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首页 > 热门关键词 > 安森美MOS驱动
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N沟道MOSFET，500 V，45 A，120 mΩ
型号：FDH45N50F-F133 编号：C898143
封装：TO-247-3
品牌：onsemi(安森美)
UniFET MOSFET 基于平面条纹和 DMOS 技术。该 MOSFET 旨在降低导通电阻，提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度。UniFET FRFET MOSFET 的体二极管反向恢复性能通过寿命控制得到增强。其 trr 小于 100 nsec，反向 dv/dt 抗扰度为 15V/ns，而普通平面 MOSFET 分别超过 200 nsec 和 4.5V/ns。因此，在某些对 MOSFET 体二极管性能要求较高的应用中，它可以去除额外的组件并提高系统可靠性。该器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正（PFC）、平板显示器（FPD）电视电源、ATX 和电子灯镇流器。
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    ￥36.07

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    ￥35.25

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    ￥34.7
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    1个N沟道 耐压:650V 电流:40A
    型号：NTMT064N65S3H 编号：C894054
    封装：TDFN-4(8x8)
    品牌：onsemi(安森美)
    SUPERFET III MOSFET是全新的高压超结（SJ）MOSFET系列，采用电荷平衡技术，具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。这项先进技术旨在最大程度降低传导损耗、提供卓越的开关性能，并能承受极高的dv/dt速率。因此，SUPERFET III FAST MOSFET适用于各种AC/DC电源转换，有助于实现系统小型化和提高效率
    数据手册

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    1个N沟道 耐压:60V 电流:287A 电流:40A
    型号：NVMFS5C604NLT1G 编号：C513058
    封装：DFN-5(5x6)
    品牌：onsemi(安森美)
    适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，安装在 5x6mm 扁平引线封装中且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。AEC-Q101 认证 MOSFET 且具备生产件批准程序(PPAP) 功能，适用于汽车应用。
    数据手册

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    1个N沟道 耐压:650V 电流:58A
    型号：NVHL050N65S3HF 编号：C898292
    封装：TO-247
    品牌：onsemi(安森美)
    SUPERFET III MOSFET是全新的高压超结（SJ）MOSFET系列，采用电荷平衡技术，具有出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。这项先进技术可将传导损耗降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受极高的dv/dt速率。因此，SUPERFET III MOSFET非常适合用于各种追求小型化和更高效率的电源系统
    数据手册

    • 1+

      ￥75.06

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    1个P沟道 耐压:60V 电流:100A
    型号：NVMFS5A160PLZWFT1G 编号：C900419
    封装：SO-8FL
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：小尺寸封装（5 x 6 mm），适合紧凑设计。 低导通电阻RDS(on)，可降低传导损耗。 具有可焊侧翼选项，便于光学检测。 通过AEC-Q101认证，可提供生产件批准程序文件。 无铅且符合RoHS标准
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      ￥83.1538 ￥112.37

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      ￥69.7792 ￥109.03

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      ￥58.8762 ￥109.03
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    1个P沟道 耐压:20V 电流:350mA
    型号：FDY100PZ 编号：C188498
    封装：SC-89
    品牌：onsemi(安森美)
    此单 P 沟道 MOSFET 是使用先进的 Power Trench 工艺设计的，可优化 RDS(ON) @ VGS = -2.5v。
    数据手册

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      ￥84.97

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    1个N沟道 耐压:30V 电流:0.56A
    型号：NTR4003NT3G 编号：C146737
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    这是一个 30 V N 沟道功率 MOSFET。
    数据手册

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      ￥0.20592

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      ￥0.18876
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    1个N沟道 耐压:30V 电流:2.5A
    型号：NVTR4503NT1G 编号：C184182
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    汽车用功率 MOSFET。30V，2.5A，140 mΩ，单 N 沟道，SOT-23，逻辑电平。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。
    数据手册

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      ￥0.385
    我要订货
    1个N沟道 耐压:30V 电流:0.56A
    型号：NVR4003NT3G 编号：C236216
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    适用于低功率应用的汽车用功率 MOSFET。 30V，560mA，1.5Ω，单 N 沟道，SOT-23。AEC-Q101 认证 MOSFET 且具有 PPAP 能力，适用于汽车应用。
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      ￥0.6827

