安森美MOS驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：NVLJWD040N06CLTAG 编号：C5208091

封装：WDFNW-6(2.2x2.3)

品牌：onsemi(安森美)

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1+
￥5.08
10+
￥4.97
30+
￥4.89

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型号：NTMFS1D7N03CGT1G 编号：C2902061

封装：DFN-5(5.9x4.9)

品牌：onsemi(安森美)

特性：宽安全工作区，改善浪涌电流管理。先进封装（5x6mm），具有出色的热传导性。超低导通电阻，提高系统效率。这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂，符合RoHS标准。应用：热插拔应用。功率负载开关

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1+
￥5.24
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￥5.02

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型号：NVTFS4C06NTAG 编号：C900514

封装：WDFN-5(3.3x3.3)

品牌：onsemi(安森美)

适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，采用 3x3mm 扁平引线封装，且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。

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1+
￥5.41
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￥5.28
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￥5.2

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型号：NTND31225CZTAG 编号：C604467

封装：X-FLGA-6

品牌：onsemi(安森美)

特性：先进的沟槽互补MOSFET。在0.65mm×0.90mm超小封装中提供低RDS(ON)解决方案。这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂且符合RoHS标准。应用：带电平转换的小信号负载开关。模拟开关

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￥5.65
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￥4.55
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￥4

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型号：NVTFS4C05NTAG 编号：C900513

封装：WDFN-8(3.3x3.3)

品牌：onsemi(安森美)

适用于紧凑和高能效设计的汽车用功率 MOSFET，采用 3x3mm 扁平引线封装且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。

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1+
￥5.76
10+
￥5.63
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￥5.54

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型号：FDME1024NZT 编号：C462997

封装：MicroFET(1.6x1.6)

品牌：onsemi(安森美)

此器件专门设计为手机和其他超便携应用中双开关要求的单封装解决方案。它具有两个独立的 N 沟道 MOSFET，且均具有低导通电阻，可实现最低的导电损耗。MicroFET 1.6x1.6 薄封装对于其物理尺寸来说提供了卓越的热性能，非常适合开关和线性模式应用。

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1+
￥5.86
10+
￥4.76
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￥4.21

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型号：FDMS0312AS 编号：C241801

封装：PQFN-8(5x6)

品牌：onsemi(安森美)

FDMS0312AS 适用于最大程度降低电源转换应用中的损耗。同时结合了硅和封装技术的发展，可提供最低的 rDS(on)，同时保持卓越的开关性能。此器件还增加了高效单片肖特基体二极管的优点。

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￥6.08
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￥5.95
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型号：FDMC86324 编号：C890972

封装：PQFN-8

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。

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￥6.14
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￥5.98
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型号：FDMA910PZ 编号：C388426

封装：VDFN-6(2x2)

品牌：onsemi(安森美)

此器件专门针对手机和其他超便携应用中的电池充电或负载开关而设计。它具有一个带有低导通电阻的 MOSFET，且可针对 ESD 提供齐纳二极管保护。MicroFET 2x2 封装对于其物理尺寸来说提供了卓越的热性能，非常适合线性模式应用。

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￥6.02
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￥5.92

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型号：NVMFS5C460NLAFT1G 编号：C604601

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，安装在 5x6mm 扁平引线封装中且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。AEC-Q101 认证 MOSFET 且具备生产件批准程序(PPAP) 功能，适用于汽车应用。

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￥6.21
10+
￥6.07
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￥5.98

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型号：FDMC8200 编号：C255595

封装：Power-33-8

品牌：onsemi(安森美)

此器件在一个双 Power 33 (3 mm X 3 mm MLP) 封装中包括了两个特制的 N 沟道 MOSFET。开关节点已经内部连接，可实现同步降压转换器的轻松布置和布线。控制 MOSFET (Q1) 和同步 MOSFET (Q2) 可提供最佳功率效率。

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￥6.23
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￥5.03
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￥4.43

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型号：NTMFS4C13NT1G 编号：C900290

封装：SO-8-FL-5.8mm

品牌：onsemi(安森美)

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￥6.11
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￥6.01

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型号：FDG8842CZ 编号：C464156

封装：SOT-323-6L

品牌：onsemi(安森美)

此类 N 和 P 沟道逻辑电平增强型场效应晶体管是使用高单元密度的 DMOS 专属技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻。此器件是专为在低压应用中替代双极数字晶体管和小信号 MOSFET 而设计的。因为无需偏置电阻，所以此类双数字 FET 可以替代若干具有各种偏置电阻值的数字晶体管。

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