安森美MOS驱动_厂家_价格_品牌_库存

封装：TO-220

此 N 沟道增强型功率 MOSFET 是使用安森美半导体的平面条纹和 DMOS 专属工艺生产的。此先进 MOSFET 技术适用于降低导通电阻，提供卓越的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正 (PFC) 和电子灯镇流器。

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￥14.6648 ￥15.94
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￥11.275 ￥13.75
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￥8.9136 ￥12.38
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￥7.8984 ￥10.97
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￥7.4448 ￥10.34
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￥7.2432 ￥10.06

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型号：FDBL86366-F085 编号：C900882

封装：HPSOF-8

品牌：onsemi(安森美)

特性：典型RDS(on)=2.4 mΩ，VGS = 10 V，ID = 80 A。典型Qg(tol)=86 C，VGS = 10 V，ID = 80 A。 UIS能力。 AEC-Q101认证且具备PPAP能力。这些器件为无铅器件，符合RoHS标准。应用：汽车发动机控制。动力总成管理

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￥14.7
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￥14.4
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￥14.19

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型号：FQP27P06 编号：C462764

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

此 P 沟道增强型功率 MOSFET 是使用 Fairchild Semiconductor 的平面条纹和 DMOS 专属技术生产的。此先进 MOSFET 技术适用于降低导通电阻，提供卓越的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。

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1+
￥15.61
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￥13.34
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￥11.92

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型号：FDMS86300 编号：C512898

封装：PQFN-8(5x6)

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 专为提高 DC/DC 转换器的总效率以及最大程度降低其开关节点噪声而设计，可以使用同步开关 PWM 控制器，也可以使用传统开关 PWM 控制器。它经过了优化，可实现低门极电荷、低 RDS(ON)、快速开关和体二极管反向恢复功能。

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￥15.984 ￥17.76
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￥12.144 ￥15.18
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￥9.492 ￥13.56
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￥8.337 ￥11.91
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￥7.812 ￥11.16
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￥7.588 ￥10.84

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型号：FDS86141 编号：C903639

封装：SO-8

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持出色的开关性能。

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￥17.26
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￥13.275 ￥14.75
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￥10.544 ￥13.18
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￥9.256 ￥11.57
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￥8.68 ￥10.85
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￥8.424 ￥10.53

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型号：FDA18N50 编号：C424492

封装：TO-3PN

品牌：onsemi(安森美)

UniFET MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。该 MOSFET 旨在降低导通电阻，提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度。该器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示器 (FPD) 电视电源、ATX 和电子灯镇流器。

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￥17.41
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￥14.79
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￥12
90+
￥10.32
510+
￥9.56
990+
￥9.23

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型号：NTTFD018N08LC 编号：C894091

封装：WQFN-12(3.3x3.3)

品牌：onsemi(安森美)

该器件在双封装中包含两个专门的N沟道MOSFET。开关节点已内部连接，便于同步降压转换器的放置和布线。控制MOSFET (Q2) 和同步MOSFET (Q1) 旨在提供最佳电源效率。

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￥18.83
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￥16.05
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￥14.4

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型号：NVMFS5C404NLWFT1G 编号：C604588

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，安装在 5x6mm 扁平引线封装中且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。AEC-Q101 认证 MOSFET 且具备生产件批准程序(PPAP) 功能，适用于汽车应用。

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￥19.5
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￥15.3062 ￥16.82
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￥12.3282 ￥15.22
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￥11.0241 ￥13.61
500+
￥10.4247 ￥12.87
1500+
￥10.1493 ￥12.53

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型号：FDB060AN08A0 编号：C512889

封装：D2PAK

品牌：onsemi(安森美)

N 沟道，PowerTrench MOSFET，75V，80A，6mΩ，这种最新的屏蔽门极 PowerTrench MOSFET 具有更小的 QSYNC，卓越的软逆向恢复本征体二极管性能，开关速度快，可大幅提高同步整流的能效。

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￥19.7176 ￥20.12
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￥17.3184 ￥19.68
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￥15.1242 ￥19.39
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￥14.898 ￥19.1

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型号：FDP045N10A-F102 编号：C132693

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，该工艺适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。

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￥19.76
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￥17.54
50+
￥16.15
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￥14.73
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￥14.09
800+
￥13.81

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型号：FDMS86200DC 编号：C605044

封装：PDFN-8(5.2x6.2)

