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1个N沟道耐压:55V 电流:75A

型号：HUF75345S3ST 编号：C463510

封装：D2PAK-3

品牌：onsemi(安森美)

这些 N 沟道功率 MOSFET 采用创新的 UltraFET 工艺制造。这种先进工艺技术实现了单位硅面积内最低的通态电阻，可以带来出色的性能。此器件能够在雪崩模式下承受高能量并且二极管具有极低的反向恢复时间和存储电荷。设计用于电源效率很重要的应用，如开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器、低电压总线开关，以及便携式产品和电池供电产品中的电源管理。

数据手册

1+
￥23.45
10+
￥22.18
30+
￥21.42
100+
￥20.66
500+
￥20.3
800+
￥20.14

有货

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1个N沟道+1个P沟道耐压:8V 电流:1.3A

型号：NTJD1155LT1G 编号：C236114

封装：SC-88

品牌：onsemi(安森美)

NTJD1155L 在一个封装中集成了 P 沟道和 N 沟道 MOSFET。该器件尤其适用于需要低控制信号、低电池电压和高负载电流的便携式电子设备。该 P 沟道器件专用于使用安森美半导体先进沟槽技术的负载开关。该 N 沟道与外部电阻 (R1) 一起用作电平移位，驱动 P 沟道。该 N 沟道 MOSFET 具有内部 ESD 保护，可由低至 1.5 V 的逻辑信号驱动。 NTJD1155L 基于 1.8 至 8.0 V 的电源线运行，对 VIN 和 VON/OFF 应用 8.0 V 时可驱动最高 1.3 A 的负载。

数据手册

5+
￥1.4374
50+
￥1.1345
150+
￥1.0047
500+
￥0.8427

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:20A

型号：NVTFS5C680NLTAG 编号：C900532

封装：WDFN-8(3.3x3.3)

品牌：onsemi(安森美)

特性：小尺寸（3.3x3.3mm），适合紧凑设计。低导通电阻，以最小化传导损耗。低电容，以最小化驱动损耗。可焊侧翼产品。 AEC-Q101合格且具备生产件批准程序（PPAP）能力。这些器件无铅且符合RoHS标准

数据手册

1+
￥4.64
10+
￥4.16
30+
￥3.91
100+
￥3.67

有货

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1个N沟道耐压:40V 电流:240A

型号：FDBL9406-F085T6 编号：C2902247

封装：HPSOF-8

品牌：onsemi(安森美)

特性：低RDS(on)，以最小化传导损耗。低QJ和电容，以最小化驱动损耗。降低开关噪声/电磁干扰。通过AEC-Q101认证，具备生产件批准程序能力。这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂，符合RoHS标准

数据手册

1+
￥13.0895 ￥27.85
10+
￥9.8198 ￥26.54
30+
￥6.9552 ￥25.76
100+
￥6.7446 ￥24.98
500+
￥6.6447 ￥24.61
1000+
￥6.6015 ￥24.45

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1个N沟道耐压:150V 电流:185A 电流:20A

型号：NTBGS4D1N15MC 编号：C898805

封装：D2PAK-7

品牌：onsemi(安森美)

特性：低RDS(on)以最小化传导损耗。低QG和电容以最小化驱动器损耗。降低开关噪声/EMI。这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂，符合RoHS标准。应用：电动工具、电池供电的吸尘器。无人机、物料搬运

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1+
￥32.39
10+
￥27.77
30+
￥24.96
100+
￥22.6

有货

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1个P沟道耐压:20V 电流:780mA

型号：NTK3139PT1G 编号：C236246

封装：SOT-723

品牌：onsemi(安森美)

特性：P沟道开关，低导通电阻RDS(on)。比SC-89封装的占位面积小44%，厚度薄38%。低阈值电平，允许1.5V的RDS(on)额定值。可在低逻辑电平栅极驱动下工作。这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂，且符合RoHS标准。应用：负载/电源开关-接口。逻辑开关

数据手册

5+
￥0.7356
50+
￥0.596
150+
￥0.5262
500+
￥0.4738

有货

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耐压:30V 电流:78A

型号：NTMFS4C324NT1G 编号：C5276709

封装：SO-8

品牌：onsemi(安森美)

特性：低RDS(on)以最小化传导损耗。低电容以最小化驱动损耗。优化的栅极电荷以最小化开关损耗。这些器件无铅、无卤素/BFR且符合RoHS标准。应用：CPU电源供应。 DC-DC转换器

