安森美MOS驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：FDS6670A 编号：C241810

封装：SO-8

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道逻辑电平 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持出色的开关性能。此类器件非常适用于要求线内低功率损耗和快速开关的低电压和电池供电应用。

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￥5.95
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型号：FDS6673BZ 编号：C467780

封装：SO-8

品牌：onsemi(安森美)

此 P 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通态电阻。此器件适用于笔记本电脑和便携式电池组中常见的电源管理和负载开关应用。

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￥6.02
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型号：FQPF7N65C 编号：C352881

封装：TO-220F

品牌：onsemi(安森美)

此N沟道增强型功率MOSFET采用专有平面条纹和DMOS技术生产。这种先进的MOSFET技术经过特别设计，可降低导通电阻，并提供出色的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正（PFC）和电子灯镇流器。

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￥6.325 ￥13.75
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￥4.23 ￥11.75
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￥2.73 ￥10.5
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￥2.1814 ￥8.39

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型号：FDS8958B 编号：C241821

封装：SO-8

品牌：onsemi(安森美)

此类双 N 和 P 沟道增强型电场效应晶体管是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持出色的开关性能。此类器件非常适用于要求线内低功率损耗和快速开关的低电压和电池供电应用。

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￥6.3264 ￥6.59
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￥4.6182 ￥5.37
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￥2.7436 ￥3.61

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型号：FDD770N15A 编号：C455152

封装：TO-252(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，该工艺适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。

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￥6.35
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￥5.21
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型号：NVTFS5C471NLWFTAG 编号：C604643

封装：WDFN-8(3.3x3.3)

品牌：onsemi(安森美)

适用于紧凑和高能效设计的汽车用功率 MOSFET，采用 3x3mm 扁平引线封装且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。

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￥6.6432 ￥6.92
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￥5.0008 ￥6.58

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型号：FDMC86262P 编号：C455157

封装：MLP-8(3.3x3.3)

品牌：onsemi(安森美)

此 P 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻，并优化提供出色的开关性能。

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型号：NDT451AN 编号：C3280052

封装：SOT-223

品牌：onsemi(安森美)

Power SOT N沟道增强型功率场效应晶体管采用专有的高单元密度DMOS技术制造。这种超高密度工艺专门用于最小化导通电阻，并提供卓越的开关性能。这些器件特别适用于低压应用，如直流电机控制和DC/DC转换，这些应用需要快速开关、低在线功率损耗和抗瞬态能力

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￥7.32
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￥6.02
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型号：FCD1300N80Z 编号：C455166

封装：TO-252(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

SuperFET II MOSFET 是全新的高压超结 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻，以及更低门极电荷方面的出色性能。此技术专用于最大程度降低导通损耗，提供出色的开关性能、dv/dt 速率和更高的雪崩能量。另外，内部门极电源 ESD 二极管可承受 2kV 以上的 HBM 浪涌应力。因此，SuperFET II MOSFET 非常适用于开关电源应用，如音频、笔记本电脑适配器、照明、ATX 电源和工业电源应用。

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￥7.51
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￥7.33
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型号：FDMS7678 编号：C462742

封装：Power-56-8

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 使用先进的 PowerTrench 工艺生产，特别适用于最大程度降低导通电阻。此器件适用于笔记本电脑和便携式电池组中常见的功率和负载开关应用。

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1+
￥7.595 ￥7.75
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￥6.6704 ￥7.58
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￥5.8266 ￥7.47
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￥5.7408 ￥7.36

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型号：NTHS4101PT1G 编号：C424249

封装：SMD-8P

品牌：onsemi(安森美)

功率 MOSFET，-20 V，-6.7 A，单 P 沟道，ChipFET

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￥7.71
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￥6.43
30+
￥5.72

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型号：NTMFS1D15N03CGT1G 编号：C900266

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

特性：先进封装（5x6mm），具有出色的热传导性能。超低导通电阻（RDS(on)），可提高系统效率。无铅且符合RoHS标准。应用：热插拔应用。功率负载开关

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￥8.0413 ￥8.29
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￥7.0557 ￥8.11
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￥6.1523 ￥7.99
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￥6.0599 ￥7.87

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型号：FDD9409-F085 编号：C258219

封装：DPAK(TO-252)

品牌：onsemi(安森美)

特性：典型RDS(on) = 2.3mΩ，VGS = 10V，ID = 80A。典型Qg(tot) = 42nC，VGS = 10V，ID = 80A。 UIS能力。 RoHS合规。符合AEC Q101标准。应用：汽车发动机控制。动力系统管理