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，该工艺结合了屏蔽门极技术。同时结合了硅和 Dual Cool 封装技术的发展进步，可提供最低的 rDS(on)，同时利用极低的结到环境热阻保持出色的开关性能。

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￥19.7965 ￥23.29
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￥17.085 ￥22.78
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￥14.5925 ￥22.45
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￥14.3715 ￥22.11

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型号：FDP090N10 编号：C898585

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 是使用 PowerTrench 工艺生产的，适用于最大程度降低导通电阻，同时保持出色的开关性能。

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1+
￥19.81
10+
￥16.85
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￥15.08

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型号：NTMFS5113PLT1G 编号：C900298

封装：DFN-5(5.9x4.9)

品牌：onsemi(安森美)

特性：低RDS(on)以最小化传导损耗。高电流能力。规定雪崩能量。这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂且符合RoHS标准

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1+
￥20.1
10+
￥19.64
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￥19.33

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型号：FCB20N60TM 编号：C330104

封装：D2PAK

品牌：onsemi(安森美)

SuperFET MOSFET 是第一代高压超结 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻，以及更低门极电荷方面的出色性能。此技术专用于最大程度降低导通损耗，提供出色的开关性能、dv/dt 速率和更高的雪崩能量。因此，SuperFET MOSFET 非常适用于开关电源应用，如 PFC、服务器/电信电源、FPD TV 电源、ATX 电源和工业电源应用。

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1+
￥22.51
10+
￥21.98
30+
￥21

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型号：FDPF18N50 编号：C11767

封装：TO-220F

品牌：onsemi(安森美)

UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。此 MOSFET 适用于降低导通电阻，提供更佳的开关性能以及更高的雪崩能量强度。此器件系列适用于开关电力转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。

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1+
￥22.52
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￥19.79
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￥14.07
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￥12.33
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￥11.54
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￥11.2

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型号：FDBL86066-F085 编号：C605017

封装：HPSOF-8

品牌：onsemi(安森美)

特性：典型导通电阻RDS(on)：在VGS = 10 V、ID = 80 A时为3.3 mΩ。典型总栅极电荷Qg(tot)：在VGS = 10 V、ID = 80 A时为47 nC。具有UIS能力。通过AEC Q101认证。这些器件无铅、无卤素/BFR且符合RoHS标准。应用：汽车发动机控制。动力总成管理

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1+
￥22.61
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￥22.15
30+
￥21.84

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型号：NDB5060L 编号：C898788

封装：TO-263AB

品牌：onsemi(安森美)

此类 N 沟道逻辑电平增强型电场效应晶体管使用安森美半导体的高单元密度 DMOS 专属工艺生产。此极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻，提供卓越的开关性能，可承受雪崩和换相模式下的高能量脉冲。此类器件尤其适用于需要快速开关、线内低功率损耗和瞬变防止的低压应用，如汽车、DC/DC 转换器、PWM 电机控制和其他电池供电电路。

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1+
￥22.923 ￥28.3
10+
￥19.6528 ￥27.68
30+
￥16.6347 ￥27.27
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￥16.3846 ￥26.86

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型号：FDPF51N25 编号：C464165

封装：TO-220F

品牌：onsemi(安森美)

UniFET MOSFET 基于平面条纹和 DMOS 技术。该 MOSFET 旨在降低导通电阻，提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度。该器件系列适用于开关功率转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示器 (FPD) 电视电源、ATX 和电子灯镇流器。

1+
￥24.7
10+
￥21.5
50+
￥18.69

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型号：FCPF067N65S3 编号：C899119

封装：TO-220F-3

品牌：onsemi(安森美)

SUPERFET III MOSFET 是安森美半导体的全新高压超结 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻，以及更低门极电荷方面的出色性能。此先进技术专用于最大程度降低导通损耗，提供出色的开关性能，并且可以承受极端 dv/dt 速率。因此，SUPERFET III MOSFET Easy drive 系列有助于管理 EMI 问题，实现更轻松的设计实施。

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1+
￥30.99
10+
￥30.31
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￥26.97

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型号：ATP302-TL-H 编号：C223561

封装：-

品牌：onsemi(安森美)

P沟道,-60V,-70A,13mΩ@-10V

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1+
￥32.56
10+
￥27.87
30+
￥25.08

