安森美MOS驱动_厂家_价格_品牌_库存_参数-立创商城

温馨提示

您上传的BOM清单格式不准确，当前支持上传xls、xlsx、csv、JPG、PNG、JPEG格式，请检查后重新上传

BOM正在分析中...

首页 > 热门关键词 > 安森美MOS驱动

综合排序价格销量

-

现货商品

折扣

符合条件商品：共67550件

图片

关键参数

描述

价格(含税)

库存

操作

1个N沟道耐压:650V 电流:24A

型号：NTHL125N65S3H 编号：C2902083

封装：TO-247

品牌：onsemi(安森美)

SUPERFET III MOSFET是全新的高压超结（SJ）MOSFET产品系列，采用电荷平衡技术，具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。这项先进技术旨在最大程度降低传导损耗，提供卓越的开关性能，并能承受极高的dv/dt速率。因此，SUPERFET III MOSFET FAST系列有助于缩小各类电源系统的体积并提高系统效率

数据手册

1+
￥22.0272 ￥42.36
10+
￥17.4006 ￥41.43
30+
￥13.0624 ￥40.82
100+
￥12.864 ￥40.2

有货

立即购买

1个N沟道耐压:100V 电流:116A

型号：NTMFSC4D2N10MC 编号：C2902298

封装：DFN-8(5.1x6.2)

品牌：onsemi(安森美)

数据手册

1+
￥22.07
10+
￥18.82
30+
￥16.89
100+
￥14.94
500+
￥14.04
1000+
￥13.63

有货

立即购买

1个N沟道耐压:650V 电流:24A

型号：FCP125N65S3 编号：C898511

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

SUPERFET III MOSFET 是安森美半导体的全新高压超结 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻，以及更低门极电荷方面的卓越性能。此先进技术专用于最大程度降低导电损耗，提供卓越的开关性能，并且可以承受极端 dv/dt 速率。因此，SUPERFET III MOSFET Easy drive 系列有助于管理 EMI 问题，实现更简单的设计实施。

数据手册

1+
￥22.1847 ￥30.39
10+
￥16.5123 ￥26.21
30+
￥12.5769 ￥23.73
100+
￥11.2466 ￥21.22
500+
￥10.6318 ￥20.06
800+
￥10.3562 ￥19.54

有货

立即购买

2个N沟道耐压:40V 电流:145A

型号：NVMFD5C446NLT1G 编号：C900385

封装：DFN-8(4.9x5.9)

品牌：onsemi(安森美)

适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，安装在 5x6mm 扁平引线封装中且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。AEC-Q101 认证 MOSFET 且具备生产件批准程序(PPAP) 功能，适用于汽车应用。

数据手册

1+
￥23.03 ￥24.5
10+
￥20.1348 ￥23.97
30+
￥17.4714 ￥23.61
100+
￥17.205 ￥23.25

有货

立即购买

1个N沟道耐压:40V 电流:330A

型号：NVMFS5C410NLWFAFT1G 编号：C900423

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，安装在 5x6mm 扁平引线封装中且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。AEC-Q101 认证 MOSFET 且具备生产件批准程序(PPAP) 功能，适用于汽车应用。

数据手册

1+
￥24.2556 ￥27.88
10+
￥18.5185 ￥24.05
30+
￥14.5859 ￥21.77
100+
￥13.0382 ￥19.46
500+
￥12.328 ￥18.4
1500+
￥12.0064 ￥17.92

有货

立即购买

1个N沟道耐压:100V 电流:80A 电流:12A

型号：FDB3632 编号：C898557

封装：D2PAK-3

品牌：onsemi(安森美)

N 沟道，PowerTrench MOSFET，100V，80A，9m?，这种最新的屏蔽门极 PowerTrench MOSFET 具有更小的 QSYNC，卓越的软反向恢复本征体二极管性能，开关速度快，可大幅提高同步整流的效率。

数据手册

1+
￥24.33
10+
￥20.88
30+
￥18.83

有货

立即购买

1个N沟道耐压:100V 电流:75A

型号：HUFA75645S3S 编号：C898696

封装：TO-263AB

品牌：onsemi(安森美)

