安森美MOS驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：MGSF2N02ELT1G 编号：C236232

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此类小型表面贴装 MOSFET 的低 RDS(on) 可确保最小的功率损耗和节能，使得这些器件适用于空间敏感型电源管理电路。

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型号：NVTFS6H888NWFTAG 编号：C900545

封装：WDFN-8(3.3x3.3)

品牌：onsemi(安森美)

适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，采用 3x3mm 扁平引线封装，且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，且符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。

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型号：MCH6351-TL-W 编号：C891547

封装：SC-88(SOT-363)

品牌：onsemi(安森美)

MCH6351 是一款 P 沟道功率 MOSFET，-12V，-9A，16.9mOhm，单 MCPH6。

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型号：NTLJS7D2P02P8ZTAG 编号：C894015

封装：PQFN-6(2x2)

品牌：onsemi(安森美)

特性：小尺寸（4mm²），适合紧凑设计。低导通电阻，可降低传导损耗。无铅、无卤/无溴化阻燃剂，符合RoHS标准。应用：电池管理。保护

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型号：FDD8896 编号：C10867

封装：TO-252AA

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 专为提高 DC/DC 转换器的总效率而设计，可以使用同步开关 PWM 控制器，也可以使用传统开关 PWM 控制器。它经过了优化，可实现低门极电荷、低 RDS(ON) 和快速开关。

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型号：NVJD4158CT1G 编号：C5205662

封装：SC-88-6

品牌：onsemi(安森美)

适用于低功率应用的汽车用功率 MOSFET。通过 AEC-Q101 认证 MOSFET 且符合生产件批准程序 (PPAP) ，适用于汽车应用。小信号 MOSFET，30 V/?20 V，+0.25/?0.88 A，互补，SC?88

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型号：NVTYS010N06CLTWG 编号：C3278364

封装：LFPAK-8

品牌：onsemi(安森美)

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型号：NVTFS5C478NLTAG 编号：C900527

封装：WDFN-8(3.3x3.3)

品牌：onsemi(安森美)

适用于紧凑和高能效设计的汽车用功率 MOSFET，采用 3x3mm 扁平引线封装且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。

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型号：NVMYS010N04CLTWG 编号：C894189

封装：LFPAK-4(5x6)

品牌：onsemi(安森美)

适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，采用 5x6mm LFPAK 封装且具有较高的热性能。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，且符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于需要更高板级可靠性的汽车应用。

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型号：ECH8660-TL-H 编号：C890599

封装：SOT-28FL

品牌：onsemi(安森美)

ECH8660 是一款功率 MOSFET，-30V，-4.5A，59mΩ，互补双 ECH8，适用于通用开关应用。

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型号：NVJD4401NT1G 编号：C894164

封装：SC-88

品牌：onsemi(安森美)

汽车功率 MOSFET。此双 N 沟道器件使用小占位封装 (2x2 mm) 和安森美半导体的领先平面工艺，可减小占位，提高能效。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。

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型号：NVMFS4C03NT1G 编号：C900410

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，采用 5x6mm 扁平引线封装，具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。通过 AEC-Q101 认证 MOSFET 且符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。

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型号：NTLLD4901NFTWG 编号：C184516

封装：WDFN-8-EP(3x3)

品牌：onsemi(安森美)

双N沟道,30V,5.5A/6.3A

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型号：FDMA410NZ 编号：C890898

封装：VDFN-6(2x2)

品牌：onsemi(安森美)

这款单N沟道MOSFET采用先进的功率沟槽工艺设计，可在特殊的MicroFET引线框架上将rDS(ON)优化约1.5倍。

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型号：FDMA7672 编号：C463714

封装：VDFN-6(2x2)

品牌：onsemi(安森美)

此器件用于为同步降压转换器提供最高能效和热性能。低 rDS(on) 和门极电荷提供了卓越的开关性能。

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型号：NDF04N60ZH 编号：C152527

封装：TO-220FP

品牌：onsemi(安森美)

特性：低导通电阻。低栅极电荷。 ESD二极管保护栅极。 100%雪崩测试。这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂，符合RoHS标准

