安森美MOS驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：NTNS0K8N021ZTCG 编号：C896492

封装：XDFN-3(0.4x0.6)

品牌：onsemi(安森美)

特性：低轮廓超小封装，XDFN3 (0.62×0.42×0.4mm)，适用于空间极度受限的应用。 1.5V 栅极驱动。这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂，符合 RoHS 标准。应用：小信号负载开关。高速接口

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￥1.9941 ￥3.91
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￥1.3038 ￥3.18
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￥0.8742 ￥2.82
100+
￥0.7626 ￥2.46
500+
￥0.6975 ￥2.25
1000+
￥0.6634 ￥2.14

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型号：HUF75345S3ST 编号：C463510

封装：D2PAK-3

品牌：onsemi(安森美)

这些 N 沟道功率 MOSFET 采用创新的 UltraFET 工艺制造。这种先进工艺技术实现了单位硅面积内最低的通态电阻，可以带来出色的性能。此器件能够在雪崩模式下承受高能量并且二极管具有极低的反向恢复时间和存储电荷。设计用于电源效率很重要的应用，如开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器、低电压总线开关，以及便携式产品和电池供电产品中的电源管理。

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￥23.45
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￥22.18
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￥21.42
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￥20.66
500+
￥20.3
800+
￥20.14

有货

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型号：NVTFS5C680NLWFTAG 编号：C604647

封装：WDFN-8(3.3x3.3)

品牌：onsemi(安森美)

特性：小尺寸（3.3x3.3mm），适合紧凑设计。低导通电阻，以最小化传导损耗。低电容，以最小化驱动损耗。可焊侧翼产品。 AEC-Q101合格且具备生产件批准程序（PPAP）能力。这些器件无铅且符合RoHS标准

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￥4.4616 ￥5.07
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￥3.5334 ￥4.53
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￥2.9036 ￥4.27
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￥2.7268 ￥4.01
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￥2.618 ￥3.85
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￥2.5636 ￥3.77

有货

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型号：NVTFS5C680NLTAG 编号：C900532

封装：WDFN-8(3.3x3.3)

品牌：onsemi(安森美)

特性：小尺寸（3.3x3.3mm），适合紧凑设计。低导通电阻，以最小化传导损耗。低电容，以最小化驱动损耗。可焊侧翼产品。 AEC-Q101合格且具备生产件批准程序（PPAP）能力。这些器件无铅且符合RoHS标准

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1+
￥5.7421 ￥6.31
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￥4.1634 ￥5.14
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￥3.2376 ￥4.56
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￥2.8258 ￥3.98
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￥2.5773 ￥3.63
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￥2.4495 ￥3.45

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型号：NTBGS4D1N15MC 编号：C898805

封装：D2PAK-7

品牌：onsemi(安森美)

特性：低RDS(on)以最小化传导损耗。低QG和电容以最小化驱动器损耗。降低开关噪声/EMI。这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂，符合RoHS标准。应用：电动工具、电池供电的吸尘器。无人机、物料搬运

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1+
￥32.39
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￥27.77
30+
￥24.96
100+
￥22.6

有货

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型号：NTMFS4C029NT1G 编号：C604425

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

特性：低RDS(on)以最小化传导损耗。低电容以最小化驱动损耗。优化的栅极电荷以最小化开关损耗。这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂且符合RoHS标准。应用：CPU电源供应。DC-DC转换器

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5+
￥1.6352
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￥1.2934
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￥1.1469
1500+
￥0.9641
3000+
￥0.8827
4500+
￥0.8339

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型号：NVMFS6H800NT1G 编号：C606309

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

特性：小尺寸 (5×6mm)，适合紧凑设计。低RDS(ON)，以最小化传导损耗。低QG和电容，以最小化驱动损耗。可焊侧翼选项，便于光学检测。通过AEC-Q101认证且具备PPAP能力。无铅且符合RoHS标准

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1+
￥33.04
10+
￥28.25
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￥25.32
100+
￥22.87

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型号：NTJD1155LT1G 编号：C236114

封装：SC-88

品牌：onsemi(安森美)