特性：超低导通电阻：rDS(ON) = 0.014Ω，VGS = 10V。具备温度补偿的PSPICE和SABER电气模型。具备Spice和Saber热阻抗模型

数据手册

1+
￥25.3407 ￥32.91
10+
￥19.0146 ￥28.38
30+
￥14.6433 ￥25.69
100+
￥13.0929 ￥22.97
500+
￥12.3804 ￥21.72
800+
￥12.0612 ￥21.16

有货

立即购买

耐压:40V 电流:558A

型号：NTMTS0D4N04CTXG 编号：C894058

封装：DFNW-8(8.4x8.3)

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MV MOSFET 是使用安森美半导体先进的 Power Trench 工艺生产的，该工艺结合了屏蔽门极技术。此工艺经过了优化，可最大程度降低导通电阻，同时可保持卓越的开关性能，以及业内最佳的软体二极管。

数据手册

1+
￥34.0929 ￥55.89
10+
￥27.8817 ￥54.67
30+
￥22.0826 ￥53.86
100+
￥21.7464 ￥53.04

有货

立即购买

耐压:150V 电流:167A

型号：FDH055N15A 编号：C605024

封装：TO-247AC-3

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，适用于最大程度降低导通电阻，同时保持出色的开关性能。

数据手册

1+
￥37.86
10+
￥33.84
30+
￥29.17
90+
￥26.76
450+
￥25.64
900+
￥25.14

有货

立即购买

1个N沟道耐压:500V 电流:44A

型号：FDH44N50 编号：C898142

封装：TO-247-3

品牌：onsemi(安森美)

UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。此 MOSFET 适用于降低导通电阻，提供更佳的开关性能以及更高的雪崩能量强度。此器件系列适用于开关电力转换器应用，如功率系数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。

数据手册

1+
￥54.75
10+
￥48.13
30+
￥44.09

有货

立即购买

N沟道耐压:600V 电流:75A

型号：NTHL019N60S5F 编号：C2985894

封装：TO-247-3LD

品牌：onsemi(安森美)

SUPERFET V MOSFET FRFET系列优化了体二极管的反向恢复性能，能够去掉额外的元件，并提高诸如移相全桥（PSFB）和 LLC 等软开关应用的系统可靠性。

数据手册

1+
￥81.6974 ￥131.77
3+
￥68.5204 ￥131.77
5+
￥55.3434 ￥131.77
30+
￥52.815 ￥125.75

有货

立即购买

P沟道耐压:40V 电流:50A

型号：FDWS9510L-F085 编号：C605068

封装：Power-56

品牌：onsemi(安森美)

特性：典型导通电阻RDS(on)：在VGS = -10V、ID = -50A时为11mΩ。典型总栅极电荷Qg(tot)：在VGS = -10V、ID = -50A时为28nC。具有UIS能力。可焊侧翼，便于自动光学检测（AOI）。通过AEC-Q101认证。这些器件为无铅产品，符合RoHS标准。应用：汽车发动机控制。动力系统管理

数据手册

1+
￥82.0618 ￥115.58
10+
￥68.4054 ￥112.14
12+
￥57.1914 ￥112.14

有货

立即购买

2个N沟道耐压:20V 电流:220mA

型号：NTUD3170NZT5G 编号：C145188

封装：SOT-963-6

品牌：onsemi(安森美)

小信号 MOSFET，20V，280mA，1.5Ω，双 N 沟道，SOT-963，带 ESD 防护

数据手册

5+
￥0.7553
50+
￥0.7375
150+
￥0.7256

有货

立即购买

1个N沟道耐压:60V 电流:200mA

型号：2N7000-D26Z 编号：C258193

封装：TO-92-3L

品牌：onsemi(安森美)

该款N沟道小信号MOSFET采用安森美专有的高单元密度DMOS技术生产，旨在最大程度减少导通电阻，同时提供稳固、可靠和快速的开关性能表现。它们可用于需要高达400mA DC的大多数应用，并可提供高达2A的脉冲电流，尤其适合低电压、低电流应用。

数据手册

5+
￥1.0891
50+
￥1.0678
150+
￥1.0536

有货

立即购买

1个N沟道耐压:60V 电流:500mA

型号：BS170-D27Z 编号：C900826

封装：TO-92

品牌：onsemi(安森美)

