安森美MOS驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：FDT439N 编号：C467785

封装：SOT-223

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道增强型场效应晶体管是使用高单元密度的 DMOS 专属技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻，可提供出色的开关性能。这些产品非常适合低电压、低电流应用，如笔记本电脑电源管理、电池供电电路，以及直流电机控制。

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型号：NTGS3136PT1G 编号：C604398

封装：TSOP-6

品牌：onsemi(安森美)

特性：低RDS(on)，采用TSOP-6封装。 1.8V栅极额定值。快速开关。 NV前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用；符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力。这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂（BFR），并符合RoHS标准。应用：优化用于便携式设备的电池和负载管理应用。高端负载开关

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型号：NVMFS6H858NLT1G 编号：C900485

封装：DFN-5(5.9x4.9)

品牌：onsemi(安森美)

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型号：FQD12N20LTM 编号：C241837

封装：DPAK

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道增强型功率 MOSFET 是使用平面条纹和 DMOS 专属技术生产的。此先进 MOSFET 技术适用于降低导通电阻，提供卓越的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、有源功率系数校正 (PFC) 和电子灯镇流器。

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型号：NDT452AP 编号：C274614

封装：SOT-223

品牌：onsemi(安森美)

功率 SOT P 沟道增强型电场效应晶体管是使用安森美半导体的高单元密度 DMOS 专属技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻，可提供出色的开关性能。此类器件非常适用于低压应用，如笔记本电脑电源管理和直流电机控制。

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型号：FDMA7632 编号：C890903

封装：DFN-6-EP(2x2)

品牌：onsemi(安森美)

该器件旨在为同步降压转换器提供最大效率和热性能。低导通电阻和栅极电荷提供了出色的开关性能。

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型号：FDMS8820 编号：C236897

封装：Power-56-8

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 专用于提高 DC/DC 转换器的总能效以及最大程度降低其开关节点噪声，可以使用同步开关 PWM 控制器，也可以使用传统开关 PWM 控制器。它经过了优化，可实现低门极电荷、低 RDS(ON)、快速开关和体二极管逆向恢复性能。

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型号：ECH8654-TL-H 编号：C890596

封装：SOT-28FL

品牌：onsemi(安森美)

ECH8654 是一款 P 沟道功率 MOSFET，-20V，-5A，38mΩ，双 ECH8，适用于通用开关应用。

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型号：FDD7N60NZTM 编号：C463713

封装：TO-252(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

N沟道,600V,5.5A,1.25Ω@10V

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型号：NVD6416ANLT4G-VF01 编号：C604540

封装：TO-252(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

特性：低导通电阻。高电流能力。 100%雪崩测试。 NVD前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用；符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力。这些器件无铅且符合RoHS标准

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型号：NTMD3P03R2G 编号：C179620

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

特性：双SOIC-8封装中的高效组件。具有低导通电阻（RDS(on)）的高密度功率MOSFET。微型SOIC-8表面贴装封装，节省电路板空间。二极管具有高速软恢复特性。规定了高温下的漏电流（IDSS）。规定了雪崩能量。应用：DC-DC转换器。低电压电机控制

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型号：FDS8858CZ 编号：C236908

封装：SO-8

品牌：onsemi(安森美)

此类双 N 和 P 沟道增强型功率 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适合最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。此类器件适用于需要线内低功率损耗和快速开关的低压和电池供电应用。

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型号：FDC8602 编号：C890877

封装：TSOT-23-6

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 Power Trench 工艺生产的，针对 rDS(on)、开关性能和坚固性进行了优化。

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￥5.7591 ￥7.11
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型号：NVMS5P02R2G 编号：C887750

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

特性：具有超低导通电阻 (RDS(on)) 的高密度功率 MOSFET，提供更高的效率。微型 SOIC-8 表面贴装封装，节省电路板空间。二极管具有高速软恢复特性。规定了高温下的漏源截止电流 (IDSS)。规定了漏源雪崩能量。这些器件为无铅产品，符合 RoHS 标准。应用：便携式和电池供电产品的电源管理，如计算机、打印机、PCMCIA 卡、移动电话和无绳电话

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￥5.808 ￥6.6
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型号：NVTFS5C471NLWFTAG 编号：C604643

封装：WDFN-8(3.3x3.3)

品牌：onsemi(安森美)

适用于紧凑和高能效设计的汽车用功率 MOSFET，采用 3x3mm 扁平引线封装且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。

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￥5.3103 ￥5.71
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型号：FDS6670A 编号：C241810

封装：SO-8

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道逻辑电平 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持出色的开关性能。此类器件非常适用于要求线内低功率损耗和快速开关的低电压和电池供电应用。

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型号：FDS89161LZ 编号：C95003

封装：SO-8

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道逻辑电平 MOSFET 使用先进的 PowerTrench 工艺生产，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。增加了 G-S 齐纳以提高 ESD 电压水平。

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￥6.14
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￥5.01
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￥4.45
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型号：FDD770N15A 编号：C455152

封装：TO-252(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，该工艺适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。

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￥6.31
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￥5.17
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￥4.54

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型号：NVTFS5116PLTWG 编号：C604636

封装：WDFN-8(3x3)

品牌：onsemi(安森美)

适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，安装在 3x3mm 扁平引线封装中且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。AEC-Q101 认证 MOSFET 且具备生产件批准程序(PPAP) 功能，适用于汽车应用。

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￥6.49
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￥5.2
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型号：NTMD4184PFR2G 编号：C730375

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

表面贴装型 P通道肖特基二极管

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￥6.6493 ￥11.27
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￥4.6305 ￥9.45
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￥3.2409 ￥8.31
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￥2.5818 ￥6.62
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￥2.496 ￥6.4

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型号：FDMC86262P 编号：C455157

封装：MLP-8(3.3x3.3)

品牌：onsemi(安森美)

此 P 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻，并优化提供出色的开关性能。

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￥6.66
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￥5.45
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￥4.79
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￥4.04

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型号：NVMFD5C674NLWFT1G 编号：C900399

封装：DFN-8(4.9x5.9)

品牌：onsemi(安森美)

适用于紧凑和高能效设计的汽车用功率 MOSFET，采用 5x6mm 扁平引线封装且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。

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￥6.966 ￥8.1
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￥6.0192 ￥7.92
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￥5.1546 ￥7.81
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￥5.0754 ￥7.69

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型号：FDMA86551L 编号：C890909

封装：VDFN-6(2x2)

品牌：onsemi(安森美)

该器件专为同步降压转换器提供最高效率和热性能而设计。低 rDS(on) 和栅极电荷提供出色的开关性能。

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￥7.14
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型号：NTD250N65S3H 编号：C2902164

封装：DPAK

品牌：onsemi(安森美)

SUPERFET III MOSFET是全新的高压超结（SJ）MOSFET产品系列，采用电荷平衡技术，具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。这项先进技术旨在最大限度地降低传导损耗，提供卓越的开关性能，并能承受极高的dv/dt速率。因此，SUPERFET III FAST MOSFET系列有助于缩小各类电源系统的体积并提高系统效率

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