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1个N沟道耐压:200V 电流:39A

型号：FDPF39N20 编号：C124439

封装：TO-220F

品牌：onsemi(安森美)

UniFET™ MOSFET是基于平面条纹和DMOS技术的高压MOSFET系列。该MOSFET专为降低导通电阻、提供更优的开关性能和更高的雪崩能量强度而设计。该器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正（PFC）、平板显示（FPD）电视电源、ATX电源和电子灯镇流器

数据手册

1+
￥17.7
10+
￥15.3
50+
￥12.94

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NTTFSSCH1D3N04XL

型号：NTTFSSCH1D3N04XL 编号：C48538070

封装：WDFN-9(3.3x3.3)

品牌：onsemi(安森美)

1+
￥18.36
10+
￥17.96
30+
￥17.69

有货

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1个N沟道耐压:650V 电流:10A

型号：FCD360N65S3R0 编号：C352882

封装：TO-252

品牌：onsemi(安森美)

SUPERFET III MOSFET 是安森美半导体的全新高压超结 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻，以及更低门极电荷方面的出色性能。此先进技术专用于最大程度降低导通损耗，提供出色的开关性能，并且可以承受极端 dv/dt 速率。因此，SUPERFET III MOSFET Easy drive 系列有助于管理 EMI 问题，实现更轻松的设计实施。

数据手册

1+
￥18.41
10+
￥15.77
30+
￥14.12

有货

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2个N沟道耐压:25V 电流:27A 电流:13A 电流:20A 电流:60A

型号：FDPC8011S 编号：C891124

封装：PowerClip-33

品牌：onsemi(安森美)

此器件在一个双封装中包括了两个特制的 N 沟道 MOSFET。开关节点已经内部连接，可实现同步降压转换器的轻松布置和布线。控制 MOSFET (Q1) 和同步 SyncFET (Q2) 可提供最佳功率效率。

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1+
￥20.07
10+
￥19.55
30+
￥19.21

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1个N沟道耐压:40V 电流:28A 142A

型号：NVTFS002N04CLTAG 编号：C900501

封装：WDFN-8(3.3x3.3)

品牌：onsemi(安森美)

适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，采用 3x3mm 扁平引线封装，且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。

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1+
￥20.35
10+
￥19.92
30+
￥19.63

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1个N沟道耐压:80V 电流:241.3A

型号：NVBLS1D7N08H 编号：C2902188

封装：H-PSOF-8L

品牌：onsemi(安森美)

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1+
￥29.11
10+
￥24.83
30+
￥22.28

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1个N沟道耐压:500V 电流:20A

型号：FDPF20N50FT 编号：C556443

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。此 MOSFET 适用于降低导通电阻，提供更好的开关性能以及更高的雪崩能量强度。UniFET FRFET MOSFET 的体二极管的反向恢复性能通过生命周期控制而得到增强。其 trr 小于 100nsec，反向 dv/dt 抗扰度为 15V/ns，而普通 MOSFET 的这两个指标分别为 200nsec 和 4.5V/nsec 以上。因此，在 MOSFET 体二极管的性能非常重要的某些应用中，它可以消除附加组件，提高系统可靠性。此器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。

数据手册

1+
￥32.46
10+
￥27.94
50+
￥24.01

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1个N沟道耐压:60V 电流:93A

型号：NVMFS5C646NLWFAFT1G 编号：C900451

封装：DFN-5(5.9x4.9)

品牌：onsemi(安森美)

适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，安装在 5x6mm 扁平引线封装中且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。AEC-Q101 认证 MOSFET 且具备生产件批准程序(PPAP) 功能，适用于汽车应用。

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1+
￥33.06
10+
￥28.37
30+
￥25.58

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N沟道 100V 164A

型号：FDP047N10 编号：C899146

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 是使用 PowerTrench 工艺生产的，该工艺适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。

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1+
￥37.22
10+
￥31.94
50+
￥28.8

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N沟道, 40A, 650V

型号：NTP082N65S3HF 编号：C2902302

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

SUPERFET III MOSFET是全新的高压超结（SJ）MOSFET系列，它采用电荷平衡技术，具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。这项先进技术旨在最大限度地降低传导损耗，提供卓越的开关性能，并能承受极高的dv/dt速率。因此，SUPERFET III MOSFET非常适合用于各种追求小型化和更高效率的电源系统

