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首页 > 热门关键词 > 安森美MOS驱动
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1个N沟道 耐压:80V 电流:220A
型号：FDBL86366-F085 编号：C900882
封装：HPSOF-8
品牌：onsemi(安森美)
特性：典型RDS(on)=2.4 mΩ，VGS = 10 V，ID = 80 A。 典型Qg(tol)=86 C，VGS = 10 V，ID = 80 A。 UIS能力。 AEC-Q101认证且具备PPAP能力。 这些器件为无铅器件，符合RoHS标准。应用：汽车发动机控制。 动力总成管理
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  • 1+

    ￥14.7

  • 10+

    ￥14.4

  • 30+

    ￥14.19
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    耐压:120V 电流:64A
    型号：FDMS86202 编号：C504883
    封装：Power-56-8
    品牌：onsemi(安森美)
    此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench工艺生产的，该工艺结合了屏蔽门极技术。此工艺经过了优化，可最大程度降低导通电阻，同时可保持卓越的开关性能。
    数据手册

    • 1+

      ￥17.18

    • 10+

      ￥16.76

    • 30+

      ￥16.48
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    1个N沟道 耐压:25V
    型号：NTTFSS1D1N02P1E 编号：C5208926
    封装：WDFN-9(3.3x3.3)
    品牌：onsemi(安森美)
    数据手册

    • 1+

      ￥17.24

    • 10+

      ￥16.8

    • 30+

      ￥16.51
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    1个N沟道 耐压:40V 电流:370A
    型号：NVMFS5C404NLWFT1G 编号：C604588
    封装：SO-8FL
    品牌：onsemi(安森美)
    适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，安装在 5x6mm 扁平引线封装中且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。AEC-Q101 认证 MOSFET 且具备生产件批准程序(PPAP) 功能，适用于汽车应用。
    数据手册

    • 1+

      ￥17.79

    • 10+

      ￥15.11

    • 30+

      ￥13.52
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    1个N沟道 耐压:40V 电流:330A
    型号：NVMFS5C410NLAFT1G 编号：C604592
    封装：SO-8FL
    品牌：onsemi(安森美)
    适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，安装在 5x6mm 扁平引线封装中且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。AEC-Q101 认证 MOSFET 且具备生产件批准程序(PPAP) 功能，适用于汽车应用。
    数据手册

    • 1+

      ￥18.5

    • 10+

      ￥18.1

    • 30+

      ￥17.83
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    1个N沟道 耐压:650V 电流:20A
    型号：NVB190N65S3F 编号：C604527
    封装：D2PAK
    品牌：onsemi(安森美)
    数据手册

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      ￥19.08

    • 10+

      ￥18.59

    • 30+

      ￥18.26
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    1个N沟道 耐压:75V 电流:16A 80A
    型号：FDB060AN08A0 编号：C512889
    封装：D2PAK
    品牌：onsemi(安森美)
    N 沟道，PowerTrench MOSFET，75V，80A，6mΩ， 这种最新的屏蔽门极 PowerTrench MOSFET 具有更小的 QSYNC，卓越的软逆向恢复本征体二极管性能，开关速度快，可大幅提高同步整流的能效。
    数据手册

    • 1+

      ￥19.18

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      ￥18.45
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    1个P沟道 耐压:60V 电流:64A 电流:10A
    型号：NTMFS5113PLT1G 编号：C900298
    封装：DFN-5(5.9x4.9)
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：低RDS(on)以最小化传导损耗。 高电流能力。 规定雪崩能量。 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂且符合RoHS标准
    数据手册

    • 1+

      ￥20.1

    • 10+

      ￥19.64

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      ￥19.33
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    N沟道 耐压:100V 电流:75A
    型号：FDP090N10 编号：C898585
    封装：TO-220
    品牌：onsemi(安森美)
    此 N 沟道 MOSFET 是使用 PowerTrench 工艺生产的，适用于最大程度降低导通电阻，同时保持出色的开关性能。
    数据手册

    • 1+

      ￥20.27

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      ￥17.31

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      ￥15.55
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    1个N沟道 耐压:400V 电流:10.5A
    型号：FQP11N40C 编号：C243074
    封装：TO-220
    品牌：onsemi(安森美)
    该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正（PFC）及照明灯电子镇流器。
    数据手册

    • 1+

      ￥22.64

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      ￥19.53

    • 30+

      ￥17.68
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    1个N沟道 耐压:80V 电流:123A
    型号：NTMFS6H818NT1G 编号：C604457
    封装：SO-8FL
    品牌：onsemi(安森美)
    适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，安装在 5x6mm 扁平引线封装中且具有较高的热性能。
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    • 1+

