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首页 > 热门关键词 > 安森美MOS驱动
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1个N沟道 耐压:100V 电流:43A
型号：FDMC86160ET100 编号：C890964
封装：PQFN-8
品牌：onsemi(安森美)
此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench工艺生产的，该工艺结合了屏蔽门极技术。此工艺针对低导通电阻进行优化。此器件非常适用于需要在小空间内实现超低 rDS(on) 的应用，如高性能 VRM、POL 和 Oring 功能。
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    耐压:100V 电流:164A
    型号：FDI045N10A-F102 编号：C605026
    封装：TO-262-3
    品牌：onsemi(安森美)
    此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，适用于最大程度降低导通电阻，同时保持出色的开关性能。
    数据手册

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    N沟道 100V 50A
    型号：FDP150N10A-F102 编号：C898590
    封装：TO-220
    品牌：onsemi(安森美)
    此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，该工艺适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。
    数据手册

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    1个N沟道 耐压:150V 电流:27A
    型号：FDMS2572 编号：C462739
    封装：Power-56-8
    品牌：onsemi(安森美)
    UltraFET 器件结合了各种特性，可在电源转换应用中提供标杆式效率。此类器件针对低 rDS(on)、低 ESR、低总电荷和 Miller 门极电荷而优化，适用于高频 DC/DC 转换器。
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      ￥17.85

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    1个N沟道 耐压:60V 电流:48A
    型号：NDP6060L 编号：C158097
    封装：TO-220
    品牌：onsemi(安森美)
    此类 N 沟道逻辑电平增强型电场效应晶体管使用安森美半导体的高单元密度 DMOS 专属工艺生产。此极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻，提供卓越的开关性能，可承受雪崩和换相模式下的高能量脉冲。此类器件尤其适用于需要快速开关、线内低功率损耗和瞬变防止的低压应用，如汽车、DC/DC 转换器、PWM 电机控制和其他电池供电电路。
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    1个N沟道 耐压:250V 电流:69A
    型号：FDA69N25 编号：C455144
    封装：TO-3PN
    品牌：onsemi(安森美)
    UniFET MOSFET 基于平面条纹和 DMOS 技术，是一种高压 MOSFET 系列。该 MOSFET 旨在降低导通电阻，提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度。该器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示器 (FPD) 电视电源、ATX 和电子灯镇流器。
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    1个N沟道 耐压:650V 电流:30A
    型号：NTP110N65S3HF 编号：C604470
    封装：TO-220
    品牌：onsemi(安森美)
    SUPERFET III MOSFET 是安森美半导体的全新高压超结 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻，以及更低门极电荷方面的卓越性能。此先进技术专用于最大程度降低导电损耗，提供卓越的开关性能，并且可以承受极端 dv/dt 速率。因此，SUPERFET III MOSFET 适用于各种电源系统，实现系统小型化和更高能效。SUPERFET III FRFET MOSFET 优化的体二极管逆向恢复性能可以消除附加组件，提高系统可靠性。
    数据手册

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    N沟道 100V 164A
    型号：FDP047N10 编号：C899146
    封装：TO-220
    品牌：onsemi(安森美)
    此 N 沟道 MOSFET 是使用 PowerTrench 工艺生产的，该工艺适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。
    数据手册

