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1个N沟道耐压:650V 电流:24A

型号：NTHL125N65S3H 编号：C2902083

封装：TO-247

品牌：onsemi(安森美)

SUPERFET III MOSFET是全新的高压超结（SJ）MOSFET产品系列，采用电荷平衡技术，具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。这项先进技术旨在最大程度降低传导损耗，提供卓越的开关性能，并能承受极高的dv/dt速率。因此，SUPERFET III MOSFET FAST系列有助于缩小各类电源系统的体积并提高系统效率

数据手册

1+
￥24.9924 ￥42.36
10+
￥20.3007 ￥41.43
30+
￥15.9198 ￥40.82
100+
￥15.678 ￥40.2

有货

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1个N沟道耐压:100V 电流:80A 电流:12A

型号：FDB3632 编号：C898557

封装：D2PAK-3

品牌：onsemi(安森美)

N 沟道，PowerTrench MOSFET，100V，80A，9m?，这种最新的屏蔽门极 PowerTrench MOSFET 具有更小的 QSYNC，卓越的软反向恢复本征体二极管性能，开关速度快，可大幅提高同步整流的效率。

数据手册

1+
￥25.15
10+
￥21.59
30+
￥19.46

有货

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N沟道,电流:337A,耐压:30V

型号：NTMFS0D8N03CT1G 编号：C2902062

封装：DFN-5(5.9x4.9)

品牌：onsemi(安森美)

数据手册

1+
￥26.97
10+
￥23.14
30+
￥20.87

有货

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1个N沟道耐压:100V 电流:75A

型号：HUFA75645S3S 编号：C898696

封装：TO-263AB

品牌：onsemi(安森美)

特性：超低导通电阻：rDS(ON) = 0.014Ω，VGS = 10V。具备温度补偿的PSPICE和SABER电气模型。具备Spice和Saber热阻抗模型

数据手册

1+
￥27.6444 ￥32.91
10+
￥21.0012 ￥28.38
30+
￥16.4416 ￥25.69
100+
￥14.7008 ￥22.97
500+
￥13.9008 ￥21.72
800+
￥13.5424 ￥21.16

有货

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1个N沟道耐压:100V 电流:178A

型号：NTMTSC4D2N10GTXG 编号：C3290176

封装：TDFN-8-W(8.3x8.4)

品牌：onsemi(安森美)

特性：宽安全工作区，适用于线性模式操作。低热阻RθJC，以最小化传导损耗。高脉冲单雪崩电流能力，增强耐用性。小尺寸封装（8x8 mm），顶部金属散热。这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂，符合RoHS标准。应用：48 V热插拔系统。负载开关

数据手册

1+
￥34.17
10+
￥29.21
30+
￥26.19

有货

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1个N沟道耐压:650V 电流:30A

型号：NVB110N65S3F 编号：C604525

封装：D2PAK

品牌：onsemi(安森美)

SUPERFET III MOSFET 是安森美半导体的全新高压超结 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻，以及更低门极电荷方面的出色性能。此先进技术专用于最大程度降低导通损耗，提供出色的开关性能，并且可以承受极端 dv/dt 速率。因此，SUPERFET III MOSFET 适用于各种电源系统，实现系统小型化和更高效能。SUPERFET III FRFET MOSFET 优化的体二极管反向恢复性能可以消除附加组件，提高系统可靠性。

数据手册

1+
￥34.28
10+
￥29.6
30+
￥23.91

有货

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耐压:150V 电流:167A

型号：FDH055N15A 编号：C605024

封装：TO-247AC-3

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，适用于最大程度降低导通电阻，同时保持出色的开关性能。

数据手册

1+
￥34.47
10+
￥30.45
30+
￥25.79
90+
￥23.37
450+
￥22.26
900+
￥21.75

有货

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1个N沟道耐压:100V 电流:268A

型号：FDB1D7N10CL7 编号：C605010

封装：TO-263-6

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MV MOSFET 是使用安森美半导体先进的 Power Trench 工艺生产的，该工艺结合了屏蔽门极技术。此工艺经过了优化，可最大程度降低导通电阻，同时可保持卓越的开关性能，以及业内最佳的软体二极管。

数据手册

1+
￥42.84
10+
￥36.54
30+
￥32.71

有货

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P沟道耐压:40V 电流:50A

型号：FDWS9510L-F085 编号：C605068

封装：Power-56

品牌：onsemi(安森美)

