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首页 > 热门关键词 > 安森美MOS驱动
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2个N沟道 耐压:20V 电流:700mA
型号：FDG6317NZ 编号：C512896
封装：SC-70-6
品牌：onsemi(安森美)
此双 N 沟道 MOSFET 专为提高 DC/DC 转换器的总体效能而设计，可以使用同步开关 PWM 控制器，也可以使用传统开关 PWM 控制器。它采用小型封装，非常适合用于小型开关稳压器，提供极低的 RDS(ON) 和门极电荷 (QG)。
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    ￥2.3058 ￥3.66

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    ￥1.8774 ￥2.98

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    1个N沟道 耐压:30V 电流:52A
    型号：NTTFS4C08NTAG 编号：C154587
    封装：WDFN-8(3.3x3.3)
    品牌：onsemi(安森美)
    功率 MOSFET，30V，52A，单 N 沟道，?8FL
    数据手册

    • 1+

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      ￥1.27
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    1个N沟道 耐压:30V 电流:8A
    型号：FDC8884 编号：C3280211
    封装：SuperSOT-6
    品牌：onsemi(安森美)
    这款N沟道MOSFET采用仙童半导体公司先进的Power Trench®工艺制造，该工艺针对导通电阻（rDS(on)）和开关性能进行了优化。

    • 1+

      ￥2.97

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      ￥2.37

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    NTMFS4C09NCT1G
    型号：NTMFS4C09NCT1G 编号：C34888776
    封装：-
    品牌：onsemi(安森美)

    • 1+

      ￥3.01

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      ￥2.86
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    2个N沟道 耐压:20V 电流:1.2A
    型号：FDG1024NZ 编号：C258210
    封装：SC-88-6
    品牌：onsemi(安森美)
    此双 N 沟道逻辑电平增强型场效应晶体管是使用高单元密度的 DMOS 专属技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻。此器件是专为在低压应用中替代双极数字晶体管和小信号 MOSFET 而设计的。因为无需偏置电阻，所以此类双数字 FET 可以替代若干具有各种偏置电阻值的数字晶体管。
    数据手册

    • 1+

      ￥3.17

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    1个N沟道 耐压:500V 电流:4A
    型号：FDD5N50NZTM 编号：C903576
    封装：TO-252AA
    品牌：onsemi(安森美)
    UniFETTM II MOSFET 是基于先进的平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。此先进的 MOSFET 系列在平面 MOSFET 中具有最小的导通电阻，同时可提供卓越的开关性能和更高的雪崩能量强度。另外，内部门极电源 ESD 二极管使得 UniFET II MOSFET 可承受 2kV 以上的 HBM 电涌应力。此器件系列适用于开关电力转换器应用，如功率系数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。
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      ￥3.19

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    1个P沟道 耐压:60V 电流:340mA
    型号：NDC7003P 编号：C274603
    封装：TSOT-23-6
    品牌：onsemi(安森美)
    此类双 P 沟道增强型场效应晶体管是使用安森美半导体的专属沟槽技术生产的。这种极高密度工艺可最大程度地降低导通电阻，提供了坚固可靠的性能和快速的开关。此产品尤其适用于需要低电流高压侧开关的低压应用。
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      ￥3.46

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    1个N沟道 耐压:60V 电流:17A
    型号：NTMFS5C670NLT3G 编号：C184922
    封装：DFN-5(5.9x4.9)
    品牌：onsemi(安森美)
    功率 MOSFET，60V，6.7 m，68 A，单 N 沟道
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      ￥3.5

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      ￥2.77

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      ￥2.46
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    1个N沟道 耐压:20V 电流:3A
    型号：FDN339AN 编号：C24552
    封装：SOT-23-3
    品牌：onsemi(安森美)
    此 N 沟道 2.5V 指定 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持低门极电荷，实现卓越的开关性能。
    数据手册

    • 1+

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      ￥2.61
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    1个N沟道 耐压:200V 电流:5.5A
    型号：FQD7N20LTM 编号：C463488
    封装：DPAK
    品牌：onsemi(安森美)
    此 N 沟道增强型功率 MOSFET 是使用平面条纹和 DMOS 专属工艺生产的。此先进 MOSFET 技术适用于降低导通电阻，提供卓越的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正 (PFC) 和电子灯镇流器。
    数据手册

