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价格(含税)

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2个P沟道耐压:30V

型号：NTMD3P03R2G 编号：C179620

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

特性：双SOIC-8封装中的高效组件。具有低导通电阻（RDS(on)）的高密度功率MOSFET。微型SOIC-8表面贴装封装，节省电路板空间。二极管具有高速软恢复特性。规定了高温下的漏电流（IDSS）。规定了雪崩能量。应用：DC-DC转换器。低电压电机控制

数据手册

1+
￥7.4995 ￥14.15
10+
￥5.1987 ￥12.09
30+
￥3.564 ￥10.8
100+
￥3.1317 ￥9.49
500+
￥2.9337 ￥8.89
1000+
￥2.8479 ￥8.63

有货

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2个N沟道耐压:20V 电流:7.5A

型号：FDS6890A 编号：C236907

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

此类 N 沟道 2.5V 指定 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持低门极电荷，实现卓越的开关性能。

数据手册

1+
￥7.6964 ￥10.84
10+
￥6.466 ￥10.6
30+
￥5.3295 ￥10.45
100+
￥5.2479 ￥10.29

有货

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1个N沟道耐压:60V

型号：HUF76407D3ST 编号：C903778

封装：TO-252AA

品牌：onsemi(安森美)

特性：超低导通电阻。 rDS(ON) = 0.092Ω，VGS = 10V。 rDS(ON) = 0.107Ω，VGS = 5V。仿真模型。温度补偿的PSPICE和SABER电气模型。 Spice和SABER热阻抗模型。峰值电流与脉冲宽度曲线。 UIS额定曲线。开关时间与RGS曲线

数据手册

1+
￥8.0184 ￥15.42
10+
￥5.5356 ￥13.18
30+
￥3.7696 ￥11.78
100+
￥3.3088 ￥10.34
500+
￥3.1008 ￥9.69
1000+
￥3.0112 ￥9.41

有货

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1个P沟道耐压:60V 电流:14A

型号：NVTFS5116PLWFTAG 编号：C604637

封装：WDFN-8(3x3)

品牌：onsemi(安森美)

适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，安装在 3x3mm 扁平引线封装中且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。AEC-Q101 认证 MOSFET 且具备生产件批准程序(PPAP) 功能，适用于汽车应用。

数据手册

1+
￥8.31
10+
￥8.1
30+
￥7.97
100+
￥7.83

有货

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1个N沟道耐压:500V 电流:20A

型号：FDPF20N50T 编号：C417292

封装：TO-220F

品牌：onsemi(安森美)

UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。此 MOSFET 适用于降低导通电阻，提供更佳的开关性能以及更高的雪崩能量强度。此器件系列适用于开关电力转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。

数据手册

1+
￥8.7806 ￥20.42
10+
￥6.5901 ￥19.97
30+
￥4.5264 ￥19.68
100+
￥4.4574 ￥19.38

有货

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1个N沟道耐压:40V 电流:29A 130A

型号：NVMFS5C442NLAFT1G 编号：C606160

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，安装在 5x6mm 扁平引线封装中且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。AEC-Q101 认证 MOSFET 且具备生产件批准程序(PPAP) 功能，适用于汽车应用。

数据手册

1+
￥8.829 ￥10.9
10+
￥6.6172 ￥9.32
30+
￥5.0813 ￥8.33
100+
￥4.4591 ￥7.31
500+
￥4.1785 ￥6.85
1500+
￥4.0565 ￥6.65

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:313A

型号：FDP020N06B-F102 编号：C898578

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，适用于最大程度降低导通电阻，同时保持出色的开关性能。

数据手册

1+
￥9.6954 ￥24.86
10+
￥6.873 ￥23.7
50+
￥4.37 ￥23
100+
￥4.237 ￥22.3
500+
￥4.1762 ￥21.98
800+
￥4.1477 ￥21.83

