安森美MOS驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：NVTFS5C471NLTAG 编号：C900526

封装：WDFN-8(3.3x3.3)

品牌：onsemi(安森美)

适用于紧凑和高能效设计的汽车用功率 MOSFET，采用 3x3mm 扁平引线封装且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。

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型号：NCV8402AMNWT1G 编号：C893192

封装：TDFN-6-EP(3x3)

品牌：onsemi(安森美)

NCV8402 是一款三端子保护低压侧智能分立器件。保护功能包括过电流、高温、ESD 和用于过电压保护的集成式漏极-门极箝位。此器件提供保护，适用于严苛的汽车环境。

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型号：FDD3860 编号：C903564

封装：TO-252

品牌：onsemi(安森美)

此零部件采用专有的高密度沟槽 MOSFET 工艺，专门针对低 rDS(on) 和低 Qg 外形而设计，其雪崩坚固性适用于各种开关应用。

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型号：NTMFS4C05NT1G 编号：C352880

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

功率 MOSFET，30 V，78 A，单 N 沟道，SO?8 FL

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型号：FDMA1029PZ 编号：C10872

封装：MicroFET(2x2)

品牌：onsemi(安森美)

此器件专门设计为手机和其他超便携应用中电池充电开关的单封装解决方案。它具有两个独立的 P 沟道 MOSFET，且均具有低导通电阻，可实现最低的导电损耗。在典型的共源配置中连接时，可以实现双向电流流动。MicroFET 2x2 封装对于其物理尺寸来说提供了卓越的热性能，非常适合线性模式应用。

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型号：FQP10N20C 编号：C243073

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

9.5 A、200 V，RDS(导通)=360 mΩ（最大值）@ VGS = 10 V、ID = 4.75 A 低栅极电荷（典型值 20 nC）

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型号：FDMC8882 编号：C890975

封装：WDFN-8(3.3x3.3)

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻。此器件适用于笔记本电脑和便携式电池组中常见的电源管理和负载开关应用。

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型号：NVMFS5C677NLT1G 编号：C604617

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

适用于紧凑和高能效设计的汽车用功率 MOSFET，采用 5x6mm 扁平引线封装且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。

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型号：FDD7N25LZTM 编号：C903583

封装：TO-252(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。此 MOSFET 适用于降低导通电阻，提供更佳的开关性能以及更高的雪崩能量强度。此器件系列适用于开关电力转换器应用，如功率系数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。

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型号：NTD3055-150T4G 编号：C242413

封装：DPAK

品牌：onsemi(安森美)

适用于电源、转换器、功率电机控制和桥式电路中的低压高速开关应用。

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型号：FDMA86251 编号：C890907

封装：VDFN-6(2x2)

品牌：onsemi(安森美)

该器件专为同步降压转换器实现最高效率和热性能而设计。低导通电阻（rDS(on)）和栅极电荷可提供出色的开关性能。

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型号：NTTFS3D7N06HLTWG 编号：C894101

封装：WDFN-8(3.3x3.3)

品牌：onsemi(安森美)

特性：最大RDS(on) = 3.9 mΩ，VGS = 10 V，ID = 23 A。最大RDS(on) = 5.2 mΩ，VGS = 4.5 V，ID = 18 A。高性能技术，极低RDS(on)。这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂，符合RoHS标准。应用：DC-DC降压转换器。负载点

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型号：EFC2K102ANUZTDG 编号：C3282061

封装：WLCSP-10(2.98x1.49)

品牌：onsemi(安森美)

这款功率 MOSFET 具有低导通电阻的特点。该器件适用于便携式设备的电源开关等应用。最适合单节锂离子电池应用

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型号：FQB44N10TM 编号：C241835

封装：D2PAK

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道增强型功率 MOSFET 是使用平面条纹和 DMOS 专属工艺生产的。此先进 MOSFET 技术适用于降低导通电阻，提供卓越的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。

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型号：FDD3672 编号：C903561

封装：TO-252AA

品牌：onsemi(安森美)

