安森美MOS驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：FDMA3023PZ 编号：C890895

封装：VDFN-6(2x2)

品牌：onsemi(安森美)

该器件专为手机及其他超便携式应用中的电池充电开关设计，是一款单封装解决方案。它具备两个独立的P沟道MOSFET，导通电阻低，可将传导损耗降至最低。采用典型的共源极配置连接时，可实现双向电流流动

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型号：NTMFD5C680NLT1G 编号：C604415

封装：DFN-8(5x6)

品牌：onsemi(安森美)

适用于紧凑和高效设计的工业用功率 MOSFET，采用 5x6 mm 扁平引线封装，具有较高的热性能。

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型号：FDMS015N04B 编号：C330163

封装：Power56-8

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，该工艺适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。

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型号：FCP290N80 编号：C898522

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

SuperFET II MOSFET 是全新的高压超结 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻，以及更低门极电荷方面的卓越性能。此技术专用于最大程度降低导电损耗，提供卓越的开关性能、dv/dt 速率和更高的雪崩能量。因此，SuperFET II MOSFET 非常适用于开关电源应用，如 PFC、服务器/电信电源、FPD TV 电源、ATX 电源和工业电源应用。

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型号：FDMC7570S 编号：C890941

封装：PQFN-8(3x3)

品牌：onsemi(安森美)

FDMC7570S 适用于最大程度降低电源转换应用中的损耗。同时结合了硅和封装技术的发展进步，可提供最低的 rDS(on)，还保持出色的开关性能。此器件还增加了高效单片肖特基体二极管的优点。

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型号：NTP190N65S3HF 编号：C604472

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

SUPERFET III MOSFET 是安森美半导体的全新高压超结 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻，以及更低门极电荷方面的卓越性能。此先进工艺专用于最大程度降低导电损耗，提供卓越的开关性能，并且可以承受极端 dv/dt 速率。因此，SUPERFET III MOSFET 适用于各种电源系统，实现系统小型化和更高能效。SUPERFET III FRFET MOSFET 优化的体二极管逆向恢复性能可以消除附加组件，提高系统可靠性。

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型号：FDS89141 编号：C606116

封装：SO-8

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 Power Trench 工艺生产的，针对 rDS(on)、开关性能和坚固性进行了优化。

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型号：NVMJS1D4N06CLTWG 编号：C894176

封装：LFPAK-8

品牌：onsemi(安森美)

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型号：NTTFS1D2N02P1E 编号：C604496

封装：PQFN-8(3.3x3.3)

品牌：onsemi(安森美)

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型号：NTTFS2D1N04HLTWG 编号：C894100

封装：PQFN-8(3.3x3.3)

品牌：onsemi(安森美)

特性：最大RDS(on) = 2.1 mΩ，VGS = 10 V，ID = 23 A。最大RDS(on) = 3.3 mΩ，VGS = 4.5 V，ID = 18 A。高性能技术，极低的RDS(on)。这些器件为无铅、无卤素/无溴化阻燃剂，符合RoHS标准。应用：DC-DC降压转换器。负载点

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型号：FQP17P10 编号：C243080

封装：TO-220-3

品牌：onsemi(安森美)

此 P 沟道增强型功率 MOSFET 是使用平面条纹和 DMOS 专属技术生产的。此先进 MOSFET 技术适用于降低导通电阻，提供卓越的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。

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型号：FCPF220N80 编号：C899131

封装：TO-220F

品牌：onsemi(安森美)

SuperFET II MOSFET 是全新的高压超结 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻，以及更低门极电荷方面的卓越性能。此技术专用于最大程度降低导电损耗，提供卓越的开关性能、dv/dt 速率和更高的雪崩能量。因此，SuperFET II MOSFET 非常适用于开关电源应用，如 PFC、服务器/电信电源、FPD TV 电源、ATX 电源和工业电源应用。

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型号：FDMS86180 编号：C606021

封装：Power56-8

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MV MOSFET 是使用先进的 PowerTrench工艺生产的，该工艺结合了屏蔽门极技术。此工艺经过了优化，可最大程度降低导通电阻，同时可保持卓越的开关性能，以及业内最佳的软体二极管。

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型号：FDB0250N807L 编号：C463236

封装：TO-263-7

品牌：onsemi(安森美)

此 N-沟道 MOSFET 采用飞兆先进的 PowerTrench 工艺生产，这一先进工艺是专为最小化工业应用的导通电阻并保持卓越的耐用性和开关性能而定制的。

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型号：FQA11N90-F109 编号：C605169

封装：TO-3PN

品牌：onsemi(安森美)

此N沟道增强型功率MOSFET采用专有的平面条纹和DMOS技术生产。这种先进的MOSFET技术经过特别设计,可降低导通电阻,并提供卓越的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正(PFC)和电子灯镇流器。

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型号：NVHL055N60S5F 编号：C5208902

封装：TO-247-3LD

品牌：onsemi(安森美)

SUPERFET V MOSFET FRET系列具有优化的体二极管性能特性。这可以允许在应用中移除组件，并提高应用性能和可靠性，特别是在使用软开关拓扑时。

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型号：FDFS2P106A 编号：C903607

封装：SO-8

品牌：onsemi(安森美)

FDFS2P106A 在 SO-8 封装内将 PowerTrench MOSFET 技术的卓越性能与极低正电压降的肖特基势垒整流器相结合。此器件特别适合用作 DC-DC 转换器的单封装方案。它具有快速开关、低门极电荷 MOSFET，且导通电阻极低。独立联接的肖特基二极管使其可用于各种 DC/DC 转换器拓扑结构。

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型号：NTHL120N60S5Z 编号：C5208913

封装：TO-247-3LD

品牌：onsemi(安森美)

SUPERFET V MOSFET Easy Drive系列结合了出色的开关性能，且在硬开关和软开关拓扑中都不会牺牲易用性和EMI问题。

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型号：NVBLS0D8N08XTXG 编号：C30883493

封装：H-PSOF-8L

品牌：onsemi(安森美)

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型号：FDMS86550 编号：C891105

封装：Power-56-8

品牌：onsemi(安森美)

这一N沟道MOSFET器件采用飞兆半导体的高级PowerTrench工艺生产，该工艺专为最大限度地降低导通阻抗并保持卓越的开关性能而量身定制。

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型号：NTMT090N65S3HF 编号：C2902093

封装：PQFN-4(8x8)

品牌：onsemi(安森美)

SUPERFET III MOSFET是全新的高压超结（SJ）MOSFET系列，采用电荷平衡技术，具备出色的低导通电阻和较低的栅极电荷性能。这项先进技术旨在最大限度地降低传导损耗，提供卓越的开关性能，并能承受极高的dv/dt速率。因此，SUPERFET III MOSFET非常适合用于追求小型化和更高效率的各种电源系统

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型号：NVMTS0D6N04CTXG 编号：C604629

封装：DFNW-8(8.4x8.3)

品牌：onsemi(安森美)

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型号：NVHL160N120SC1 编号：C898295

封装：TO-247-3

品牌：onsemi(安森美)

特性：典型导通电阻 RDS(on) = 160 mΩ。超低栅极电荷（典型值QG(tot) = 34 nC）。低有效输出电容（典型值C₀ₛₛ = 50 pF）。 100% 单脉冲雪崩耐量测试。通过 AEC-Q101 认证，可提供生产件批准程序文件。该器件无卤化物，符合 RoHS 指令豁免条款 7a，二级互连无铅。应用：汽车车载充电器。电动汽车/混合动力汽车的汽车直流-直流转换器

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