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首页 > 热门关键词 > 安森美MOS驱动
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1个N沟道 耐压:250V 电流:44A
型号：FDB44N25TM 编号：C125737
封装：D2PAK
品牌：onsemi(安森美)
UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。此 MOSFET 适用于降低导通电阻，提供更佳的开关性能以及更高的雪崩能量强度。此器件系列适用于开关电力转换器应用，如功率系数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。
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    1个N沟道 耐压:60V 电流:67A
    型号：NVMFS5H663NLT1G 编号：C900461
    封装：DFN-5(5.9x4.9)
    品牌：onsemi(安森美)
    适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，采用 5x6mm 扁平引线封装，且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，且符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。
    数据手册

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    1个P沟道 耐压:30V 电流:47.6A
    型号：NTTFS015P03P8ZTAG 编号：C604495
    封装：WDFN-8(3.3x3.3)
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：超低导通电阻（RDS(on)），提高系统效率。 采用3.3x3.3mm先进封装技术，节省空间并具有出色的热传导性能。 无铅、无卤/无溴化阻燃剂，符合RoHS标准。应用：电源负载开关保护：反向电流、过电压和反向负电压电池管理
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    1个N沟道 耐压:40V 电流:50A 电流:330A
    型号：NVMJS0D9N04CLTWG 编号：C894171
    封装：LFPAK-8
    品牌：onsemi(安森美)
    适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，采用 5x6mm LFPAK 封装且具有较高的热性能。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，且符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于需要更高板级可靠性的汽车应用。
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    1个N沟道 耐压:80V 电流:103A
    型号：NVMFS6H824NT1G 编号：C900472
    封装：SO-8FL
    品牌：onsemi(安森美)
    适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，安装在 5x6mm 扁平引线封装中且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。通过 AEC-Q101 认证 MOSFET 且符合生产件批准程序 (PPAP) ，适用于汽车应用。
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    1个N沟道 耐压:40V 电流:27A 电流:141A
    型号：FDMC8360LET40 编号：C890959
    封装：Power-33-8
    品牌：onsemi(安森美)
    数据手册

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    1个N沟道 耐压:100V 电流:2.7A
    型号：FDC8601 编号：C890876
    封装：SSOT-6
    品牌：onsemi(安森美)
    此N沟道MOSFET采用先进的PowerTrench®工艺制造，集成了屏蔽栅技术。该工艺在导通电阻、开关性能和耐用性方面进行了优化。
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    N沟道 耐压:30V 电流:136A
    型号：NTMFS4C03NT1G 编号：C179624
    封装：SO-8FL
    品牌：onsemi(安森美)
    功率 MOSFET，30 V，136A，2.1 mΩ，单 N 沟道，SO?8FL
    数据手册

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    1个N沟道 耐压:60V 电流:25A
    型号：NVMFS5C682NLWFAFT1G 编号：C604619
    封装：SO-8FL
    品牌：onsemi(安森美)
    适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，安装在 5x6mm 扁平引线封装中且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。AEC-Q101 认证 MOSFET 且具备生产件批准程序(PPAP) 功能，适用于汽车应用。
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    1个N沟道 耐压:60V 电流:150A
    型号：NVMFS5C628NT1G 编号：C900448
    封装：SO-8FL
    品牌：onsemi(安森美)
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    1个N沟道 耐压:100V 电流:43A
    型号：FDMC86160ET100 编号：C890964
    封装：PQFN-8
    品牌：onsemi(安森美)
    此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench工艺生产的，该工艺结合了屏蔽门极技术。此工艺针对低导通电阻进行优化。此器件非常适用于需要在小空间内实现超低 rDS(on) 的应用，如高性能 VRM、POL 和 Oring 功能。
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    1个N沟道 耐压:400V 电流:10.5A
    型号：FQB11N40CTM 编号：C898634
    封装：D2PAK
    品牌：onsemi(安森美)
    这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用专有的平面条状DMOS技术制造。这项先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关模式电源、有源功率因数校正以及基于半桥拓扑结构的电子灯镇流器
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    2个N沟道 耐压:60V 电流:7.5A 26A
    型号：NTMFD5C680NLT1G 编号：C604415
    封装：DFN-8(5x6)
    品牌：onsemi(安森美)
    适用于紧凑和高效设计的工业用功率 MOSFET，采用 5x6 mm 扁平引线封装，具有较高的热性能。
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    1个N沟道 耐压:30V 电流:20A
    型号：FDMC7660 编号：C890943
    封装：Power33-8
    品牌：onsemi(安森美)
    这款N沟道MOSFET采用安森美半导体（ON Semiconductor）先进的PowerTrench®工艺制造，该工艺经过特别优化，可最大程度降低导通电阻。此器件非常适合笔记本电脑和便携式电池组中常见的电源管理和负载开关应用。
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    100V 81A
    型号：FDMS86103L 编号：C605043
    封装：PDFN-8(5.9x5.2)
    品牌：onsemi(安森美)
    此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。
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    1个N沟道 耐压:500V 电流:20A
    型号：FDB20N50F 编号：C898552
    封装：TO-263(D2PAK)
    品牌：onsemi(安森美)
    UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。此 MOSFET 适用于降低导通电阻，提供更好的开关性能以及更高的雪崩能量强度。UniFET FRFET MOSFET 的体二极管的反向恢复性能通过生命周期控制而得到增强。其 trr 小于 100nsec，反向 dv/dt 抗扰度为 15V/ns，而普通 MOSFET 的这两个指标分别为 200nsec 和 4.5V/nsec 以上。因此，在 MOSFET 体二极管的性能非常重要的某些应用中，它可以消除附加组件，提高系统可靠性。此器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。
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    N沟道 100V 50A
    型号：FDP150N10A-F102 编号：C898590
    封装：TO-220
    品牌：onsemi(安森美)
    此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，该工艺适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。
    数据手册