NTJD1155L 在一个封装中集成了 P 沟道和 N 沟道 MOSFET。该器件尤其适用于需要低控制信号、低电池电压和高负载电流的便携式电子设备。该 P 沟道器件专用于使用安森美半导体先进沟槽技术的负载开关。该 N 沟道与外部电阻 (R1) 一起用作电平移位，驱动 P 沟道。该 N 沟道 MOSFET 具有内部 ESD 保护，可由低至 1.5 V 的逻辑信号驱动。 NTJD1155L 基于 1.8 至 8.0 V 的电源线运行，对 VIN 和 VON/OFF 应用 8.0 V 时可驱动最高 1.3 A 的负载。

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5+
￥1.4374
50+
￥1.1345
150+
￥1.0047
500+
￥0.8427

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型号：FDN302P 编号：C3280162

封装：SOT-23-3

品牌：onsemi(安森美)

这款 P 沟道 2.5V 指定 MOSFET 采用了安森美（ON）先进的 PowerTrench 工艺的坚固栅极版本。它针对具有宽范围栅极驱动电压（2）的电源管理应用进行了优化。

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5+
￥1.519
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￥1.2166
150+
￥1.087
500+
￥0.9253
3000+
￥0.8533
6000+
￥0.81

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型号：NTMFS4C324NT1G 编号：C5276709

封装：SO-8

品牌：onsemi(安森美)

特性：低RDS(on)以最小化传导损耗。低电容以最小化驱动损耗。优化的栅极电荷以最小化开关损耗。这些器件无铅、无卤素/BFR且符合RoHS标准。应用：CPU电源供应。 DC-DC转换器

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1+
￥2.67
10+
￥2.25
30+
￥2.04
100+
￥1.83
500+
￥1.57

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型号：NVB125N65S3 编号：C3277659

封装：D2PAK-3(TO-263-3)

品牌：onsemi(安森美)

SUPERFET III MOSFET是全新的高压超结（SJ）MOSFET系列，采用电荷平衡技术，具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。这项先进技术旨在最大限度地降低传导损耗，提供卓越的开关性能，并能承受极高的dv/dt速率。因此，SUPERFET III MOSFET易驱动系列有助于解决电磁干扰（EMI）问题，使设计实施更加简便

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1+
￥17.21
10+
￥16.32
30+
￥15.79
100+
￥15.26

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型号：NTMFS5C442NT3G 编号：C893878

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

特性：小尺寸封装（5x6mm），适合紧凑设计。低导通电阻RDS(on)，可降低传导损耗。低栅极电荷QG和电容，可降低驱动损耗。无铅，符合RoHS标准

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1+
￥18.009 ￥20.7
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￥13.6213 ￥17.69
30+
￥10.5927 ￥15.81
100+
￥9.2996 ￥13.88
500+
￥8.7167 ￥13.01
1000+
￥8.4621 ￥12.63

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型号：NTMFS002N10MCLT1G 编号：C5209347

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

特性：小尺寸（5x6 mm），适合紧凑设计。低导通电阻RDS(ON)，以最小化传导损耗。低栅极电荷QG和电容，以最小化驱动损耗。这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂、无铍，符合RoHS标准

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1+
￥20.2
10+
￥17.37
30+
￥15.69
100+
￥13.99

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型号：FDBL0090N40 编号：C900873

封装：MO-299A

品牌：onsemi(安森美)

特性：典型RDS(on) = 0.65mΩ，VGS = 10V，ID = 80A。典型Qg(tot) = 144nC，VGS = 10V，ID = 80A。 UIS能力。符合RoHS标准。应用：工业电机驱动。工业电源

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￥32.4621 ￥32.79
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￥25.1692 ￥28.28
30+
￥20.224 ￥25.6
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￥18.0831 ￥22.89
500+
￥17.0956 ￥21.64
1000+
￥16.6532 ￥21.08

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型号：NTTFS4C06NTAG 编号：C900350

封装：WDFN-8(3.3x3.3)

品牌：onsemi(安森美)

特性：低导通电阻（RDS(on)），以最小化传导损耗。低电容，以最小化驱动损耗。优化的栅极电荷，以最小化开关损耗。这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂，且符合RoHS标准。应用：DC-DC转换器。电源负载开关

