安森美MOS驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：NVJD5121NT1G 编号：C604555

封装：SC-88

品牌：onsemi(安森美)

适用于低功率应用的汽车用功率 MOSFET。60V 295mA 1.6 Ω 双 N 沟道 SC?88，带 ESD 防护，逻辑电平。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。

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5+
￥1.2809
50+
￥1.002
150+
￥0.8825

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型号：NTZD5110NT1G 编号：C236251

封装：SOT-563

品牌：onsemi(安森美)

这是一个 60 V N 沟道功率 MOSFET。

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1+
￥1.78
10+
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型号：NVTFS6H888NWFTAG 编号：C900545

封装：WDFN-8(3.3x3.3)

品牌：onsemi(安森美)

适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，采用 3x3mm 扁平引线封装，且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，且符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。

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1+
￥2.03
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型号：FDC637AN 编号：C479707

封装：SuperSOT-6

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 2.5V 指定 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持低门极电荷，实现卓越的开关性能。与更大的 SO-8 和 TSSOP-8 封装相比，此器件可在非常小的占地面积中提供卓越的功率耗散。

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1+
￥2.56
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￥1.99
30+
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100+
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型号：NTTFS015N04CTAG 编号：C900336

封装：WDFN-8-EP(3.3x3.3)

品牌：onsemi(安森美)

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1+
￥2.88
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￥2.81
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型号：NTLJS5D0N03CTAG 编号：C894014

封装：WDFN-6(2x2)

品牌：onsemi(安森美)

MOSFET，功率，单 30V N 沟道，7.25mΩ @ 4.5V，18.8A，WDFN6 2x2x0.8mm

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1+
￥2.94
10+
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￥2.84

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型号：NTLJS7D2P02P8ZTAG 编号：C894015

封装：PQFN-6(2x2)

品牌：onsemi(安森美)

特性：小尺寸（4mm²），适合紧凑设计。低导通电阻，可降低传导损耗。无铅、无卤/无溴化阻燃剂，符合RoHS标准。应用：电池管理。保护

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1+
￥2.96
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￥2.9
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型号：NTJS3151PT1G 编号：C236241

封装：SC-88

品牌：onsemi(安森美)

小型信号 MOSFET -12V -3.3A 60 mΩ 单 P 沟道 SC-88，带 ESD 保护

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1+
￥3.04
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￥2.42
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型号：FDG1024NZ 编号：C258210

封装：SC-88-6

品牌：onsemi(安森美)

此双 N 沟道逻辑电平增强型场效应晶体管是使用高单元密度的 DMOS 专属技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻。此器件是专为在低压应用中替代双极数字晶体管和小信号 MOSFET 而设计的。因为无需偏置电阻，所以此类双数字 FET 可以替代若干具有各种偏置电阻值的数字晶体管。

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1+
￥3.17
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￥3.11
30+
￥3.07
100+
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型号：NVTYS010N06CLTWG 编号：C3278364

封装：LFPAK-8

品牌：onsemi(安森美)

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1+
￥3.35
10+
￥3.28
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￥3.23

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型号：IRFM120ATF 编号：C258216

封装：SOT-223

品牌：onsemi(安森美)

特性：IEEE802.3af兼容。雪崩耐用技术。耐用栅极氧化层技术。较低的输入电容。改善的栅极电荷。扩展的安全工作区。较低的漏电流：最大10μA，VDS = 100V时。较低的RDS(ON)：典型值0.155Ω

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1+
￥3.4
10+
￥3.32
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型号：FDD5N50NZTM 编号：C903576

封装：TO-252AA

品牌：onsemi(安森美)

UniFETTM II MOSFET 是基于先进的平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。此先进的 MOSFET 系列在平面 MOSFET 中具有最小的导通电阻，同时可提供卓越的开关性能和更高的雪崩能量强度。另外，内部门极电源 ESD 二极管使得 UniFET II MOSFET 可承受 2kV 以上的 HBM 电涌应力。此器件系列适用于开关电力转换器应用，如功率系数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。

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1+
￥3.43
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￥3.31
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￥3.25

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型号：FDC638P 编号：C241772

封装：SuperSOT-6

品牌：onsemi(安森美)

此 P 沟道 2.5V 指定 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持低门极电荷，实现卓越的开关性能。此类器件非常适用于电池电源应用：负载开关和电力管理、电池充电电路和 DC/DC 转换。

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1+
￥3.67
10+
￥2.93
30+
￥2.56
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￥2.19

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型号：FQD7N20LTM 编号：C463488

封装：DPAK

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道增强型功率 MOSFET 是使用平面条纹和 DMOS 专属工艺生产的。此先进 MOSFET 技术适用于降低导通电阻，提供卓越的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正 (PFC) 和电子灯镇流器。

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￥3.82
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￥3.69
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型号：5LN01M-TL-H 编号：C154842

封装：SOT-323-3

品牌：onsemi(安森美)

N沟道,50V,100mA,7.8Ω@50mA,4V

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￥3.82
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￥3.74
30+
￥3.68

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型号：FDC608PZ 编号：C890872

封装：SSOT-6

品牌：onsemi(安森美)

这款指定 2.5 V 的 P 沟道 MOSFET 采用安森美半导体（onsemi）先进的 POWERTRENCH 工艺制造，该工艺经过特别优化，可最大限度降低导通电阻，同时保持较低的栅极电荷，以实现卓越的开关性能。这些器件非常适合电池供电应用，如负载开关和电源管理、电池供电电路以及直流 - 直流转换。

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