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    2个N沟道 耐压:60V 电流:310mA
    型号：NTZD5110NT1G 编号：C236251
    封装：SOT-563
    品牌：onsemi(安森美)
    这是一个 60 V N 沟道功率 MOSFET。
    数据手册

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    1个N沟道 耐压:20V 电流:3.6A
    型号：NTR3C21NZT1G 编号：C894084
    封装：SOT-23-3
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：先进的沟槽技术。 SOT-23封装下的超低RDS(on)。 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂，符合RoHS标准。应用：功率负载开关。 电源管理
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    1个P沟道 耐压:60V 电流:3A
    型号：FDC5614P 编号：C3280207
    封装：SuperSOT-6
    品牌：onsemi(安森美)
    这款60 V P沟道MOSFET采用了安森美半导体（onsemi）的高压POWERTRENCH工艺，针对电源管理应用进行了优化。
    数据手册

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      ￥2.1875

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    1个N沟道 耐压:30V 电流:6.5A
    型号：FDC8886 编号：C605018
    封装：TSOT-23-6
    品牌：onsemi(安森美)
    此N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的Power Trench
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      ￥2.45

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      ￥2.35
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    1个N沟道 耐压:40V 电流:78A
    型号：NTMFS5C460NLT1G 编号：C604441
    封装：DFN-5(5x6)
    品牌：onsemi(安森美)
    数据手册

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      ￥2.84

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      ￥2.74
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    1个N沟道 耐压:40V 电流:27A
    型号：NTTFS015N04CTAG 编号：C900336
    封装：WDFN-8-EP(3.3x3.3)
    品牌：onsemi(安森美)
    数据手册

    • 1+

      ￥2.88

    • 10+

      ￥2.81

    • 30+

      ￥2.77
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    耐压:30V 电流:18.8A
    型号：NTLJS5D0N03CTAG 编号：C894014
    封装：WDFN-6(2x2)
    品牌：onsemi(安森美)
    MOSFET，功率，单 30V N 沟道，7.25mΩ @ 4.5V，18.8A，WDFN6 2x2x0.8mm
    数据手册

    • 1+

      ￥2.94

    • 10+

      ￥2.88

    • 30+

      ￥2.84
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    耐压:30V 电流:5A
    型号：FDS8958A 编号：C2931003
    封装：SOIC-8
    品牌：onsemi(安森美)
    数据手册

    • 1+

      ￥2.99

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      ￥2.92

    • 30+

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    1个P沟道 耐压:12V 电流:3.3A
    型号：NTJS3151PT1G 编号：C236241
    封装：SC-88
    品牌：onsemi(安森美)
    小型信号 MOSFET -12V -3.3A 60 mΩ 单 P 沟道 SC-88，带 ESD 保护
    数据手册

    • 1+

      ￥3.04

    • 10+

      ￥2.42

    • 30+

      ￥2.16
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    NTMFS3D1N04XMT1G
    型号：NTMFS3D1N04XMT1G 编号：C27795174
    封装：DFN-5(5x6)
    品牌：onsemi(安森美)

    • 1+

      ￥3.11

    • 10+

      ￥3.03

    • 30+

      ￥2.98
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:100V 电流:6.8A
    型号：FDD1600N10ALZ 编号：C455167
    封装：TO-252(DPAK)
    品牌：onsemi(安森美)
    此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，适用于最大程度降低导通电阻，同时保持出色的开关性能。
    数据手册

    • 1+

      ￥3.48

    • 10+

      ￥3.4

    • 30+

      ￥3.35
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    1个P沟道 耐压:60V 电流:9.4A
    型号：FQD11P06TM 编号：C719783
    封装：DPAK
    品牌：onsemi(安森美)
    此 P 沟道增强型功率 MOSFET 是使用平面条纹和 DMOS 专属技术生产的。此先进 MOSFET 技术适用于降低导通电阻，提供卓越的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。
    数据手册