MOSFET，小信号，500 mA，60 V

数据手册

5+
￥1.5668
50+
￥1.2176
150+
￥1.068

有货

立即购买

1个P沟道耐压:20V 电流:2.6A

型号：FDZ661PZ 编号：C895389

封装：WLCSP-4(0.8X0.8)

品牌：onsemi(安森美)

FDZ661PZ采用仙童（Fairchild）先进的1.5 V PowerTrench®工艺设计，并结合了先进的“细间距”超薄晶圆级芯片尺寸封装（Thin WLCSP）工艺，可最大程度减少印刷电路板（PCB）占用空间并降低导通电阻rDS(on)。这款先进的晶圆级芯片尺寸封装（WLCSP）MOSFET代表了封装技术的一项突破，使该器件兼具出色的热传导特性和超薄外形（0

数据手册

1+
￥2.082 ￥6.94
10+
￥1.16 ￥5.8
30+
￥0.518 ￥5.18
100+
￥0.447 ￥4.47
500+
￥0.416 ￥4.16
1000+
￥0.402 ￥4.02

有货

立即购买

1个N沟道耐压:20V 电流:300mA

型号：MVMBF0201NLT1G 编号：C891846

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

适用于低功率应用的汽车用功率 MOSFET。 20V，300mA，1Ω 此类小型表面贴装 MOSFET 的 RDS(on) 可确保最小的功率损耗和节能，使得此类器件适用于小型电源管理电路。

数据手册

1+
￥2.4
10+
￥1.86
30+
￥1.63
100+
￥1.34
500+
￥1.21

有货

立即购买

1个P沟道耐压:30V 电流:0.9A

型号：NDS352AP 编号：C3290037

封装：SuperSOT-7

品牌：onsemi(安森美)

这些P沟道逻辑电平增强型功率场效应晶体管采用安森美半导体（onsemi）专有的高单元密度DMOS技术制造。这种超高密度工艺经过特别设计，可将导通电阻降至最低。这些器件特别适用于低压应用，如笔记本电脑电源管理、便携式电子设备以及其他电池供电电路，这些应用需要在超小外形的表面贴装封装中实现快速高端开关和低在线功率损耗

数据手册

1+
￥2.4
10+
￥1.89
30+
￥1.68
100+
￥1.41

有货

立即购买

1个N沟道耐压:60V

型号：NVLJWS070N06CLTAG 编号：C5208096

封装：WDFNW-6(2.05x2.05)

品牌：onsemi(安森美)

数据手册

1+
￥2.81
10+
￥2.75
30+
￥2.7
100+
￥2.66

有货

立即购买

2个N沟道耐压:20V 电流:600mA

型号：FDY3000NZ 编号：C188499

封装：SOT-563

品牌：onsemi(安森美)

此双 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 Power Trench 工艺设计的，可优化 RDS(ON) @ VGS = 2.5V。

数据手册

1+
￥3.27
10+
￥2.62
30+
￥2.34

有货

立即购买

1个N沟道+1个P沟道耐压:20V 电流:0.7A 停产

型号：FDG6332C 编号：C154512

封装：SC-70-6(SOT-363)

品牌：onsemi(安森美)

这些N和P沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越开关性能而定制的。这些器件经过专门设计，能以极小的尺寸提供极低的功耗，非常适合那些不宜采用更大更昂贵的TSSOP-8和SSOP-6封装的应用。

数据手册

1+
￥3.46
10+
￥2.68
30+
￥2.35

有货

立即购买

耐压:60V 电流:50A

型号：NTMFS5C673NLT1G 编号：C604444

封装：DFN-5(4.9x5.9)

品牌：onsemi(安森美)

功率 MOSFET 60V 50A 9.2 mΩ 单 N 沟道

数据手册

1+
￥3.48
10+
￥2.79
30+
￥2.5
100+
￥2.13

有货

立即购买

1个P沟道耐压:30V 电流:20A

型号：FDMC6679AZ 编号：C606102

封装：WDFN-8(3.3x3.3)

品牌：onsemi(安森美)

FDMC6679AZ 专为最大限度降低负载开关应用中的损耗而设计。该产品结合了硅技术和封装技术的先进成果，具备极低的导通电阻 rDS(on) 并提供静电放电（ESD）保护。

