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首页 > 热门关键词 > 安森美MOS驱动
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1个N沟道 耐压:40V 电流:237A
型号：NVMFS5C426NLWFT1G 编号：C900426
封装：DFN-5(5.9x4.9)
品牌：onsemi(安森美)
适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，安装在 5x6mm 扁平引线封装中且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。通过 AEC-Q101 认证 MOSFET 且符合生产件批准程序 (PPAP) ，适用于汽车应用。
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    N沟道功率MOSFET，40V，5.3mΩ，71A
    型号：NVMFS5C460NT1G 编号：C900437
    封装：DFN-5(5.9x4.9)
    品牌：onsemi(安森美)
    适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，采用 5x6mm 扁平引线封装，且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。
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    1个N沟道 耐压:200V 电流:21A
    型号：FQB19N20LTM 编号：C605171
    封装：TO-263(D2PAK)
    品牌：onsemi(安森美)
    该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正（PFC）及照明灯电子镇流器。
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    1个N沟道 耐压:80V 电流:123A
    型号：NVMFS6H818NWFT1G 编号：C900469
    封装：DFN-5(5.9x4.9)
    品牌：onsemi(安森美)
    适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，采用 5x6mm 扁平引线封装，具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。通过 AEC-Q101 认证 MOSFET 且符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。
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    1个N沟道 耐压:80V 电流:90A
    型号：FDD86369 编号：C903591
    封装：DPAK(TO-252)
    品牌：onsemi(安森美)
    此 N 沟道 MOSFET 专为提高 DC/DC 转换器的总能效而设计，可以使用同步开关 PWM 控制器，也可以使用传统开关 PWM 控制器。它经过了优化，可实现低门极电荷、低 RDS(ON) 和快速开关。
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    NVTFS5C466NLETAG
    型号：NVTFS5C466NLETAG 编号：C46599119
    封装：DFN-8(3.3x3.3)
    品牌：onsemi(安森美)

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    耐压:60V 电流:8A
    型号：FDMQ86530L 编号：C605032
    封装：V-DFN5045-12
    品牌：onsemi(安森美)
    与二极管桥相比，此四 MOSFET 解决方案在功率耗散方面提供了十倍改善。
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    1个N沟道 耐压:600V 电流:7A
    型号：FCD7N60TM 编号：C352870
    封装：TO-252AA
    品牌：onsemi(安森美)
    SuperFET MOSFET 是第一代高压超结 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻，以及更低门极电荷方面的出色性能。此技术专用于最大程度降低导通损耗，提供出色的开关性能、dv/dt 速率和更高的雪崩能量。因此，SuperFET MOSFET 非常适用于开关电源应用，如 PFC、服务器/电信电源、FPD TV 电源、ATX 电源和工业电源应用。
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    1个N沟道 耐压:80V 电流:59A
    型号：NVMFS6H848NLWFT1G 编号：C900479
    封装：DFN-5(5.9x4.9)
    品牌：onsemi(安森美)
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    1个N沟道 耐压:800V 电流:11A
    型号：NTPF450N80S3Z 编号：C2902304
    封装：TO-220F
    品牌：onsemi(安森美)
    800 V SUPERFET III MOSFET 是安森美半导体（ON Semiconductor）推出的高性能 MOSFET 产品系列，其击穿电压可达 800 V。全新的 800 V SUPERFET III MOSFET 针对反激式转换器的初级开关进行了优化，凭借其优化设计，在不影响 EMI 性能的前提下，可降低开关损耗和外壳温度。此外，内部齐纳二极管显著提升了 ESD 能力
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    1个N沟道 耐压:40V 电流:87A
    型号：NVMFS5C456NLAFT1G 编号：C900434
    封装：DFN-5(5.9x4.9)
    品牌：onsemi(安森美)
    适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，安装在 5x6mm 扁平引线封装中且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。AEC-Q101 认证 MOSFET 且具备生产件批准程序(PPAP) 功能，适用于汽车应用。
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    1个N沟道 耐压:150V 电流:10.5A 电流:61.3A
    型号：NVDS015N15MCT4G 编号：C887747
    封装：DPAK
    品牌：onsemi(安森美)
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    1个N沟道 耐压:40V 电流:110A
    型号：NVMFS5C450NLAFT1G 编号：C604599
    封装：DFN-5(5.9x4.9)
    品牌：onsemi(安森美)
    适用于紧凑和高能效设计的汽车用功率 MOSFET，采用 5x6mm 扁平引线封装且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。
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    1个N沟道 耐压:200V 电流:3.9A
    型号：FDS2672 编号：C463724
    封装：SO-8
    品牌：onsemi(安森美)
    此单 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 UItraFET Trench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。
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    N沟道 150V 37A
    型号：FDP2552 编号：C128787
    封装：TO-220-3
    品牌：onsemi(安森美)
    N 沟道 PowerTrench MOSFET 150 V，37 A，36 mΩ
    数据手册

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    2个N沟道 耐压:30V 电流:16.1A 电流:80A
    型号：NTTFD2D8N03P1E 编号：C894094
    封装：WQFN-12(3.3x3.3)
    品牌：onsemi(安森美)
    数据手册

