安森美MOS驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：NVMFS027N10MCLT1G 编号：C3277726

封装：DFN-5(5x6)(SO-8FL)

品牌：onsemi(安森美)

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1+
￥13.59
10+
￥11.58
30+
￥10.33

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型号：NVMFS5C426NLT1G 编号：C900425

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，安装在 5x6mm 扁平引线封装中且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。通过 AEC-Q101 认证 MOSFET 且符合生产件批准程序 (PPAP) ，适用于汽车应用。

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1+
￥14.112 ￥16.8
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￥10.2016 ￥15.94

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型号：NVMFS5C430NLAFT1G 编号：C604596

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，安装在 5x6mm 扁平引线封装中且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。AEC-Q101 认证 MOSFET 且具备生产件批准程序(PPAP) 功能，适用于汽车应用。

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1+
￥14.78
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￥12.4
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型号：FDP61N20 编号：C364876

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。此 MOSFET 适用于降低导通电阻，提供更佳的开关性能以及更高的雪崩能量强度。此器件系列适用于开关电力转换器应用，如功率系数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。

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￥15.0212 ￥22.09
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￥13.1784 ￥19.38
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￥12.0836 ￥17.77
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500+
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￥10.234 ￥15.05

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型号：FQP6N80C 编号：C462766

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道增强型功率 MOSFET 是使用安森美半导体的平面条纹和 DMOS 专属工艺生产的。此先进 MOSFET 技术适用于降低导通电阻，提供卓越的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正 (PFC) 和电子灯镇流器。

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￥15.6212 ￥15.94
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￥12.1 ￥13.75
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￥9.6564 ￥12.38
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￥8.5566 ￥10.97
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￥8.0652 ￥10.34
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￥7.8468 ￥10.06

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型号：FDMS86300 编号：C512898

封装：PQFN-8(5x6)

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 专为提高 DC/DC 转换器的总效率以及最大程度降低其开关节点噪声而设计，可以使用同步开关 PWM 控制器，也可以使用传统开关 PWM 控制器。它经过了优化，可实现低门极电荷、低 RDS(ON)、快速开关和体二极管反向恢复功能。

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￥17.2272 ￥17.76
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￥13.2066 ￥15.18
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￥10.4412 ￥13.56
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￥9.1707 ￥11.91
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￥8.5932 ￥11.16
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￥8.3468 ￥10.84

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型号：FDA18N50 编号：C424492

封装：TO-3PN

品牌：onsemi(安森美)

UniFET MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。该 MOSFET 旨在降低导通电阻，提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度。该器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示器 (FPD) 电视电源、ATX 和电子灯镇流器。

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1+
￥17.41
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￥14.79
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￥12
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￥9.56
990+
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型号：FDB20N50F 编号：C898552

封装：TO-263(D2PAK)

品牌：onsemi(安森美)

UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。此 MOSFET 适用于降低导通电阻，提供更好的开关性能以及更高的雪崩能量强度。UniFET FRFET MOSFET 的体二极管的反向恢复性能通过生命周期控制而得到增强。其 trr 小于 100nsec，反向 dv/dt 抗扰度为 15V/ns，而普通 MOSFET 的这两个指标分别为 200nsec 和 4.5V/nsec 以上。因此，在 MOSFET 体二极管的性能非常重要的某些应用中，它可以消除附加组件，提高系统可靠性。此器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。

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1+
￥18.07
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型号：NVMFD5C672NLWFT1G 编号：C900397

封装：DFN-8(4.9x5.9)

品牌：onsemi(安森美)

适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，采用 5x6mm 扁平引线封装，具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。通过 AEC-Q101 认证 MOSFET 且符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。

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1+
￥18.2
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￥17.73
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￥17.41

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型号：FDPF51N25 编号：C464165

封装：TO-220F

品牌：onsemi(安森美)

UniFET MOSFET 基于平面条纹和 DMOS 技术。该 MOSFET 旨在降低导通电阻，提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度。该器件系列适用于开关功率转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示器 (FPD) 电视电源、ATX 和电子灯镇流器。