1+
￥3.63
10+
￥2.95
30+
￥2.61
100+
￥2.28

有货

立即购买

1个N沟道耐压:30V 电流:59A

型号：FDMS7682 编号：C393365

封装：Power56-8

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 专用于提高 DC/DC 转换器的总能效以及最大程度降低其开关节点噪声，可以使用同步开关 PWM 控制器，也可以使用传统开关 PWM 控制器。它经过了优化，可实现低门极电荷、低 RDS(ON)、快速开关和体二极管逆向恢复功能。

数据手册

1+
￥4.05
10+
￥3.25
30+
￥2.85

有货

立即购买

1个P沟道耐压:60V 电流:20A

型号：NTTFS5116PLTWG 编号：C893920

封装：WDFN-8(3.3x3.3)

品牌：onsemi(安森美)

特性：低导通电阻（RDS(on)）。快速开关。这些器件无铅且符合RoHS标准。应用：负载开关。直流电机控制

数据手册

1+
￥4.42
10+
￥3.58
30+
￥3.16

有货

立即购买

1个N沟道耐压:150V 电流:26A

型号：FDD390N15A 编号：C903565

封装：TO-252(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体先进的 Power Trench

数据手册

1+
￥4.45
10+
￥3.54
30+
￥3.09

有货

立即购买

1个N沟道耐压:40V 电流:77A

型号：NVTFS004N04CTAG 编号：C900503

封装：WDFN-8(3.3x3.3)

品牌：onsemi(安森美)

适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，采用 3x3mm 扁平引线封装，且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，且符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。

数据手册

1+
￥4.89
10+
￥4.77
30+
￥4.7
100+
￥4.63

有货

立即购买

1个P沟道耐压:60V 电流:14A

型号：NVTFS5116PLTAG 编号：C389530

封装：WDFN-8(3.3x3.3)

品牌：onsemi(安森美)

适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，安装在 3x3mm 扁平引线封装中且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。AEC-Q101 认证 MOSFET 且具备生产件批准程序(PPAP) 功能，适用于汽车应用。

数据手册

1+
￥5.03
10+
￥4
30+
￥3.49
100+
￥2.98

有货

立即购买

1个N沟道耐压:40V 电流:87A

型号：NVMFS5C456NLWFAFT1G 编号：C900435

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，安装在 5x6mm 扁平引线封装中且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。AEC-Q101 认证 MOSFET 且具备生产件批准程序(PPAP) 功能，适用于汽车应用。

数据手册

1+
￥5.5942 ￥6.74
10+
￥4.818 ￥6.6
30+
￥4.095 ￥6.5
100+
￥4.032 ￥6.4

有货

立即购买

1个N沟道耐压:150V 电流:1.6A

型号：FDN86246 编号：C891118

封装：SOT-23-3

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 Power Trench 工艺生产的，针对 rDS(on)、开关性能和坚固性进行了优化。

数据手册

1+
￥5.94
10+
￥4.79
30+
￥4.21
100+
￥3.64

有货

立即购买

共2252页，67550条记录到页

<上一页
1
...
24
25
26
27
28
...
2252
下一页

立创商城为您提供安森美MOS驱动型号、厂家、价格、库存、PDF数据手册、图片等信息，为您购买安森美MOS驱动提供详细信息

您的浏览器版本过低（IE8及IE8以下的浏览器或者其他浏览器的兼容模式），存在严重安全漏洞，请切换浏览器为极速模式或者将IE浏览器升级到更高版本。【查看详情】
推荐您下载并使用立创商城APP 或者最新版谷歌浏览器、火狐浏览器、360浏览器、搜狗浏览器、QQ浏览器的极（高）速模式进行访问。

海量现货

70万种现货SKU

品类不断扩充中
闪电发货

科技智能大仓储

最快4小时发货
严控渠道

正品有保障

物料可追溯
降低成本

明码标价节省时间

一站式采购元器件

成员网站：

立创芯应用
面板定制
立创工业品
嘉立创社区
3D打印
嘉立创FPC
嘉立创PCB
嘉立创FA
立创电子设计大赛
立创开源硬件
Global Website LCSC
中信华PCB

© 深圳市立创电子商务有限公司版权所有

粤公网安备 44030402002194号

粤ICP备13005967号

|

提示

您确定要删除此收货地址的吗？

请填写订单取消原因

提示

您确定删除此收货地址吗？

成功提示

content

失败提示

content

提示

content