安森美MOS驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：NTJS3157NT1G 编号：C236243

封装：SC-88

品牌：onsemi(安森美)

特性：领先的沟槽技术，实现低导通电阻，延长电池寿命。快速开关，提高电路效率。 SC-88小外形（2×2mm），可最大程度利用电路板，与SC-70-6相同。这些是无铅器件。应用：DC-DC转换。低端负载开关

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5+
￥2.1061
50+
￥1.6525
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￥1.4581
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￥1.2156

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型号：MVMBF0201NLT1G 编号：C891846

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

适用于低功率应用的汽车用功率 MOSFET。 20V，300mA，1Ω 此类小型表面贴装 MOSFET 的 RDS(on) 可确保最小的功率损耗和节能，使得此类器件适用于小型电源管理电路。

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￥2.4
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型号：NDS352AP 编号：C3290037

封装：SuperSOT-7

品牌：onsemi(安森美)

这些P沟道逻辑电平增强型功率场效应晶体管采用安森美半导体（onsemi）专有的高单元密度DMOS技术制造。这种超高密度工艺经过特别设计，可将导通电阻降至最低。这些器件特别适用于低压应用，如笔记本电脑电源管理、便携式电子设备以及其他电池供电电路，这些应用需要在超小外形的表面贴装封装中实现快速高端开关和低在线功率损耗

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￥2.4
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￥1.89
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￥1.68
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型号：FDG6332C 编号：C154512

封装：SC-70-6(SOT-363)

品牌：onsemi(安森美)

这些N和P沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越开关性能而定制的。这些器件经过专门设计，能以极小的尺寸提供极低的功耗，非常适合那些不宜采用更大更昂贵的TSSOP-8和SSOP-6封装的应用。

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￥2.4649
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型号：NTTFS4C02NTAG 编号：C604498

封装：WDFN-8(3.3x3.3)

品牌：onsemi(安森美)

功率 MOSFET 30 V，170 A，单 N 沟道，8FL

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￥2.9079 ￥10.77
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￥2.43 ￥9
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￥2.1681 ￥8.03
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￥1.6821 ￥6.23

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型号：FDC637AN 编号：C479707

封装：SuperSOT-6

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 2.5V 指定 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持低门极电荷，实现卓越的开关性能。与更大的 SO-8 和 TSSOP-8 封装相比，此器件可在非常小的占地面积中提供卓越的功率耗散。

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￥3.01
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￥2.44
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￥2.2
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型号：NTMFS5C673NLT1G 编号：C604444

封装：DFN-5(4.9x5.9)

品牌：onsemi(安森美)

功率 MOSFET 60V 50A 9.2 mΩ 单 N 沟道

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￥3.48
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￥2.79
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￥2.5
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￥2.13

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型号：NVMFS5C450NAFT1G 编号：C900431

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，安装在 5x6mm 扁平引线封装中且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。AEC-Q101 认证 MOSFET 且具备生产件批准程序(PPAP) 功能，适用于汽车应用。

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￥4.04
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￥3.96
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￥3.91
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型号：FDC5661N-F085 编号：C890871

封装：TSOT-23-6

品牌：onsemi(安森美)

N 沟道，PowerTrench MOSFET，逻辑电平，60V，4A，60mΩ

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￥4.25
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￥3.5
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￥3.12

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型号：FDD8447L 编号：C247783

封装：DPAK(TO-252)

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 是使用 PowerTrench 专属技术生产的，可提供低 rDS(on) 和优化的 BVDSS 能力，为应用带来卓越性能优势。

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￥4.43
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￥3.7
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￥3.34
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￥2.98

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型号：FDMA8878 编号：C890910

封装：VDFN-6(2x2)

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 Power Trench 工艺生产的，针对 rDS(on)、开关性能进行了优化。

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￥4.6156 ￥10.49
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￥2.9818 ￥8.77
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￥1.8768 ￥7.82
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￥1.6224 ￥6.76
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￥1.4568 ￥6.07

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型号：NTTFS5116PLTWG 编号：C893920

封装：WDFN-8(3.3x3.3)

品牌：onsemi(安森美)

特性：低导通电阻（RDS(on)）。快速开关。这些器件无铅且符合RoHS标准。应用：负载开关。直流电机控制

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1+
￥4.76
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￥3.91
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￥3.49
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￥3.08

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型号：NVTFS004N04CTAG 编号：C900503

封装：WDFN-8(3.3x3.3)

品牌：onsemi(安森美)

适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，采用 3x3mm 扁平引线封装，且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，且符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。

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￥4.89
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￥4.77
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￥4.7
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型号：FDT1600N10ALZ 编号：C555479

封装：SOT-223

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 使用先进的 PowerTrench 工艺生产，该工艺适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。

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￥5.13
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￥4.22
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￥3.77

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型号：NVMFS5C460NLAFT1G 编号：C604601

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，安装在 5x6mm 扁平引线封装中且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。AEC-Q101 认证 MOSFET 且具备生产件批准程序(PPAP) 功能，适用于汽车应用。

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1+
￥5.4027 ￥6.21
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￥4.6739 ￥6.07
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￥4.0066 ￥5.98
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￥3.953 ￥5.9

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型号：NVTFS5116PLTAG 编号：C389530

封装：WDFN-8(3.3x3.3)

品牌：onsemi(安森美)

适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，安装在 3x3mm 扁平引线封装中且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。AEC-Q101 认证 MOSFET 且具备生产件批准程序(PPAP) 功能，适用于汽车应用。

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￥5.48
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￥4.44
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￥3.91
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￥3.4

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型号：FDT86102LZ 编号：C894832

封装：SOT-223

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻和开关损耗。增加了 G-S 齐纳以提高 ESD 电压水平。

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1+
￥5.57
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￥4.6
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￥4.11
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￥3.24

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型号：FDT86246L 编号：C894836

封装：SOT-223

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，针对 rDS(on)、开关性能和坚固性进行了优化。

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1+
￥5.68
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￥4.65
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￥4.13

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型号：NVF3055L108T3G 编号：C895161

封装：SOT-223-3

品牌：onsemi(安森美)

汽车功率 MOSFET，60V，3A，120 mΩ，单 N 沟道，SOT-223，逻辑电平。适用于电源、转换器、功率电机控制和桥式电路中的低压高速开关应用。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。

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1+
￥6.36
10+
￥5.21
30+
￥4.57
100+
￥3.86
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￥3.54
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￥3.4

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型号：FDMA86251 编号：C890907

封装：VDFN-6(2x2)

品牌：onsemi(安森美)

该器件专为同步降压转换器实现最高效率和热性能而设计。低导通电阻（rDS(on)）和栅极电荷可提供出色的开关性能。

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￥8.16
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￥6.78
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￥6.03
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￥5.17

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型号：FDMS037N08B 编号：C891042

封装：Power-56-8

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体先进的 Power Trench® 工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越开关性能而定制的。

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￥8.2899 ￥13.59
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￥7.6433 ￥12.53
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￥7.2346 ￥11.86
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￥6.8198 ￥11.18
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￥6.6307 ￥10.87
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￥6.5514 ￥10.74

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型号：NDP6060 编号：C274604

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

此类 N 沟道增强型电场效应晶体管是使用安森美半导体的高单元密度 DMOS 专属工艺生产的。此极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻，提供卓越的开关性能，可承受雪崩和换相模式下的高能量脉冲。此类器件尤其适用于需要快速开关、线内低功率损耗和瞬变防止的低压应用，如汽车、DC/DC 转换器、PWM 电机控制和其他电池供电电路。

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