    • 1+

      ￥18.22

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      ￥13.3
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    NVTFWS1D3N04XMTAG
    型号：NVTFWS1D3N04XMTAG 编号：C48614744
    封装：-
    品牌：onsemi(安森美)

    • 1+

      ￥19.56

    • 10+

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    • 100+

      ￥13.11
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    1个N沟道 耐压:60V 电流:48A
    型号：NDP6060L 编号：C158097
    封装：TO-220
    品牌：onsemi(安森美)
    此类 N 沟道逻辑电平增强型电场效应晶体管使用安森美半导体的高单元密度 DMOS 专属工艺生产。此极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻，提供卓越的开关性能，可承受雪崩和换相模式下的高能量脉冲。此类器件尤其适用于需要快速开关、线内低功率损耗和瞬变防止的低压应用，如汽车、DC/DC 转换器、PWM 电机控制和其他电池供电电路。
    数据手册

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      ￥25.26

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  • 有货
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    1个N沟道 耐压:40V 电流:235A
    型号：NVMFS5C426NWFAFT1G 编号：C513056
    封装：SO-8FL
    品牌：onsemi(安森美)
    适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，安装在 5x6mm 扁平引线封装中且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。AEC-Q101 认证 MOSFET 且具备生产件批准程序(PPAP) 功能，适用于汽车应用。
    数据手册

    • 1+

      ￥25.32

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      ￥24.76

    • 30+

      ￥24.38
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    P沟道,电流:-16.5A,耐压:-100V
    型号：FQP17P10 编号：C243080
    封装：TO-220-3
    品牌：onsemi(安森美)
    此 P 沟道增强型功率 MOSFET 是使用平面条纹和 DMOS 专属技术生产的。此先进 MOSFET 技术适用于降低导通电阻，提供卓越的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。
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    • 1+

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      ￥24.4
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    1个N沟道 耐压:250V 电流:69A
    型号：FDA69N25 编号：C455144
    封装：TO-3PN
    品牌：onsemi(安森美)
    UniFET MOSFET 基于平面条纹和 DMOS 技术，是一种高压 MOSFET 系列。该 MOSFET 旨在降低导通电阻，提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度。该器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示器 (FPD) 电视电源、ATX 和电子灯镇流器。
    数据手册

    • 1+

      ￥29.63

    • 10+

      ￥25.11

    • 30+

      ￥22.42
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:60V 电流:150A
    型号：NVMFS5C628NLAFT1G 编号：C604608
    封装：SO-8FL
    品牌：onsemi(安森美)
    适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，安装在 5x6mm 扁平引线封装中且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。AEC-Q101 认证 MOSFET 且具备生产件批准程序(PPAP) 功能，适用于汽车应用。
    数据手册

    • 1+

      ￥35.24

    • 10+

      ￥29.91

    • 30+

      ￥26.74
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:600V
    型号：NTMT061N60S5F 编号：C5208920
    封装：TDFN4-2(8x8)
    品牌：onsemi(安森美)
    数据手册

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      ￥38.24

    • 10+

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    • 30+

      ￥36.78
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:650V 电流:40A
    型号：NTMT064N65S3H 编号：C894054
    封装：TDFN-4(8x8)
    品牌：onsemi(安森美)
    SUPERFET III MOSFET是全新的高压超结（SJ）MOSFET系列，采用电荷平衡技术，具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。这项先进技术旨在最大程度降低传导损耗、提供卓越的开关性能，并能承受极高的dv/dt速率。因此，SUPERFET III FAST MOSFET适用于各种AC/DC电源转换，有助于实现系统小型化和提高效率
    数据手册

    • 1+

      ￥54.77

    • 10+

      ￥47.1

    • 30+

      ￥42.43
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    1个P沟道 耐压:60V 电流:100A
    型号：NVMFS5A160PLZWFT1G 编号：C900419
    封装：SO-8FL
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：小尺寸封装（5 x 6 mm），适合紧凑设计。 低导通电阻RDS(on)，可降低传导损耗。 具有可焊侧翼选项，便于光学检测。 通过AEC-Q101认证，可提供生产件批准程序文件。 无铅且符合RoHS标准
    数据手册

    • 1+

      ￥75.2879 ￥112.37

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      ￥62.1471 ￥109.03

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      ￥51.2441 ￥109.03
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    1个N沟道 耐压:30V 电流:2.5A
    型号：NVTR4503NT1G 编号：C184182
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    汽车用功率 MOSFET。30V，2.5A，140 mΩ，单 N 沟道，SOT-23，逻辑电平。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。
    数据手册

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      ￥0.385
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    1个P沟道 耐压:20V 电流:1.3A
    型号：FDN336P 编号：C10882
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    此P沟道2.5V额定MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持低栅极电荷以获得卓越开关性能而定制的。 此类器件非常适合便携式电子应用： 负载开关和功率管理、电池充电电路和DC/DC转换。
    数据手册

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    1个N沟道 耐压:25V 电流:1A
    型号：NTJS4405NT1G 编号：C894004
    封装：SC-88
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：先进的平面技术，实现快速开关、低RDS(on)，提高效率并延长电池寿命。 通过AEC-Q101认证，具备PPAP能力。 这些器件为无铅产品，符合RoHS标准。应用：升压和降压转换器。 负载开关
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      ￥0.7418

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      ￥0.6482
  • 有货
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    2个N沟道
    型号：EFC4626R-TR 编号：C605383
    封装：BGA-4(1x1)
    品牌：onsemi(安森美)
    EFC4626R 是一款 N 沟道功率 MOSFET，24V，5A，46.2mΩ，双 EFCP。
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