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    耐压:40V 电流:558A
    型号：NTMTS0D4N04CTXG 编号：C894058
    封装：DFNW-8(8.4x8.3)
    品牌：onsemi(安森美)
    此 N 沟道 MV MOSFET 是使用安森美半导体先进的 Power Trench 工艺生产的，该工艺结合了屏蔽门极技术。此工艺经过了优化，可最大程度降低导通电阻，同时可保持卓越的开关性能，以及业内最佳的软体二极管。
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    1个N沟道 耐压:100V 电流:300A
    型号：FDBL86062-F085 编号：C606101
    封装：HPSOF-8
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：典型导通电阻：在VGS = 10V、ID = 80A时为1.5mΩ。 典型总栅极电荷：在VGS = 10V、ID = 80A时为95mC。 具备UIS能力。 通过AEC Q101认证。 无铅且符合RoHS标准。应用：汽车发动机控制。 动力总成管理
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    1个N沟道 耐压:60V 电流:224A
    型号：NVMFSC1D6N06CL 编号：C894169
    封装：DFN-8(5x6.2)
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：先进的双面冷却封装。超低导通电阻。MSL1 坚固封装设计。通过 AEC-Q101 认证。应用：或门 FET/负载开关。同步整流器
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    耐压:650V 电流:65A
    型号：FCH040N65S3-F155 编号：C604986
    封装：TO-247-3
    品牌：onsemi(安森美)
    SuperFET III MOSFET 是 ON Semiconductor 利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻和更低栅极电荷性能的全新高压超级结 (SJ) MOSFET 系列产品。 这项先进技术专用于最小化传导损耗，提供卓越的开关性能，并承受极端 dv/dt 额定值。 因此，SuperFET III MOSFET 非常适用于系统小型化和高效化的各种功率系统。
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    1个N沟道 耐压:60V 电流:260mA
    型号：2N7002ET7G 编号：C894768
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：低导通电阻（RDS(on)）。 小尺寸表面贴装封装。 沟槽技术。 S前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用；符合AEC-Q101标准，具备生产件批准程序（PPAP）能力。 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂（BFR），符合RoHS标准。应用：低端负载开关。 电平转换电路
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    1个N沟道 耐压:60V 电流:2.2A
    型号：NTR5198NLT1G 编号：C163243
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    功率 MOSFET，60V，155 mΩ，单 N 沟道，逻辑电平，SOT?23
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    1个N沟道 耐压:25V 电流:1A
    型号：NTJS4405NT1G 编号：C894004
    封装：SC-88
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：先进的平面技术，实现快速开关、低RDS(on)，提高效率并延长电池寿命。 通过AEC-Q101认证，具备PPAP能力。 这些器件为无铅产品，符合RoHS标准。应用：升压和降压转换器。 负载开关
    数据手册

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    1个P沟道 耐压:20V 电流:1.3A
    型号：NVTR01P02LT1G 编号：C336027
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    适用于低功率应用的汽车用功率 MOSFET。此类小型表面贴装 MOSFET 的 RDS(on) 可确保最小的功率损耗和节能，使得此类器件适用于空间敏感型电源管理电路。通过 AEC-Q101 认证 MOSFET 且符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。
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    • 1+

      ￥1.3566 ￥2.66

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      ￥1.066 ￥2.6

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    1个P沟道 耐压:60V 电流:1.8A 停产
    型号：NVC3S5A51PLZT1G 编号：C604529
    封装：CPH-3
    品牌：onsemi(安森美)
    汽车功率MOSFET，旨在最大程度降低栅极电荷和导通电阻。该MOSFET通过AEC - Q101认证，具备生产件批准程序（PPAP）能力，适用于汽车应用。
    数据手册

    • 1+

      ￥1.5162 ￥2.66

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      ￥1.3566 ￥2.38

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      ￥1.1286 ￥1.98
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    耐压:30V 电流:154mA
    型号：NVTA7002NT1G 编号：C692731
    封装：SC-75(SOT-416)
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：低栅极电荷，实现快速开关。 小尺寸封装，尺寸为 1.6×1.6mm。 栅极具备 ESD 保护功能。 NV 前缀适用于汽车和其他需要独特站点和控制变更要求的应用；符合 AEC-Q101 标准且具备 PPAP 能力。 这些器件无铅且符合 RoHS 标准。应用：电源管理负载开关。 电平转换

    • 5+

      ￥1.6597

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      ￥1.1641
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    2个P沟道 耐压:20V 电流:0.83A
    型号：FDY1002PZ 编号：C891137
    封装：SOT-563F
    品牌：onsemi(安森美)
    此双 P 沟道 MOSFET 是使用先进的 Power Trench 工艺设计的，可优化 rDS(on)@VGS = –1.5 V。
    数据手册

    • 1+

      ￥1.7532 ￥4.87

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      ￥1.3032 ￥3.62
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    1个N沟道 耐压:60V 电流:200mA
    型号：2N7000-D26Z 编号：C258193
    封装：TO-92-3L
    品牌：onsemi(安森美)
    该款N沟道小信号MOSFET采用安森美专有的高单元密度DMOS技术生产，旨在最大程度减少导通电阻，同时提供稳固、可靠和快速的开关性能表现。它们可用于需要高达400mA DC的大多数应用，并可提供高达2A的脉冲电流，尤其适合低电压、低电流应用。
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    • 5+