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￥8.3172 ￥9.56
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￥6.1707 ￥9.21
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型号：FCP190N65S3 编号：C898518

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

SUPERFET III MOSFET 是安森美半导体的全新高压超结 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻，以及更低门极电荷方面的出色性能。此先进技术专用于最大程度降低导通损耗，提供出色的开关性能，并且可以承受极端 dv/dt 速率。因此，SUPERFET III MOSFET Easy drive 系列有助于管理 EMI 问题，实现更轻松的设计实施。

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￥8.475 ￥16.95
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￥5.796 ￥14.49
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￥3.885 ￥12.95
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￥3.411 ￥11.37
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￥3.195 ￥10.65
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￥3.102 ￥10.34

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型号：NTMYS2D1N04CLTWG 编号：C894070

封装：-

品牌：onsemi(安森美)

1+
￥8.6476 ￥16.63
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￥6.8292 ￥16.26
30+
￥5.1264 ￥16.02
100+
￥5.0496 ￥15.78

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型号：FDD86252 编号：C556476

封装：DPAK(TO-252)

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持出色的开关性能。

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1+
￥8.66
10+
￥7.2
30+
￥6.41

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型号：NVMFS5C430NWFAFT1G 编号：C900428

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，安装在 5x6mm 扁平引线封装中且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。AEC-Q101 认证 MOSFET 且具备生产件批准程序(PPAP) 功能，适用于汽车应用。

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1+
￥9.2735 ￥10.91
10+
￥8.0025 ￥10.67
30+
￥6.8315 ￥10.51
100+
￥6.734 ￥10.36

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型号：FCU900N60Z 编号：C900608

封装：DPAK-3

品牌：onsemi(安森美)

SuperFET II MOSFET 是全新的高压超结 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻，以及更低门极电荷方面的卓越性能。此技术专用于最大程度降低导电损耗，提供卓越的开关性能、dv/dt 速率和更高的雪崩能量。因此，SuperFET II MOSFET 非常适用于开关电源应用，如 PFC、服务器/电信电源、FPD TV 电源、ATX 电源和工业电源应用。

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1+
￥9.6566 ￥18.22
10+
￥6.6951 ￥15.57
30+
￥4.5903 ￥13.91
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￥4.0293 ￥12.21
500+
￥3.7785 ￥11.45
1000+
￥3.6696 ￥11.12

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型号：NTPF360N80S3Z 编号：C899991

封装：TO-220F

品牌：onsemi(安森美)

800 V SUPERFET III MOSFET 提供 800 V 击穿电压。新的 800 V SUPERFET III MOSFET 针对反激式转换器的初级开关进行了优化，由于其优化设计，可在不牺牲 EMI 性能的情况下降低开关损耗和外壳温度。此外，内部齐纳二极管显著提高了 ESD 能力。这个新的 800 V SUPERFET III MOSFET 系列因其在开关电源应用（如笔记本电脑适配器、音频、照明、ATX 电源和工业电源）中的卓越性能，能够实现更高效、紧凑、低温和更可靠的应用。

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1+
￥10.0308 ￥19.29
10+
￥6.9258 ￥16.49
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￥4.7136 ￥14.73
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￥4.1408 ￥12.94
500+
￥3.8784 ￥12.12
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￥3.7664 ￥11.77

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型号：FDMC9430L-F085 编号：C890976

封装：Power33-8

品牌：onsemi(安森美)

特性：典型导通电阻RDS(on) = 6.3mΩ（VGS = 10V，ID = 12A）。典型总栅极电荷Qg(tot) = 15nC（VGS = 10V，ID = 12A）。具备UIS能力。符合RoHS标准。通过AEC Q101认证。应用：电池保护。负载开关

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1+
￥10.38
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￥8.87
30+
￥7.93

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型号：FDD86369-F085 编号：C903592

封装：DPAK(TO-252)

品牌：onsemi(安森美)

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1+
￥10.57
10+
￥8.95
30+
￥7.94

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型号：NTP125N65S3H 编号：C2902082

封装：TO-220-3

品牌：onsemi(安森美)

SUPERFET III MOSFET 是全新的高压超结 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻和较低的栅极电荷性能。这种先进技术旨在最大限度地减少传导损耗，提供卓越的开关性能，并能承受极高的 dv/dt 速率。因此，SUPERFET III FAST MOSFET 系列有助于缩小各种电源系统的体积并提高系统效率。

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