    • 5000+

      ￥2.872569

    • 10000+

      ￥2.84669

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      ￥2.794932
    我要订货
    1个N沟道 耐压:50V 电流:0.1A
    型号：5LN01M-TL-H 编号：C154842
    封装：SOT-323-3
    品牌：onsemi(安森美)
    N沟道,50V,100mA,7.8Ω@50mA,4V
    数据手册

    • 1+

      ￥3.82

    • 10+

      ￥3.74

    • 30+

      ￥3.68
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    1个N沟道 耐压:30V 电流:35A
    型号：FDMS8680 编号：C891108
    封装：Power56-8
    品牌：onsemi(安森美)
    FDMS8680 适用于最大程度降低电源转换应用中的损耗。同时结合了硅和封装技术的发展，可提供最低的 rDS(on)，同时保持卓越的开关性能。
    数据手册

    • 1+

      ￥3.89

    • 10+

      ￥3.8

    • 30+

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    • 100+

      ￥3.67
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    1个N沟道 耐压:80V 电流:68A
    型号：NVTFS6H850NWFTAG 编号：C604650
    封装：WDFN-5(3.3x3.3)
    品牌：onsemi(安森美)
    适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，采用 3x3mm 扁平引线封装，且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，且符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。
    数据手册

    • 1+

      ￥3.95

    • 10+

      ￥3.86

    • 30+

      ￥3.8
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    P沟道单功率MOSFET，-30V，WDFN6封装
    型号：NTLJS17D0P03P8ZTAG 编号：C604410
    封装：WDFN-6(2x2)
    品牌：onsemi(安森美)
    功率 MOSFET，-30V 单 P 沟道，11.3mΩ，功率 Clip22 (WDFN2x2mm)
    数据手册

    • 1+

      ￥4.21

    • 10+

      ￥4.12

    • 30+

      ￥4.05
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:30V 电流:14A
    型号：FDS6682 编号：C153040
    封装：SO-8
    品牌：onsemi(安森美)
    N沟 30V 14A
    数据手册

    • 1+

      ￥4.41

    • 10+

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    • 30+

      ￥3.14
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    1个N沟道 耐压:60V 电流:42A
    型号：FDMS86520 编号：C891104
    封装：Power-56-8
    品牌：onsemi(安森美)
    此 N 沟道 MOSFET 专用于提高 DC/DC 转换器的总能效以及最大程度降低其开关节点噪声，可以使用同步开关 PWM 控制器，也可以使用传统开关 PWM 控制器。它经过了优化，可实现低门极电荷、低 RDS(ON)、快速开关和体二极管逆向恢复功能。
    数据手册

    • 1+

      ￥4.53

    • 10+

      ￥4.42

    • 30+

      ￥4.36
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    1个N沟道+1个P沟道 耐压:20V 电流:3.8A
    型号：FDME1034CZT 编号：C464157
    封装：MicroFET-6(1.6x1.6)
    品牌：onsemi(安森美)
    此器件专门设计为手机和其他移动应用中 DC/DC 开关 MOSFET 的单封装解决方案。它具有一个独立的 N 沟道和 P 沟道 MOSFET，且具有低导通电阻，可实现最低的导电损耗。每个 MOSFET 的门极电荷也得以最大程度降低，可实现直接在控制设备中进行高频控制。MicroFET 1.6x1.6 薄封装对于其物理尺寸来说提供了卓越的热性能，非常适合开关和线性模式应用。
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    • 1+

      ￥4.61

    • 10+

      ￥4.51

    • 30+

      ￥4.44
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    FDMS86183
    型号：FDMS86183 编号：C891093
    封装：Power-56-8
    品牌：onsemi(安森美)
    此 N 沟道 MV MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，该工艺结合了屏蔽门极技术。此工艺经过了优化，可最大程度降低导通电阻，同时使用业内最佳的软体二极管来保持出色的开关性能。
    数据手册

    • 1+

      ￥5.08

    • 10+

      ￥4.96

    • 30+

      ￥4.88
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    1个N沟道 耐压:150V 电流:21A
    型号：FDD2582 编号：C258226
    封装：TO-252AA
    品牌：onsemi(安森美)
    N 沟道，PowerTrench MOSFET，150V，21A，66mΩ
    数据手册

    • 1+

      ￥5.29

    • 10+

      ￥5.17

    • 30+

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