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首页 > 热门关键词 > 安森美MOS驱动
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此 N 沟道 MOSFET 专为提高 DC/DC 转换器的总效率以及最大程度降低其开关节点噪声而设计,可以使用同步开关 PWM 控制器,也可以使用传统开关 PWM 控制器。它经过了优化,可实现低门极电荷、低 RDS(ON)、快速开关和体二极管反向恢复功能。
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  • 1+

    ¥7.36
  • 10+

    ¥7.19
  • 30+

    ¥7.08
  • 有货
  • 适用于紧凑和高效设计的工业用功率 MOSFET,采用 5x6mm LFPAK 封装且具有较高的热性能。
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    • 30+

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  • 有货
  • 此器件专门针对手机和其他超便携应用中的电池充电或负载开关而设计。它具有一个带有低导通电阻的 MOSFET。就其物理尺寸而言,MicroFET 2x2 封装具有出色的热性能,非常适合线性模式应用。
    数据手册
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  • 有货
  • 适用于紧凑和高能效设计的工业用功率 MOSFET,采用 5x6mm LFPAK 封装且具有较高的热性能。
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  • 有货
  • 适用于紧凑和高能效设计的汽车用功率 MOSFET,采用 3x3mm 扁平引线封装且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET,符合生产件批准程序 (PPAP),适用于汽车应用。
    数据手册
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      ¥7.53
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  • 有货
  • 适用于紧凑和高能效设计的汽车用功率 MOSFET,采用 5x6mm 扁平引线封装且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET,符合生产件批准程序 (PPAP),适用于汽车应用。
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      ¥7.6
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      ¥7.29
  • 有货
  • FDMS7658AS 适用于最大程度降低电源转换应用中的损耗。同时结合了硅和封装技术的发展,可提供最低的 rDS(on),同时保持卓越的开关性能。此器件还增加了高效单片肖特基体二极管的优点。
    数据手册
    • 1+

      ¥7.72
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      ¥6.45
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      ¥5.76
  • 有货
  • 此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的,特别适用于最大程度降低导通电阻和开关损耗。增加了 G-S 齐纳以提高 ESD 电压水平。
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      ¥7.74
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      ¥7.46
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    • 10+

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    • 30+

      ¥7.52
  • 有货
  • 适用于紧凑和高能效设计的汽车用功率 MOSFET,采用 5x6mm 扁平引线封装且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET,符合生产件批准程序 (PPAP),适用于汽车应用。
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    • 1+

      ¥8.24
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      ¥8.04
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      ¥7.91
  • 有货
  • ATP113 是一款 P 沟道功率 MOSFET -60V,-35A,29.5mΩ,单 ATPAK,适用于通用开关设备应用。
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      ¥8.27
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      ¥8.07
    • 30+

      ¥7.94
  • 有货
  • 适用于紧凑和高能效设计的汽车用功率 MOSFET,采用 3x3mm 扁平引线封装且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET,符合生产件批准程序 (PPAP),适用于汽车应用。
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    • 1+

      ¥8.38
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      ¥8.17
    • 30+

      ¥8.04
  • 有货
  • 此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的,特别适用于最大程度降低导通电阻,同时保持卓越的开关性能。
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      ¥8.56
    • 10+

      ¥7.16
    • 30+

      ¥6.39
  • 有货
  • 此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的,特别适用于最大程度降低导通电阻,同时保持低门极电荷,实现出色的开关性能。
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    • 1+

      ¥9.03
    • 10+

      ¥7.41
    • 30+

      ¥6.53
  • 有货
  • 适用于紧凑和高效设计的工业用功率 MOSFET,采用 5x6 mm 扁平引线封装,且具有较高的热性能。
    数据手册
    • 1+

      ¥9.15
    • 10+

      ¥7.61
    • 30+

      ¥6.76
  • 有货
  • 特性:超低栅极电荷和低有效输出电容。 较低的品质因数(RDS(on)最大值 x Qg典型值和RDS(on)最大值 x Eoss)。 100%雪崩测试。 通过AEC-Q101认证且具备生产件批准程序(PPAP)能力。 这些器件无铅且符合RoHS标准
    数据手册
    • 1+