数据手册

1+
￥2.67
10+
￥2.25
30+
￥2.04
100+
￥1.83
500+
￥1.57

有货

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1个N沟道耐压:650V 电流:24A

型号：NVB125N65S3 编号：C3277659

封装：D2PAK-3(TO-263-3)

品牌：onsemi(安森美)

SUPERFET III MOSFET是全新的高压超结（SJ）MOSFET系列，采用电荷平衡技术，具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。这项先进技术旨在最大限度地降低传导损耗，提供卓越的开关性能，并能承受极高的dv/dt速率。因此，SUPERFET III MOSFET易驱动系列有助于解决电磁干扰（EMI）问题，使设计实施更加简便

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1+
￥16.4
10+
￥15.51
30+
￥14.98
100+
￥14.44

有货

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N沟道耐压:80V 电流:119A

型号：NTMFS4D0N08XT1G 编号：C35185549

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

特性：低QRR，软恢复体二极管。低RDS(on)以最小化传导损耗。低QG和电容以最小化驱动损耗。这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂，符合RoHS标准。应用：直流-直流和交流-直流中的同步整流（SR）。隔离式直流-直流转换器中的初级开关

1+
￥11.08
10+
￥9.42
30+
￥8.39
100+
￥7.33

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耐压:20V 电流:5.1A

型号：NTGS3446T1G 编号：C893999

封装：TSOP-6

品牌：onsemi(安森美)

特性：超低导通电阻（RDS(on)）。更高的效率，延长电池续航时间。逻辑电平栅极驱动。二极管具有高速、软恢复特性。规定雪崩能量。规定高温下的漏电流（IDSS）。应用：便携式和电池供电产品的电源管理，如电脑、打印机、PCMCIA卡、手机和无绳设备。锂离子电池应用

数据手册

1+
￥2.2066 ￥3.74
10+
￥1.4945 ￥3.05
30+
￥1.0569 ￥2.71
100+
￥0.9204 ￥2.36
500+
￥0.8424 ￥2.16
1000+
￥0.7995 ￥2.05

有货

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耐压:60V 电流:50A

型号：NTTFS5C673NLTAG 编号：C604508

封装：DFN-5(3.3x3.3)

品牌：onsemi(安森美)

特性：小尺寸封装（3.3x3.3 mm），适合紧凑设计。低导通电阻RDS(on)，可降低传导损耗。低栅极电荷QG和电容，可降低驱动损耗。无卤、无铅，符合RoHS标准

数据手册

12000+
￥1.1151
24000+
￥1.08675
36000+
￥1.04895
72000+
￥1.0206

我要订货

1个N沟道耐压:30V 电流:67A

型号：NTTFS4C06NTAG 编号：C900350

封装：WDFN-8(3.3x3.3)

品牌：onsemi(安森美)

特性：低导通电阻（RDS(on)），以最小化传导损耗。低电容，以最小化驱动损耗。优化的栅极电荷，以最小化开关损耗。这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂，且符合RoHS标准。应用：DC-DC转换器。电源负载开关

数据手册

1+
￥2.92
10+
￥2.32
30+
￥2.06

有货

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1个P沟道耐压:40V 电流:8.2A

型号：FDS4685 编号：C336026

封装：SO-8

品牌：onsemi(安森美)

此 P 沟道 MOSFET 是先进的 PowerTrench 工艺的坚固门极版本。它针对需要较宽门极驱动电压额定值 (4.5V – 20V) 的电源管理应用进行了优化。

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1+
￥3.43
10+
￥2.78
30+
￥2.46
100+
￥2.14

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1个N沟道耐压:60V 电流:44A

型号：NTMFS5H610NLT1G 编号：C604450

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

特性：小尺寸封装（5x6 mm），适合紧凑设计。低导通电阻RDS(on)，以最小化传导损耗。低栅极电荷QG和电容，以最小化驱动损耗。这些器件无铅且符合RoHS标准

数据手册

1+
￥5.66
10+
￥5.53
30+
￥5.45
100+
￥5.36

有货

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1个N沟道耐压:100V 电流:47.1A

型号：NVMFS015N10MCLT1G 编号：C900404

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

特性：小尺寸 (5×6mm)，适合紧凑设计。低RDS(on)，以最小化传导损耗。低QG和电容，以最小化驱动损耗。有可焊侧翼选项，便于光学检测。通过AEC-Q101认证，可提供生产件批准程序文件。这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂，符合RoHS标准