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1+
￥2.83
10+
￥2.28
30+
￥2.04
100+
￥1.74
500+
￥1.61

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型号：EFC4627R-TR 编号：C236230

封装：EFCP-4(1x1)

品牌：onsemi(安森美)

特性：2.5V驱动。共漏极类型。内置保护二极管。符合无卤要求。应用：锂离子电池充放电开关

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1+
￥2.86
10+
￥2.22
30+
￥1.94
100+
￥1.6

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型号：NVTFS4C13NTAG 编号：C463645

封装：WDFN-8(3.3x3.3)

品牌：onsemi(安森美)

特性：低RDS(on)，以最小化传导损耗。低电容，以最小化驱动损耗。优化的栅极电荷，以最小化开关损耗。可焊侧翼产品。 NVT前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用；符合AEC-Q101标准且具备PPAP能力。这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂且符合RoHS标准

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1+
￥4.465 ￥4.75
10+
￥3.906 ￥4.65
30+
￥3.3892 ￥4.58
100+
￥3.3374 ￥4.51

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型号：NTMFS4D0N08XT1G 编号：C35185549

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

特性：低QRR，软恢复体二极管。低RDS(on)以最小化传导损耗。低QG和电容以最小化驱动损耗。这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂，符合RoHS标准。应用：直流-直流和交流-直流中的同步整流（SR）。隔离式直流-直流转换器中的初级开关

1+
￥11.02
10+
￥9.37
30+
￥8.33
100+
￥7.27

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型号：FDBL9406-F085T6 编号：C2902247

封装：HPSOF-8

品牌：onsemi(安森美)

特性：低RDS(on)，以最小化传导损耗。低QJ和电容，以最小化驱动损耗。降低开关噪声/电磁干扰。通过AEC-Q101认证，具备生产件批准程序能力。这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂，符合RoHS标准

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1+
￥11.14 ￥27.85
10+
￥7.962 ￥26.54
30+
￥5.152 ￥25.76
100+
￥4.996 ￥24.98
500+
￥4.922 ￥24.61
1000+
￥4.89 ￥24.45

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型号：NTMFS6H836NLT1G 编号：C900318

封装：DFN-5(5.9x4.9)

品牌：onsemi(安森美)

特性：小尺寸（5x6mm），适合紧凑设计。低RDS(on)，以最小化传导损耗。低QG和电容，以最小化驱动损耗。这些器件无铅且符合RoHS标准

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1+
￥19.56
10+
￥16.64
30+
￥14.81

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型号：NVMFD6H840NLT1G 编号：C604577

封装：DFN-8(5x6)

品牌：onsemi(安森美)

特性：小尺寸（5x6 mm），适合紧凑设计。低导通电阻RDS(on)，以最小化传导损耗。低栅极电荷QG和电容，以最小化驱动损耗。可写边缘选项，用于增强光学检查。通过AEC-Q101认证，具备生产件批准程序（PPAP）能力。无铅器件，符合RoHS标准

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1+
￥20.24
10+
￥17.37
30+
￥15.66

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型号：NVMFS5C410NWFAFT3G 编号：C895996

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

特性：小尺寸 (5×6mm)，适合紧凑设计。低RDS(on)，以最小化传导损耗。低QG和电容，以最小化驱动损耗。 NVMFS5C410NWF 可焊侧翼选项，便于光学检测。 AEC-Q101 认证，可提供 PPAP 文件。这些器件无铅且符合 RoHS 标准

1+
￥26.04 ￥31
10+
￥19.7876 ￥26.74
30+
￥15.488 ￥24.2
100+
￥13.8496 ￥21.64
500+
￥13.0944 ￥20.46
1000+
￥12.7552 ￥19.93

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型号：FDS4685 编号：C336026

封装：SO-8

品牌：onsemi(安森美)

此 P 沟道 MOSFET 是先进的 PowerTrench 工艺的坚固门极版本。它针对需要较宽门极驱动电压额定值 (4.5V – 20V) 的电源管理应用进行了优化。

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1+
￥3.48
10+
￥2.84
30+
￥2.51
100+
￥2.19