      ￥1.7884

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      ￥1.4166

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      ￥1.2573
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    1个P沟道 耐压:20V 电流:3.2A
    型号：NTRV4101PT1G 编号：C236215
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    适用于低功率应用的汽车用功率 MOSFET。-20V，-3.2A，85 mΩ，单 P 沟道，SOT23。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。
    数据手册

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      ￥1.8131

    • 50+

      ￥1.5354

    • 150+

      ￥1.4164
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    1个P沟道 耐压:20V 电流:4A
    型号：FDC642P 编号：C890875
    封装：SSOT-6
    品牌：onsemi(安森美)
    此 P 沟道 2.5V 指定 MOSFET 是使用 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持低门极电荷，实现卓越的开关性能。此类器件适用于无法采用更大封装的应用，可为其在非常小的占地面积中提供卓越的功率耗散。
    数据手册

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      ￥1.9418

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      ￥1.5646

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      ￥1.403
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    1个N沟道 耐压:30V 电流:59A
    型号：FDMS7682 编号：C393365
    封装：Power56-8
    品牌：onsemi(安森美)
    此 N 沟道 MOSFET 专用于提高 DC/DC 转换器的总能效以及最大程度降低其开关节点噪声，可以使用同步开关 PWM 控制器，也可以使用传统开关 PWM 控制器。它经过了优化，可实现低门极电荷、低 RDS(ON)、快速开关和体二极管逆向恢复功能。
    数据手册

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      ￥2.32

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    耐压:25V 电流:0.41A
    型号：FDG8842CZ 编号：C464156
    封装：SOT-323-6L
    品牌：onsemi(安森美)
    此类 N 和 P 沟道逻辑电平增强型场效应晶体管是使用高单元密度的 DMOS 专属技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻。此器件是专为在低压应用中替代双极数字晶体管和小信号 MOSFET 而设计的。因为无需偏置电阻，所以此类双数字 FET 可以替代若干具有各种偏置电阻值的数字晶体管。
    数据手册

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      ￥2.646 ￥6.3

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      ￥2.1546 ￥5.13

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      ￥1.911 ￥4.55

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      ￥1.6674 ￥3.97

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      ￥1.449 ￥3.45
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    双路N沟道和P沟道数字场效应晶体管
    型号：FDC6321C 编号：C890873
    封装：TSOT-23-6
    品牌：onsemi(安森美)
    这些双N和P沟道逻辑电平增强型场效应晶体管采用专有、高单元密度的DMOS技术生产。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。该器件专为低压应用而设计，可替代负载开关应用中的数字晶体管。由于不需要偏置电阻，这种双数字FET可以替代多个具有不同偏置电阻的数字晶体管。
    数据手册

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      ￥2.84

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    1个P沟道 耐压:400V 电流:1.56A
    型号：FQD2P40TM 编号：C903731
    封装：TO-252AA
    品牌：onsemi(安森美)
    此 P 沟道增强型功率 MOSFET 是使用平面条纹和 DMOS 专属技术生产的。此先进 MOSFET 技术特别适用于降低导通电阻，提供出色的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。
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      ￥3.22
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    2个N沟道 耐压:20V 电流:600mA
    型号：FDY3000NZ 编号：C188499
    封装：SOT-563
    品牌：onsemi(安森美)
    此双 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 Power Trench 工艺设计的，可优化 RDS(ON) @ VGS = 2.5V。
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    • 1+

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    1个N沟道 耐压:80V
    型号：FDS3512 编号：C153039
    封装：SOP-8
    品牌：onsemi(安森美)
    此N沟道MOSFET是专为使用同步或传统开关PWM控制器来改进DC/DC转换器整体功效而设计的。 比其他具有可比R
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      ￥3.8736 ￥10.76

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    1个P沟道 耐压:30V 电流:20A
    型号：FDMC6679AZ 编号：C606102
    封装：WDFN-8(3.3x3.3)
    品牌：onsemi(安森美)
    FDMC6679AZ 专为最大限度降低负载开关应用中的损耗而设计。该产品结合了硅技术和封装技术的先进成果，具备极低的导通电阻 rDS(on) 并提供静电放电（ESD）保护。

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    N沟道 40V 102A
    型号：NVMFS5C450NAFT1G 编号：C900431
    封装：SO-8FL
    品牌：onsemi(安森美)
    适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，安装在 5x6mm 扁平引线封装中且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。AEC-Q101 认证 MOSFET 且具备生产件批准程序(PPAP) 功能，适用于汽车应用。
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      ￥4.04

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