数据手册

1+
￥7.24
10+
￥6.02
30+
￥5.35
100+
￥4.59

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:50A

型号：RFP50N06 编号：C274239

封装：TO-220AB

品牌：onsemi(安森美)

此类 N 沟道功率 MOSFET 是使用 MegaFET 工艺生产的。此工艺使用接近 LSI 集成电路的特性尺寸，可实现硅的优化利用，因此性能非常出色。此类器件适用于开关稳压器、开关转换器、电机驱动器和继电器驱动器等应用。此类晶体管可直接在集成电路中运行。之前的开发型号为 TA09526。

数据手册

1+
￥9.61
10+
￥7.99
50+
￥7.1
100+
￥6.1
500+
￥5.65
800+
￥5.45

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:18A

型号：FDD5612 编号：C241779

封装：TO-252

品牌：onsemi(安森美)

这款N沟道MOSFET专为提高采用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的整体效率而设计。与具有类似RDS(ON)规格的其他MOSFET相比，这些MOSFET具有更快的开关速度和更低的栅极电荷。因此，该MOSFET易于驱动且驱动更安全（即使在非常高的频率下），并且能够实现整体效率更高的DC/DC电源设计

1+
￥10.2102 ￥13.26
10+
￥8.6899 ￥12.97
30+
￥7.2846 ￥12.78
100+
￥7.1763 ￥12.59

有货

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1个N沟道耐压:100V 电流:22A 175A

型号：NTMFS002N10MCLT1G 编号：C5209347

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

特性：小尺寸（5x6 mm），适合紧凑设计。低导通电阻RDS(ON)，以最小化传导损耗。低栅极电荷QG和电容，以最小化驱动损耗。这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂、无铍，符合RoHS标准

数据手册

1+
￥19.14
10+
￥16.31
30+
￥14.63
100+
￥12.93

有货

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1个N沟道耐压:40V 电流:140A

型号：NTMFS5C442NT3G 编号：C893878

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

特性：小尺寸封装（5x6mm），适合紧凑设计。低导通电阻RDS(on)，可降低传导损耗。低栅极电荷QG和电容，可降低驱动损耗。无铅，符合RoHS标准

数据手册

1+
￥19.458 ￥20.7
10+
￥14.8596 ￥17.69
30+
￥11.6994 ￥15.81
100+
￥10.2712 ￥13.88
500+
￥9.6274 ￥13.01
1000+
￥9.3462 ￥12.63

有货

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1个N沟道耐压:650V 电流:30A

型号：NVB099N65S3 编号：C3288222

封装：D2PAK-3(TO-263-3)

品牌：onsemi(安森美)

SUPERFET III MOSFET是全新的高压超结（SJ）MOSFET系列，采用电荷平衡技术，具备出色的低导通电阻和较低的栅极电荷性能。这项先进技术旨在最大限度地降低传导损耗，提供卓越的开关性能，并能承受极高的dv/dt速率。因此，SUPERFET III MOSFET易驱动系列有助于解决电磁干扰（EMI）问题，且便于设计实现

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1+
￥21.52
10+
￥21
30+
￥20.65

有货

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1个N沟道耐压:40V 电流:300A

型号：NVMFS5C410NWFAFT3G 编号：C895996

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

特性：小尺寸 (5×6mm)，适合紧凑设计。低RDS(on)，以最小化传导损耗。低QG和电容，以最小化驱动损耗。 NVMFS5C410NWF 可焊侧翼选项，便于光学检测。 AEC-Q101 认证，可提供 PPAP 文件。这些器件无铅且符合 RoHS 标准

1+
￥28.21 ￥31
10+
￥21.6594 ￥26.74
30+
￥17.182 ￥24.2
100+
￥15.3644 ￥21.64
500+
￥14.5266 ￥20.46
1000+
￥14.1503 ￥19.93

有货

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耐压:40V 电流:240A

型号：FDBL0090N40 编号：C900873

封装：MO-299A

品牌：onsemi(安森美)

特性：典型RDS(on) = 0.65mΩ，VGS = 10V，ID = 80A。典型Qg(tot) = 144nC，VGS = 10V，ID = 80A。 UIS能力。符合RoHS标准。应用：工业电机驱动。工业电源

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1+
￥33.42
10+
￥28.92
30+
￥24.88

有货

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2个N沟道耐压:60V 电流:111A

型号：NVMFD5C650NLT1G 编号：C604573

封装：DFN-8(5x6)

品牌：onsemi(安森美)

