安森美MOS驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：FDS8880 编号：C467784

封装：SO-8

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 专为提高 DC/DC 转换器的总效率而设计，可以使用同步开关 PWM 控制器，也可以使用传统开关 PWM 控制器。它经过了优化，可实现低门极电荷、低 RDS(ON) 和快速开关。

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￥2.53
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￥2.48
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型号：FDS6898A 编号：C719837

封装：SO-8

品牌：onsemi(安森美)

此类 N 沟道逻辑电平 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。此类器件非常适用于要求线内低功率损耗和快速开关的低压和电池供电应用。

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型号：FDY1002PZ 编号：C891137

封装：SOT-563F

品牌：onsemi(安森美)

此双 P 沟道 MOSFET 是使用先进的 Power Trench 工艺设计的，可优化 rDS(on)@VGS = –1.5 V。

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￥2.5818 ￥6.62
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￥1.5631 ￥5.39
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￥0.9082 ￥4.78
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型号：NVD3055L170T4G-VF01 编号：C887721

封装：TO-252(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

适用于电源、转换器、功率电机控制和桥式电路中的低压高速开关应用的汽车级功率 MOSFET。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。

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￥2.8304 ￥4.64
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型号：FDS3512 编号：C153039

封装：SOP-8

品牌：onsemi(安森美)

此N沟道MOSFET是专为使用同步或传统开关PWM控制器来改进DC/DC转换器整体功效而设计的。比其他具有可比R

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￥3.228 ￥10.76
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￥1.838 ￥9.19
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￥0.822 ￥8.22
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￥0.676 ￥6.76
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型号：FDS8984 编号：C61023

封装：SO-8

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 专为提高 DC/DC 转换器的总效率而设计，可以使用同步开关 PWM 控制器，也可以使用传统开关 PWM 控制器。它经过了优化，可实现低门极电荷、低 RDS(ON) 和快速开关。

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型号：FDN537N 编号：C3280165

封装：SOT-23-3

品牌：onsemi(安森美)

这款N沟道MOSFET采用先进的Power Trench®工艺制造，该工艺在导通电阻rDS(on)、开关性能和耐用性方面进行了优化。

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￥3.76
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￥2.74
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型号：FDT439N 编号：C467785

封装：SOT-223

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道增强型场效应晶体管是使用高单元密度的 DMOS 专属技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻，可提供出色的开关性能。这些产品非常适合低电压、低电流应用，如笔记本电脑电源管理、电池供电电路，以及直流电机控制。

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￥3.84
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型号：FDMA8878 编号：C890910

封装：VDFN-6(2x2)

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 Power Trench 工艺生产的，针对 rDS(on)、开关性能进行了优化。

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￥3.8813 ￥10.49
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￥2.3679 ￥8.77
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￥1.3294 ￥7.82
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￥1.1492 ￥6.76
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型号：NVMFS5C450NAFT1G 编号：C900431

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，安装在 5x6mm 扁平引线封装中且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。AEC-Q101 认证 MOSFET 且具备生产件批准程序(PPAP) 功能，适用于汽车应用。

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￥4.04
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￥3.91
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型号：FDMS8820 编号：C236897

封装：Power-56-8

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 专用于提高 DC/DC 转换器的总能效以及最大程度降低其开关节点噪声，可以使用同步开关 PWM 控制器，也可以使用传统开关 PWM 控制器。它经过了优化，可实现低门极电荷、低 RDS(ON)、快速开关和体二极管逆向恢复性能。

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￥4.2406 ￥4.66
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￥3.6936 ￥4.56
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￥3.1879 ￥4.49
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￥3.1382 ￥4.42

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型号：NDT452AP 编号：C274614

封装：SOT-223

品牌：onsemi(安森美)

功率 SOT P 沟道增强型电场效应晶体管是使用安森美半导体的高单元密度 DMOS 专属技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻，可提供出色的开关性能。此类器件非常适用于低压应用，如笔记本电脑电源管理和直流电机控制。

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￥4.27
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￥4.16
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￥4.09

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型号：FDD7N60NZTM 编号：C463713

封装：TO-252(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

N沟道,600V,5.5A,1.25Ω@10V

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￥4.2968 ￥10.48
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￥2.7776 ￥8.96
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￥1.6821 ￥8.01
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型号：NVD6416ANLT4G-VF01 编号：C604540

封装：TO-252(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

特性：低导通电阻。高电流能力。 100%雪崩测试。 NVD前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用；符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力。这些器件无铅且符合RoHS标准

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￥4.368 ￥7.8
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￥2.9992 ￥6.52
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￥2.0952 ￥5.82
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￥1.6236 ￥4.51