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1+
￥44.65
10+
￥43.55
30+
￥42.81

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1个N沟道耐压:60V 电流:234A

型号：FDMS86550 编号：C891105

封装：Power-56-8

品牌：onsemi(安森美)

这一N沟道MOSFET器件采用飞兆半导体的高级PowerTrench工艺生产，该工艺专为最大限度地降低导通阻抗并保持卓越的开关性能而量身定制。

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1+
￥50.63
10+
￥49.47
30+
￥48.7

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1个N沟道耐压:600V 电流:47A

型号：FCH47N60-F133 编号：C606097

封装：TO-247

品牌：onsemi(安森美)

SuperFET MOSFET 是第一代高压超结 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻，以及更低门极电荷方面的卓越性能。此技术专用于最大程度降低导电损耗，提供卓越的开关性能、dv/dt 速率和更高的雪崩能量。因此，SuperFET MOSFET 非常适用于开关电源应用，如 PFC、服务器/电信电源、FPD TV 电源、ATX 电源和工业电源应用。

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1+
￥92.58
10+
￥89.83

有货

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1个N沟道耐压:650V 电流:65A

型号：NTHL040N65S3F 编号：C398039

封装：TO-247-3

品牌：onsemi(安森美)

技术文档和设计资源模拟模型?(3) 封装图纸?(1) 数据表?(1)

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1+
￥99.66
10+
￥96.47

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NVMTS0D4N04CTXG

型号：NVMTS0D4N04CTXG 编号：C894183

封装：DFNW-8(8.4x8.3)

品牌：onsemi(安森美)

采用 8x8mm 扁平引线封装的汽车功率 MOSFET，具有较高的热性能，适用于紧凑高效型设计。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。

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1+
￥101.96
10+
￥97.28
30+
￥89.18

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1个N沟道耐压:900V 电流:112A

型号：NVBG020N090SC1 编号：C898814

封装：D2PAK-7

品牌：onsemi(安森美)

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1+
￥197.64
30+
￥187.64

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1个N沟道耐压:20V 电流:750mA

型号：NTK3134NT5G 编号：C896490

封装：SOT-723

品牌：onsemi(安森美)

功率 MOSFET，20 V，890 mA，单 N 沟道，带 ESD 防护，SOT-723

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单价：
￥0.22704 / 个

我要订货

1个P沟道耐压:20V 电流:870mA

型号：NTK3139PT5G 编号：C415718

封装：SOT-723

品牌：onsemi(安森美)

功率 MOSFET，20 V，780 mA，单 P 沟道，带 ESD 防护，SOT-723

数据手册

单价：
￥0.23088 / 个

我要订货

1个N沟道耐压:30V 电流:0.56A

型号：NVR4003NT3G 编号：C236216

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

适用于低功率应用的汽车用功率 MOSFET。 30V，560mA，1.5Ω，单 N 沟道，SOT-23。AEC-Q101 认证 MOSFET 且具有 PPAP 能力，适用于汽车应用。

数据手册

5+
￥0.7312
50+
￥0.7139
150+
￥0.7024

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耐压:30V 电流:154mA

型号：NVTA7002NT1G 编号：C692731

封装：SC-75(SOT-416)

品牌：onsemi(安森美)

特性：低栅极电荷，实现快速开关。小尺寸封装，尺寸为 1.6×1.6mm。栅极具备 ESD 保护功能。 NV 前缀适用于汽车和其他需要独特站点和控制变更要求的应用；符合 AEC-Q101 标准且具备 PPAP 能力。这些器件无铅且符合 RoHS 标准。应用：电源管理负载开关。电平转换

5+
￥1.6597
50+
￥1.3128
150+
￥1.1641

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1个P沟道耐压:20V 电流:2A

型号：FDN340P 编号：C3277832

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

P-Channel Logic Level MOSFET采用先进的Power Trench工艺，可最小化导通电阻，同时保持低栅极电荷，以实现卓越的开关性能。该器件适用于便携式电子应用，包括负载开关和电源管理、电池充电电路以及DC/DC转换。

