安森美MOS驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：NVTFS010N10MCLTAG 编号：C900506

封装：WDFN-8(3x3)

品牌：onsemi(安森美)

适用于紧凑和高能效设计的汽车用功率 MOSFET，采用 3x3mm 扁平引线封装且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。

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1+
￥12.95
10+
￥12.65
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￥12.45

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型号：NVMFS024N06CT1G 编号：C900407

封装：DFN-5(5.9x4.9)

品牌：onsemi(安森美)

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1+
￥13.04
10+
￥12.74
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￥12.54

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型号：NTMFD5C446NLT1G 编号：C900250

封装：DFN-8(4.9x5.9)

品牌：onsemi(安森美)

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1+
￥13.12
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￥12.78
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型号：FDP3652 编号：C243047

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

N 沟道 100V 61A

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1+
￥13.16
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￥11.31
50+
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型号：FDMS2D5N08C 编号：C891048

封装：Power56-8

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MV MOSFET 是使用安森美半导体先进的 PowerTrench 工艺生产的，该工艺结合了屏蔽门极技术。此工艺经过了优化，可最大程度降低导通电阻，同时可保持卓越的开关性能，以及业内最佳的软体二极管。

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1+
￥13.24
10+
￥12.95
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￥12.76

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型号：NVD5C486NLT4G 编号：C887740

封装：DPAK-3

品牌：onsemi(安森美)

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￥14.69
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￥14.35
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￥14.13

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型号：NVMFS5C430NLAFT1G 编号：C604596

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，安装在 5x6mm 扁平引线封装中且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。AEC-Q101 认证 MOSFET 且具备生产件批准程序(PPAP) 功能，适用于汽车应用。

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1+
￥15.39
10+
￥13.01
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￥11.52

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型号：FDMS86202 编号：C504883

封装：Power-56-8

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench工艺生产的，该工艺结合了屏蔽门极技术。此工艺经过了优化，可最大程度降低导通电阻，同时可保持卓越的开关性能。

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1+
￥17.18
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￥16.76
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￥16.48

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型号：NVMFD5C672NLWFT1G 编号：C900397

封装：DFN-8(4.9x5.9)

品牌：onsemi(安森美)

适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，采用 5x6mm 扁平引线封装，具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。通过 AEC-Q101 认证 MOSFET 且符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。

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1+
￥18.2
10+
￥17.73
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￥17.41

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型号：FCP290N80 编号：C898522

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

SuperFET II MOSFET 是全新的高压超结 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻，以及更低门极电荷方面的卓越性能。此技术专用于最大程度降低导电损耗，提供卓越的开关性能、dv/dt 速率和更高的雪崩能量。因此，SuperFET II MOSFET 非常适用于开关电源应用，如 PFC、服务器/电信电源、FPD TV 电源、ATX 电源和工业电源应用。

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1+
￥18.71
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￥16.03
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型号：NVB190N65S3F 编号：C604527

封装：D2PAK

品牌：onsemi(安森美)

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￥19.08
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￥18.59
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￥18.26

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型号：NTP190N65S3HF 编号：C604472

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

SUPERFET III MOSFET 是安森美半导体的全新高压超结 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻，以及更低门极电荷方面的卓越性能。此先进工艺专用于最大程度降低导电损耗，提供卓越的开关性能，并且可以承受极端 dv/dt 速率。因此，SUPERFET III MOSFET 适用于各种电源系统，实现系统小型化和更高能效。SUPERFET III FRFET MOSFET 优化的体二极管逆向恢复性能可以消除附加组件，提高系统可靠性。

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1+
￥19.29
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￥18.8
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￥18.47

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型号：NTTFSSH1D3N04XL 编号：C48538174

封装：WDFN-9

品牌：onsemi(安森美)

1+
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￥19.29
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￥19.01

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型号：FDS89141 编号：C606116

封装：SO-8

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 Power Trench 工艺生产的，针对 rDS(on)、开关性能和坚固性进行了优化。

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1+
￥20.33
10+
￥17.28
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￥15.47

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型号：NVMFS5C450NWFAFT1G 编号：C900433

封装：DFN-5(5.9x4.9)

品牌：onsemi(安森美)

适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，安装在 5x6mm 扁平引线封装中且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。AEC-Q101 认证 MOSFET 且具备生产件批准程序(PPAP) 功能，适用于汽车应用。

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1+
￥20.82
10+
￥20.34
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￥20.02

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型号：NVMJS1D4N06CLTWG 编号：C894176

封装：LFPAK-8

品牌：onsemi(安森美)

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￥22.46
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￥21.88
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￥21.5

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型号：NTTFS2D1N04HLTWG 编号：C894100

封装：PQFN-8(3.3x3.3)

品牌：onsemi(安森美)

特性：最大RDS(on) = 2.1 mΩ，VGS = 10 V，ID = 23 A。最大RDS(on) = 3.3 mΩ，VGS = 4.5 V，ID = 18 A。高性能技术，极低的RDS(on)。这些器件为无铅、无卤素/无溴化阻燃剂，符合RoHS标准。应用：DC-DC降压转换器。负载点

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1+
￥24.42
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￥23.92
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￥22.54

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型号：FCPF11N60T 编号：C899122

封装：TO-220F-3

品牌：onsemi(安森美)

