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2个P沟道耐压:20V 电流:6A

型号：FDS6875 编号：C903631

封装：SO-8

品牌：onsemi(安森美)

此类 P 沟道 2.5V 指定 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持低门极电荷，实现卓越的开关性能。此类器件非常适用于便携式电子应用：负载开关和电源管理、电池充电和保护电路。

数据手册

1+
￥8.991 ￥11.1
10+
￥6.7379 ￥9.49
30+
￥5.1728 ￥8.48
100+
￥4.5384 ￥7.44
500+
￥4.2578 ￥6.98
1000+
￥4.1358 ￥6.78

有货

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1个N沟道耐压:650V 电流:13A

型号：NTPF250N65S3H 编号：C2902186

封装：TO-220F

品牌：onsemi(安森美)

SUPERFET III MOSFET是全新的高压超结（SJ）MOSFET系列，采用电荷平衡技术，具有出色的低导通电阻和较低的栅极电荷性能。这种先进技术旨在最大限度地减少传导损耗，提供卓越的开关性能，并能承受极高的dv/dt速率。因此，SUPERFET III FAST MOSFET系列有助于缩小各种电源系统的尺寸并提高系统效率。

数据手册

1+
￥9.3015 ￥17.55
10+
￥6.45 ￥15
50+
￥4.422 ￥13.4
100+
￥3.8841 ￥11.77
500+
￥3.6399 ￥11.03
1000+
￥3.5343 ￥10.71

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:70A

型号：NVTFS5C670NLWFTAG 编号：C900530

封装：WDFN-8(3.3x3.3)

品牌：onsemi(安森美)

适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，采用 3x3mm 扁平引线封装，且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，且符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。

数据手册

1+
￥10.35
10+
￥7.821 ￥8.69
30+
￥6.12 ￥7.65
100+
￥5.272 ￥6.59
500+
￥4.888 ￥6.11
1500+
￥4.72 ￥5.9

有货

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2个N沟道耐压:40V 电流:84A

型号：NVMFD5C462NLT1G 编号：C604562

封装：DFN-8(5x6)

品牌：onsemi(安森美)

适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，安装在 5x6mm 扁平引线封装中且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。通过 AEC-Q101 认证 MOSFET 且符合生产件批准程序 (PPAP) ，适用于汽车应用。

数据手册

1+
￥10.77
10+
￥9.8
30+
￥9.2
100+
￥8.58

有货

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1个N沟道耐压:100V 电流:124A

型号：FDMS86181 编号：C348548

封装：Power56-8

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MV MOSFET 是使用先进的 PowerTrench工艺生产的，该工艺结合了屏蔽门极技术。此工艺经过了优化，可最大程度降低导通电阻，同时可保持卓越的开关性能，以及业内最佳的软体二极管。

数据手册

1+
￥11.25
10+
￥9.55
30+
￥8.49
100+
￥7.4

有货

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耐压:40V 电流:192A

型号：FDMS8320LDC 编号：C891082

封装：DualCool-56-8

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 采用先进的 PowerTrench 工艺生产。同时结合了硅和 Dual Cool 封装技术的发展进步，可提供最低的 rDS(on)，同时利用极低的结到环境热阻保持出色的开关性能。

数据手册

1+
￥11.583 ￥21.06
10+
￥8.172 ￥18.16
30+
￥5.754 ￥16.44
100+
￥5.145 ￥14.7
500+
￥4.865 ￥13.9
1000+
￥4.739 ￥13.54

有货

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1个N沟道耐压:250V 电流:33A

型号：FDP33N25 编号：C243046

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。此 MOSFET 适用于降低导通电阻，提供更佳的开关性能以及更高的雪崩能量强度。此器件系列适用于开关电力转换器应用，如功率系数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。

数据手册

1+
￥12.59
10+
￥10.94
30+
￥9.91
100+
￥7.64
500+
￥7.16
1000+
￥6.95

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:55A

型号：FDPF55N06 编号：C188509

封装：TO-220F

品牌：onsemi(安森美)

UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 工艺的高压 MOSFET 系列。此 MOSFET 适用于降低导通电阻，提供更佳的开关性能以及更高的雪崩能量强度。此器件系列适用于开关电力转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。

数据手册

1+
￥13.17
10+
￥11.05
50+
￥9.72

有货

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1个N沟道耐压:100V 电流:78A

型号：NTMFS10N7D2C 编号：C894039

封装：PQFN-8(5x6)

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MV MOSFET 使用安森美半导体先进的 PowerTrench 工艺生产，该工艺结合了屏蔽门极技术。此工艺经过了优化，可最大程度降低导通电阻，同时可保持卓越的开关性能，以及业内最佳的软体二极管。

数据手册

1+
￥13.547 ￥14.26
10+
￥11.8575 ￥13.95
30+
￥10.305 ￥13.74
100+
￥10.155 ￥13.54

有货

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耐压:150V 电流:85A

型号：FDMS8D8N15C 编号：C605045

封装：Power-56

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MV MOSFET 是使用先进的 PowerTrench工艺生产的，该工艺结合了屏蔽门极技术。此工艺经过了优化，可最大程度降低导通电阻，同时可保持卓越的开关性能，以及业内最佳的软体二极管。