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型号：NTMFS10N3D2C 编号：C606046

封装：PQFN-8

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MV MOSFET 是使用安森美半导体先进的 Power Trench 工艺生产的，该工艺结合了屏蔽门极技术。此工艺经过了优化，可最大程度降低导通电阻，同时可保持卓越的开关性能，以及业内最佳的软体二极管。

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1+
￥35.6162 ￥48.13
10+
￥30.1312 ￥47.08
30+
￥25.0452 ￥46.38
100+
￥24.6672 ￥45.68

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型号：NVB110N65S3F 编号：C604525

封装：D2PAK

品牌：onsemi(安森美)

SUPERFET III MOSFET 是安森美半导体的全新高压超结 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻，以及更低门极电荷方面的出色性能。此先进技术专用于最大程度降低导通损耗，提供出色的开关性能，并且可以承受极端 dv/dt 速率。因此，SUPERFET III MOSFET 适用于各种电源系统，实现系统小型化和更高效能。SUPERFET III FRFET MOSFET 优化的体二极管反向恢复性能可以消除附加组件，提高系统可靠性。

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1+
￥36.28
10+
￥31.6
30+
￥25.9

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型号：FDB2710 编号：C258154

封装：D2PAK-3

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 是使用 PowerTrench 工艺生产的，该工艺适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。

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1+
￥42.0555 ￥79.35
10+
￥29.6012 ￥68.84
30+
￥20.6052 ￥62.44
100+
￥18.8331 ￥57.07

有货

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型号：NVMFSC0D9N04C 编号：C894167

封装：DFN-8(4.9x5.8)

品牌：onsemi(安森美)

适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，安装在 5x6mm 扁平引线封装中且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。AEC-Q101 认证 MOSFET 且具备生产件批准程序(PPAP) 功能，适用于汽车应用。

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1+
￥44.22
10+
￥37.96
30+
￥34.14

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型号：FDB1D7N10CL7 编号：C605010

封装：TO-263-6

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MV MOSFET 是使用安森美半导体先进的 Power Trench 工艺生产的，该工艺结合了屏蔽门极技术。此工艺经过了优化，可最大程度降低导通电阻，同时可保持卓越的开关性能，以及业内最佳的软体二极管。

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1+
￥44.98
10+
￥38.69
30+
￥34.85

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型号：NVMFS6H800NLT1G 编号：C604621

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，安装在 5x6mm 扁平引线封装中且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。AEC-Q101 认证 MOSFET 且具备生产件批准程序(PPAP) 功能，适用于汽车应用。

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1+
￥46.02
10+
￥39.62
30+
￥35.72

有货

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型号：FDBL86062-F085 编号：C606101

封装：HPSOF-8

品牌：onsemi(安森美)

特性：典型导通电阻：在VGS = 10V、ID = 80A时为1.5mΩ。典型总栅极电荷：在VGS = 10V、ID = 80A时为95mC。具备UIS能力。通过AEC Q101认证。无铅且符合RoHS标准。应用：汽车发动机控制。动力总成管理

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1+
￥46.29
10+
￥40.58
30+
￥35.61

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型号：FDMS8090 编号：C605039

封装：Power-56

品牌：onsemi(安森美)

此器件采用双 Power 56 (5 mm X 6 mm MLP) 封装，其中包含两个快速开关（Qgd 最小）100V N 沟道 MOSFET。该封装经过增强，具有出色的热性能。

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1+
￥47.8
10+
￥40.68
30+
￥36.34

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型号：ATP304-TL-H 编号：C605302

封装：ATPAK-3

品牌：onsemi(安森美)

ATP304 是一款 P 沟道功率 MOSFET，-60V，-100A，6.5mΩ，ATPAK

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1+
￥51.83
10+
￥44.97
30+
￥40.79

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型号：NTBL050N65S3H 编号：C2902059

封装：HPSOF-8

品牌：onsemi(安森美)

SUPERFET III MOSFET是全新的高压超结（SJ）MOSFET系列，采用电荷平衡技术，具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。这项先进技术旨在最大程度降低传导损耗，提供卓越的开关性能，并能承受极高的dv/dt速率。因此，SUPERFAST III快速MOSFET系列有助于缩小各类电源系统的体积并提高系统效率

数据手册

1+
￥55.056 ￥59.2
10+
￥48.0653 ￥57.91
30+
￥41.6465 ￥57.05
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￥41.0187 ￥56.19

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