特性：小尺寸（5x6 mm），适合紧凑设计。低导通电阻RDS(on)，以减少传导损耗。低栅极电荷QG和电容，以减少驱动损耗。可焊侧翼选项，便于光学检测。通过AEC-Q101认证，可提供生产件批准程序（PPAP）文件。这些器件无铅且符合RoHS标准

数据手册

1+
￥37.98
10+
￥32.72
30+
￥29.6

有货

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1个P沟道耐压:20V 电流:4.5A

型号：FDC640P 编号：C241774

封装：SuperSOT-6

品牌：onsemi(安森美)

此 P 沟道 2.5V 指定 MOSFET 使用先进的 PowerTrench 工艺的坚固门极版本。它针对较宽门极驱动电压额定值 (2.5V – 12V) 的功率管理应用进行了优化。

数据手册

5+
￥1.8372
50+
￥1.4585
150+
￥1.2962
500+
￥1.0937
3000+
￥1.0035
6000+
￥0.9494

有货

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1个P沟道耐压:40V 电流:13.2A

型号：NVTFS052P04M8LTAG 编号：C900512

封装：WDFN-8(3.3x3.3)

品牌：onsemi(安森美)

特性：小尺寸（3.3×3.3mm），适合紧凑设计。低RDS(on)，以最小化传导损耗。低电容，以最小化驱动损耗。可焊侧翼产品。 AEC-Q101合格且具备PPAP能力。这些器件无铅、无卤素/BFR且符合RoHS标准

数据手册

1+
￥4.7142 ￥4.86
10+
￥3.4452 ￥3.96
30+
￥2.7027 ￥3.51
100+
￥2.3562 ￥3.06
500+
￥2.156 ￥2.8
1500+
￥2.0482 ￥2.66

有货

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1个P沟道耐压:20V 电流:13.5A

型号：FDS4465 编号：C92137

封装：SO-8

品牌：onsemi(安森美)

此 P 沟道 1.8V 指定 MOSFET 是先进的 PowerTrench 工艺的坚固门极版本。它针对较宽门极驱动电压额定值 (1.8V – 8V) 的电源管理应用进行了优化。

数据手册

1+
￥7.1
10+
￥5.99
30+
￥5.38

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:40A

型号：FDD6685 编号：C10866

封装：TO-252(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

此 P 沟道 MOSFET 是先进的 PowerTrench 工艺的坚固门极版本。它针对需要较宽门极驱动电压额定值 (4.5V – 25V) 的电源管理应用进行了优化。

数据手册

1+
￥7.47
10+
￥6.09
30+
￥5.4
100+
￥4.72

有货

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1个N沟道耐压:80V 电流:59A

型号：NVMFS6H848NLT1G 编号：C900478

封装：DFN-5(5.9x4.9)

品牌：onsemi(安森美)

特性：小尺寸（5x6 mm），适合紧凑设计。低导通电阻RDS(on)，以最小化传导损耗。低栅极电荷QG和电容，以最小化驱动损耗。 NVMFS6H848NLWF 可焊侧翼选项，便于光学检测。通过 AEC-Q101 认证，可提供 PPAP 文件。这些器件为无铅产品，符合 RoHS 标准

数据手册

1+
￥11.99
10+
￥10.32
30+
￥9.28

有货

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耐压:650V 电流:19A

型号：FCH165N65S3R0-F155 编号：C898126

封装：TO-247-3

品牌：onsemi(安森美)

SUPERFET III MOSFET是全新的高压超结（SJ）MOSFET系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻和较低的栅极电荷性能。该先进技术旨在最大限度地减少传导损耗，提供卓越的开关性能，并能承受极端的dv/di速率。因此，SUPERFET III MOSFET易驱动系列有助于解决EMI问题，并便于设计实施。

数据手册

1+
￥14.2131 ￥24.09
10+
￥10.0597 ￥20.53
30+
￥6.8757 ￥17.63
90+
￥6.0411 ￥15.49
510+
￥5.655 ￥14.5
990+
￥5.4834 ￥14.06

有货

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1个N沟道耐压:40V 电流:455A

型号：NTMFS0D5N04XLT1G 编号：C5208889

封装：DFN-5(5x6)

品牌：onsemi(安森美)

特性：低 RDS(on)，以尽量减少传导损耗。低 QRR，具有软恢复功能，以尽量减少 ERR 损耗和电压尖峰。低 QG 和电容，以尽量减少驱动和开关损耗。这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂，符合 RoHS 标准。应用：高开关频率 DC-DC 转换。同步整流

1+
￥22.32
10+
￥18.33
30+
￥15.95

有货

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