安森美MOS驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：NVJD4152PT1G 编号：C417285

封装：SC-88

品牌：onsemi(安森美)

适用于低功率应用的汽车用功率 MOSFET。20V，260 mΩ，双 P 沟道 MOSFET，带 ESD 防护，采用 SC-88 封装。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。

数据手册

1+
￥1.0765
10+
￥0.8478
30+
￥0.7497

有货

立即购买

型号：NTGS4141NT1G 编号：C236237

封装：TSOP-6

品牌：onsemi(安森美)

功率 MOSFET，30 V，7.0 A，单 N 沟道，TSOP-6

数据手册

5+
￥1.93
50+
￥1.5712
150+
￥1.4174

有货

立即购买

型号：FDMA1028NZ 编号：C236895

封装：VDFN-6(2x2)

品牌：onsemi(安森美)

此器件专门设计用作蜂窝手持机和其他超便携应用中双开关要求的单封装方案。它具有两个独立的 N 沟道 MOSFET，且都具有低导通电阻，可实现最低的导电损耗。就其物理尺寸而言，MicroFET 2x2 封装具有出色的热性能，非常适合线性模式应用。

数据手册

1+
￥1.93
10+
￥1.88
30+
￥1.85

有货

立即购买

型号：FDMA530PZ 编号：C605027

封装：DFN-6-EP(2x2)

品牌：onsemi(安森美)

此器件专门针对手机和其他超便携应用中的电池充电或负载开关而设计。它具有一个带有低导通电阻的 MOSFET。MicroFET 2x2 封装对于其物理尺寸来说提供了卓越的热性能，非常适合线性模式应用。

数据手册

1+
￥3.74
10+
￥3.66
30+
￥3.61

有货

立即购买

型号：NTTFS6H850NTAG 编号：C604509

封装：WDFN-8(3.3x3.3)

品牌：onsemi(安森美)

适用于紧凑和高效设计的商用功率 MOSFET，采用 3x3mm 扁平引线封装，且具有较高的热性能。

数据手册

1+
￥4.09
10+
￥3.99
30+
￥3.93

有货

立即购买

型号：FDS6676AS 编号：C154554

封装：SO-8

品牌：onsemi(安森美)

N沟道,30V,14.5A,6mΩ@10V

数据手册

1+
￥4.09
10+
￥3.31
30+
￥2.92

有货

立即购买

型号：FDMA8051L 编号：C463715

封装：VDFN-6(2x2)

品牌：onsemi(安森美)

此器件用于为同步降压转换器提供最大能效和热性能。低 rDS(on) 和门极电荷提供了出色的开关性能。

数据手册

1+
￥4.12
10+
￥4.03
30+
￥3.98

有货

立即购买

型号：FDMS8622 编号：C463961

封装：PQFN-8(5x6)

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 使用先进的 Power Trench 工艺生产，针对 rDS(on)、开关性能和坚固性进行了优化。

数据手册

1+
￥4.14
10+
￥4.04
30+
￥3.97

有货

立即购买

型号：ECH8657-TL-H 编号：C605377

封装：SOT-28FL

品牌：onsemi(安森美)

ECH8657 是一款 N 沟道功率 MOSFET，35V，4.5A，59mΩ，双 ECH8，适用于通用开关应用。

数据手册

1+
￥4.35
10+
￥4.25
30+
￥4.18

有货

立即购买

型号：FDC6305N 编号：C241765

封装：TSOT-23-6

品牌：onsemi(安森美)

此类 N 沟道低阈值 2.5V 指定 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持低门极电荷，实现卓越的开关性能。

数据手册

1+
￥4.39
10+
￥3.66
30+
￥3.29

有货

立即购买

型号：FDS6912A 编号：C903634

封装：SO-8

品牌：onsemi(安森美)

此类 N 沟道逻辑电平 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持出色的开关性能。此类器件非常适用于要求线内低功率损耗和快速开关的低电压和电池供电应用。

数据手册

1+
￥4.46
10+
￥3.59
30+
￥3.16
100+
￥2.73

有货

立即购买

型号：FDC6310P 编号：C241766

封装：SuperSOT-6

品牌：onsemi(安森美)

此类 P 沟道 2.5V 指定 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持低门极电荷，实现出色的开关性能。此类器件适用于无法采用更昂贵的 SO-8 和 TSSOP-8 封装的应用，可利用其非常小的占位提供出色的功率耗散。

数据手册

1+
￥4.59
10+
￥3.74
30+
￥3.31
100+
￥2.89

有货

立即购买

型号：NVTFS5116PLWFTWG 编号：C604638

封装：WDFN-8(3x3)

品牌：onsemi(安森美)

适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，安装在 3x3mm 扁平引线封装中且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。AEC-Q101 认证 MOSFET 且具备生产件批准程序(PPAP) 功能，适用于汽车应用。

数据手册

1+
￥4.92
10+
￥4.81
30+
￥4.74

有货

立即购买

型号：FDT86244 编号：C3289938

封装：SOT-223

品牌：onsemi(安森美)

此N沟道MOSFET采用先进的PowerTrench工艺制造,该工艺融入了屏蔽栅技术。此工艺针对导通电阻、开关性能和耐用性进行了优化。

数据手册

1+
￥5.12
10+
￥4.2
30+
￥3.75

有货

立即购买

型号：FDMS7672 编号：C463468

封装：PQFN-8(5x6)

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 专为提高 DC/DC 转换器的总能效以及最大程度降低其开关节点噪声而设计，可以使用同步开关 PWM 控制器，也可以使用传统开关 PWM 控制器。它经过了优化，可实现低门极电荷、低 RDS(ON) 和快速开关。