SuperFET MOSFET是利用电荷平衡技术的高压超结（SJ）MOSFET系列，具有出色的低导通电阻和较低的栅极电荷性能。该技术旨在最大限度地减少传导损耗，提供卓越的开关性能、dv/dt速率和更高的雪崩能量。因此，SuperFET MOSFET非常适合用于开关电源应用，如PFC、服务器/电信电源、FPD TV电源、ATX电源和工业电源应用。

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1+
￥24.9
10+
￥21.34
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型号：FDMS7650DC 编号：C891068

封装：DualCool-56-8

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 使用先进的 PowerTrench 工艺生产。同时结合了硅和 Dual Cool 封装技术的发展，可提供最低的 rDS(on)，因为具有极低的结到环境热阻，同时可保持卓越的开关性能。

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1+
￥25.32
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￥24.74
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￥24.36

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型号：FCPF220N80 编号：C899131

封装：TO-220F

品牌：onsemi(安森美)

SuperFET II MOSFET 是全新的高压超结 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻，以及更低门极电荷方面的卓越性能。此技术专用于最大程度降低导电损耗，提供卓越的开关性能、dv/dt 速率和更高的雪崩能量。因此，SuperFET II MOSFET 非常适用于开关电源应用，如 PFC、服务器/电信电源、FPD TV 电源、ATX 电源和工业电源应用。

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1+
￥25.95
10+
￥25.36
30+
￥24.96

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型号：NVMFS5C404NAFT1G 编号：C513054

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，安装在 5x6mm 扁平引线封装中且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。AEC-Q101 认证 MOSFET 且具备生产件批准程序(PPAP) 功能，适用于汽车应用。

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1+
￥26.14
10+
￥25.51
30+
￥25.09

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型号：FDMS86180 编号：C606021

封装：Power56-8

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MV MOSFET 是使用先进的 PowerTrench工艺生产的，该工艺结合了屏蔽门极技术。此工艺经过了优化，可最大程度降低导通电阻，同时可保持卓越的开关性能，以及业内最佳的软体二极管。

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1+
￥31.97
10+
￥27.12
30+
￥24.24

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型号：NVMTS1D5N08H 编号：C894187

封装：DFNW-8(8.3x8.4)

品牌：onsemi(安森美)

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1+
￥34.33
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￥29.46
30+
￥26.57

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型号：NVHL055N60S5F 编号：C5208902

封装：TO-247-3LD

品牌：onsemi(安森美)

SUPERFET V MOSFET FRET系列具有优化的体二极管性能特性。这可以允许在应用中移除组件，并提高应用性能和可靠性，特别是在使用软开关拓扑时。

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1+
￥34.88
10+
￥33.99
30+
￥33.4

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型号：FCB20N60 编号：C18186117

封装：D2PAK

品牌：onsemi(安森美)

SuperFET MOSFET采用电荷平衡技术，具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。该技术旨在最大程度降低传导损耗，提供卓越的开关性能、dv/dt速率和更高的雪崩能量。因此，SuperFET MOSFET非常适用于开关电源应用，如功率因数校正（PFC）、服务器/电信电源、平板电视电源、ATX电源和工业电源应用

1+
￥35.31
10+
￥34.48
30+
￥33.92

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型号：FCPF190N65FL1-F154 编号：C3280898

封装：TO-220F

品牌：onsemi(安森美)

SUPERFET II MOSFET是一款全新的高压超结（SJ）MOSFET产品系列，它采用电荷平衡技术，具备出色的低导通电阻和较低的栅极电荷性能。这项先进技术旨在最大程度降低传导损耗，提供卓越的开关性能，并能承受极高的dv/dt速率。因此，SUPERFET II MOSFET非常适合用于各类追求小型化和更高效率的电源系统

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1+
￥38.93
10+
￥37.94
30+
￥37.27

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型号：NVBLS0D8N08XTXG 编号：C30883493

封装：H-PSOF-8L

品牌：onsemi(安森美)

1+
￥50.59
10+
￥49.3
30+
￥48.44

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型号：NVMFS5C604NLT1G 编号：C513058

封装：DFN-5(5x6)

品牌：onsemi(安森美)

适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，安装在 5x6mm 扁平引线封装中且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。AEC-Q101 认证 MOSFET 且具备生产件批准程序(PPAP) 功能，适用于汽车应用。

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1+
￥57.9
10+
￥56.57
30+
￥55.69

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型号：NVMTS0D6N04CTXG 编号：C604629

封装：DFNW-8(8.4x8.3)

品牌：onsemi(安森美)

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1+
￥83.15
10+
￥79.33
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￥72.72

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型号：NVHL160N120SC1 编号：C898295

封装：TO-247-3

品牌：onsemi(安森美)

特性：典型导通电阻 RDS(on) = 160 mΩ。超低栅极电荷（典型值QG(tot) = 34 nC）。低有效输出电容（典型值C₀ₛₛ = 50 pF）。 100% 单脉冲雪崩耐量测试。通过 AEC-Q101 认证，可提供生产件批准程序文件。该器件无卤化物，符合 RoHS 指令豁免条款 7a，二级互连无铅。应用：汽车车载充电器。电动汽车/混合动力汽车的汽车直流-直流转换器

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