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      ￥3.82

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    1个N沟道 耐压:30V 电流:18A
    型号：FDMC7692S 编号：C241798
    封装：MLP(3.3x3.3)
    品牌：onsemi(安森美)
    FDMC7692S 使用先进的 PowerTrench 工艺生产，特别适用于最大程度降低导通电阻。此器件适用于笔记本电脑和便携式电池组中常见的功率和负载开关应用。
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    1个N沟道 耐压:30V 电流:11.9A
    型号：NTMFS4C024NT1G 编号：C411201
    封装：SO-8-FL-5.8mm
    品牌：onsemi(安森美)
    NTMFS4C024N 是一款 30 V，78 A，单 N 沟道功率 MOSFET。
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      ￥4.06

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      ￥2.89
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    1个N沟道 耐压:600V 电流:2.8A
    型号：FQU5N60CTU 编号：C352875
    封装：TO-251-3L
    品牌：onsemi(安森美)
    此N沟道增强型功率MOSFET采用专有平面条纹和DMOS技术生产。这种先进的MOSFET技术经过特别设计，可降低导通电阻，并提供出色的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正（PFC）和电子灯镇流器。
    数据手册

    • 1+

      ￥4.5091 ￥6.73

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      ￥2.613 ￥3.9
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    1个N沟道 耐压:150V 电流:1.4A
    型号：FDC2512 编号：C154516
    封装：SuperSOT-6
    品牌：onsemi(安森美)
    N沟道,150V,1.4A,425mΩ@4.5V
    数据手册

    • 1+

      ￥4.7

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      ￥3.82

    • 30+

      ￥3.38
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    耐压:60V 电流:22A
    型号：SVD5867NLT4G 编号：C889916
    封装：TO-252(DPAK)
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：低RDS(on)以最小化传导损耗。 高电流能力。 规定雪崩能量。 通过AEC-Q101认证且具备PPAP能力。 这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂且符合RoHS标准

    • 1+

      ￥4.98

    • 10+

      ￥4.06

    • 30+

      ￥3.6
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    1个N沟道 耐压:75V 电流:14A
    型号：FDB3502 编号：C898556
    封装：TO-263AB
    品牌：onsemi(安森美)
    此N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的Power Trench工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越开关性能而定制的。
    数据手册

    • 1+

      ￥4.9956 ￥10.86

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      ￥4.1768 ￥9.08

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      ￥3.726 ￥8.1

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      ￥2.9946 ￥6.51

    • 800+

      ￥2.8934 ￥6.29
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:30V 电流:12.5A
    型号：FDS6680A 编号：C87668
    封装：SO-8
    品牌：onsemi(安森美)
    此 N 沟道逻辑电平 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。此类器件非常适用于要求线内低功率损耗和快速开关的低压和电池供电应用。
    数据手册

    • 1+

      ￥5.15

    • 10+

      ￥4.18

    • 30+

      ￥3.69
  • 有货
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    1个P沟道 耐压:60V 电流:12A
    型号：FQD17P06TM 编号：C236915
    封装：DPAK
    品牌：onsemi(安森美)
    此 P 沟道增强型功率 MOSFET 是使用平面条纹和 DMOS 专属技术生产的。此先进 MOSFET 技术适用于降低导通电阻，提供卓越的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。
    数据手册

    • 1+

      ￥5.38

    • 10+

      ￥5.26

    • 30+

      ￥5.19
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:40V 电流:51A
    型号：NVTFS5C466NLTAG 编号：C604641
    封装：WDFN-5(3.3x3.3)
    品牌：onsemi(安森美)
    适用于紧凑和高能效设计的汽车用功率 MOSFET，采用 3x3mm 扁平引线封装且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。
    数据手册

    • 1+

      ￥6.28

    • 10+

      ￥6.13

    • 30+

      ￥6.04
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:30V 电流:5A
    型号：FDMA430NZ 编号：C388425
    封装：VDFN-6(2x2)
    品牌：onsemi(安森美)
    此单 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 Power Trench 工艺设计的，可基于特制的 MicroFET 引线框架优化 RDS(on) @VGS=2.5V。
    数据手册