数据手册

1+
￥5.77
10+
￥4.69
30+
￥4.15
100+
￥3.61
500+
￥2.9
1000+
￥2.73

有货

立即购买

型号：NVMYS9D3N06CLTWG 编号：C5205716

封装：LFPAK-4

品牌：onsemi(安森美)

适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，采用 5x6mm LFPAK 封装且具有较高的热性能。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，且符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于需要更高板级可靠性的汽车应用。

数据手册

1+
￥5.99
10+
￥5.83
30+
￥5.73
100+
￥5.63

有货

立即购买

型号：FDMS0312AS 编号：C241801

封装：PQFN-8(5x6)

品牌：onsemi(安森美)

FDMS0312AS 适用于最大程度降低电源转换应用中的损耗。同时结合了硅和封装技术的发展，可提供最低的 rDS(on)，同时保持卓越的开关性能。此器件还增加了高效单片肖特基体二极管的优点。

数据手册

1+
￥6.08
10+
￥5.95
30+
￥5.86

有货

立即购买

型号：NTLJS3D0N02P8ZTAG 编号：C894009

封装：WDFN-6(2x2)

品牌：onsemi(安森美)

MOSFET，功率，单 20V/±12 N 沟道，3.8mΩ，4.5V，20.2A，WDFN6 2x2x0.8mm

数据手册

1+
￥6.11
10+
￥5.97
30+
￥5.88
100+
￥5.79

有货

立即购买

型号：FDMA910PZ 编号：C388426

封装：VDFN-6(2x2)

品牌：onsemi(安森美)

此器件专门针对手机和其他超便携应用中的电池充电或负载开关而设计。它具有一个带有低导通电阻的 MOSFET，且可针对 ESD 提供齐纳二极管保护。MicroFET 2x2 封装对于其物理尺寸来说提供了卓越的热性能，非常适合线性模式应用。

数据手册

1+
￥6.12
10+
￥5.97
30+
￥5.86

有货

立即购买

型号：NVMFS5C456NT1G 编号：C604600

封装：DFN-5(5.9x4.9)

品牌：onsemi(安森美)

适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，安装在 5x6mm 扁平引线封装中且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。通过 AEC-Q101 认证 MOSFET 且符合生产件批准程序 (PPAP) ，适用于汽车应用。

数据手册

1+
￥7.36
10+
￥7.19
30+
￥7.08

有货

立即购买

型号：NVMFD5C680NLWFT1G 编号：C604576

封装：DFN-8(5x6)

品牌：onsemi(安森美)

适用于紧凑和高能效设计的汽车用功率 MOSFET，采用 5x6mm 扁平引线封装且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。

数据手册

1+
￥7.6
10+
￥7.41
30+
￥7.29

有货

立即购买

型号：NVTFS4C05NWFTAG 编号：C604634

封装：WDFN-8(3.3x3.3)

品牌：onsemi(安森美)

适用于紧凑和高能效设计的汽车用功率 MOSFET，采用 3x3mm 扁平引线封装且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。

数据手册

1+
￥8.38
10+
￥8.17
30+
￥8.04

有货

立即购买

型号：FDMS0309AS 编号：C891038

封装：Power-56-8

品牌：onsemi(安森美)

数据手册

1+
￥8.74
10+
￥8.54
30+
￥8.41

有货

立即购买

型号：NVD5C454NLT4G 编号：C604535

封装：DPAK

品牌：onsemi(安森美)

适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，采用 DPAK 封装，且具有较高的热性能。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，且符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。

数据手册

1+
￥9.76
10+
￥9.56
30+
￥9.42

有货

立即购买

型号：FDS4470 编号：C330168

封装：SO-8

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 专为提高 DC/DC 转换器的总能效而设计，可以使用同步开关 PWM 控制器，也可以使用传统开关 PWM 控制器。它经过了优化，可实现低门极电荷、低 RDS(ON) 和快速开关。

数据手册

1+
￥10.08
10+
￥8.39
30+
￥7.47

有货

立即购买

型号：FDMC6686P 编号：C348535

封装：PQFN-8(3.3x3.3)

品牌：onsemi(安森美)

此 P 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，针对 rDS(on)、开关性能和坚固性进行了优化。

数据手册

1+
￥10.53
10+
￥8.85
30+
￥7.8
100+
￥6.72
500+
￥6.23
1000+
￥6.02

有货

立即购买

型号：NVTFS4C13NTWG 编号：C896033

封装：WDFN-8(3.3x3.3)

品牌：onsemi(安森美)

数据手册

1+
￥10.78
10+
￥10.54
30+
￥10.38

有货

立即购买

型号：NVMFS5C468NLWFAFT1G 编号：C900440

封装：DFN-5(5.9x4.9)

品牌：onsemi(安森美)

适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，安装在 5x6mm 扁平引线封装中且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。AEC-Q101 认证 MOSFET 且具备生产件批准程序(PPAP) 功能，适用于汽车应用。

数据手册

1+
￥11.01
10+
￥10.76
30+
￥10.6

有货

立即购买

型号：FDMS86201 编号：C891094

封装：Power56-8

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持出色的开关性能。

数据手册

1+
￥11.04
10+
￥10.8
30+
￥10.64

有货

立即购买

型号：FDD86567-F085 编号：C903595

封装：DPAK(TO-252)

品牌：onsemi(安森美)

特性：典型导通电阻RDS(on)=2.6mΩ（VGS = 10V，ID = 80A）。典型总栅极电荷Qg(tot)=63nC（VGS = 10V，ID = 80A）。具备UIS能力。符合RoHS标准。通过AEC Q101认证。应用：汽车发动机控制。动力总成管理

数据手册

1+
￥11.25
10+
￥10.99
30+
￥10.81

有货

立即购买

海量现货

闪电发货

严控渠道

降低成本

提示

提示

成功提示

失败提示

提示