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    FDP120N10
    型号：FDP120N10 编号：C898587
    封装：TO-220
    品牌：onsemi(安森美)
    此 N 沟道 MOSFET 是使用 PowerTrench 工艺生产的，该工艺适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。
    数据手册

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    耐压:30V 电流:96A
    型号：NTTFS008P03P8Z 编号：C894097
    封装：WDFN-8(3.3x3.3)
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：超低RDS(on)，提高系统效率。 采用3.3x3.3mm先进封装技术，节省空间并具有出色的热传导性能。 无铅、无卤/无溴化阻燃剂，符合RoHS标准。应用：功率负载开关保护：反向电流、过电压和反向负电压电池管理
    数据手册

    • 1+

      ￥16.44

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    • 30+

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    1个N沟道 耐压:150V 电流:29A 电流:4A
    型号：FDD2572 编号：C903558
    封装：TO-252AA
    品牌：onsemi(安森美)
    数据手册

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      ￥16.88

    • 10+

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    • 30+

      ￥16.24
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    2个N沟道 耐压:30V 电流:4.8A
    型号：FDMB3800N 编号：C890914
    封装：MLP-8(1.9x3)
    品牌：onsemi(安森美)
    此类 N 沟道逻辑电平 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适合最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。此类器件适用于需要线内低功率损耗和快速开关的低压和电池供电应用。
    数据手册

    • 1+

      ￥16.99

    • 10+

      ￥14.52

    • 30+

      ￥12.98
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:60V 电流:71A
    型号：NVMFS5C670NLAFT1G 编号：C604615
    封装：DFN-5(5.9x4.9)
    品牌：onsemi(安森美)
    适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，安装在 5x6mm 扁平引线封装中且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。AEC-Q101 认证 MOSFET 且具备生产件批准程序(PPAP) 功能，适用于汽车应用。
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    • 1+

      ￥17.16

    • 10+

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    • 30+

      ￥16.5
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    1个N沟道 耐压:150V 电流:27.4A
    型号：FDPF190N15A 编号：C605056
    封装：TO-220F
    品牌：onsemi(安森美)
    此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，适用于最大程度降低导通电阻，同时保持出色的开关性能。
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    • 1+

      ￥17.22

    • 10+

      ￥16.84

    • 50+

      ￥14.74
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:25V
    型号：NTTFSS1D1N02P1E 编号：C5208926
    封装：WDFN-9(3.3x3.3)
    品牌：onsemi(安森美)
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    • 1+

      ￥17.24

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      ￥16.51
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    1个N沟道 耐压:100V
    型号：NVMFWS003N10MCT1G 编号：C5208103
    封装：DFNW-5(5x6)(SO-8-FL)
    品牌：onsemi(安森美)
    数据手册

    • 1+

      ￥17.29

    • 10+

      ￥16.9

    • 30+

      ￥16.63
  • 有货
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    耐压:40V 电流:313A
    型号：NTMFSC0D9N04CL 编号：C894041
    封装：DFN-8(5.1x6.2)
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：先进的双面冷却封装。 超低导通电阻 (RDS(on))，以最小化传导损耗。 MSL1 坚固封装设计。 这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂且符合 RoHS 标准。应用：或门场效应管/负载开关。 同步整流器
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    • 1+

      ￥17.32

    • 10+

      ￥14.8

    • 30+

      ￥13.23
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:40V 电流:100A
    型号：FDMS015N04B 编号：C330163
    封装：Power56-8
    品牌：onsemi(安森美)
    此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，该工艺适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。
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    • 1+

      ￥17.92

    • 10+

      ￥15.49

    • 30+

      ￥13.97
  • 有货
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    FDMS5352
    型号：FDMS5352 编号：C891060
    封装：Power-56-8
    品牌：onsemi(安森美)
    此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。
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    • 1+

      ￥18.83

    • 10+

      ￥18.4

    • 30+

      ￥18.11
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    1个N沟道 耐压:80V 电流:203A
    型号：NTMFS6H800NT1G 编号：C604456
    封装：DFN5(5x6)
    品牌：onsemi(安森美)
    适用于紧凑和高效设计的商用功率 MOSFET，安装在 5x6mm 扁平引线封装中且具有较高的热性能。
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    • 1+

      ￥18.92

    • 10+

      ￥15.97

    • 30+

      ￥14.13
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:40V 电流:110A
    型号：NVMFS5C450NLWFAFT1G 编号：C900432
    封装：DFN-5(5.9x4.9)
    品牌：onsemi(安森美)
    适用于紧凑和高能效设计的汽车用功率 MOSFET，采用 5x6mm 扁平引线封装且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。
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    • 1+

      ￥19.05

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      ￥18.32
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    1个N沟道 耐压:150V 电流:117A
    型号：FDP083N15A-F102 编号：C128791
    封装：TO-220
    品牌：onsemi(安森美)
    此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，该工艺适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。
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    • 1+

      ￥19.13

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