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:70A

型号：NVTFS5C670NLWFTAG 编号：C900530

封装：WDFN-8(3.3x3.3)

品牌：onsemi(安森美)

适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，采用 3x3mm 扁平引线封装，且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，且符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。

数据手册

1+
￥10.6206 ￥11.42
10+
￥8.1008 ￥9.76
30+
￥6.3656 ￥8.72
100+
￥5.5918 ￥7.66
500+
￥5.2414 ￥7.18
1500+
￥5.0881 ￥6.97

有货

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1个N沟道耐压:75V

型号：FDP047N08 编号：C464163

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 是使用 PowerTrench 工艺生产的，该工艺适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。

数据手册

1+
￥10.6596 ￥11.34
10+
￥9.3156 ￥11.09
50+
￥8.0882 ￥10.93
100+
￥7.9698 ￥10.77

有货

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1个N沟道耐压:650V 电流:6A

型号：FCP600N65S3R0 编号：C605002

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

SUPERFET III MOSFET 是安森美半导体全新高压超结 (SJ) MOSFET 系列，采用电荷平衡技术，具有出色的低导通电阻和更低栅极电荷性能。这项先进技术旨在最大限度地降低导通损耗，提供卓越的开关性能，并承受极高的 dv/dt 速率。因此，SUPERFET III MOSFET Easy Drive 系列有助于管理 EMI 问题，并简化设计实施。

数据手册

1+
￥10.98 ￥12.2
10+
￥9.552 ￥11.94
50+
￥8.232 ￥11.76
100+
￥8.113 ￥11.59

有货

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2个N沟道耐压:30V 电流:30A

型号：EFC4C002NLTDG 编号：C895362

封装：WLCSP-8(2.5x6)

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道功率 MOSFET 是使用安森美半导体的沟槽技术生产的，专门用于最大程度减小门极电荷，实现超低导通电阻。此器件适用于无人机或笔记本电脑应用。

数据手册

1+
￥12.09 ￥31
10+
￥7.7546 ￥26.74
30+
￥4.598 ￥24.2
100+
￥4.1116 ￥21.64
500+
￥3.8874 ￥20.46
1000+
￥3.7867 ￥19.93

有货

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1个N沟道耐压:40V 电流:163A

型号：NVD5C434NT4G 编号：C604533

封装：DPAK

品牌：onsemi(安森美)

适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，采用 DPAK 封装，且具有较高的热性能。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。

数据手册

1+
￥12.2608 ￥15.52
10+
￥10.4742 ￥15.18
30+
￥8.8205 ￥14.95
100+
￥8.6907 ￥14.73

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:157A

型号：FDMC8010DC 编号：C555489

封装：PQFN-8(3.3x3.3)

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的。同时结合了硅和 Dual Cool 封装技术的发展，可提供最低的 rDS(on)，同时利用极低的结到环境热阻保持出色的开关性能。

数据手册

1+
￥12.42
10+
￥12.13
30+
￥11.95

有货

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1个N沟道耐压:100V 电流:78A

型号：NTMFS10N7D2C 编号：C894039

封装：PQFN-8(5x6)

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MV MOSFET 使用安森美半导体先进的 PowerTrench 工艺生产，该工艺结合了屏蔽门极技术。此工艺经过了优化，可最大程度降低导通电阻，同时可保持卓越的开关性能，以及业内最佳的软体二极管。

数据手册

1+
￥12.5488 ￥14.26
10+
￥10.881 ￥13.95
30+
￥9.3432 ￥13.74
100+
￥9.2072 ￥13.54

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:100A

型号：NVMFS5C645NLAFT1G 编号：C604613

封装：DFN-5(5.9x4.9)

品牌：onsemi(安森美)

适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，安装在 5x6mm 扁平引线封装中且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。AEC-Q101 认证 MOSFET 且具备生产件批准程序(PPAP) 功能，适用于汽车应用。

