安森美MOS驱动_厂家_价格_品牌_库存

封装：TO-252AA

特性：超低导通电阻。 rDS(ON) = 0.092Ω，VGS = 10V。 rDS(ON) = 0.107Ω，VGS = 5V。仿真模型。温度补偿的PSPICE和SABER电气模型。 Spice和SABER热阻抗模型。峰值电流与脉冲宽度曲线。 UIS额定曲线。开关时间与RGS曲线

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￥9.0978 ￥15.42
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￥6.4582 ￥13.18
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￥3.7791 ￥9.69
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￥3.6699 ￥9.41

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型号：NVMFS5C442NLAFT1G 编号：C606160

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，安装在 5x6mm 扁平引线封装中且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。AEC-Q101 认证 MOSFET 且具备生产件批准程序(PPAP) 功能，适用于汽车应用。

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￥9.592 ￥10.9
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￥7.2696 ￥9.32
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￥5.6644 ￥8.33
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￥4.522 ￥6.65

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型号：NVMFWS0D7N04XMT1G 编号：C5208180

封装：DFNW-5(5x6)(SO-8-FL)

品牌：onsemi(安森美)

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￥10.47
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型号：NVMFD5C462NLT1G 编号：C604562

封装：DFN-8(5x6)

品牌：onsemi(安森美)

适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，安装在 5x6mm 扁平引线封装中且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。通过 AEC-Q101 认证 MOSFET 且符合生产件批准程序 (PPAP) ，适用于汽车应用。

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￥10.77
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型号：FDMS2D5N08C 编号：C891048

封装：Power56-8

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MV MOSFET 是使用安森美半导体先进的 PowerTrench 工艺生产的，该工艺结合了屏蔽门极技术。此工艺经过了优化，可最大程度降低导通电阻，同时可保持卓越的开关性能，以及业内最佳的软体二极管。

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￥11.3864 ￥13.24
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￥9.842 ￥12.95
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￥8.2962 ￥12.57

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型号：FCP600N65S3R0 编号：C605002

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

SUPERFET III MOSFET 是安森美半导体全新高压超结 (SJ) MOSFET 系列，采用电荷平衡技术，具有出色的低导通电阻和更低栅极电荷性能。这项先进技术旨在最大限度地降低导通损耗，提供卓越的开关性能，并承受极高的 dv/dt 速率。因此，SUPERFET III MOSFET Easy Drive 系列有助于管理 EMI 问题，并简化设计实施。

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￥11.834 ￥12.2
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￥10.3878 ￥11.94
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￥9.0552 ￥11.76
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￥8.9243 ￥11.59

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型号：MTP3055VL 编号：C898732

封装：TO-220AB

品牌：onsemi(安森美)

此功率 MOSFET 适用于承受雪崩和换相模式下的高能量。此类器件针对电源、转换器和电源电机控制中的低压、高速开关应用而设计，尤其适用于二极管速度和换相安全运行区域非常关键的桥式电路，可针对非预期的瞬时电压提供附加安全裕度。

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1+
￥12.02
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￥10.22
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型号：FDPF20N50T 编号：C417292

封装：TO-220F

品牌：onsemi(安森美)

UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。此 MOSFET 适用于降低导通电阻，提供更佳的开关性能以及更高的雪崩能量强度。此器件系列适用于开关电力转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。

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￥12.0478 ￥20.42
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￥11.7823 ￥19.97
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￥11.6112 ￥19.68
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￥11.4342 ￥19.38

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型号：FDMS86182 编号：C606107

封装：Power56-8

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MV MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，该工艺结合了屏蔽门极技术。此工艺经过了优化，可最大程度降低导通电阻，同时使用业内最佳的软体二极管来保持出色的开关性能。

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￥12.37
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￥10.58
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型号：FDD86250-F085 编号：C605020

封装：DPAK(TO-252)

品牌：onsemi(安森美)

特性：典型导通电阻RDS(on) = 19.4mΩ，VGS = 10V，ID = 20A。典型总栅极电荷Qg(tot) = 23nC，VGS = 10V，ID = 40A。具备单脉冲雪崩能量能力。符合RoHS标准。通过AEC Q101认证。应用：汽车发动机控制。动力总成管理

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￥12.63
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￥9.41
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￥8.15
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￥7.57
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￥7.33

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型号：FDS8447 编号：C154555

封装：SO-8

品牌：onsemi(安森美)

此单 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。

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￥12.83
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￥10.97
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￥9.8

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型号：NVD5C434NT4G 编号：C604533

封装：DPAK

品牌：onsemi(安森美)

适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，采用 DPAK 封装，且具有较高的热性能。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。

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￥13.3472 ￥15.52
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￥9.867 ￥14.95
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￥9.7218 ￥14.73

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型号：EFC4C002NLTDG 编号：C895362

封装：WLCSP-8(2.5x6)

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道功率 MOSFET 是使用安森美半导体的沟槽技术生产的，专门用于最大程度减小门极电荷，实现超低导通电阻。此器件适用于无人机或笔记本电脑应用。

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￥14.26 ￥31
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￥9.6264 ￥26.74
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￥6.292 ￥24.2
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￥5.1818 ￥19.93

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型号：FDMQ8403 编号：C463246

封装：MLP-12(4.5x5)

品牌：onsemi(安森美)

高效桥式整流器，与二极管桥相比，此四 MOSFET 解决方案在功率耗散方面提供了十倍改善。

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￥15.3544 ￥22.58
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￥11.2926 ￥19.47
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￥8.4624 ￥17.63
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￥7.5648 ￥15.76
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￥7.152 ￥14.9
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￥6.9648 ￥14.51

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型号：FDP2532 编号：C606056

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

N 沟道，PowerTrench MOSFET，150 V，79 A，16 mΩ

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￥15.54
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￥10.28
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￥9.61
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￥9.32

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型号：FDP12N50NZ 编号：C898588

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

UniFET™ II MOSFET是基于先进平面条纹和DMOS技术的高压MOSFET系列。该先进的MOSFET系列在平面MOSFET中具有最小的导通电阻，还具备出色的开关性能和更高的雪崩能量强度。此外，内部栅源ESD二极管使UniFET II MOSFET能够承受超过2kV的人体模型（HBM）浪涌应力

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