5+
￥1.9361
50+
￥1.5213
150+
￥1.3435
500+
￥1.1217

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1个P沟道耐压:20V 电流:4A

型号：FDC642P 编号：C890875

封装：SSOT-6

品牌：onsemi(安森美)

此 P 沟道 2.5V 指定 MOSFET 是使用 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持低门极电荷，实现卓越的开关性能。此类器件适用于无法采用更大封装的应用，可为其在非常小的占地面积中提供卓越的功率耗散。

数据手册

5+
￥2.1786
50+
￥1.8015
150+
￥1.6398

有货

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1个P沟道耐压:60V 电流:3A

型号：FDC5614P 编号：C3280207

封装：SuperSOT-6

品牌：onsemi(安森美)

这款60 V P沟道MOSFET采用了安森美半导体（onsemi）的高压POWERTRENCH工艺，针对电源管理应用进行了优化。

数据手册

1+
￥2.1875
10+
￥1.7303
30+
￥1.5344
100+
￥1.2899
500+
￥1.1811
1000+
￥1.1158

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1个N沟道耐压:30V 电流:52A

型号：NTTFS4C08NTAG 编号：C154587

封装：WDFN-8(3.3x3.3)

品牌：onsemi(安森美)

功率 MOSFET，30V，52A，单 N 沟道，?8FL

数据手册

1+
￥2.46
10+
￥1.95
30+
￥1.74
100+
￥1.47
500+
￥1.34
1500+
￥1.27

有货

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1个P沟道耐压:20V 电流:1.3A

型号：NVTR01P02LT1G 编号：C336027

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

适用于低功率应用的汽车用功率 MOSFET。此类小型表面贴装 MOSFET 的 RDS(on) 可确保最小的功率损耗和节能，使得此类器件适用于空间敏感型电源管理电路。通过 AEC-Q101 认证 MOSFET 且符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。

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1+
￥2.66
10+
￥2.6
30+
￥2.56

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1个N沟道耐压:30V 电流:6.5A

型号：FDC8886 编号：C605018

封装：TSOT-23-6

品牌：onsemi(安森美)

此N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的Power Trench

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1+
￥2.73
10+
￥2.67
30+
￥2.63

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1个N沟道耐压:100V 电流:6.8A

型号：FDD1600N10ALZ 编号：C455167

封装：TO-252(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，适用于最大程度降低导通电阻，同时保持出色的开关性能。

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1+
￥3.48
10+
￥3.4
30+
￥3.35

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N沟道+P沟道耐压:25V 电流:0.5A

型号：FDG6321C 编号：C258213

封装：SC-88(SC-70-6)

品牌：onsemi(安森美)

此类双 N 和 P 沟道逻辑电平增强型场效应晶体管是使用高单元密度的 DMOS 专属技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻。此器件专用于在低压应用中替代双极数字晶体管和小信号 MOSFET。因为无需偏置电阻，所以此类双数字 FET 可以替代若干具有各种偏置电阻值的数字晶体管。

数据手册

1+
￥3.54
10+
￥2.86
30+
￥2.57

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1个N沟道耐压:30V 电流:35A

型号：FDMS8680 编号：C891108

封装：Power56-8

品牌：onsemi(安森美)

FDMS8680 适用于最大程度降低电源转换应用中的损耗。同时结合了硅和封装技术的发展，可提供最低的 rDS(on)，同时保持卓越的开关性能。

数据手册

1+
￥3.89
10+
￥3.8
30+
￥3.73
100+
￥3.67

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1个N沟道耐压:30V 电流:14.5A

型号：FDS6676AS 编号：C154554

封装：SO-8

品牌：onsemi(安森美)

N沟道,30V,14.5A,6mΩ@10V

数据手册

1+
￥4.09
10+
￥3.31
30+
￥2.92

有货

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1个N沟道耐压:40V 电流:10A

型号：FDMA8051L 编号：C463715

封装：VDFN-6(2x2)

品牌：onsemi(安森美)

此器件用于为同步降压转换器提供最大能效和热性能。低 rDS(on) 和门极电荷提供了出色的开关性能。

数据手册

1+
￥4.12
10+
￥4.03
30+
￥3.98

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