安森美MOS驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：NVMFS5C423NLAFT1G 编号：C604593

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，安装在 5x6mm 扁平引线封装中且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。AEC-Q101 认证 MOSFET 且具备生产件批准程序(PPAP) 功能，适用于汽车应用。

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1+
￥11.4204 ￥12.28
10+
￥9.9683 ￥12.01
30+
￥8.6432 ￥11.84
100+
￥8.5118 ￥11.66

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型号：FDP33N25 编号：C243046

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。此 MOSFET 适用于降低导通电阻，提供更佳的开关性能以及更高的雪崩能量强度。此器件系列适用于开关电力转换器应用，如功率系数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。

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1+
￥11.84
10+
￥10.19
30+
￥9.15
100+
￥6.88
500+
￥6.4
1000+
￥6.2

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型号：NTPF360N65S3H 编号：C2902187

封装：TO-220F

品牌：onsemi(安森美)

SUPERFET III MOSFET是全新的高压超结（SJ）MOSFET系列，利用电荷平衡技术，具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。这种先进技术旨在最大限度地减少传导损耗，提供卓越的开关性能，并能承受极高的dv/dt速率。因此，SUPERFET III FAST MOSFET系列有助于缩小各种电源系统的体积并提高系统效率。

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1+
￥12.9447 ￥22.71
10+
￥9.2073 ￥19.59
50+
￥6.5601 ￥17.73
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￥5.8645 ￥15.85
500+
￥5.5463 ￥14.99
1000+
￥5.402 ￥14.6

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型号：FDPF55N06 编号：C188509

封装：TO-220F

品牌：onsemi(安森美)

UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 工艺的高压 MOSFET 系列。此 MOSFET 适用于降低导通电阻，提供更佳的开关性能以及更高的雪崩能量强度。此器件系列适用于开关电力转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。

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1+
￥13.17
10+
￥11.05
50+
￥9.72

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型号：FQA90N08 编号：C898225

封装：TO-3PN

品牌：onsemi(安森美)

此N沟道增强型功率MOSFET采用专有平面条纹和DMOS技术生产。这种先进的MOSFET技术特别针对降低导通电阻、提供卓越的开关性能和高雪崩能量强度进行了优化。这些器件适用于开关电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。

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1+
￥14.25
10+
￥13.48
30+
￥13.02
90+
￥12.55

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型号：NVMFS5113PLT1G 编号：C604582

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

特性：低RDS(on)以最小化传导损耗。高电流能力。规定雪崩能量。可焊侧翼产品。NVM前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用；符合AEC-Q101标准，具备生产件批准程序(PPAP)能力。这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂(BFR)，符合RoHS标准

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1+
￥15.55
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￥13.4
30+
￥12.04
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￥10.66
500+
￥10.04
1500+
￥9.76

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型号：FDI045N10A-F102 编号：C605026

封装：TO-262-3

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，适用于最大程度降低导通电阻，同时保持出色的开关性能。

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1+
￥17.1696 ￥20.44
10+
￥14.4152 ￥19.48
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￥12.1024 ￥18.91
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￥11.7376 ￥18.34
500+
￥11.5648 ￥18.07
1000+
￥11.488 ￥17.95

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型号：NTTFS5C453NLTAG 编号：C604505

封装：WDFN-8(3.3x3.3)

品牌：onsemi(安森美)

功率 MOSFET，40V，107A，3mΩ，单 N 沟道

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1+
￥20
10+
￥17.09
30+
￥15.27

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型号：FDD10AN06A0 编号：C236889

封装：DPAK-3

品牌：onsemi(安森美)

N 沟道，PowerTrench MOSFET，60V，50A，10.5mΩ

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1+
￥20.02
10+
￥17.14
30+
￥15.34

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型号：NTMFS7D8N10GTWG 编号：C2902174

封装：SO-8-FL-5.9mm

品牌：onsemi(安森美)

特性：宽安全工作区（SOA），适用于线性模式操作。低导通电阻RDS(on)，以最小化传导损耗。高脉冲单脉冲雪崩电流能力，增强耐用性。小尺寸封装（5x6 mm），适合紧凑型设计。无铅、无卤素/BFR，符合RoHS标准。应用：48 V热插拔系统。负载开关

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1+
￥21.2849 ￥23.39
10+
￥16.3458 ￥20.18
30+
￥12.9717 ￥18.27
100+
￥11.5943 ￥16.33
500+
￥10.9624 ￥15.44
1000+
￥10.6784 ￥15.04

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型号：NVMFS6H800NLWFT1G 编号：C900464

封装：DFN-5(5.9x4.9)

品牌：onsemi(安森美)

适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，安装在 5x6mm 扁平引线封装中且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。AEC-Q101 认证 MOSFET 且具备生产件批准程序(PPAP) 功能，适用于汽车应用。

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1+
￥28.66
10+
￥24.45
30+
￥21.94

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型号：FCH070N60E 编号：C463936

封装：TO-247

品牌：onsemi(安森美)