1+
￥18.62
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￥15.94
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￥13.59

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型号：FDMC007N08LCDC 编号：C890917

封装：PQFN-8(3.3x3.3)

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MV MOSFET 使用先进的 PowerTrench工艺生产，该工艺结合了屏蔽门极技术。此工艺经过了优化，可最大程度降低导通电阻，同时可保持业内最佳的软体二极管。

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1+
￥20.6323 ￥34.97
10+
￥14.8666 ￥30.34
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￥10.7328 ￥27.52
100+
￥9.8085 ￥25.15

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型号：NVMFD5C446NLT1G 编号：C900385

封装：DFN-8(4.9x5.9)

品牌：onsemi(安森美)

适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，安装在 5x6mm 扁平引线封装中且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。AEC-Q101 认证 MOSFET 且具备生产件批准程序(PPAP) 功能，适用于汽车应用。

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1+
￥20.92
10+
￥18.5549 ￥20.39
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￥16.2243 ￥20.03
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￥15.9327 ￥19.67

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型号：FDMS86200DC 编号：C605044

封装：PDFN-8(5.2x6.2)

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，该工艺结合了屏蔽门极技术。同时结合了硅和 Dual Cool 封装技术的发展进步，可提供最低的 rDS(on)，同时利用极低的结到环境热阻保持出色的开关性能。

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1+
￥21.4268 ￥23.29
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￥18.6796 ￥22.78
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￥16.164 ￥22.45
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￥15.9192 ￥22.11

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型号：FCB20N60TM 编号：C330104

封装：D2PAK

品牌：onsemi(安森美)

SuperFET MOSFET 是第一代高压超结 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻，以及更低门极电荷方面的出色性能。此技术专用于最大程度降低导通损耗，提供出色的开关性能、dv/dt 速率和更高的雪崩能量。因此，SuperFET MOSFET 非常适用于开关电源应用，如 PFC、服务器/电信电源、FPD TV 电源、ATX 电源和工业电源应用。

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1+
￥22.36
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￥21.83
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￥20.86

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型号：NTMFSC4D2N10MC 编号：C2902298

封装：DFN-8(5.1x6.2)

品牌：onsemi(安森美)

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1+
￥23.79
10+
￥20.54
30+
￥18.61
100+
￥16.66
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￥15.76
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￥15.35

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型号：NTMFS10N3D2C 编号：C606046

封装：PQFN-8

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MV MOSFET 是使用安森美半导体先进的 Power Trench 工艺生产的，该工艺结合了屏蔽门极技术。此工艺经过了优化，可最大程度降低导通电阻，同时可保持卓越的开关性能，以及业内最佳的软体二极管。

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1+
￥33.291 ￥41.1
10+
￥28.4355 ￥40.05
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￥24.0035 ￥39.35
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￥23.5765 ￥38.65

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型号：NVMFS5C628NLAFT1G 编号：C604608

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，安装在 5x6mm 扁平引线封装中且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。AEC-Q101 认证 MOSFET 且具备生产件批准程序(PPAP) 功能，适用于汽车应用。

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1+
￥35.48
10+
￥30.15
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￥26.98

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型号：FDMS86350ET80 编号：C891098

封装：Power-56-8

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 使用先进的 PowerTrench 工艺生产，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。

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￥45.3102 ￥58.09
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￥38.4384 ￥49.28
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￥35.1156 ￥45.02
100+
￥32.331 ￥41.45

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型号：FDB2710 编号：C258154

封装：D2PAK-3

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 是使用 PowerTrench 工艺生产的，该工艺适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。

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1+
￥47.61 ￥79.35
10+
￥34.42 ￥68.84
30+
￥24.976 ￥62.44
100+
￥22.828 ￥57.07

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型号：FDMS8090 编号：C605039

封装：Power-56

品牌：onsemi(安森美)

此器件采用双 Power 56 (5 mm X 6 mm MLP) 封装，其中包含两个快速开关（Qgd 最小）100V N 沟道 MOSFET。该封装经过增强，具有出色的热性能。