数据手册

1+
￥12.88
10+
￥11.02
30+
￥9.85

有货

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N沟道 150V 30A

型号：FDMS86250 编号：C891096

封装：Power56-8

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。

数据手册

1+
￥13.04
10+
￥11.17
30+
￥10

有货

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2个N沟道耐压:40V 电流:84A

型号：NVMFD5C462NLWFT1G 编号：C604563

封装：DFN-8(5x6)

品牌：onsemi(安森美)

适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，安装在 5x6mm 扁平引线封装中且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。通过 AEC-Q101 认证 MOSFET 且符合生产件批准程序 (PPAP) ，适用于汽车应用。

数据手册

1+
￥13.3176 ￥14.32
10+
￥11.62 ￥14
30+
￥10.074 ￥13.8
100+
￥9.9207 ￥13.59

有货

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4个N沟道耐压:100V 电流:6A

型号：FDMQ8403 编号：C463246

封装：MLP-12(4.5x5)

品牌：onsemi(安森美)

高效桥式整流器，与二极管桥相比，此四 MOSFET 解决方案在功率耗散方面提供了十倍改善。

数据手册

1+
￥13.7738 ￥22.58
10+
￥9.9297 ￥19.47
30+
￥7.2283 ￥17.63
100+
￥6.4616 ￥15.76
500+
￥6.109 ￥14.9
1000+
￥5.9491 ￥14.51

有货

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2个N沟道耐压:40V 电流:84A

型号：NVMFD5C462NLT1G 编号：C604562

封装：DFN-8(5x6)

品牌：onsemi(安森美)

适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，安装在 5x6mm 扁平引线封装中且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。通过 AEC-Q101 认证 MOSFET 且符合生产件批准程序 (PPAP) ，适用于汽车应用。

数据手册

1+
￥14.2
10+
￥11.91
30+
￥10.48
100+
￥9.01

有货

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2个N沟道耐压:60V 电流:38A 电流:9A

型号：NTTFD9D0N06HLTWG 编号：C894096

封装：WDFN-12

品牌：onsemi(安森美)

该设备在双封装中包含两个专用 N 沟道 MOSFET。开关节点已内部连接，便于同步降压转换器的布局和布线。控制 MOSFET (Q2) 和同步 MOSFET (Q1) 旨在提供最佳功率效率。

数据手册

1+
￥14.3
10+
￥12.11
30+
￥10.74

有货

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1个N沟道耐压:500V 电流:11.5A

型号：FDP12N50NZ 编号：C898588

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

UniFET™ II MOSFET是基于先进平面条纹和DMOS技术的高压MOSFET系列。该先进的MOSFET系列在平面MOSFET中具有最小的导通电阻，还具备出色的开关性能和更高的雪崩能量强度。此外，内部栅源ESD二极管使UniFET II MOSFET能够承受超过2kV的人体模型（HBM）浪涌应力

数据手册

1+
￥14.3364 ￥27.57
10+
￥9.9876 ￥23.78
30+
￥6.8864 ￥21.52
100+
￥6.16 ￥19.25
500+
￥5.824 ￥18.2
800+
￥5.6704 ￥17.72

有货

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1个N沟道耐压:80V 电流:64A

型号：FDMC007N08LCDC 编号：C890917

封装：PQFN-8(3.3x3.3)

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MV MOSFET 使用先进的 PowerTrench工艺生产，该工艺结合了屏蔽门极技术。此工艺经过了优化，可最大程度降低导通电阻，同时可保持业内最佳的软体二极管。

数据手册

1+
￥14.3377 ￥34.97
10+
￥9.4054 ￥30.34
30+
￥5.7792 ￥27.52
100+
￥5.2815 ￥25.15

有货

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NTMFS2D1N08XT1G

型号：NTMFS2D1N08XT1G 编号：C23441692

封装：DFN-5(5x6)

品牌：onsemi(安森美)