      ￥22.93

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      ￥17.9
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    耐压:30V 电流:96A
    型号：NTTFS008P03P8Z 编号：C894097
    封装：WDFN-8(3.3x3.3)
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：超低RDS(on)，提高系统效率。 采用3.3x3.3mm先进封装技术，节省空间并具有出色的热传导性能。 无铅、无卤/无溴化阻燃剂，符合RoHS标准。应用：功率负载开关保护：反向电流、过电压和反向负电压电池管理
    数据手册

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      ￥23.22

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    1个N沟道 耐压:30V 电流:20A
    型号：FDMC7660 编号：C890943
    封装：Power33-8
    品牌：onsemi(安森美)
    这款N沟道MOSFET采用安森美半导体（ON Semiconductor）先进的PowerTrench®工艺制造，该工艺经过特别优化，可最大程度降低导通电阻。此器件非常适合笔记本电脑和便携式电池组中常见的电源管理和负载开关应用。
    数据手册

    • 1+

      ￥24.78

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      ￥21.37

    • 30+

      ￥19.35
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    1个N沟道 耐压:650V 电流:44A
    型号：FCPF067N65S3 编号：C899119
    封装：TO-220F-3
    品牌：onsemi(安森美)
    SUPERFET III MOSFET 是安森美半导体的全新高压超结 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻，以及更低门极电荷方面的出色性能。此先进技术专用于最大程度降低导通损耗，提供出色的开关性能，并且可以承受极端 dv/dt 速率。因此，SUPERFET III MOSFET Easy drive 系列有助于管理 EMI 问题，实现更轻松的设计实施。
    数据手册

    • 1+

      ￥30.52

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      ￥29.84

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      ￥26.5
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    NVMFWS1D5N08XT1G
    型号：NVMFWS1D5N08XT1G 编号：C33535008
    封装：DFNW5
    品牌：onsemi(安森美)

    • 1+

      ￥33.32

    • 10+

      ￥32.59

    • 30+

      ￥32.11
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    1个N沟道 耐压:80V 电流:38A 电流:273A
    型号：NVMTS1D5N08H 编号：C894187
    封装：DFNW-8(8.3x8.4)
    品牌：onsemi(安森美)
    数据手册

    • 1+

      ￥34.33

    • 10+

      ￥29.46

    • 30+

      ￥26.57
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    1个N沟道 耐压:600V 电流:20A
    型号：FCB20N60 编号：C18186117
    封装：D2PAK
    品牌：onsemi(安森美)
    SuperFET MOSFET采用电荷平衡技术，具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。该技术旨在最大程度降低传导损耗，提供卓越的开关性能、dv/dt速率和更高的雪崩能量。因此，SuperFET MOSFET非常适用于开关电源应用，如功率因数校正（PFC）、服务器/电信电源、平板电视电源、ATX电源和工业电源应用

    • 1+

      ￥35.31

    • 10+

      ￥34.48

    • 30+

      ￥33.92
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    1个N沟道 耐压:600V
    型号：NTMT061N60S5F 编号：C5208920
    封装：TDFN4-2(8x8)
    品牌：onsemi(安森美)
    数据手册

    • 1+

      ￥39.11

    • 10+

      ￥38.21

    • 30+

      ￥37.62
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    1个N沟道 耐压:1.2kV 电流:17A
    型号：NTHL160N120SC1 编号：C898283
    封装：TO-247
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：典型导通电阻 (RDS(on)) 为 160 mΩ。 超低栅极电荷 (QG(tot)=34 nC)。 低有效输出电容 (C0SS = 50 pF)。 100% 经过单脉冲非钳位感性负载 (UIL) 测试。 该器件无卤化物，符合 RoHS 指令豁免条款 7a，二级互连无铅 (2LI)。应用：UPS。 DC-DC 转换器
    数据手册

    • 1+

      ￥41.18

    • 10+

      ￥40.29

    • 30+

      ￥35.09
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:40V 电流:310A
    型号：NVMFSC0D9N04C 编号：C894167
    封装：DFN-8(4.9x5.8)
    品牌：onsemi(安森美)
    适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，安装在 5x6mm 扁平引线封装中且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。AEC-Q101 认证 MOSFET 且具备生产件批准程序(PPAP) 功能，适用于汽车应用。
    数据手册

