安森美MOS驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：FDD86369-F085 编号：C903592

封装：DPAK(TO-252)

品牌：onsemi(安森美)

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型号：NVD3055-094T4G-VF01 编号：C604530

封装：DPAK

品牌：onsemi(安森美)

适用于电源、转换器、功率电机控制和桥式电路中的低压高速开关应用的汽车级功率 MOSFET。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。

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型号：NTMFSC1D6N06CL 编号：C894042

封装：DFN-8(5x6.2)

品牌：onsemi(安森美)

特性：先进的双面冷却封装。超低导通电阻。 MSL1 坚固的封装设计。应用：反向导通场效应管/负载开关。同步整流器

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型号：FCH150N65F-F155 编号：C898125

封装：TO-247-3

品牌：onsemi(安森美)

SUPERFET Ⅱ MOSFET是利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻和更低栅极电荷性能的全新高压超级结(SJ)MOSFET系列产品。这项技术专用于最小化导通损耗并提供卓越的开关性能、dv/dt额定值和更高雪崩能量。因此，SUPERFET MOSFET非常适合开关电源应用，如功率因数校正(PFC)、服务器/电信电源、平板电视电源、ATX电源及工业电源应用。SUPERFET II FRFET MOSFET优化体二极管的反向恢复性能可去除额外元件，提高系统可靠性。

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型号：NVD5C668NLT4G 编号：C604538

封装：TO-252(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，安装在 DPAK 封装中且具有较高的热性能。通过 AEC-Q101 认证 MOSFET 且符合生产件批准程序 (PPAP) ，适用于汽车应用。

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型号：FDMC86184 编号：C463951

封装：PQFN-8(3.3x3.3)

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MV MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，该工艺结合了屏蔽门极技术。此工艺经过了优化，可最大程度降低导通电阻，同时使用业内最佳的软体二极管来保持出色的开关性能。

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型号：FDC8601 编号：C890876

封装：SSOT-6

品牌：onsemi(安森美)

此N沟道MOSFET采用先进的PowerTrench®工艺制造，集成了屏蔽栅技术。该工艺在导通电阻、开关性能和耐用性方面进行了优化。

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型号：NVMFS5C673NLWFAFT1G 编号：C900454

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，安装在 5x6mm 扁平引线封装中且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。AEC-Q101 认证 MOSFET 且具备生产件批准程序(PPAP) 功能，适用于汽车应用。

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型号：NTMFS0D55N03CGT1G 编号：C900263

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

特性：宽安全工作区（SOA），改善浪涌电流管理。先进封装（5x6mm），具有出色的热传导性。超低导通电阻RDS(on)，提高系统效率。这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂，符合RoHS标准。应用：热插拔应用。功率负载开关

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型号：NVMFS5C420NLWFT1G 编号：C2902073

封装：DFN-5(5.1x6.1)

品牌：onsemi(安森美)

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型号：FQB8N90CTM 编号：C898648

封装：TO-263(D2PAK)

品牌：onsemi(安森美)

这些N-Channel增强模式功率场效应晶体管采用专有平面条纹DMOS技术生产。此先进技术经特别设计，可最大程度降低导通电阻，提供卓越开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关模式电源。

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型号：FDP045N10A-F102 编号：C132693

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，该工艺适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。

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型号：FDS8842NZ 编号：C467455

封装：SO-8

品牌：onsemi(安森美)

FDS8842NZ 适用于最大程度降低电源转换应用中的损耗。同时结合了硅和封装技术的发展，可提供最低的 rDS(on)，同时保持卓越的开关性能。

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型号：FDS2672 编号：C463724

封装：SO-8

品牌：onsemi(安森美)

此单 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 UItraFET Trench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。

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型号：NVMFS5C628NT1G 编号：C900448

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

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型号：FQB11N40CTM 编号：C898634

封装：D2PAK

品牌：onsemi(安森美)

这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用专有的平面条状DMOS技术制造。这项先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关模式电源、有源功率因数校正以及基于半桥拓扑结构的电子灯镇流器

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型号：FDPF39N20 编号：C124439

封装：TO-220F

品牌：onsemi(安森美)

UniFET™ MOSFET是基于平面条纹和DMOS技术的高压MOSFET系列。该MOSFET专为降低导通电阻、提供更优的开关性能和更高的雪崩能量强度而设计。该器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正（PFC）、平板显示（FPD）电视电源、ATX电源和电子灯镇流器

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型号：NTTFSSCH1D3N04XL 编号：C48538070

封装：WDFN-9(3.3x3.3)

品牌：onsemi(安森美)

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￥17.69

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型号：NVTFWS1D3N04XMTAG 编号：C48614744

封装：-

品牌：onsemi(安森美)

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￥16.71
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￥14.94
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型号：NTMFC013NP10M5L 编号：C3282055

封装：WDFN-8(5x6)

品牌：onsemi(安森美)

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￥20.97
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￥20.43
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￥20.08

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型号：NVD6824NLT4G-VF01 编号：C604542

封装：DPAK

品牌：onsemi(安森美)

汽车用功率 MOSFET，100V，41A，20 mΩ，单 N 沟道，DPAK，逻辑电平AEC-Q101 认证 MOSFET 且具备生产件批准程序(PPAP) 功能，适用于汽车应用。

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￥22.6
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￥19.38
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￥17.46

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型号：FCPF11N60T 编号：C899122

封装：TO-220F-3

品牌：onsemi(安森美)

SuperFET MOSFET是利用电荷平衡技术的高压超结（SJ）MOSFET系列，具有出色的低导通电阻和较低的栅极电荷性能。该技术旨在最大限度地减少传导损耗，提供卓越的开关性能、dv/dt速率和更高的雪崩能量。因此，SuperFET MOSFET非常适合用于开关电源应用，如PFC、服务器/电信电源、FPD TV电源、ATX电源和工业电源应用。

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型号：NVMFS5C426NWFAFT1G 编号：C513056

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，安装在 5x6mm 扁平引线封装中且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。AEC-Q101 认证 MOSFET 且具备生产件批准程序(PPAP) 功能，适用于汽车应用。

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型号：FDD16AN08A0 编号：C462728

封装：TO-252(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

N 沟道，PowerTrench MOSFET，75 V，50 A，16 mΩ

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型号：NVBLS1D7N08H 编号：C2902188

封装：H-PSOF-8L

品牌：onsemi(安森美)

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型号：FDPF20N50FT 编号：C556443

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。此 MOSFET 适用于降低导通电阻，提供更好的开关性能以及更高的雪崩能量强度。UniFET FRFET MOSFET 的体二极管的反向恢复性能通过生命周期控制而得到增强。其 trr 小于 100nsec，反向 dv/dt 抗扰度为 15V/ns，而普通 MOSFET 的这两个指标分别为 200nsec 和 4.5V/nsec 以上。因此，在 MOSFET 体二极管的性能非常重要的某些应用中，它可以消除附加组件，提高系统可靠性。此器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。

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