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首页 > 热门关键词 > 安森美MOS驱动
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1个N沟道 耐压:650V 电流:65A
型号：NTHL040N65S3HF 编号：C604405
封装：TO-247
品牌：onsemi(安森美)
SUPERFET III MOSFET是全新的高压超结（SJ）MOSFET系列，采用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。这项先进技术旨在最大限度地降低传导损耗、提供卓越的开关性能并承受极高的dv/dt速率。因此，SUPERFET III MOSFET非常适合用于追求小型化和更高效率的各类电源系统
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  • 1+

    ￥124.033 ￥131.95

  • 10+

    ￥107.5452 ￥128.03

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    ￥94.7422 ￥128.03
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    1个N沟道 耐压:60V 电流:260mA
    型号：2N7002ET7G 编号：C894768
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：低导通电阻（RDS(on)）。 小尺寸表面贴装封装。 沟槽技术。 S前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用；符合AEC-Q101标准，具备生产件批准程序（PPAP）能力。 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂（BFR），符合RoHS标准。应用：低端负载开关。 电平转换电路
    数据手册

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      ￥0.144

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      ￥0.1408

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      ￥0.1387
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    1个N沟道 耐压:20V 电流:6.2A
    型号：FDC637BNZ 编号：C68302
    封装：SSOT-6
    品牌：onsemi(安森美)
    此 N 沟道 2.5V 指定 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持低门极电荷，实现出色的开关性能。这些器件具有出色的功率耗散，与较大的 SO-8 和 TSSOP-8 封装相比，占位非常小。
    数据手册

    • 5+

      ￥0.8649

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      ￥0.6825

    • 150+

      ￥0.5913
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    1个N沟道 耐压:60V 电流:20A
    型号：NTTFS5C680NLTAG 编号：C900359
    封装：WDFN-8-EP(3.3x3.3)
    品牌：onsemi(安森美)
    数据手册

    • 5+

      ￥0.9182

    • 50+

      ￥0.8978

    • 150+

      ￥0.8842
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    1个N沟道 耐压:25V
    型号：NVS4409NT1G 编号：C894206
    封装：SOT-323
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：先进的平面技术，实现快速开关和低RDS(on)。 更高的效率，延长电池寿命。 通过AEC-Q101认证，具备PPAP能力。 这些器件为无铅产品，符合RoHS标准。应用：升压和降压转换器。 负载开关
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      ￥0.39744 / 个
    我要订货
    1个P沟道 耐压:30V 电流:4.9A
    型号：FDC610PZ 编号：C241761
    封装：SuperSOT-6
    品牌：onsemi(安森美)
    此 P 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持低门极电荷，实现卓越的开关性能。此类器件非常适用于电池电源应用：负载开关和电力管理、电池充电电路和 DC/DC 转换。
    数据手册

    • 1+

      ￥1.27

    • 10+

      ￥1.24

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      ￥1.21

    • 100+

      ￥1.19
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    1个N沟道 耐压:20V 电流:3.6A
    型号：NTR3C21NZT1G 编号：C894084
    封装：SOT-23-3
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：先进的沟槽技术。 SOT-23封装下的超低RDS(on)。 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂，符合RoHS标准。应用：功率负载开关。 电源管理
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      ￥1.8899

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      ￥1.4867

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      ￥1.3139
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    1个N沟道 耐压:100V 电流:2.6A
    型号：FDC3612 编号：C111970
    封装：SuperSOT-6
    品牌：onsemi(安森美)
    此 N 沟道 MOSFET 专为提高 DC/DC 转换器的总效率而设计，可以使用同步开关 PWM 控制器，也可以使用传统开关 PWM 控制器。它经过了优化，可实现低门极电荷、低 RDS(ON) 和快速开关。
    数据手册

    • 单价：

      ￥1.44672 / 个
    我要订货
    双路N沟道和P沟道数字场效应晶体管
    型号：FDC6321C 编号：C890873
    封装：TSOT-23-6
    品牌：onsemi(安森美)
    这些双N和P沟道逻辑电平增强型场效应晶体管采用专有、高单元密度的DMOS技术生产。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。该器件专为低压应用而设计，可替代负载开关应用中的数字晶体管。由于不需要偏置电阻，这种双数字FET可以替代多个具有不同偏置电阻的数字晶体管。
    数据手册