1+
￥14.37
10+
￥12.09
30+
￥10.66
100+
￥9.2

有货

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1个N沟道耐压:100V 电流:58A

型号：NTP6412ANG 编号：C604474

封装：TO-220AB

品牌：onsemi(安森美)

这是一个 100 V N 沟道功率 MOSFET。

数据手册

1+
￥14.6276 ￥28.13
10+
￥10.1892 ￥24.26
30+
￥7.0304 ￥21.97
100+
￥6.2848 ￥19.64
500+
￥5.9424 ￥18.57
1000+
￥5.7888 ￥18.09

有货

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1个P沟道耐压:12V 电流:80A

型号：FDMC610P 编号：C890936

封装：Power-33-8

品牌：onsemi(安森美)

这款P沟道MOSFET专为提高整体效率而设计，可最大程度减少使用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的开关节点振铃。它在低栅极电荷、低ΓDS（导通）、快速开关速度和体二极管反向恢复性能方面进行了优化。

数据手册

1+
￥15.1268 ￥29.09
10+
￥10.5378 ￥25.09
30+
￥7.2672 ￥22.71
100+
￥6.4992 ￥20.31
500+
￥6.144 ￥19.2
1000+
￥5.984 ￥18.7

有货

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1个N沟道耐压:900V 电流:6.3A

型号：FQB8N90CTM 编号：C898648

封装：TO-263(D2PAK)

品牌：onsemi(安森美)

这些N-Channel增强模式功率场效应晶体管采用专有平面条纹DMOS技术生产。此先进技术经特别设计，可最大程度降低导通电阻，提供卓越开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关模式电源。

数据手册

1+
￥15.8
10+
￥12.285 ￥13.5
30+
￥9.7767 ￥12.07
100+
￥8.5779 ￥10.59
500+
￥8.0433 ￥9.93
800+
￥7.8084 ￥9.64

有货

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2个N沟道耐压:40V 电流:127A

型号：NVMFD5C446NT1G 编号：C900387

封装：DFN-8(5x6)

品牌：onsemi(安森美)

适用于紧凑和高能效设计的汽车用功率 MOSFET，采用 5x6mm 扁平引线封装且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。

数据手册

1+
￥16.8144 ￥27.12
10+
￥12.1108 ￥23.29
30+
￥8.8242 ￥21.01
100+
￥7.8582 ￥18.71
500+
￥7.4088 ￥17.64
1500+
￥7.2072 ￥17.16

有货

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1个N沟道耐压:150V 电流:130A

型号：FDB075N15A 编号：C59864

封装：D2PAK

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，该工艺适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。

数据手册

1+
￥18.06
10+
￥15.56
30+
￥14
100+
￥11.25
500+
￥10.52
800+
￥10.21

有货

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1个N沟道耐压:80V 电流:11A 51A

型号：FDMC010N08C 编号：C605028

封装：Power-33

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MV MOSFET 使用安森美半导体先进的 PowerTrench 工艺生产，该工艺结合了屏蔽门极技术。此工艺经过了优化，可最大程度降低导通电阻，同时可保持卓越的开关性能，以及业内最佳的软体二极管。

数据手册

1+
￥18.382 ￥35.35
10+
￥12.8814 ￥30.67
30+
￥8.9024 ￥27.82
100+
￥8.1376 ￥25.43

有货

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耐压:40V 电流:248A

型号：FDMS8320L 编号：C605040

封装：Power-56

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 专为提高 DC/DC 转换器的总效率以及最大程度降低其开关节点噪声而设计，可以使用同步开关 PWM 控制器，也可以使用传统开关 PWM 控制器。它经过了优化，可实现低门极电荷、低 RDS(ON)、快速开关和体二极管反向恢复功能。

数据手册

1+
￥21.5384 ￥41.42
10+
￥15.0906 ￥35.93
30+
￥10.4288 ￥32.59
100+
￥9.5328 ￥29.79

有货

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