    • 1+

      ￥44.22

    • 10+

      ￥37.96

    • 30+

      ￥34.14
  • 有货
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    N沟道, 40A, 650V
    型号：NTP082N65S3HF 编号：C2902302
    封装：TO-220
    品牌：onsemi(安森美)
    SUPERFET III MOSFET是全新的高压超结（SJ）MOSFET系列，它采用电荷平衡技术，具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。这项先进技术旨在最大限度地降低传导损耗，提供卓越的开关性能，并能承受极高的dv/dt速率。因此，SUPERFET III MOSFET非常适合用于各种追求小型化和更高效率的电源系统
    数据手册

    • 1+

      ￥44.65

    • 10+

      ￥43.55

    • 30+

      ￥42.81
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:150V 电流:99A
    型号：FDMT800150DC 编号：C891113
    封装：DualCool-TM-88
    品牌：onsemi(安森美)
    此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的。同时结合了硅和 Dual CoolTM 封装技术的发展进步，可提供最低的 rDS(on)，同时利用极低的结到环境热阻保持出色的开关性能。
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    • 1+

      ￥46.26

    • 10+

      ￥39.42

    • 30+

      ￥35.25
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:100V
    型号：NTBLS1D7N10MCTXG 编号：C5208082
    封装：TOLL-8L
    品牌：onsemi(安森美)
    数据手册

    • 1+

      ￥47.29

    • 10+

      ￥46.08

    • 30+

      ￥45.28
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:600V 电流:47A
    型号：FCH47N60-F133 编号：C606097
    封装：TO-247
    品牌：onsemi(安森美)
    SuperFET MOSFET 是第一代高压超结 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻，以及更低门极电荷方面的卓越性能。此技术专用于最大程度降低导电损耗，提供卓越的开关性能、dv/dt 速率和更高的雪崩能量。因此，SuperFET MOSFET 非常适用于开关电源应用，如 PFC、服务器/电信电源、FPD TV 电源、ATX 电源和工业电源应用。
    数据手册

    • 1+

      ￥92.58

    • 10+

      ￥89.83
  • 有货
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    NVMTS0D4N04CTXG
    型号：NVMTS0D4N04CTXG 编号：C894183
    封装：DFNW-8(8.4x8.3)
    品牌：onsemi(安森美)
    采用 8x8mm 扁平引线封装的汽车功率 MOSFET，具有较高的热性能，适用于紧凑高效型设计。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。
    数据手册

    • 1+

      ￥101.96

    • 10+

      ￥97.28

    • 30+

      ￥89.18
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:900V 电流:112A
    型号：NVBG020N090SC1 编号：C898814
    封装：D2PAK-7
    品牌：onsemi(安森美)
    数据手册

    • 1+

      ￥221.36

    • 30+

      ￥211.36
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:20V 电流:750mA
    型号：NTK3134NT5G 编号：C896490
    封装：SOT-723
    品牌：onsemi(安森美)
    功率 MOSFET，20 V，890 mA，单 N 沟道，带 ESD 防护，SOT-723
    数据手册

    • 48000+

      ￥0.22704

    • 96000+

      ￥0.223256

    • 192000+

      ￥0.21758

    • 384000+

      ￥0.20812
    我要订货
    1个P沟道 耐压:20V 电流:870mA
    型号：NTK3139PT5G 编号：C415718
    封装：SOT-723
    品牌：onsemi(安森美)
    功率 MOSFET，20 V，780 mA，单 P 沟道，带 ESD 防护，SOT-723
    数据手册

    • 48000+

      ￥0.23088

    • 96000+

      ￥0.227032

    • 192000+

      ￥0.22126

    • 384000+

      ￥0.21164
    我要订货
    2个N沟道
    型号：EFC4626R-TR 编号：C605383
    封装：BGA-4(1x1)
    品牌：onsemi(安森美)
    EFC4626R 是一款 N 沟道功率 MOSFET，24V，5A，46.2mΩ，双 EFCP。
    数据手册

    • 5+

      ￥1.0346

    • 50+

      ￥1.0116

    • 150+

      ￥0.9962
  • 有货
    • 立即购买
    2个N沟道 耐压:60V 电流:115mA
    型号：2N7002DW 编号：C232839
    封装：SC-70-6(SOT-363)
    品牌：onsemi(安森美)
    2N7002DW 是一种双 N 沟道 MOSFET，具有低导通电阻和低门极阈值电压。它还具有较高的开关速度，以及超小型表面贴装封装，因此适合很多不同的应用。
    数据手册

    • 39000+

      ￥0.39216

    • 78000+

      ￥0.385624

    • 156000+

      ￥0.37582

    • 312000+

      ￥0.35948
    我要订货
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