安森美MOS驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：SBSS84LT1G 编号：C223586

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

P沟道，50V,130mA

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1+
￥0.7694
10+
￥0.6302
30+
￥0.5606

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型号：FDY301NZ 编号：C188500

封装：SC-89

品牌：onsemi(安森美)

此单 N 沟道 MOSFET 采用先进的 Power Trench 工艺设计，可在 VGS = 2.5V 时优化 RDS(ON)。

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1+
￥0.8829
10+
￥0.6934
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￥0.5986

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型号：NVJD4152PT1G 编号：C417285

封装：SC-88

品牌：onsemi(安森美)

适用于低功率应用的汽车用功率 MOSFET。20V，260 mΩ，双 P 沟道 MOSFET，带 ESD 防护，采用 SC-88 封装。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。

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1+
￥1.0765
10+
￥0.8478
30+
￥0.7497

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型号：2N7000BU 编号：C896650

封装：TO-92

品牌：onsemi(安森美)

这些N沟道增强型场效应晶体管采用专有的高单元密度DMOS技术制造。这些产品旨在最大限度地降低导通电阻，同时提供坚固、可靠且快速的开关性能。它们可用于大多数需要高达400 mA直流电流的应用，并且能够提供高达2A的脉冲电流

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100+
￥0.459
1000+
￥0.442
3000+
￥0.425
6000+
￥0.391
10000+
￥0.3808

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型号：NTND31015NZTAG 编号：C896491

封装：XLLGA-6(0.6x0.9)

品牌：onsemi(安森美)

特性：双N沟道MOSFET在0.65mm×0.90mm超小封装中提供低RDS(ON)解决方案。这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂，符合RoHS标准。应用：小信号负载开关。模拟开关

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1+
￥1.32
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￥1.29
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￥1.28

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型号：2N7002KT7G 编号：C894769

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

特性：ESD保护。低RDS(on)。表面贴装封装。 2V前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用；符合AEC-Q101标准，具备PPAP能力。这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂，符合RoHS标准。应用：低端负载开关。电平转换电路

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单价：
￥0.14196 / 个

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型号：NTGS4141NT1G 编号：C236237

封装：TSOP-6

品牌：onsemi(安森美)

功率 MOSFET，30 V，7.0 A，单 N 沟道，TSOP-6

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5+
￥1.3947
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￥1.3696
150+
￥1.3528

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型号：NTJS3151PT2G 编号：C236242

封装：SC-88-6

品牌：onsemi(安森美)

小型信号 MOSFET -12V -3.3A 60 mΩ 单 P 沟道 SC-88，带 ESD 保护

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1+
￥1.61
10+
￥1.57
30+
￥1.55
100+
￥1.53

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型号：MGSF2N02ELT1G 编号：C236232

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此类小型表面贴装 MOSFET 的低 RDS(on) 可确保最小的功率损耗和节能，使得这些器件适用于空间敏感型电源管理电路。

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单价：
￥0.6462 / 个

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型号：FDMA1028NZ 编号：C236895

封装：VDFN-6(2x2)

品牌：onsemi(安森美)

此器件专门设计用作蜂窝手持机和其他超便携应用中双开关要求的单封装方案。它具有两个独立的 N 沟道 MOSFET，且都具有低导通电阻，可实现最低的导电损耗。就其物理尺寸而言，MicroFET 2x2 封装具有出色的热性能，非常适合线性模式应用。

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1+
￥1.89
10+
￥1.84
30+
￥1.81

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型号：MCH6351-TL-W 编号：C891547

封装：SC-88(SOT-363)

品牌：onsemi(安森美)

MCH6351 是一款 P 沟道功率 MOSFET，-12V，-9A，16.9mOhm，单 MCPH6。

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1+
￥2.28
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￥2.23
30+
￥2.19

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型号：NTMFS4C59NT1G 编号：C900295

封装：DFN-5(5x6)

品牌：onsemi(安森美)

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1+
￥3.06
10+
￥2.99
30+
￥2.94
100+
￥2.9

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型号：NTMFS3D1N04XMT1G 编号：C27795174

封装：DFN-5(5x6)

品牌：onsemi(安森美)

1+
￥3.11
10+
￥3.03
30+
￥2.98

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型号：NVJD4158CT1G 编号：C5205662

封装：SC-88-6

品牌：onsemi(安森美)

适用于低功率应用的汽车用功率 MOSFET。通过 AEC-Q101 认证 MOSFET 且符合生产件批准程序 (PPAP) ，适用于汽车应用。小信号 MOSFET，30 V/?20 V，+0.25/?0.88 A，互补，SC?88

