安森美MOS驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：NVTFS4C05NTAG 编号：C900513

封装：WDFN-8(3.3x3.3)

品牌：onsemi(安森美)

适用于紧凑和高能效设计的汽车用功率 MOSFET，采用 3x3mm 扁平引线封装且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。

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型号：NTD3055L170T4G 编号：C236234

封装：DPAK

品牌：onsemi(安森美)

专为电源、转换器、动力电机控制和桥接电路中的低电压、高速开关应用而设计。

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型号：NVTFS6H854NTAG 编号：C900536

封装：WDFN-8(3.3x3.3)

品牌：onsemi(安森美)

适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，采用 3x3mm 扁平引线封装，具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。通过 AEC-Q101 认证 MOSFET 且符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。

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型号：FDMC008N08C 编号：C890919

封装：PQFN-8(3.3x3.3)

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MV MOSFET 是使用安森美半导体先进的 PowerTrench 工艺生产的，该工艺结合了屏蔽门极技术。此工艺经过了优化，可最大程度降低导通电阻，同时可保持业内最佳的软体二极管。

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型号：FQP10N20C 编号：C243073

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

9.5 A、200 V，RDS(导通)=360 mΩ（最大值）@ VGS = 10 V、ID = 4.75 A 低栅极电荷（典型值 20 nC）

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型号：FDMC8882 编号：C890975

封装：WDFN-8(3.3x3.3)

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻。此器件适用于笔记本电脑和便携式电池组中常见的电源管理和负载开关应用。

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型号：NVMFS5C677NLT1G 编号：C604617

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

适用于紧凑和高能效设计的汽车用功率 MOSFET，采用 5x6mm 扁平引线封装且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。

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型号：NVMFS6H858NLWFT1G 编号：C900486

封装：DFN-5(5.9x4.9)

品牌：onsemi(安森美)

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型号：NVMFD5C478NT1G 编号：C604572

封装：DFN-8(5x6)

品牌：onsemi(安森美)

适用于紧凑和高能效设计的汽车用功率 MOSFET，采用 5x6mm 扁平引线封装且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。

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型号：EFC2J004NUZTDG 编号：C606011

封装：WLCSP-6

品牌：onsemi(安森美)

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型号：FDP8896 编号：C243059

封装：ITO-220AB-3

品牌：onsemi(安森美)

此N沟道MOSFET是专为使用同步或传统开关PWM控制器来改进DC/DC转换器整体功效而设计的。已针对低栅极电荷、低r

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型号：NTTFS3D7N06HLTWG 编号：C894101

封装：WDFN-8(3.3x3.3)

品牌：onsemi(安森美)

特性：最大RDS(on) = 3.9 mΩ，VGS = 10 V，ID = 23 A。最大RDS(on) = 5.2 mΩ，VGS = 4.5 V，ID = 18 A。高性能技术，极低RDS(on)。这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂，符合RoHS标准。应用：DC-DC降压转换器。负载点

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型号：FDS5672 编号：C903625

封装：SO-8

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 专为提高 DC/DC 转换器的总体效能而设计，可以使用同步开关 PWM 控制器，也可以使用传统开关 PWM 控制器。它经过了优化，可实现低门极电荷、低 rDS(ON) 和快速开关。

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型号：FDM3622 编号：C890886

封装：WDFN-8(3.3x3.3)

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持低门极电荷，实现出色的开关性能。

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型号：NTD360N65S3H 编号：C2902165

封装：DPAK

品牌：onsemi(安森美)

SUPERFET III MOSFET是全新的高压超结（SJ）MOSFET系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻和较低的栅极电荷性能。这种先进技术旨在最小化传导损耗，提供卓越的开关性能，并能承受极高的dv/dt速率。因此，SUPERFET III FAST MOSFET系列有助于缩小各种电源系统的尺寸并提高系统效率。

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型号：NVJS4151PT1G 编号：C894165

封装：SC-88

品牌：onsemi(安森美)

特性：领先的沟槽技术，低导通电阻RDS(ON)，延长电池寿命。SC-88小外形尺寸（2x2 mm），最大程度利用电路板，与SC-70-6相同。栅极二极管用于ESD保护。通过AEC-Q101认证，具备PPAP能力。这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂，符合RoHS标准。应用：高端负载开关。手机

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型号：FQB44N10TM 编号：C241835

封装：D2PAK

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道增强型功率 MOSFET 是使用平面条纹和 DMOS 专属工艺生产的。此先进 MOSFET 技术适用于降低导通电阻，提供卓越的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。

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型号：NVMJS0D9N04CLTWG 编号：C894171

封装：LFPAK-8

品牌：onsemi(安森美)

适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，采用 5x6mm LFPAK 封装且具有较高的热性能。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，且符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于需要更高板级可靠性的汽车应用。

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型号：RFD16N05SM9A 编号：C887754

封装：TO-252

品牌：onsemi(安森美)

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型号：FDMS8027S 编号：C891079

封装：Power-56-8

品牌：onsemi(安森美)

FDMS8027S 适用于最大程度降低电源转换应用中的损耗。同时结合了硅和封装技术的发展，可提供最低的 rDS(on)，同时保持卓越的开关性能。此器件还增加了高效单片肖特基体二极管的优点。

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型号：NVMFS5C645NLAFT1G 编号：C604613

封装：DFN-5(5.9x4.9)

品牌：onsemi(安森美)

适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，安装在 5x6mm 扁平引线封装中且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。AEC-Q101 认证 MOSFET 且具备生产件批准程序(PPAP) 功能，适用于汽车应用。

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型号：NTMFSC006N12MC 编号：C5208918

封装：DFN-8

品牌：onsemi(安森美)

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型号：NVMFWS6D2N08XT1G 编号：C31122722

封装：DFNW-5

品牌：onsemi(安森美)

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型号：NTD600N80S3Z 编号：C2902166

封装：TO-252

品牌：onsemi(安森美)

800 V SUPERFET III MOSFET 是高性能 MOSFET 系列，提供 800 V 击穿电压。新的 800 V SUPERFET III MOSFET 针对反激式转换器的初级开关进行了优化，凭借其优化设计，能够在不影响 EMI 性能的情况下降低开关损耗和外壳温度。此外，内部齐纳二极管显著提高了 ESD 能力。这一新型 800 V SUPERFET III MOSFET 系列因其在开关电源应用（如笔记本电脑适配器、音频、照明、ATX 电源和工业电源）中的卓越性能，能够实现更高效、紧凑、低温和更可靠的应用。

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型号：FQB19N20TM 编号：C898638

封装：TO-263(D2PAK)

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道增强型功率 MOSFET 是使用平面条纹和 DMOS 专属技术生产的。此先进 MOSFET 技术适用于降低导通电阻，提供卓越的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正 (PFC) 和电子灯镇流器。

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型号：FCPF2250N80Z 编号：C899132

封装：TO-220F

品牌：onsemi(安森美)

SuperFET II MOSFET是全新的高压超结（SJ）MOSFET系列，采用电荷平衡技术，具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。该技术旨在最大限度地降低传导损耗，提供卓越的开关性能、dv/dt速率和更高的雪崩能量。因此，SuperFET II MOSFET非常适用于音频、笔记本电脑适配器、照明、ATX电源和工业电源等开关电源应用

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