特性：典型导通电阻RDS(on)：在VGS = -10V、ID = -50A时为11mΩ。典型总栅极电荷Qg(tot)：在VGS = -10V、ID = -50A时为28nC。具有UIS能力。可焊侧翼，便于自动光学检测（AOI）。通过AEC-Q101认证。这些器件为无铅产品，符合RoHS标准。应用：汽车发动机控制。动力系统管理

数据手册

1+
￥90.1524 ￥115.58
10+
￥76.2552 ￥112.14
12+
￥65.0412 ￥112.14

有货

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N沟道耐压:600V 电流:75A

型号：NTHL019N60S5F 编号：C2985894

封装：TO-247-3LD

品牌：onsemi(安森美)

SUPERFET V MOSFET FRFET系列优化了体二极管的反向恢复性能，能够去掉额外的元件，并提高诸如移相全桥（PSFB）和 LLC 等软开关应用的系统可靠性。

数据手册

1+
￥90.9213 ￥131.77
3+
￥77.7443 ￥131.77
5+
￥64.5673 ￥131.77
30+
￥61.6175 ￥125.75

有货

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1个P沟道耐压:20V 电流:1.3A

型号：FDN336P 编号：C10882

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此P沟道2.5V额定MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持低栅极电荷以获得卓越开关性能而定制的。此类器件非常适合便携式电子应用：负载开关和功率管理、电池充电电路和DC/DC转换。

数据手册

5+
￥0.7185
50+
￥0.7029
150+
￥0.6926

有货

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1个N沟道+1个P沟道耐压:8V 耐压:20V 电流:630mA 电流:775mA

型号：NTJD4105CT2G 编号：C703687

封装：SOT-363

品牌：onsemi(安森美)

此互补双器件使用小封装 (2 x 2 mm) 和低 RDS(on) MOSFET，可实现最小占位，提高电路能效。低 RDS(on) 性能特别适用于单锂离子电池或双电池锂离子电池供电设备，例如手机、媒体播放器、数码相机和 PDA。

数据手册

5+
￥0.7873
50+
￥0.7701
150+
￥0.7585
500+
￥0.747

有货

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2个N沟道耐压:60V 电流:295mA

型号：NVJD5121NT1G 编号：C604555

封装：SC-88

品牌：onsemi(安森美)

适用于低功率应用的汽车用功率 MOSFET。60V 295mA 1.6 Ω 双 N 沟道 SC?88，带 ESD 防护，逻辑电平。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。

数据手册

5+
￥1.346
50+
￥1.0671
150+
￥0.9476

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:500mA

型号：BS170-D27Z 编号：C900826

封装：TO-92

品牌：onsemi(安森美)

MOSFET，小信号，500 mA，60 V

数据手册

5+
￥1.5668
50+
￥1.2176
150+
￥1.068

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:6A

型号：CPH6350-TL-W 编号：C890563

封装：SC-74-6

品牌：onsemi(安森美)

CPH6350 是一款 P 沟道功率 MOSFET，-30V，-6A，43mΩ，单 CPH6，适用于通用开关应用。

数据手册

5+
￥2.2617
50+
￥1.7998
150+
￥1.6018

有货

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1个N沟道耐压:60V

型号：NVLJWS070N06CLTAG 编号：C5208096

封装：WDFNW-6(2.05x2.05)

品牌：onsemi(安森美)

数据手册

1+
￥2.81
10+
￥2.75
30+
￥2.7
100+
￥2.66

有货

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1个N沟道耐压:100V 电流:2.3A 停产

型号：IRFM120ATF 编号：C258216

封装：SOT-223

品牌：onsemi(安森美)

特性：IEEE802.3af兼容。雪崩耐用技术。耐用栅极氧化层技术。较低的输入电容。改善的栅极电荷。扩展的安全工作区。较低的漏电流：最大10μA，VDS = 100V时。较低的RDS(ON)：典型值0.155Ω

数据手册

1+
￥2.86
10+
￥2.79
30+
￥2.74

有货

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2个N沟道耐压:20V 电流:3.5A

型号：NTGD3148NT1G 编号：C77713

封装：TSOP-6

品牌：onsemi(安森美)

功率 MOSFET，双 N 沟道，20V，70mΩ，TSOP6 封装

数据手册

1+
￥3.32
10+
￥2.62
30+
￥2.32
100+
￥1.95

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:11.6A

型号：FDS8880 编号：C467784

封装：SO-8

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 专为提高 DC/DC 转换器的总效率而设计，可以使用同步开关 PWM 控制器，也可以使用传统开关 PWM 控制器。它经过了优化，可实现低门极电荷、低 RDS(ON) 和快速开关。

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1+
￥3.56
10+
￥2.83
30+
￥2.51
100+
￥2.12

