安森美MOS驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：NVTFS6H850NTAG 编号：C604649

封装：WDFN-8(3.3x3.3)

品牌：onsemi(安森美)

适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，采用 3x3mm 扁平引线封装，且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，且符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。

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型号：NVMFS5C456NLWFAFT1G 编号：C900435

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，安装在 5x6mm 扁平引线封装中且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。AEC-Q101 认证 MOSFET 且具备生产件批准程序(PPAP) 功能，适用于汽车应用。

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型号：FDMS7678 编号：C462742

封装：Power-56-8

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 使用先进的 PowerTrench 工艺生产，特别适用于最大程度降低导通电阻。此器件适用于笔记本电脑和便携式电池组中常见的功率和负载开关应用。

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型号：FDD9410L-F085 编号：C348534

封装：DPAK(TO-252)

品牌：onsemi(安森美)

特性：典型导通电阻RDS(on) = 3.3mΩ，VGS = 10V，ID = 50A。典型总栅极电荷Qg(tot) = 29nC，VGS = 10V，ID = 50A。具有UIS能力。符合RoHS标准。通过AEC Q101认证。应用：汽车发动机控制。动力总成管理

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型号：FDD86113LZ 编号：C903587

封装：DPAK(TO-252)

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道逻辑电平 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。增加了 G-S 齐纳以提高 ESD 电压水平。

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型号：ECH8667-TL-H 编号：C605379

封装：SOT-28FL

品牌：onsemi(安森美)

ECH8667 是一款 P 沟道功率 MOSFET，-30V，-5.5A，39mΩ，双 ECH8，适用于通用开关应用。

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型号：NVMFS9D6P04M8LT1G 编号：C5205508

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

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型号：ECH8655R-TL-H 编号：C463694

封装：SOT-28FL

品牌：onsemi(安森美)

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型号：NVMFD5C478NLT1G 编号：C604571

封装：DFN-8(5x6)

品牌：onsemi(安森美)

适用于紧凑和高能效设计的汽车用功率 MOSFET，采用 5x6mm 扁平引线封装且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。

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型号：FDMC8015L 编号：C890950

封装：Power-33-8

品牌：onsemi(安森美)

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型号：NVTFWS003N04XMTAG 编号：C46535459

封装：DFN-8(3.3x3.3)

品牌：onsemi(安森美)

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型号：NTMFS3D0N08XT1G 编号：C25428461

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

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型号：FDS9431A 编号：C236911

封装：SO-8

品牌：onsemi(安森美)

此 P 沟道 2.5V 指定 MOSFET 是使用专属的高单元密度沟槽 MOSFET 技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻，同时提供卓越的开关性能。

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型号：NVTFS5C454NLWFTAG 编号：C604640

封装：WDFN-5(3.3x3.3)

品牌：onsemi(安森美)

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型号：FDMS86540 编号：C606114

封装：Power56-8

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 专为提高 DC/DC 转换器的总效率以及最大程度降低其开关节点噪声而设计，可以使用同步开关 PWM 控制器，也可以使用传统开关 PWM 控制器。它经过了优化，可实现低门极电荷、低 RDS(ON)、快速开关和体二极管反向恢复功能。

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型号：NTMYS021N06CLTWG 编号：C894068

封装：LFPAK-4(5x6)

品牌：onsemi(安森美)

适用于紧凑和高效设计的工业用功率 MOSFET，采用 5x6mm LFPAK 封装且具有较高的热性能。

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型号：FDMA510PZ 编号：C463946

封装：MicroFET-6(2x2)

品牌：onsemi(安森美)

此器件专门针对手机和其他超便携应用中的电池充电或负载开关而设计。它具有一个带有低导通电阻的 MOSFET。就其物理尺寸而言，MicroFET 2x2 封装具有出色的热性能，非常适合线性模式应用。

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型号：NTMYS025N06CLTWG 编号：C894069

封装：LFPAK-4(5x6)

品牌：onsemi(安森美)

适用于紧凑和高能效设计的工业用功率 MOSFET，采用 5x6mm LFPAK 封装且具有较高的热性能。

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型号：NVTFS5C658NLWFTAG 编号：C604645

封装：WDFN-8(3.3x3.3)

品牌：onsemi(安森美)

适用于紧凑和高能效设计的汽车用功率 MOSFET，采用 3x3mm 扁平引线封装且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。

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型号：NVMFWS014N08XT1G 编号：C50376223

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

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型号：FDMC8032L 编号：C890953

封装：Power33-8

品牌：onsemi(安森美)

该器件在双Power 33（3 mm x 3 mm MLF）封装中集成了两个40 V N沟道MOSFET。这种封装经过优化，具备出色的热性能。

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型号：FDMS7658AS 编号：C236896

封装：DFN-8(5x6)

品牌：onsemi(安森美)

FDMS7658AS 适用于最大程度降低电源转换应用中的损耗。同时结合了硅和封装技术的发展，可提供最低的 rDS(on)，同时保持卓越的开关性能。此器件还增加了高效单片肖特基体二极管的优点。

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型号：FDB86102LZ 编号：C898564

封装：TO-263AB

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻和开关损耗。增加了 G-S 齐纳以提高 ESD 电压水平。

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型号：NVMFS5C468NT1G 编号：C900441

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，采用 5x6mm 扁平引线封装，且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。

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型号：NVMFD020N06CT1G 编号：C900370

封装：SO-8FL-EP-4.9mm

品牌：onsemi(安森美)

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型号：ATP113-TL-H 编号：C890217

封装：ATPAK-3

品牌：onsemi(安森美)

ATP113 是一款 P 沟道功率 MOSFET -60V，-35A，29.5mΩ，单 ATPAK，适用于通用开关设备应用。

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型号：FDMB2308PZ 编号：C890913

封装：MLP-6(2x3)

品牌：onsemi(安森美)

此器件专门设计用作锂离子电池组保护电路和其他超便携应用中的单封装方案。它具有两个共漏极 P 沟道 MOSFET，可实现双向电流流向，基于安森美半导体先进的 PowerTrench 工艺以及最新的 MicroFET 引线框架，FDMB2308PZ 可最大程度减小 PCB 空间和 rS1S2(on)。

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型号：FDMC86244 编号：C455158

封装：Power-33

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。

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型号：NVD360N65S3T4G 编号：C3277862

封装：DPAK

品牌：onsemi(安森美)

特性：超低栅极电荷和低有效输出电容。较低的品质因数（RDS(on)最大值 x Qg典型值和RDS(on)最大值 x Eoss）。 100%雪崩测试。通过AEC-Q101认证且具备生产件批准程序（PPAP）能力。这些器件无铅且符合RoHS标准

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型号：FDWS86380-F085 编号：C891133

封装：Power-56

品牌：onsemi(安森美)

特性：典型导通电阻RDS(on) = 11.3 mΩ（VGS = 10 V，ID = 50 A）。典型总栅极电荷Qg(tot) = 20 nC（VGS = 10 V，ID = 50 A）。具有UIS能力。符合RoHS标准。通过AEC Q101认证。可焊侧翼，便于自动光学检测（AOI）。应用：汽车发动机控制。动力总成管理

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