsemi(安森美)
    此 N 沟道 MV MOSFET 使用先进的 PowerTrench工艺生产，该工艺结合了屏蔽门极技术。此工艺经过了优化，可最大程度降低导通电阻，同时可保持卓越的开关性能，以及业内最佳的软体二极管。
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    1个N沟道 耐压:650V 电流:10.2A
    型号：FCPF380N65FL1-F154 编号：C3290540
    封装：TO-220F
    品牌：onsemi(安森美)
    SUPERFET II MOSFET是全新的高压超结（SJ）MOSFET系列，采用电荷平衡技术，具有出色的低导通电阻和较低的栅极电荷性能。这种先进技术旨在最大限度地减少传导损耗，提供卓越的开关性能，并能承受极高的dv/dt速率。因此，SUPERFET II MOSFET非常适合用于各种追求小型化和更高效率的电源系统。SUPERFET II FRFET MOSFET的体二极管经过优化的反向恢复性能，可以去除额外的元件并提高系统可靠性。
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    N沟道 MOSFET,电流:71A,耐压:60V
    型号：NVMYS6D2N06CLTWG 编号：C2902308
    封装：LFPAK-4(5x6)
    品牌：onsemi(安森美)
    适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，采用 5x6mm LFPAK 封装且具有较高的热性能。通过 AEC-Q101 认证 MOSFET 且符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于需要更高板级可靠性的汽车应用。
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    1个N沟道 耐压:30V 电流:40A
    型号：FDMC7660DC 编号：C463948
    封装：DualCool-33-8
    品牌：onsemi(安森美)
    此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的。同时结合了硅和 Dual Cool 封装技术的发展，可提供最低的 rDS(on)，因为具有极低的结到环境热阻，同时可保持卓越的开关性能。
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    1个N沟道 耐压:40V 电流:41A 235A
    型号：NVMJS1D3N04CTWG 编号：C894175
    封装：LFPAK-8
    品牌：onsemi(安森美)
    适用于紧凑和高能效设计的汽车用功率 MOSFET，采用 5x6mm LFPAK 封装且具有较高的热性能。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于要求增强板级可靠性的汽车应用。
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    1个N沟道 耐压:40V
    型号：NVMFS5C430NLWFT1G 编号：C5208153
    封装：SO-8FL
    品牌：onsemi(安森美)
    适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，安装在 5x6mm 扁平引线封装中且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。AEC-Q101 认证 MOSFET 且具备生产件批准程序(PPAP) 功能，适用于汽车应用。
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    2个N沟道 耐压:60V 电流:40A
    型号：NVMFD5C672NLT1G 编号：C604574
    封装：DFN-8(5x6)
    品牌：onsemi(安森美)
    适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，采用 5x6mm 扁平引线封装，具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。通过 AEC-Q101 认证 MOSFET 且符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。
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    1个N沟道 耐压:40V 电流:237A
    型号：NVMFS5C426NLWFT1G 编号：C900426
    封装：DFN-5(5.9x4.9)
    品牌：onsemi(安森美)
    适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，安装在 5x6mm 扁平引线封装中且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。通过 AEC-Q101 认证 MOSFET 且符合生产件批准程序 (PPAP) ，适用于汽车应用。
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    1个N沟道 耐压:60V 电流:21A
    型号：NVMFS5C680NLWFT1G 编号：C604618
    封装：DFN-5(5.9x4.9)
    品牌：onsemi(安森美)
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    2个N沟道 耐压:30V 电流:16A
    型号：FDMC7208S 编号：C890940
    封装：Power33-8
    品牌：onsemi(安森美)
    该器件在双Power 33（3 mm × 3 mm MLP）封装中集成了两个30V N沟道MOSFET。该封装经过优化，具备出色的热性能。
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    耐压:100V 电流:16A
    型号：FDMS86104 编号：C891087
    封装：Power56-8
    品牌：onsemi(安森美)
    此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。
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    N沟道功率MOSFET，40V，5.3mΩ，71A
    型号：NVMFS5C460NT1G 编号：C900437
    封装：DFN-5(5.9x4.9)
    品牌：onsemi(安森美)
    适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，采用 5x6mm 扁平引线封装，且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。
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    1个N沟道 耐压:250V 电流:6.2A
    型号：FDD7N25LZTM 编号：C903583
    封装：TO-252(DPAK)
    品牌：onsemi(安森美)
    UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。此 MOSFET 适用于降低导通电阻，提供更佳的开关性能以及更高的雪崩能量强度。此器件系列适用于开关电力转换器应用，如功率系数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。