      ¥9.55
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      ¥9.35
    • 30+

      ¥9.21
  • 有货
  • 特性:典型导通电阻RDS(on) = 11.3 mΩ(VGS = 10 V,ID = 50 A)。 典型总栅极电荷Qg(tot) = 20 nC(VGS = 10 V,ID = 50 A)。 具有UIS能力。 符合RoHS标准。 通过AEC Q101认证。 可焊侧翼,便于自动光学检测(AOI)。应用:汽车发动机控制。 动力总成管理
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    • 1+

      ¥10
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      ¥9.78
    • 30+

      ¥9.64
  • 有货
  • UniFET MOSFET是基于平面条纹和DMOS技术的高压MOSFET系列。该MOSFET旨在降低导通电阻,并提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度。该器件系列适用于开关电源转换器应用,如功率因数校正 (PFC)、平板显示器 (FPD) 电视电源、ATX和电子灯镇流器。
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    • 1+

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    • 30+

      ¥7.53
  • 有货
  • SuperFET II MOSFET 是全新的高压超结 (SJ) MOSFET 系列,利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻,以及更低门极电荷方面的卓越性能。此技术专用于最大程度降低导电损耗,提供卓越的开关性能、dv/dt 速率和更高的雪崩能量。另外,内部门极电源 ESD 二极管可承受 2kV 以上的 HBM 浪涌应力。因此,SuperFET II MOSFET 非常适用于开关电源应用,如音频、笔记本电脑适配器、照明、ATX 电源和工业电源应用。
    数据手册
    • 1+

      ¥10.46
    • 10+

      ¥8.74
    • 50+

      ¥7.5
  • 有货
  • 适用于紧凑和高效设计的商用功率 MOSFET,采用 3x3mm 扁平引线封装,且具有较高的热性能。
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      ¥10.73
    • 10+

      ¥10.48
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  • 此 N 沟道 MV MOSFET 使用先进的 PowerTrench工艺生产,该工艺结合了屏蔽门极技术。此工艺经过了优化,可最大程度降低导通电阻,同时可保持卓越的开关性能,以及业内最佳的软体二极管。
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      ¥10.95
    • 10+

      ¥10.71
    • 30+

      ¥10.55
  • 有货
  • 适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET,采用 5x6mm LFPAK 封装且具有较高的热性能。通过 AEC-Q101 认证 MOSFET 且符合生产件批准程序 (PPAP),适用于需要更高板级可靠性的汽车应用。
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    • 1+

      ¥11.22
    • 10+

      ¥10.97
    • 30+

      ¥10.8
  • 有货
  • 此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的。同时结合了硅和 Dual Cool 封装技术的发展,可提供最低的 rDS(on),因为具有极低的结到环境热阻,同时可保持卓越的开关性能。
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      ¥11.22
    • 10+

      ¥9.57
    • 30+

      ¥8.54
  • 有货
  • 适用于紧凑和高能效设计的汽车用功率 MOSFET,采用 5x6mm LFPAK 封装且具有较高的热性能。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET,符合生产件批准程序 (PPAP),适用于要求增强板级可靠性的汽车应用。
    数据手册
    • 1+

      ¥11.45
    • 10+

      ¥11.19
    • 30+

      ¥11.01
  • 有货
  • 适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET,安装在 5x6mm 扁平引线封装中且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。AEC-Q101 认证 MOSFET 且具备生产件批准程序(PPAP) 功能,适用于汽车应用。
    数据手册
    • 1+

      ¥11.73
    • 10+

      ¥11.5
    • 30+

      ¥11.35
  • 有货
  • 适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET,采用 5x6mm 扁平引线封装,具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。通过 AEC-Q101 认证 MOSFET 且符合生产件批准程序 (PPAP),适用于汽车应用。
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    • 1+

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    • 10+

      ¥11.57
    • 30+

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  • 该器件专为手机及其他超便携式应用中的电池充电开关设计,是一款单封装解决方案。它具备两个独立的P沟道MOSFET,导通电阻低,可将传导损耗降至最低。采用典型的共源极配置连接时,可实现双向电流流动
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    • 1+

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