    • 1+

      ￥2.64

    • 10+

      ￥2.05

    • 30+

      ￥1.8

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    1个P沟道 耐压:20V 电流:7.8A
    型号：FDMA507PZ 编号：C890900
    封装：VDFN-6(2x2)
    品牌：onsemi(安森美)
    此器件专门针对手机和其他超便携应用中的电池充电或负载开关而设计。它具有一个带有低导通电阻的 MOSFET。MicroFET 2X2 封装对于其物理尺寸来说提供了卓越的热性能，非常适合线性模式应用。
    数据手册

    • 1+

      ￥2.87

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      ￥2.8

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    1个N沟道 耐压:30V 电流:8A
    型号：FDC8884 编号：C3280211
    封装：SuperSOT-6
    品牌：onsemi(安森美)
    这款N沟道MOSFET采用仙童半导体公司先进的Power Trench®工艺制造，该工艺针对导通电阻（rDS(on)）和开关性能进行了优化。

    • 1+

      ￥2.97

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      ￥2.37

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      ￥1.66
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    NTMFS4C09NCT1G
    型号：NTMFS4C09NCT1G 编号：C34888776
    封装：-
    品牌：onsemi(安森美)

    • 1+

      ￥3.01

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      ￥2.94

    • 30+

      ￥2.9

    • 100+

      ￥2.86
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    耐压:30V 电流:20A
    型号：FDMC6675BZ 编号：C890937
    封装：WDFN-8(3.3x3.3)
    品牌：onsemi(安森美)
    FDMC6675BZ专为最大限度降低负载开关应用中的损耗而设计。它结合了硅技术和封装技术的先进成果，可提供极低的导通电阻RDS(on)和静电放电（ESD）保护。

    • 1+

      ￥3.16

    • 10+

      ￥3.08

    • 30+

      ￥3.03

    • 100+

      ￥2.97
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    2个N沟道 耐压:20V 电流:3.5A
    型号：NTGD3148NT1G 编号：C77713
    封装：TSOP-6
    品牌：onsemi(安森美)
    功率 MOSFET，双 N 沟道，20V，70mΩ，TSOP6 封装
    数据手册

    • 1+

      ￥3.21

    • 10+

      ￥2.56

    • 30+

      ￥2.23

    • 100+

      ￥1.91
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    1个N沟道 耐压:60V 电流:17A
    型号：NTMFS5C670NLT3G 编号：C184922
    封装：DFN-5(5.9x4.9)
    品牌：onsemi(安森美)
    功率 MOSFET，60V，6.7 m，68 A，单 N 沟道
    数据手册

    • 1+

      ￥3.55

    • 10+

      ￥2.82

    • 30+

      ￥2.51
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    1个P沟道 耐压:30V 电流:18A
    型号：FDMC4435BZ 编号：C556450
    封装：WDFN-8(3.3x3.3)
    品牌：onsemi(安森美)
    这一P沟道MOSFET器件采用飞兆半导体的高级PowerTrench工艺生产，该工艺专为最大限度地降低通态电阻而量身定制。 该器件非常适用于笔记本电脑和便携式电池组中的功率管理和负载开关应用。
    数据手册

    • 1+

      ￥4

    • 10+

      ￥3.92

    • 30+

      ￥3.88
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    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:60V
    型号：NVTFS5124PLTAG 编号：C606162
    封装：WDFN-8(3x3)
    品牌：onsemi(安森美)
    适用于紧凑和高能效设计的汽车用功率 MOSFET，采用 3x3mm 扁平引线封装且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。
    数据手册

    • 1+

      ￥4.01

    • 10+

      ￥3.22

    • 30+

      ￥2.83
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    1个N沟道 耐压:200V 电流:9A
    型号：FQD12N20LTM 编号：C241837
    封装：DPAK
    品牌：onsemi(安森美)
    此 N 沟道增强型功率 MOSFET 是使用平面条纹和 DMOS 专属技术生产的。此先进 MOSFET 技术适用于降低导通电阻，提供卓越的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、有源功率系数校正 (PFC) 和电子灯镇流器。
    数据手册

    • 1+

      ￥4.22

    • 10+

      ￥3.44

    • 30+

      ￥3.05
  • 有货
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    1个P沟道 耐压:30V 电流:18A
    型号：FDMS4435BZ 编号：C352873
    封装：PQFN-8(5x6)
    品牌：onsemi(安森美)
    此 P 沟道 MOSFET 是使用先进的 Power Trench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻。此器件适用于笔记本电脑和便携式电池组中常见的电源管理和负载开关应用。
    数据手册

    • 1+

      ￥4.32

    • 10+

      ￥3.51

    • 30+

      ￥3.11
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    EFC2J004NUZTDG
    型号：EFC2J004NUZTDG 编号：C606011
    封装：WLCSP-6
    品牌：onsemi(安森美)
    数据手册