SuperFET II MOSFET 是全新的高压超结 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻，以及更低门极电荷方面的卓越性能。此技术专用于最大程度降低导电损耗，提供卓越的开关性能、dv/dt 速率和更高的雪崩能量。因此，SuperFET II MOSFET easy-drive 系列与 SuperFET II MOSFET 系列相比，提供了略慢的升降时间。此系列通过“E”零件编号后缀表示，有助于管理 EMI 问题，和简化设计实施。对于必须绝对保证开关损耗最小的更快开关应用中，请考虑 Super-FET II MOSFET 系列。

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1+
￥31.1924 ￥53.78
10+
￥24.7296 ￥51.52
30+
￥19.057 ￥50.15
90+
￥18.62 ￥49

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型号：FDBL86566-F085 编号：C900884

封装：MO-299A

品牌：onsemi(安森美)

N 沟道，PowerTrench MOSFET，60V，240A，2.4mΩ

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1+
￥31.9
10+
￥27.04
30+
￥24.14

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型号：NTP082N65S3F 编号：C604468

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

技术文档和设计资源模拟模型?(3) 封装图纸?(1) 数据表?(1)

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1+
￥32.92
10+
￥29.4314 ￥31.31
50+
￥25.4856 ￥30.34
100+
￥24.7968 ￥29.52

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型号：NTTFS1D2N02P1E 编号：C604496

封装：PQFN-8(3.3x3.3)

品牌：onsemi(安森美)

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1+
￥33
10+
￥28.32
30+
￥25.54

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型号：FQA13N80-F109 编号：C463976

封装：TO-3PN

品牌：onsemi(安森美)

该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正（PFC）及照明灯电子镇流器。

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1+
￥34.48
10+
￥29.93
30+
￥24.48
90+
￥21.75
450+
￥20.49
900+
￥19.92

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型号：NTP110N65S3HF 编号：C604470

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

SUPERFET III MOSFET 是安森美半导体的全新高压超结 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻，以及更低门极电荷方面的卓越性能。此先进技术专用于最大程度降低导电损耗，提供卓越的开关性能，并且可以承受极端 dv/dt 速率。因此，SUPERFET III MOSFET 适用于各种电源系统，实现系统小型化和更高能效。SUPERFET III FRFET MOSFET 优化的体二极管逆向恢复性能可以消除附加组件，提高系统可靠性。

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1+
￥34.71
10+
￥28.0778 ￥29.87
50+
￥22.6212 ￥26.93
100+
￥20.538 ￥24.45

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型号：FCH041N60F 编号：C330155

封装：TO-247-3

品牌：onsemi(安森美)

SuperFET II MOSFET 是全新的高压超结 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻，以及更低门极电荷方面的卓越性能。此技术专用于最大程度降低导电损耗，提供卓越的开关性能、dv/dt 速率和更高的雪崩能量。因此，SuperFET II MOSFET 非常适用于开关电源应用，如 PFC、服务器/电信电源、FPD TV 电源、ATX 电源和工业电源应用。SuperFET II FRFET MOSFET 优化的体二极管反向恢复性能可以消除附加组件，提高系统可靠性。

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1+
￥35.33
10+
￥30.23
30+
￥27.21

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型号：NTPF190N65S3HF 编号：C604478

封装：TO-220FP

品牌：onsemi(安森美)

SUPERFET III MOSFET是利用电荷平衡技术的全新高压超结（SJ）MOSFET系列，具有出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。这种先进技术旨在最大限度地减少传导损耗，提供卓越的开关性能，并承受极端的dv/dt速率。因此，SUPERFET III MOSFET非常适合用于各种追求小型化和更高效率的电源系统。SUPERFET III FRFET MOSFET的体二极管具有优化的反向恢复性能，可以去除额外的元件并提高系统可靠性。

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1+
￥35.48
10+
￥30.75
30+
￥27.93

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型号：FDMT80040DC 编号：C891115

封装：DualCool-88-8

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的。同时结合了硅和 Dual Cool 封装技术的发展，可提供最低的 rDS(on)，因为具有极低的结到环境热阻，还可保持出色的开关性能。

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1+
￥47.5194 ￥54.62
10+
￥36.4903 ￥47.39
30+
￥28.7966 ￥42.98
100+
￥26.3243 ￥39.29

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型号：FDH45N50F-F133 编号：C898143

封装：TO-247-3

品牌：onsemi(安森美)

UniFET MOSFET 基于平面条纹和 DMOS 技术。该 MOSFET 旨在降低导通电阻，提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度。UniFET FRFET MOSFET 的体二极管反向恢复性能通过寿命控制得到增强。其 trr 小于 100 nsec，反向 dv/dt 抗扰度为 15V/ns，而普通平面 MOSFET 分别超过 200 nsec 和 4.5V/ns。因此，在某些对 MOSFET 体二极管性能要求较高的应用中，它可以去除额外的组件并提高系统可靠性。该器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正（PFC）、平板显示器（FPD）电视电源、ATX 和电子灯镇流器。

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