安森美MOS驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：NTLJS5D0N03CTAG 编号：C894014

封装：WDFN-6(2x2)

品牌：onsemi(安森美)

MOSFET，功率，单 30V N 沟道，7.25mΩ @ 4.5V，18.8A，WDFN6 2x2x0.8mm

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型号：NTLJS7D2P02P8ZTAG 编号：C894015

封装：PQFN-6(2x2)

品牌：onsemi(安森美)

特性：小尺寸（4mm²），适合紧凑设计。低导通电阻，可降低传导损耗。无铅、无卤/无溴化阻燃剂，符合RoHS标准。应用：电池管理。保护

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型号：NTJS3151PT1G 编号：C236241

封装：SC-88

品牌：onsemi(安森美)

小型信号 MOSFET -12V -3.3A 60 mΩ 单 P 沟道 SC-88，带 ESD 保护

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型号：FDG1024NZ 编号：C258210

封装：SC-88-6

品牌：onsemi(安森美)

此双 N 沟道逻辑电平增强型场效应晶体管是使用高单元密度的 DMOS 专属技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻。此器件是专为在低压应用中替代双极数字晶体管和小信号 MOSFET 而设计的。因为无需偏置电阻，所以此类双数字 FET 可以替代若干具有各种偏置电阻值的数字晶体管。

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型号：NVTYS010N06CLTWG 编号：C3278364

封装：LFPAK-8

品牌：onsemi(安森美)

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型号：IRFM120ATF 编号：C258216

封装：SOT-223

品牌：onsemi(安森美)

特性：IEEE802.3af兼容。雪崩耐用技术。耐用栅极氧化层技术。较低的输入电容。改善的栅极电荷。扩展的安全工作区。较低的漏电流：最大10μA，VDS = 100V时。较低的RDS(ON)：典型值0.155Ω

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型号：FDD5N50NZTM 编号：C903576

封装：TO-252AA

品牌：onsemi(安森美)

UniFETTM II MOSFET 是基于先进的平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。此先进的 MOSFET 系列在平面 MOSFET 中具有最小的导通电阻，同时可提供卓越的开关性能和更高的雪崩能量强度。另外，内部门极电源 ESD 二极管使得 UniFET II MOSFET 可承受 2kV 以上的 HBM 电涌应力。此器件系列适用于开关电力转换器应用，如功率系数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。

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型号：FDC638P 编号：C241772

封装：SuperSOT-6

品牌：onsemi(安森美)

此 P 沟道 2.5V 指定 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持低门极电荷，实现卓越的开关性能。此类器件非常适用于电池电源应用：负载开关和电力管理、电池充电电路和 DC/DC 转换。

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型号：FQD7N20LTM 编号：C463488

封装：DPAK

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道增强型功率 MOSFET 是使用平面条纹和 DMOS 专属工艺生产的。此先进 MOSFET 技术适用于降低导通电阻，提供卓越的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正 (PFC) 和电子灯镇流器。

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型号：5LN01M-TL-H 编号：C154842

封装：SOT-323-3

品牌：onsemi(安森美)

N沟道,50V,100mA,7.8Ω@50mA,4V

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型号：FDC608PZ 编号：C890872

封装：SSOT-6

品牌：onsemi(安森美)

这款指定 2.5 V 的 P 沟道 MOSFET 采用安森美半导体（onsemi）先进的 POWERTRENCH 工艺制造，该工艺经过特别优化，可最大限度降低导通电阻，同时保持较低的栅极电荷，以实现卓越的开关性能。这些器件非常适合电池供电应用，如负载开关和电源管理、电池供电电路以及直流 - 直流转换。

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