有货

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型号：NVTFS6H850NLWFTAG 编号：C900533

封装：WDFN-8(3.3x3.3)

品牌：onsemi(安森美)

特性：小尺寸（3.3×3.3mm），适合紧凑设计。低导通电阻（RDS(on)），以最小化传导损耗。低电容，以最小化驱动损耗。可湿侧翼产品。通过AEC-Q101认证，具备生产件批准程序（PPAP）能力。无铅器件，符合RoHS标准

数据手册

1+
￥4.3351 ￥5.63
10+
￥3.6917 ￥5.51
30+
￥3.0951 ￥5.43
100+
￥3.0495 ￥5.35

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型号：HUF75345P3 编号：C898687

封装：TO-220-3

品牌：onsemi(安森美)

此类 N 沟道功率 MOSFET 是使用创新的 UltraFET 工艺生产的。此先进工艺技术可实现每硅面积最低的导通电阻，从而产生出色的性能。此器件可承受雪崩模式下的高能量，二极管具有很短的反向恢复时间和极低的存储电荷。它适用于功率效率非常重要的应用，如开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器、低压总线开关，以及便携式和电池运行产品中的电源管理。

数据手册

1+
￥4.662 ￥15.54
10+
￥2.656 ￥13.28
50+
￥1.187 ￥11.87
100+
￥1.042 ￥10.42
500+
￥0.977 ￥9.77
800+
￥0.948 ￥9.48

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型号：NTMFS5H610NLT1G 编号：C604450

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

特性：小尺寸封装（5x6 mm），适合紧凑设计。低导通电阻RDS(on)，以最小化传导损耗。低栅极电荷QG和电容，以最小化驱动损耗。这些器件无铅且符合RoHS标准

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1+
￥5.66
10+
￥5.53
30+
￥5.45
100+
￥5.36

有货

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型号：FDS4465 编号：C92137

封装：SO-8

品牌：onsemi(安森美)

此 P 沟道 1.8V 指定 MOSFET 是先进的 PowerTrench 工艺的坚固门极版本。它针对较宽门极驱动电压额定值 (1.8V – 8V) 的电源管理应用进行了优化。

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1+
￥6.14
10+
￥5.03
30+
￥4.42

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型号：NVTFS014P04M8LTAG 编号：C900507

封装：WDFN-8(3x3)

品牌：onsemi(安森美)

特性：小尺寸 (3.3×3.3mm)，适合紧凑设计。低RDS(on)，以最小化传导损耗。低电容，以最小化驱动损耗。可焊侧翼产品。通过AEC-Q101认证，具备PPAP能力。这些器件无铅、无卤素/BFR，符合RoHS标准

数据手册

1+
￥6.71
10+
￥5.57
30+
￥4.95
100+
￥4.25

有货

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型号：FDMC86012 编号：C890962

封装：PQFN-8

品牌：onsemi(安森美)

此器件专用于提高 DC-DC 转换器的能效。在 MOSFET 结构中使用新型技术，门极电荷和电容的各个组件得以优化，可降低开关损耗。低门极电阻和极低米勒电荷可在自适应和固定死区时间门极驱动电路中实现卓越性能。保持了极低 rDS(on)，提供了一个亚逻辑电平器件。

数据手册

1+
￥6.7977 ￥17.43
10+
￥4.9445 ￥17.05
30+
￥3.192 ￥16.8
100+
￥3.1426 ￥16.54

有货

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型号：FDD3690 编号：C903563

封装：TO-252-2

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 专为提高 DC/DC 转换器的总能效而设计，可以使用同步开关 PWM 控制器，也可以使用传统开关 PWM 控制器。与具有相当的 RDS(ON) 规格的其他 MOSFET 相比，此类 MOSFET 开关速度更快，门极电荷更低。因此该 MOSFET 驱动简单，也更安全（即使在非常高的频率下亦是如此），DC/DC 电源设计具有更高的总体能效。

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1+
￥6.8643 ￥7.89
10+
￥5.9444 ￥7.72
30+
￥5.092 ￥7.6
100+
￥5.0183 ￥7.49

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