安森美MOS驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：FDS8958B 编号：C241821

封装：SO-8

品牌：onsemi(安森美)

此类双 N 和 P 沟道增强型电场效应晶体管是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持出色的开关性能。此类器件非常适用于要求线内低功率损耗和快速开关的低电压和电池供电应用。

数据手册

1+
￥6.84
10+
￥5.2266 ￥5.62
30+
￥4.1583 ￥5.01
100+
￥3.652 ￥4.4
500+
￥3.0461 ￥3.67
1000+
￥2.8884 ￥3.48

有货

立即购买

型号：FCD1300N80Z 编号：C455166

封装：TO-252(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

SuperFET II MOSFET 是全新的高压超结 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻，以及更低门极电荷方面的出色性能。此技术专用于最大程度降低导通损耗，提供出色的开关性能、dv/dt 速率和更高的雪崩能量。另外，内部门极电源 ESD 二极管可承受 2kV 以上的 HBM 浪涌应力。因此，SuperFET II MOSFET 非常适用于开关电源应用，如音频、笔记本电脑适配器、照明、ATX 电源和工业电源应用。

数据手册

1+
￥7.51
10+
￥7.33
30+
￥7.22

有货

立即购买

型号：NVD3055-150T4G-VF01 编号：C887720

封装：TO-252(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

适用于电源、转换器、功率电机控制和桥式电路中的低压高速开关应用的汽车级功率 MOSFET。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。

数据手册

1+
￥7.77
10+
￥6.46
30+
￥5.74

有货

立即购买

型号：NTMFS1D15N03CGT1G 编号：C900266

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

特性：先进封装（5x6mm），具有出色的热传导性能。超低导通电阻（RDS(on)），可提高系统效率。无铅且符合RoHS标准。应用：热插拔应用。功率负载开关

数据手册

1+
￥7.84
10+
￥7.2004 ￥7.66
30+
￥6.3336 ￥7.54
100+
￥5.922 ￥7.05

有货

立即购买

型号：FDMS8018 编号：C464161

封装：Power-56-8

品牌：onsemi(安森美)

此N沟道MOSFET使用同步或传统的开关PWM控制器，专为提高DC/DC转换器的整体效率并最大限度降低其开关节点振铃噪声而设计。它已针对低栅极电荷、低r

数据手册

1+
￥8.02
10+
￥6.7
30+
￥5.98

有货

立即购买

型号：FDMS86320 编号：C463962

封装：Power56-8

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 专为提高 DC/DC 转换器的总能效以及最大程度降低其开关节点噪声而设计，可以使用同步开关 PWM 控制器，也可以使用传统开关 PWM 控制器。它经过了优化，可实现低门极电荷、低 RDS(ON)、快速开关和体二极管逆向恢复性能。

数据手册

1+
￥8.025 ￥16.05
10+
￥6.86 ￥13.72
30+
￥6.13 ￥12.26
100+
￥5.38 ￥10.76
500+
￥5.045 ￥10.09
1000+
￥4.895 ￥9.79

有货

立即购买

型号：FDMS86500L 编号：C606113

封装：PQFN-8(5x6)

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 专为提高 DC/DC 转换器的总效率以及最大程度降低其开关节点噪声而设计，可以使用同步开关 PWM 控制器，也可以使用传统开关 PWM 控制器。它经过了优化，可实现低门极电荷、低 RDS(ON)、快速开关和体二极管反向恢复功能。

数据手册

1+
￥8.57
10+
￥7.2
30+
￥6.45

有货

立即购买

型号：NVMFS5C682NLWFAFT1G 编号：C604619

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，安装在 5x6mm 扁平引线封装中且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。AEC-Q101 认证 MOSFET 且具备生产件批准程序(PPAP) 功能，适用于汽车应用。

数据手册

1+
￥8.7
10+
￥8.49
30+
￥8.35

有货

立即购买

型号：FDD9409-F085 编号：C258219

封装：DPAK(TO-252)

品牌：onsemi(安森美)

特性：典型RDS(on) = 2.3mΩ，VGS = 10V，ID = 80A。典型Qg(tot) = 42nC，VGS = 10V，ID = 80A。 UIS能力。 RoHS合规。符合AEC Q101标准。应用：汽车发动机控制。动力系统管理

1+
￥8.9864 ￥9.56
10+
￥7.854 ￥9.35
30+
￥6.8154 ￥9.21
100+
￥6.7118 ￥9.07

有货

立即购买

型号：FDMC8327L 编号：C890957

封装：Power33-8

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。

数据手册

1+
￥9.06
10+
￥7.54
30+
￥6.7

有货

立即购买

型号：FDS2734 编号：C606022

封装：SOP-8

品牌：onsemi(安森美)

此单 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 UItraFET Trench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。

数据手册

1+
￥9.21
10+
￥8.98
30+
￥8.83

有货

立即购买

型号：NTTFS015P03P8ZTAG 编号：C604495

封装：WDFN-8(3.3x3.3)