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    1个N沟道 耐压:200V 电流:21A
    型号：FQB19N20LTM 编号：C605171
    封装：TO-263(D2PAK)
    品牌：onsemi(安森美)
    该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正（PFC）及照明灯电子镇流器。
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    1个N沟道 耐压:80V 电流:123A
    型号：NVMFS6H818NWFT1G 编号：C900469
    封装：DFN-5(5.9x4.9)
    品牌：onsemi(安森美)
    适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，采用 5x6mm 扁平引线封装，具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。通过 AEC-Q101 认证 MOSFET 且符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。
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    1个N沟道 耐压:80V 电流:90A
    型号：FDD86369 编号：C903591
    封装：DPAK(TO-252)
    品牌：onsemi(安森美)
    此 N 沟道 MOSFET 专为提高 DC/DC 转换器的总能效而设计，可以使用同步开关 PWM 控制器，也可以使用传统开关 PWM 控制器。它经过了优化，可实现低门极电荷、低 RDS(ON) 和快速开关。
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    耐压:80V 电流:116A
    型号：FDMS4D5N08LC 编号：C605038
    封装：Power-56
    品牌：onsemi(安森美)
    这款N沟道中压（MV）MOSFET采用先进的POWERTRENCH工艺制造，该工艺集成了屏蔽栅极技术。此工艺经过优化，可将导通电阻降至最低，同时凭借同类最佳的软体二极管保持卓越的开关性能。
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    1个N沟道 耐压:650V 电流:7A
    型号：FQPF7N65C 编号：C352881
    封装：TO-220F
    品牌：onsemi(安森美)
    此N沟道增强型功率MOSFET采用专有平面条纹和DMOS技术生产。这种先进的MOSFET技术经过特别设计，可降低导通电阻，并提供出色的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正（PFC）和电子灯镇流器。
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    NVTFS5C466NLETAG
    型号：NVTFS5C466NLETAG 编号：C46599119
    封装：DFN-8(3.3x3.3)
    品牌：onsemi(安森美)

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    1个N沟道 耐压:800V 电流:14A
    型号：FCP400N80Z 编号：C898524
    封装：TO-220
    品牌：onsemi(安森美)
    SuperFET II MOSFET 是全新的高压超结 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻，以及更低门极电荷方面的卓越性能。此技术专用于最大程度降低导电损耗，提供卓越的开关性能、dv/dt 速率和更高的雪崩能量。另外，内部门极电源 ESD 二极管可承受 2kV 以上的 HBM 浪涌应力。因此，SuperFET II MOSFET 非常适用于开关电源应用，如音频、笔记本电脑适配器、照明、ATX 电源和工业电源应用。
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    耐压:60V 电流:8A
    型号：FDMQ86530L 编号：C605032
    封装：V-DFN5045-12
    品牌：onsemi(安森美)
    与二极管桥相比，此四 MOSFET 解决方案在功率耗散方面提供了十倍改善。
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    1个N沟道 耐压:100V 电流:20A
    型号：HUF76629D3ST 编号：C903780
    封装：DPAK(TO-252)
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：典型导通电阻：当VGS = 10V、ID = 20A时，为41mΩ。 典型总栅极电荷：当VGS = 10V、ID = 20A时，为39nC。 具备UIS能力。 符合RoHS标准。 通过AEC Q101认证。应用：汽车发动机控制。 动力总成管理
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    1个N沟道 耐压:600V 电流:7A
    型号：FCD7N60TM 编号：C352870
    封装：TO-252AA
    品牌：onsemi(安森美)
    SuperFET MOSFET 是第一代高压超结 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻，以及更低门极电荷方面的出色性能。此技术专用于最大程度降低导通损耗，提供出色的开关性能、dv/dt 速率和更高的雪崩能量。因此，SuperFET MOSFET 非常适用于开关电源应用，如 PFC、服务器/电信电源、FPD TV 电源、ATX 电源和工业电源应用。
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    1个N沟道 耐压:800V 电流:11A
    型号：NTPF450N80S3Z 编号：C2902304
    封装：TO-220F
    品牌：onsemi(安森美)
    800 V SUPERFET III MOSFET 是安森美半导体（ON Semiconductor）推出的高性能 MOSFET 产品系列，其击穿电压可达 800 V。全新的 800 V SUPERFET III MOSFET 针对反激式转换器的初级开关进行了优化，凭借其优化设计，在不影响 EMI 性能的前提下，可降低开关损耗和外壳温度。此外，内部齐纳二极管显著提升了 ESD 能力
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    1个N沟道 耐压:40V 电流:87A
    型号：NVMFS5C456NLAFT1G 编号：C900434
    封装：DFN-5(5.9x4.9)
    品牌：onsemi(安森美)
    适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，安装在 5x6mm 扁平引线封装中且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。AEC-Q101 认证 MOSFET 且具备生产件批准程序(PPAP) 功能，适用于汽车应用。
    数据手册

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