安森美MOS驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：NTLJS17D0P03P8ZTAG 编号：C604410

封装：WDFN-6(2x2)

品牌：onsemi(安森美)

功率 MOSFET，-30V 单 P 沟道，11.3mΩ，功率 Clip22 (WDFN2x2mm)

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型号：FDS6912A 编号：C903634

封装：SO-8

品牌：onsemi(安森美)

此类 N 沟道逻辑电平 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持出色的开关性能。此类器件非常适用于要求线内低功率损耗和快速开关的低电压和电池供电应用。

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型号：FDC6310P 编号：C241766

封装：SuperSOT-6

品牌：onsemi(安森美)

此类 P 沟道 2.5V 指定 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持低门极电荷，实现出色的开关性能。此类器件适用于无法采用更昂贵的 SO-8 和 TSSOP-8 封装的应用，可利用其非常小的占位提供出色的功率耗散。

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型号：FDD8880 编号：C130709

封装：TO-252AA

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 专为提高 DC/DC 转换器的总效率而设计，可以使用同步开关 PWM 控制器，也可以使用传统开关 PWM 控制器。它经过了优化，可实现低门极电荷、低 RDS(ON) 和快速开关。

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型号：SI4532DY 编号：C889875

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

此类双 N 和 P 沟道增强型电场效应晶体管是使用 Fairchild 的高单元密度 DMOS 专属技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻，可提供卓越的开关性能。此类器件尤其适用于需要快速开关、线内低功率损耗和瞬变防止的低压应用，如笔记本电脑电源管理和其他电池供电电路。

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型号：NTGS3441T1G 编号：C893998

封装：TSOP-6

品牌：onsemi(安森美)

特性：超低RDS(on)。更高的效率，延长电池寿命。微型TSOP-6表面贴装封装。 NV前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用；符合AEC-Q101标准，具备PPAP能力。这些器件无铅且符合RoHS标准。应用：便携式和电池供电产品的电源管理，即：蜂窝和无绳电话以及PCMCIA卡

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型号：NVTFS6H854NTAG 编号：C900536

封装：WDFN-8(3.3x3.3)

品牌：onsemi(安森美)

适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，采用 3x3mm 扁平引线封装，具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。通过 AEC-Q101 认证 MOSFET 且符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。

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型号：NTLJS3D0N02P8ZTAG 编号：C894009

封装：WDFN-6(2x2)

品牌：onsemi(安森美)

MOSFET，功率，单 20V/±12 N 沟道，3.8mΩ，4.5V，20.2A，WDFN6 2x2x0.8mm

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型号：FDS8978 编号：C236910

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 专为提高 DC/DC 转换器的总能效而设计，可以使用同步开关 PWM 控制器，也可以使用传统开关 PWM 控制器。它经过了优化，可实现低门极电荷、低 RDS(ON) 和快速开关。

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型号：FDC8602 编号：C890877

封装：TSOT-23-6

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 Power Trench 工艺生产的，针对 rDS(on)、开关性能和坚固性进行了优化。

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型号：FQD30N06TM 编号：C903732

封装：TO-252AA

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道增强型功率 MOSFET 使用平面条纹和 DMOS 专属工艺生产。此先进 MOSFET 工艺适用于降低导通电阻，提供卓越的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。

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型号：FDMC8032L 编号：C890953

封装：Power33-8

品牌：onsemi(安森美)

该器件在双Power 33（3 mm x 3 mm MLF）封装中集成了两个40 V N沟道MOSFET。这种封装经过优化，具备出色的热性能。

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型号：NVMFS6H858NLWFT1G 编号：C900486

封装：DFN-5(5.9x4.9)

品牌：onsemi(安森美)

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型号：NVD3055-150T4G-VF01 编号：C887720

封装：TO-252(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

适用于电源、转换器、功率电机控制和桥式电路中的低压高速开关应用的汽车级功率 MOSFET。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。

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型号：FDMS86163P 编号：C469176

封装：PQFN-8(4.9x5.8)

品牌：onsemi(安森美)

此 P 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。

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单价：
￥4.68 / 个

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型号：NVD5C454NLT4G 编号：C604535

封装：DPAK

品牌：onsemi(安森美)

适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，采用 DPAK 封装，且具有较高的热性能。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，且符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。

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型号：FDMS0309AS 编号：C891038

封装：Power-56-8

品牌：onsemi(安森美)

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型号：FDS5672 编号：C903625

封装：SO-8

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 专为提高 DC/DC 转换器的总体效能而设计，可以使用同步开关 PWM 控制器，也可以使用传统开关 PWM 控制器。它经过了优化，可实现低门极电荷、低 rDS(ON) 和快速开关。

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型号：NVJS4151PT1G 编号：C894165

封装：SC-88

品牌：onsemi(安森美)

特性：领先的沟槽技术，低导通电阻RDS(ON)，延长电池寿命。SC-88小外形尺寸（2x2 mm），最大程度利用电路板，与SC-70-6相同。栅极二极管用于ESD保护。通过AEC-Q101认证，具备PPAP能力。这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂，符合RoHS标准。应用：高端负载开关。手机

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￥7.86
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型号：FDS4470 编号：C330168

封装：SO-8

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 专为提高 DC/DC 转换器的总能效而设计，可以使用同步开关 PWM 控制器，也可以使用传统开关 PWM 控制器。它经过了优化，可实现低门极电荷、低 RDS(ON) 和快速开关。

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型号：FDMC6686P 编号：C348535

封装：PQFN-8(3.3x3.3)

品牌：onsemi(安森美)

此 P 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，针对 rDS(on)、开关性能和坚固性进行了优化。

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型号：NVTFS4C13NTWG 编号：C896033

封装：WDFN-8(3.3x3.3)

品牌：onsemi(安森美)

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型号：NTMFSC1D6N06CL 编号：C894042

封装：DFN-8(5x6.2)

品牌：onsemi(安森美)

特性：先进的双面冷却封装。超低导通电阻。 MSL1 坚固的封装设计。应用：反向导通场效应管/负载开关。同步整流器

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型号：FCP260N65S3 编号：C605001

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

SUPERFET III MOSFET 是安森美半导体的全新高压超结 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻，以及更低门极电荷方面的卓越性能。此先进工艺专用于最大程度降低导电损耗，提供卓越的开关性能，并且可以承受极端 dv/dt 速率。因此，SUPERFET III MOSFET Easy drive 系列有助于管理 EMI 问题，实现更简单的设计实施。

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