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型号：NVTFS5C478NLWFTAG 编号：C900528

封装：WDFN-5(3.3x3.3)

品牌：onsemi(安森美)

适用于紧凑和高能效设计的汽车用功率 MOSFET，采用 3x3mm 扁平引线封装且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。

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型号：NVLJD4007NZTAG 编号：C145528

封装：DFN2020-6B

品牌：onsemi(安森美)

N 沟道,30V,254mA,1.4Ω@4.5V

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型号：NTMFS1D7N03CGT1G 编号：C2902061

封装：DFN-5(5.9x4.9)

品牌：onsemi(安森美)

特性：宽安全工作区，改善浪涌电流管理。先进封装（5x6mm），具有出色的热传导性。超低导通电阻，提高系统效率。这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂，符合RoHS标准。应用：热插拔应用。功率负载开关

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型号：NVTFS4C06NTAG 编号：C900514

封装：WDFN-5(3.3x3.3)

品牌：onsemi(安森美)

适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，采用 3x3mm 扁平引线封装，且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。

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型号：FDME1024NZT 编号：C462997

封装：MicroFET(1.6x1.6)

品牌：onsemi(安森美)

此器件专门设计为手机和其他超便携应用中双开关要求的单封装解决方案。它具有两个独立的 N 沟道 MOSFET，且均具有低导通电阻，可实现最低的导电损耗。MicroFET 1.6x1.6 薄封装对于其物理尺寸来说提供了卓越的热性能，非常适合开关和线性模式应用。

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型号：NTND31225CZTAG 编号：C604467

封装：X-FLGA-6

品牌：onsemi(安森美)

特性：先进的沟槽互补MOSFET。在0.65mm×0.90mm超小封装中提供低RDS(ON)解决方案。这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂且符合RoHS标准。应用：带电平转换的小信号负载开关。模拟开关

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型号：FDMA910PZ 编号：C388426

封装：VDFN-6(2x2)

品牌：onsemi(安森美)

此器件专门针对手机和其他超便携应用中的电池充电或负载开关而设计。它具有一个带有低导通电阻的 MOSFET，且可针对 ESD 提供齐纳二极管保护。MicroFET 2x2 封装对于其物理尺寸来说提供了卓越的热性能，非常适合线性模式应用。

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型号：FDMC86324 编号：C890972

封装：PQFN-8

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。

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型号：FDMC8200 编号：C255595

封装：Power-33-8

品牌：onsemi(安森美)

此器件在一个双 Power 33 (3 mm X 3 mm MLP) 封装中包括了两个特制的 N 沟道 MOSFET。开关节点已经内部连接，可实现同步降压转换器的轻松布置和布线。控制 MOSFET (Q1) 和同步 MOSFET (Q2) 可提供最佳功率效率。

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型号：NTMFS4C13NT1G 编号：C900290

封装：SO-8-FL-5.8mm

品牌：onsemi(安森美)

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型号：NVTFS5C453NLTAG 编号：C900522

封装：WDFN-8(3.3x3.3)

品牌：onsemi(安森美)

适用于紧凑和高能效设计的汽车用功率 MOSFET，采用 3x3mm 扁平引线封装且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。

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型号：NVMJS1D5N04CLTWG 编号：C894177

封装：LFPAK-8

品牌：onsemi(安森美)

适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，采用 5x6mm LFPAK 封装且具有较高的热性能。通过 AEC-Q101 认证 MOSFET 且符合生产件批准程序 (PPAP) ，适用于需要更高板级可靠性的汽车应用。

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型号：NVE4153NT1G 编号：C604543

封装：SC-89

品牌：onsemi(安森美)

适用于低功率应用的汽车用功率 MOSFET。 20V，915mA，230mΩ，单 N 沟道，SC-89，带 ESD 保护。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。

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型号：NVTFS5C460NLWFTAG 编号：C900525

封装：WDFN-8(3x3)

品牌：onsemi(安森美)

适用于紧凑和高能效设计的汽车用功率 MOSFET，采用 3x3mm 扁平引线封装且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。

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