    • 1+

      ￥4.83

    • 10+

      ￥4.72

    • 30+

      ￥4.65
  • 有货
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    耐压:40V 电流:52A
    型号：NVMFS5C466NLT1G 编号：C604603
    封装：SO-8FL
    品牌：onsemi(安森美)
    适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，安装在 5x6mm 扁平引线封装中且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。AEC-Q101 认证 MOSFET 且具备生产件批准程序(PPAP) 功能，适用于汽车应用。
    数据手册

    • 1+

      ￥4.86

    • 10+

      ￥4.75

    • 30+

      ￥4.68

    • 100+

      ￥4.6
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    FDMS86183
    型号：FDMS86183 编号：C891093
    封装：Power-56-8
    品牌：onsemi(安森美)
    此 N 沟道 MV MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，该工艺结合了屏蔽门极技术。此工艺经过了优化，可最大程度降低导通电阻，同时使用业内最佳的软体二极管来保持出色的开关性能。
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    • 1+

      ￥5.08

    • 10+

      ￥4.96

    • 30+

      ￥4.88
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:30V 电流:12.5A
    型号：FDS6680A 编号：C87668
    封装：SO-8
    品牌：onsemi(安森美)
    此 N 沟道逻辑电平 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。此类器件非常适用于要求线内低功率损耗和快速开关的低压和电池供电应用。
    数据手册

    • 1+

      ￥5.15

    • 10+

      ￥4.18

    • 30+

      ￥3.69

    • 100+

      ￥3.21
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:30V 电流:19A 28A
    型号：FDMS7672 编号：C463468
    封装：PQFN-8(5x6)
    品牌：onsemi(安森美)
    此 N 沟道 MOSFET 专为提高 DC/DC 转换器的总能效以及最大程度降低其开关节点噪声而设计，可以使用同步开关 PWM 控制器，也可以使用传统开关 PWM 控制器。它经过了优化，可实现低门极电荷、低 RDS(ON) 和快速开关。
    数据手册

    • 1+

      ￥5.77

    • 10+

      ￥4.69

    • 30+

      ￥4.15

    • 100+

      ￥3.61

    • 500+

      ￥2.9

    • 1000+

      ￥2.73
  • 有货
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    耐压:30V 电流:5A
    型号：FDS8958A 编号：C2931003
    封装：SOIC-8
    品牌：onsemi(安森美)
    数据手册

    • 1+

      ￥6.48

    • 10+

      ￥5.39

    • 30+

      ￥4.79
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:60V 电流:93A
    型号：NTMFS5C646NT1G 编号：C900311
    封装：DFN-5(5.9x4.9)
    品牌：onsemi(安森美)
    数据手册

    • 1+

      ￥7.27

    • 10+

      ￥7.09

    • 30+

      ￥6.97
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    1个N沟道 耐压:30V 电流:175A
    型号：FDMS8018 编号：C464161
    封装：Power-56-8
    品牌：onsemi(安森美)
    此N沟道MOSFET使用同步或传统的开关PWM控制器，专为提高DC/DC转换器的整体效率并最大限度降低其开关节点振铃噪声而设计。 它已针对低栅极电荷、低r
    数据手册

    • 1+

      ￥7.5

    • 10+

      ￥6.18

    • 30+

      ￥5.46
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:100V 电流:28A
    型号：NVMFS027N10MCLT1G 编号：C3277726
    封装：DFN-5(5x6)(SO-8FL)
    品牌：onsemi(安森美)
    数据手册

    • 1+

      ￥8.65

    • 10+

      ￥8.46

    • 30+

      ￥8.33
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    1个P沟道 耐压:150V 电流:2.2A
    型号：FDS86267P 编号：C556463
    封装：SO-8
    品牌：onsemi(安森美)
    此 P 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，该工艺结合了屏蔽门极技术。此工艺经过了优化，可最大程度降低导通电阻，同时可保持卓越的开关性能。
    数据手册

    • 1+

      ￥8.97

    • 10+

      ￥7.53

    • 30+

      ￥6.74

    • 100+

      ￥5.84
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    1个N沟道 耐压:40V 电流:59A
    型号：NVD5C464NT4G 编号：C887737
    封装：DPAK
    品牌：onsemi(安森美)
    适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，采用 DPAK 封装，且具有较高的热性能。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，且符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。
    数据手册

    • 1+

      ￥9.14

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      ￥7.59

    • 30+

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      ￥5.78
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