有货

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耐压:40V 电流:37A

型号：NVMFS5C468NLAFT1G 编号：C604605

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，安装在 5x6mm 扁平引线封装中且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。AEC-Q101 认证 MOSFET 且具备生产件批准程序(PPAP) 功能，适用于汽车应用。

数据手册

1+
￥3.5784 ￥4.26
10+
￥3.0784 ￥4.16
30+
￥2.624 ￥4.1
100+
￥2.5856 ￥4.04

有货

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1个N沟道耐压:40V 电流:41A

型号：NVTFS5C471NLTAG 编号：C900526

封装：WDFN-8(3.3x3.3)

品牌：onsemi(安森美)

适用于紧凑和高能效设计的汽车用功率 MOSFET，采用 3x3mm 扁平引线封装且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。

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1+
￥3.8
10+
￥3.71
30+
￥3.66

有货

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1个P沟道耐压:60V

型号：NVTFS5124PLTAG 编号：C606162

封装：WDFN-8(3x3)

品牌：onsemi(安森美)

适用于紧凑和高能效设计的汽车用功率 MOSFET，采用 3x3mm 扁平引线封装且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。

数据手册

1+
￥3.94
10+
￥3.15
30+
￥2.76

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:6.5A

型号：FDN537N 编号：C3280165

封装：SOT-23-3

品牌：onsemi(安森美)

这款N沟道MOSFET采用先进的Power Trench®工艺制造，该工艺在导通电阻rDS(on)、开关性能和耐用性方面进行了优化。

数据手册

1+
￥3.95
10+
￥3.19
30+
￥2.81
100+
￥2.33
500+
￥2.1
1000+
￥1.99

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:18A

型号：FDMS4435BZ 编号：C352873

封装：PQFN-8(5x6)

品牌：onsemi(安森美)

此 P 沟道 MOSFET 是使用先进的 Power Trench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻。此器件适用于笔记本电脑和便携式电池组中常见的电源管理和负载开关应用。

数据手册

1+
￥4.15
10+
￥3.34
30+
￥2.94

有货

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耐压:40V 电流:52A

型号：NVMFS5C466NLT1G 编号：C604603

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，安装在 5x6mm 扁平引线封装中且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。AEC-Q101 认证 MOSFET 且具备生产件批准程序(PPAP) 功能，适用于汽车应用。

数据手册

1+
￥4.86
10+
￥4.75
30+
￥4.68
100+
￥4.6

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:7.2A

型号：NDT451AN 编号：C3280052

封装：SOT-223

品牌：onsemi(安森美)

Power SOT N沟道增强型功率场效应晶体管采用专有的高单元密度DMOS技术制造。这种超高密度工艺专门用于最小化导通电阻，并提供卓越的开关性能。这些器件特别适用于低压应用，如直流电机控制和DC/DC转换，这些应用需要快速开关、低在线功率损耗和抗瞬态能力

数据手册

1+
￥4.92
10+
￥4.81
30+
￥4.73

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:89A

型号：FDD8880 编号：C130709

封装：TO-252AA

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 专为提高 DC/DC 转换器的总效率而设计，可以使用同步开关 PWM 控制器，也可以使用传统开关 PWM 控制器。它经过了优化，可实现低门极电荷、低 RDS(ON) 和快速开关。

数据手册

1+
￥5.23
10+
￥4.38
30+
￥3.96
100+
￥3.54

有货

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1个P沟道耐压:20V 电流:7.8A

型号：FDMA507PZ 编号：C890900

封装：VDFN-6(2x2)

品牌：onsemi(安森美)

此器件专门针对手机和其他超便携应用中的电池充电或负载开关而设计。它具有一个带有低导通电阻的 MOSFET。MicroFET 2X2 封装对于其物理尺寸来说提供了卓越的热性能，非常适合线性模式应用。

数据手册

1+
￥5.27
10+
￥4.24
30+
￥3.73

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:14.5A

型号：FDS6673BZ 编号：C467780

封装：SO-8

品牌：onsemi(安森美)

此 P 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通态电阻。此器件适用于笔记本电脑和便携式电池组中常见的电源管理和负载开关应用。

数据手册

1+
￥6.08
10+
￥5
30+
￥4.4
100+
￥3.73

有货

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1个N沟道耐压:150V 电流:14A

型号：FDD120AN15A0 编号：C157495

封装：TO-252(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

N 沟道，PowerTrench MOSFET，150V，14A，120mΩ

数据手册

1+
￥6.27
10+
￥5.09
30+
￥4.5
100+
￥3.91

有货

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