品牌：onsemi(安森美)

特性：超低导通电阻（RDS(on)），提高系统效率。采用3.3x3.3mm先进封装技术，节省空间并具有出色的热传导性能。无铅、无卤/无溴化阻燃剂，符合RoHS标准。应用：电源负载开关保护：反向电流、过电压和反向负电压电池管理

数据手册

1+
￥9.2961 ￥9.39
10+
￥6.8619 ￥7.71
30+
￥5.3562 ￥6.78
100+
￥4.5267 ￥5.73
500+
￥4.1633 ￥5.27
1500+
￥3.9974 ￥5.06

有货

立即购买

型号：EFC2K102ANUZTDG 编号：C3282061

封装：WLCSP-10(2.98x1.49)

品牌：onsemi(安森美)

这款功率 MOSFET 具有低导通电阻的特点。该器件适用于便携式设备的电源开关等应用。最适合单节锂离子电池应用

数据手册

1+
￥9.53
10+
￥8.03
30+
￥7.21

有货

立即购买

型号：FCP190N65S3 编号：C898518

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

SUPERFET III MOSFET 是安森美半导体的全新高压超结 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻，以及更低门极电荷方面的出色性能。此先进技术专用于最大程度降低导通损耗，提供出色的开关性能，并且可以承受极端 dv/dt 速率。因此，SUPERFET III MOSFET Easy drive 系列有助于管理 EMI 问题，实现更轻松的设计实施。

数据手册

1+
￥9.6615 ￥16.95
10+
￥6.8103 ￥14.49
50+
￥4.7915 ￥12.95
100+
￥4.2069 ￥11.37
500+
￥3.9405 ￥10.65
1000+
￥3.8258 ￥10.34

有货

立即购买

型号：NTMYS2D1N04CLTWG 编号：C894070

封装：-

品牌：onsemi(安森美)

1+
￥9.8117 ￥16.63
10+
￥7.9674 ￥16.26
30+
￥6.2478 ￥16.02
100+
￥6.1542 ￥15.78

有货

立即购买

型号：NVMFS5C430NWFAFT1G 编号：C900428

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，安装在 5x6mm 扁平引线封装中且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。AEC-Q101 认证 MOSFET 且具备生产件批准程序(PPAP) 功能，适用于汽车应用。

数据手册

1+
￥10.0372 ￥10.91
10+
￥8.7494 ￥10.67
30+
￥7.5672 ￥10.51
100+
￥7.4592 ￥10.36

有货

立即购买

型号：FDB44N25TM 编号：C125737

封装：D2PAK

品牌：onsemi(安森美)

UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。此 MOSFET 适用于降低导通电阻，提供更佳的开关性能以及更高的雪崩能量强度。此器件系列适用于开关电力转换器应用，如功率系数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。

数据手册

1+
￥10.09
10+
￥8.39
30+
￥7.45

有货

立即购买

型号：FDMC9430L-F085 编号：C890976

封装：Power33-8

品牌：onsemi(安森美)

特性：典型导通电阻RDS(on) = 6.3mΩ（VGS = 10V，ID = 12A）。典型总栅极电荷Qg(tot) = 15nC（VGS = 10V，ID = 12A）。具备UIS能力。符合RoHS标准。通过AEC Q101认证。应用：电池保护。负载开关

数据手册

1+
￥10.38
10+
￥8.87
30+
￥7.93

有货

立即购买

型号：NVMFD5C674NLT1G 编号：C900398

封装：DFN-8(4.9x5.9)

品牌：onsemi(安森美)

适用于紧凑和高能效设计的汽车用功率 MOSFET，采用 5x6mm 扁平引线封装且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。

数据手册

1+
￥10.61
10+
￥8.95
30+
￥8.03

有货

立即购买

型号：FCU900N60Z 编号：C900608

封装：DPAK-3

品牌：onsemi(安森美)

SuperFET II MOSFET 是全新的高压超结 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻，以及更低门极电荷方面的卓越性能。此技术专用于最大程度降低导电损耗，提供卓越的开关性能、dv/dt 速率和更高的雪崩能量。因此，SuperFET II MOSFET 非常适用于开关电源应用，如 PFC、服务器/电信电源、FPD TV 电源、ATX 电源和工业电源应用。

数据手册

1+
￥10.932 ￥18.22
10+
￥7.785 ￥15.57
30+
￥5.564 ￥13.91
100+
￥4.884 ￥12.21
500+
￥4.58 ￥11.45
1000+
￥4.448 ￥11.12

有货

立即购买

型号：FQB12P20TM 编号：C898636

封装：TO-263(D2PAK)

品牌：onsemi(安森美)

此 P 沟道增强型功率 MOSFET 是使用平面条纹和 DMOS 专属技术生产的。此先进 MOSFET 技术适用于降低导通电阻，提供卓越的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。

数据手册

1+
￥11.21
10+
￥9.51
30+
￥8.44

有货

立即购买

型号：NVMFS5C442NWFAFT1G 编号：C900430

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，安装在 5x6mm 扁平引线封装中且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。AEC-Q101 认证 MOSFET 且具备生产件批准程序(PPAP) 功能，适用于汽车应用。