特性：rDS(ON) = 24mΩ（典型值），VGS = 10V，ID = 44A。Qg(tot) = 24nC（典型值），VGS = 10V。低米勒电荷。低Qrr体二极管。高频下优化效率。UIS能力（单脉冲和重复脉冲）。应用：DC/DC转换器和离线式UPS。分布式电源架构和VRM

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型号：NVMFWS0D7N04XMT1G 编号：C5208180

封装：DFNW-5(5x6)(SO-8-FL)

品牌：onsemi(安森美)

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型号：NVMFS5C442NWFAFT1G 编号：C900430

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，安装在 5x6mm 扁平引线封装中且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。AEC-Q101 认证 MOSFET 且具备生产件批准程序(PPAP) 功能，适用于汽车应用。

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型号：NVMFD5C674NLT1G 编号：C900398

封装：DFN-8(4.9x5.9)

品牌：onsemi(安森美)

适用于紧凑和高能效设计的汽车用功率 MOSFET，采用 5x6mm 扁平引线封装且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。

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型号：RFD16N05SM9A 编号：C887754

封装：TO-252

品牌：onsemi(安森美)

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型号：NTMFS0D9N03CGT1G 编号：C900265

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

特性：先进封装（5x6 mm），具有出色的热传导性。超低RDS(ON)，可提高系统效率。这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂，符合RoHS标准。应用：热插拔应用。功率负载开关

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型号：NTMFS5H409NLT3G 编号：C604447

封装：DFN-5(5x6)

品牌：onsemi(安森美)

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型号：NVD3055-094T4G-VF01 编号：C604530

封装：DPAK

品牌：onsemi(安森美)

适用于电源、转换器、功率电机控制和桥式电路中的低压高速开关应用的汽车级功率 MOSFET。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。

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型号：FQB19N20TM 编号：C898638

封装：TO-263(D2PAK)

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道增强型功率 MOSFET 是使用平面条纹和 DMOS 专属技术生产的。此先进 MOSFET 技术适用于降低导通电阻，提供卓越的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正 (PFC) 和电子灯镇流器。

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型号：FDMS4D5N08LC 编号：C605038

封装：Power-56

品牌：onsemi(安森美)

这款N沟道中压（MV）MOSFET采用先进的POWERTRENCH工艺制造，该工艺集成了屏蔽栅极技术。此工艺经过优化，可将导通电阻降至最低，同时凭借同类最佳的软体二极管保持卓越的开关性能。

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型号：NVMFS5C420NLWFT1G 编号：C2902073

封装：DFN-5(5.1x6.1)

品牌：onsemi(安森美)

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型号：FDS8842NZ 编号：C467455

封装：SO-8

品牌：onsemi(安森美)

FDS8842NZ 适用于最大程度降低电源转换应用中的损耗。同时结合了硅和封装技术的发展，可提供最低的 rDS(on)，同时保持卓越的开关性能。

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型号：FDME820NZT 编号：C895385

封装：MicroFET(1.6x1.6)

品牌：onsemi(安森美)

此单 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 Power Trench 工艺设计的，可基于特制的 MicroFET 引线框架优化 rDS(ON) @ VGS = 1.8 V。

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型号：FDMC86259P 编号：C890968

封装：Power33-8

品牌：onsemi(安森美)

这款P沟道MOSFET采用先进的PowerTrench®工艺制造，该工艺经过特别优化，可在最大程度降低导通电阻的同时，保持出色的开关性能。

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型号：NVTFS5C460NLWFTAG 编号：C900525

封装：WDFN-8(3x3)

品牌：onsemi(安森美)

适用于紧凑和高能效设计的汽车用功率 MOSFET，采用 3x3mm 扁平引线封装且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。

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型号：NVD5C648NLT4G 编号：C604537

封装：DPAK

品牌：onsemi(安森美)

适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，安装在 DPAK 封装中且具有较高的热性能。通过 AEC-Q101 认证 MOSFET 且符合生产件批准程序 (PPAP) ，适用于汽车应用。

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