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1+
￥3.28
10+
￥2.54
30+
￥2.23

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型号：NDC7003P 编号：C274603

封装：TSOT-23-6

品牌：onsemi(安森美)

此类双 P 沟道增强型场效应晶体管是使用安森美半导体的专属沟槽技术生产的。这种极高密度工艺可最大程度地降低导通电阻，提供了坚固可靠的性能和快速的开关。此产品尤其适用于需要低电流高压侧开关的低压应用。

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1+
￥3.46
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￥2.71
30+
￥2.39

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型号：NVTFS5C478NLTAG 编号：C900527

封装：WDFN-8(3.3x3.3)

品牌：onsemi(安森美)

适用于紧凑和高能效设计的汽车用功率 MOSFET，采用 3x3mm 扁平引线封装且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。

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1+
￥3.55
10+
￥3.47
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￥3.42

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型号：FDN339AN 编号：C24552

封装：SOT-23-3

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 2.5V 指定 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持低门极电荷，实现卓越的开关性能。

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1+
￥3.69
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￥2.97
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￥2.61

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型号：NVMYS010N04CLTWG 编号：C894189

封装：LFPAK-4(5x6)

品牌：onsemi(安森美)

适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，采用 5x6mm LFPAK 封装且具有较高的热性能。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，且符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于需要更高板级可靠性的汽车应用。

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1+
￥3.8
10+
￥3.72
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￥3.66

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型号：NVJD4401NT1G 编号：C894164

封装：SC-88

品牌：onsemi(安森美)

汽车功率 MOSFET。此双 N 沟道器件使用小占位封装 (2x2 mm) 和安森美半导体的领先平面工艺，可减小占位，提高能效。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。

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1+
￥3.87
10+
￥3.15
30+
￥2.8

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型号：NVMFS4C03NT1G 编号：C900410

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，采用 5x6mm 扁平引线封装，具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。通过 AEC-Q101 认证 MOSFET 且符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。

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1+
￥4.14
10+
￥4.05
30+
￥3.99

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型号：NVMFS5C468NLAFT1G 编号：C604605

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，安装在 5x6mm 扁平引线封装中且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。AEC-Q101 认证 MOSFET 且具备生产件批准程序(PPAP) 功能，适用于汽车应用。

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1+
￥4.26
10+
￥4.16
30+
￥4.1

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型号：ECH8657-TL-H 编号：C605377

封装：SOT-28FL

品牌：onsemi(安森美)

ECH8657 是一款 N 沟道功率 MOSFET，35V，4.5A，59mΩ，双 ECH8，适用于通用开关应用。

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1+
￥4.35
10+
￥4.25
30+
￥4.18

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型号：NTLLD4901NFTWG 编号：C184516

封装：WDFN-8-EP(3x3)

品牌：onsemi(安森美)

双N沟道,30V,5.5A/6.3A

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1+
￥4.38
10+
￥3.55
30+
￥3.13

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型号：FDC6305N 编号：C241765

封装：TSOT-23-6

品牌：onsemi(安森美)

此类 N 沟道低阈值 2.5V 指定 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持低门极电荷，实现卓越的开关性能。

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1+
￥4.39
10+
￥3.66
30+
￥3.29

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型号：FDMA410NZ 编号：C890898

封装：VDFN-6(2x2)

品牌：onsemi(安森美)

这款单N沟道MOSFET采用先进的功率沟槽工艺设计，可在特殊的MicroFET引线框架上将rDS(ON)优化约1.5倍。

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1+
￥4.42
10+
￥4.31
30+
￥4.23

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型号：FDMA7672 编号：C463714

封装：VDFN-6(2x2)

品牌：onsemi(安森美)

此器件用于为同步降压转换器提供最高能效和热性能。低 rDS(on) 和门极电荷提供了卓越的开关性能。

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1+
￥4.54
10+
￥4.45
30+
￥4.39

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型号：FDME1034CZT 编号：C464157

封装：MicroFET-6(1.6x1.6)

品牌：onsemi(安森美)

此器件专门设计为手机和其他移动应用中 DC/DC 开关 MOSFET 的单封装解决方案。它具有一个独立的 N 沟道和 P 沟道 MOSFET，且具有低导通电阻，可实现最低的导电损耗。每个 MOSFET 的门极电荷也得以最大程度降低，可实现直接在控制设备中进行高频控制。MicroFET 1.6x1.6 薄封装对于其物理尺寸来说提供了卓越的热性能，非常适合开关和线性模式应用。

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