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型号：FDMC8327L 编号：C890957

封装：Power33-8

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。

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￥5.17
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￥4.12
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￥3.59

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型号：FDS8858CZ 编号：C236908

封装：SO-8

品牌：onsemi(安森美)

此类双 N 和 P 沟道增强型功率 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适合最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。此类器件适用于需要线内低功率损耗和快速开关的低压和电池供电应用。

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1+
￥5.19
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￥4.13
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￥3.6
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￥3.07

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型号：FDT86102LZ 编号：C894832

封装：SOT-223

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻和开关损耗。增加了 G-S 齐纳以提高 ESD 电压水平。

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1+
￥5.23
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￥4.26
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￥3.77

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型号：NVMS5P02R2G 编号：C887750

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

特性：具有超低导通电阻 (RDS(on)) 的高密度功率 MOSFET，提供更高的效率。微型 SOIC-8 表面贴装封装，节省电路板空间。二极管具有高速软恢复特性。规定了高温下的漏源截止电流 (IDSS)。规定了漏源雪崩能量。这些器件为无铅产品，符合 RoHS 标准。应用：便携式和电池供电产品的电源管理，如计算机、打印机、PCMCIA 卡、移动电话和无绳电话

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￥5.346 ￥6.6
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￥3.0012 ￥4.92
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￥2.4095 ￥3.95
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￥2.3302 ￥3.82

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型号：FDT86246L 编号：C894836

封装：SOT-223

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，针对 rDS(on)、开关性能和坚固性进行了优化。

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1+
￥5.68
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￥4.65
30+
￥4.13

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型号：FDMC7570S 编号：C890941

封装：PQFN-8(3x3)

品牌：onsemi(安森美)

FDMC7570S 适用于最大程度降低电源转换应用中的损耗。同时结合了硅和封装技术的发展进步，可提供最低的 rDS(on)，还保持出色的开关性能。此器件还增加了高效单片肖特基体二极管的优点。

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￥5.688 ￥18.96
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￥3.242 ￥16.21
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￥1.448 ￥14.48
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￥1.271 ￥12.71
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￥1.192 ￥11.92
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￥1.157 ￥11.57

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型号：NVTFS5116PLTWG 编号：C604636

封装：WDFN-8(3x3)

品牌：onsemi(安森美)

适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，安装在 3x3mm 扁平引线封装中且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。AEC-Q101 认证 MOSFET 且具备生产件批准程序(PPAP) 功能，适用于汽车应用。

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1+
￥6.31
10+
￥5.04
30+
￥4.41

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型号：NVF3055L108T3G 编号：C895161

封装：SOT-223-3

品牌：onsemi(安森美)

汽车功率 MOSFET，60V，3A，120 mΩ，单 N 沟道，SOT-223，逻辑电平。适用于电源、转换器、功率电机控制和桥式电路中的低压高速开关应用。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。

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￥6.36
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￥5.21
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￥4.57
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￥3.86
500+
￥3.54
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￥3.4

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型号：NVMFD5C674NLWFT1G 编号：C900399

封装：DFN-8(4.9x5.9)

品牌：onsemi(安森美)

适用于紧凑和高能效设计的汽车用功率 MOSFET，采用 5x6mm 扁平引线封装且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。

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1+
￥6.399 ￥8.1
10+
￥5.4648 ￥7.92
30+
￥4.6079 ￥7.81
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￥4.5371 ￥7.69

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型号：NTMD4184PFR2G 编号：C730375

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

表面贴装型 P通道肖特基二极管

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￥6.5 ￥12.5
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￥4.4856 ￥10.68
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￥3.0528 ￥9.54
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￥2.6816 ￥8.38
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￥2.512 ￥7.85
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￥2.4416 ￥7.63

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型号：NTMFS6H818NT1G 编号：C604457

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，安装在 5x6mm 扁平引线封装中且具有较高的热性能。

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1+
￥6.879 ￥22.93
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￥3.956 ￥19.78
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￥1.79 ￥17.9
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￥1.601 ￥16.01
500+
￥1.513 ￥15.13
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￥1.474 ￥14.74

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型号：NTMFS5C645NLT1G 编号：C513302

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

功率 MOSFET 60V 100A 4.0 mΩ 单 N 沟道

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1+
￥7.05
10+
￥5.78
30+
￥5.09

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型号：NDP6060 编号：C274604

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

此类 N 沟道增强型电场效应晶体管是使用安森美半导体的高单元密度 DMOS 专属工艺生产的。此极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻，提供卓越的开关性能，可承受雪崩和换相模式下的高能量脉冲。此类器件尤其适用于需要快速开关、线内低功率损耗和瞬变防止的低压应用，如汽车、DC/DC 转换器、PWM 电机控制和其他电池供电电路。

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