    • 1+

      ￥6.34

    • 10+

      ￥5.1

    • 30+

      ￥4.48
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:100V 电流:29A
    型号：FDD3860 编号：C903564
    封装：TO-252
    品牌：onsemi(安森美)
    此零部件采用专有的高密度沟槽 MOSFET 工艺，专门针对低 rDS(on) 和低 Qg 外形而设计，其雪崩坚固性适用于各种开关应用。
    数据手册

    • 1+

      ￥6.66

    • 10+

      ￥6.49

    • 30+

      ￥6.38
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:30V 电流:78A
    型号：NTMFS4C05NT1G 编号：C352880
    封装：SO-8FL
    品牌：onsemi(安森美)
    功率 MOSFET，30 V，78 A，单 N 沟道，SO?8 FL
    数据手册

    • 1+

      ￥6.69

    • 10+

      ￥5.48

    • 30+

      ￥4.88
  • 有货
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    2个P沟道 耐压:20V 电流:3.1A
    型号：FDMA1029PZ 编号：C10872
    封装：MicroFET(2x2)
    品牌：onsemi(安森美)
    此器件专门设计为手机和其他超便携应用中电池充电开关的单封装解决方案。它具有两个独立的 P 沟道 MOSFET，且均具有低导通电阻，可实现最低的导电损耗。在典型的共源配置中连接时，可以实现双向电流流动。MicroFET 2x2 封装对于其物理尺寸来说提供了卓越的热性能，非常适合线性模式应用。
    数据手册

    • 1+

      ￥6.87

    • 10+

      ￥5.58

    • 30+

      ￥4.94
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:60V 电流:93A
    型号：NTMFS5C646NT1G 编号：C900311
    封装：DFN-5(5.9x4.9)
    品牌：onsemi(安森美)
    数据手册

    • 1+

      ￥7.02

    • 10+

      ￥6.84

    • 30+

      ￥6.72
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:100V 电流:16A 电流:4.1A
    型号：NTTFS080N10GTAG 编号：C5208128
    封装：WDFN-8
    品牌：onsemi(安森美)
    数据手册

    • 1+

      ￥7.24

    • 10+

      ￥7.06

    • 30+

      ￥6.94
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:60V 电流:9A
    型号：NTD3055-150T4G 编号：C242413
    封装：DPAK
    品牌：onsemi(安森美)
    适用于电源、转换器、功率电机控制和桥式电路中的低压高速开关应用。
    数据手册

    • 1+

      ￥7.59

    • 10+

      ￥6.35

    • 30+

      ￥5.66
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:60V 电流:22.7A
    型号：FQD30N06TM 编号：C903732
    封装：TO-252AA
    品牌：onsemi(安森美)
    此 N 沟道增强型功率 MOSFET 使用平面条纹和 DMOS 专属工艺生产。此先进 MOSFET 工艺适用于降低导通电阻，提供卓越的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。
    数据手册

    • 1+

      ￥7.77

    • 10+

      ￥7.6

    • 30+

      ￥7.49
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:40V 电流:59A
    型号：NVD5C464NT4G 编号：C887737
    封装：DPAK
    品牌：onsemi(安森美)
    适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，采用 DPAK 封装，且具有较高的热性能。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，且符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。
    数据手册

    • 1+

      ￥8.53

    • 10+

      ￥6.99

    • 30+

      ￥6.14

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      ￥5.18
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    2个N沟道 耐压:60V 电流:11A 42A
    型号：NTMFD5C674NLT1G 编号：C604414
    封装：DFN-8(5x6)
    品牌：onsemi(安森美)
    适用于紧凑和高效设计的工业用功率 MOSFET，采用 5x6 mm 扁平引线封装，且具有较高的热性能。
    数据手册

    • 1+

      ￥9.15

    • 10+

      ￥7.61

    • 30+

      ￥6.76
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:60V 电流:155A
    型号：NTD5C632NLT4G 编号：C5205589
    封装：DPAK
    品牌：onsemi(安森美)
    数据手册

    • 1+

      ￥10.03

    • 10+

      ￥8.52

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