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1+
￥47.8
10+
￥40.68
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￥36.34

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型号：NTBL050N65S3H 编号：C2902059

封装：HPSOF-8

品牌：onsemi(安森美)

SUPERFET III MOSFET是全新的高压超结（SJ）MOSFET系列，采用电荷平衡技术，具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。这项先进技术旨在最大程度降低传导损耗，提供卓越的开关性能，并能承受极高的dv/dt速率。因此，SUPERFAST III快速MOSFET系列有助于缩小各类电源系统的体积并提高系统效率

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1+
￥54.15
10+
￥47.574 ￥52.86
30+
￥41.6 ￥52
100+
￥40.904 ￥51.13

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型号：NTHL040N65S3HF 编号：C604405

封装：TO-247

品牌：onsemi(安森美)

SUPERFET III MOSFET是全新的高压超结（SJ）MOSFET系列，采用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。这项先进技术旨在最大限度地降低传导损耗、提供卓越的开关性能并承受极高的dv/dt速率。因此，SUPERFET III MOSFET非常适合用于追求小型化和更高效率的各类电源系统

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1+
￥131.95
10+
￥116.5073 ￥128.03
12+
￥103.7043 ￥128.03

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型号：NTZD3154NT1G 编号：C145189

封装：SOT-563

品牌：onsemi(安森美)

这是一个 20 V N 沟道功率 MOSFET。

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24000+
￥0.4572
48000+
￥0.44958
96000+
￥0.43815
192000+
￥0.4191

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型号：NTUD3170NZT5G 编号：C145188

封装：SOT-963-6

品牌：onsemi(安森美)

小信号 MOSFET，20V，280mA，1.5Ω，双 N 沟道，SOT-963，带 ESD 防护

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5+
￥0.7535
50+
￥0.7357
150+
￥0.7239

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型号：NTTFS5C680NLTAG 编号：C900359

封装：WDFN-8-EP(3.3x3.3)

品牌：onsemi(安森美)

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5+
￥0.9182
50+
￥0.8978
150+
￥0.8842

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型号：FDY102PZ 编号：C467787

封装：SC-89-3

品牌：onsemi(安森美)

此单 P 沟道 MOSFET 是使用先进的 Power Trench 工艺设计的，可优化 rDS(on)@VGS = –1.5 V。

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5+
￥1.2575
50+
￥0.983
150+
￥0.8654
500+
￥0.7186
3000+
￥0.6533
6000+
￥0.614

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型号：FDC610PZ 编号：C241761

封装：SuperSOT-6

品牌：onsemi(安森美)

此 P 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持低门极电荷，实现卓越的开关性能。此类器件非常适用于电池电源应用：负载开关和电力管理、电池充电电路和 DC/DC 转换。

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1+
￥1.27
10+
￥1.24
30+
￥1.21

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型号：BS170-D26Z 编号：C258163

封装：TO-92-3

品牌：onsemi(安森美)

MOSFET，小信号，500 mA，60 V

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5+
￥1.5936
50+
￥1.264
150+
￥1.1227

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型号：FDC608PZ 编号：C890872

封装：SSOT-6

品牌：onsemi(安森美)

这款指定 2.5 V 的 P 沟道 MOSFET 采用安森美半导体（onsemi）先进的 POWERTRENCH 工艺制造，该工艺经过特别优化，可最大限度降低导通电阻，同时保持较低的栅极电荷，以实现卓越的开关性能。这些器件非常适合电池供电应用，如负载开关和电源管理、电池供电电路以及直流 - 直流转换。

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1+
￥1.72
10+
￥1.68
30+
￥1.66

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型号：FDN340P 编号：C3277832

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

P-Channel Logic Level MOSFET采用先进的Power Trench工艺，可最小化导通电阻，同时保持低栅极电荷，以实现卓越的开关性能。该器件适用于便携式电子应用，包括负载开关和电源管理、电池充电电路以及DC/DC转换。

5+
￥1.9361
50+
￥1.5213
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￥1.3435
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