数据手册

1+
￥11.23
10+
￥10.96
30+
￥10.78

有货

立即购买

型号：NTPF360N80S3Z 编号：C899991

封装：TO-220F

品牌：onsemi(安森美)

800 V SUPERFET III MOSFET 提供 800 V 击穿电压。新的 800 V SUPERFET III MOSFET 针对反激式转换器的初级开关进行了优化，由于其优化设计，可在不牺牲 EMI 性能的情况下降低开关损耗和外壳温度。此外，内部齐纳二极管显著提高了 ESD 能力。这个新的 800 V SUPERFET III MOSFET 系列因其在开关电源应用（如笔记本电脑适配器、音频、照明、ATX 电源和工业电源）中的卓越性能，能够实现更高效、紧凑、低温和更可靠的应用。

数据手册

1+
￥11.3811 ￥19.29
10+
￥8.0801 ￥16.49
50+
￥5.7447 ￥14.73
100+
￥5.0466 ￥12.94
500+
￥4.7268 ￥12.12
1000+
￥4.5903 ￥11.77

有货

立即购买

型号：EFC4C012NLTDG 编号：C895363

封装：WLCSP-6(1.9x3.5)

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道功率 MOSFET 使用安森美半导体的沟槽技术生产，这是专为最大程度减小门极电荷、实现超低导通电阻而设计的技术。此器件适用于笔记本电脑应用。

数据手册

1+
￥11.4224 ￥19.36
10+
￥9.7645 ￥16.55
30+
￥8.7261 ￥14.79
100+
￥7.6582 ￥12.98
500+
￥7.1803 ￥12.17
1000+
￥6.9738 ￥11.82

有货

立即购买

型号：FDMC86160 编号：C605029

封装：Power-33

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻。此器件非常适用于需要在小空间内实现超低 rDS(on) 的应用，如高性能 VRM、POL 和 Oring 功能。

数据手册

1+
￥11.7603 ￥16.11
10+
￥10.0521 ￥13.77
30+
￥8.979 ￥12.3
100+
￥7.884 ￥10.8
500+
￥7.3876 ￥10.12
1000+
￥7.1759 ￥9.83

有货

立即购买

型号：NTMFS0D9N03CGT1G 编号：C900265

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

特性：先进封装（5x6 mm），具有出色的热传导性。超低RDS(ON)，可提高系统效率。这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂，符合RoHS标准。应用：热插拔应用。功率负载开关

数据手册

1+
￥11.87
10+
￥11.58
30+
￥11.39

有货

立即购买

型号：NVMFD5C462NLWFT1G 编号：C604563

封装：DFN-8(5x6)

品牌：onsemi(安森美)

适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，安装在 5x6mm 扁平引线封装中且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。通过 AEC-Q101 认证 MOSFET 且符合生产件批准程序 (PPAP) ，适用于汽车应用。

数据手册

1+
￥12.22
10+
￥10.719 ￥11.91
30+
￥9.36 ￥11.7
100+
￥9.2 ￥11.5

有货

立即购买

型号：FDMC86240 编号：C890966

封装：WDFN-8(3.3x3.3)

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench工艺生产的，该工艺结合了屏蔽门极技术。此工艺经过了优化，可最大程度降低导通电阻，同时可保持卓越的开关性能。

数据手册

1+
￥12.3
10+
￥12.02
30+
￥11.83

有货

立即购买

型号：NTP125N65S3H 编号：C2902082

封装：TO-220-3

品牌：onsemi(安森美)

SUPERFET III MOSFET 是全新的高压超结 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻和较低的栅极电荷性能。这种先进技术旨在最大限度地减少传导损耗，提供卓越的开关性能，并能承受极高的 dv/dt 速率。因此，SUPERFET III FAST MOSFET 系列有助于缩小各种电源系统的体积并提高系统效率。

数据手册

1+
￥13.098 ￥22.2
10+
￥10.6379 ￥21.71
30+
￥8.3421 ￥21.39
100+
￥8.2173 ￥21.07

有货

立即购买

型号：NDB5060L 编号：C898788

封装：TO-263AB

品牌：onsemi(安森美)

此类 N 沟道逻辑电平增强型电场效应晶体管使用安森美半导体的高单元密度 DMOS 专属工艺生产。此极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻，提供卓越的开关性能，可承受雪崩和换相模式下的高能量脉冲。此类器件尤其适用于需要快速开关、线内低功率损耗和瞬变防止的低压应用，如汽车、DC/DC 转换器、PWM 电机控制和其他电池供电电路。

数据手册

1+
￥13.301 ￥28.3
10+
￥13.0096 ￥27.68
30+
￥12.8169 ￥27.27
100+
￥12.6242 ￥26.86

有货

立即购买

海量现货

闪电发货

严控渠道

降低成本

提示

提示

成功提示

失败提示

提示