数据手册

1+
￥13.581 ￥25.15
10+
￥9.5436 ￥21.69
30+
￥6.6776 ￥19.64
100+
￥5.9704 ￥17.56
500+
￥5.644 ￥16.6
1000+
￥5.4978 ￥16.17

有货

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1个P沟道耐压:60V 电流:61A

型号：NVD5117PLT4G-VF01 编号：C604532

封装：DPAK

品牌：onsemi(安森美)

汽车用功率 MOSFET，-60V，-61A，16 mΩ，单 P 沟道，DPAK，逻辑电平AEC-Q101 认证 MOSFET 且具备生产件批准程序(PPAP) 功能，适用于汽车应用。

数据手册

1+
￥14.74
10+
￥12.6
30+
￥11.27
100+
￥9.9

有货

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1个N沟道耐压:100V 电流:144A

型号：FDP054N10 编号：C605049

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 是使用 PowerTrench 工艺生产的，该工艺适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。

数据手册

1+
￥15.232 ￥22.4
10+
￥12.2902 ￥21.19
50+
￥9.8208 ￥20.46
100+
￥9.4704 ￥19.73
500+
￥9.312 ￥19.4
1000+
￥9.2352 ￥19.24

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:18A 89A

型号：NVD5C648NLT4G 编号：C604537

封装：DPAK

品牌：onsemi(安森美)

适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，安装在 DPAK 封装中且具有较高的热性能。通过 AEC-Q101 认证 MOSFET 且符合生产件批准程序 (PPAP) ，适用于汽车应用。

数据手册

1+
￥16.3152 ￥16.48
10+
￥12.2998 ￥13.82
30+
￥9.5985 ￥12.15
100+
￥8.2555 ￥10.45
500+
￥7.6472 ￥9.68
1000+
￥7.3865 ￥9.35

有货

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NTMFS2D1N08XT1G

型号：NTMFS2D1N08XT1G 编号：C23441692

封装：DFN-5(5x6)

品牌：onsemi(安森美)

1+
￥17.86
10+
￥15.44
30+
￥13.92
100+
￥12.37

有货

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100V 50A

型号：NTTFS010N10MCLTAG 编号：C604494

封装：WDFN-5(3.3x3.3)

品牌：onsemi(安森美)

这是一款N沟道MOSFET，采用先进的POWERTRENCH工艺和屏蔽栅技术。该工艺经过优化，可最大限度地降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能和一流的软体二极管。

数据手册

1+
￥19.74
10+
￥16.87
30+
￥15.08
100+
￥13.24

有货

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P沟道 MOSFET,电流:-263A,耐压:-30V

型号：NTMFS002P03P8ZT1G 编号：C2902170

封装：SO-8FL-EP-5.8mm

品牌：onsemi(安森美)

特性：超低RDS(on)以提高系统效率。采用5x6mm的先进封装技术，节省空间并具有出色的热传导性能。这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂，符合RoHS标准。应用：电源负载开关。保护：反向电流、过电压和反向负电压

数据手册

1+
￥20.16
10+
￥17.1
30+
￥15.28

有货

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1个N沟道耐压:80V 电流:224A

型号：NVMFS6H800NLWFT1G 编号：C900464

封装：DFN-5(5.9x4.9)

品牌：onsemi(安森美)

适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，安装在 5x6mm 扁平引线封装中且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。AEC-Q101 认证 MOSFET 且具备生产件批准程序(PPAP) 功能，适用于汽车应用。

数据手册

1+
￥30.9
10+
￥26.68
30+
￥24.18

有货

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N沟道 60V 240A

型号：FDBL86566-F085 编号：C900884

封装：MO-299A

品牌：onsemi(安森美)

N 沟道，PowerTrench MOSFET，60V，240A，2.4mΩ

数据手册

1+
￥31.9
10+
￥27.04
30+
￥24.14

有货

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1个N沟道耐压:600V 电流:23.5A

型号：FQA24N60 编号：C350838

封装：TO-3PN

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道增强型功率 MOSFET 是使用平面条纹和 DMOS 专属技术生产的。此先进 MOSFET 技术特别适用于降低导通电阻，提供出色的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正 (PFC) 和电子灯镇流器。

数据手册

1+
￥37.39
10+
￥32.31
30+
￥29.22
90+
￥26.62

有货

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1个N沟道耐压:300V 电流:43.5A

型号：FQA44N30 编号：C898220

封装：TO-3PN

品牌：onsemi(安森美)

该N沟道增强型功率MOSFET采用专有平面条纹和DMOS技术生产。这种先进的MOSFET技术特别适合降低导通电阻，提供卓越的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正（PFC）和电子镇流器。

数据手册

1+
￥44.24
10+
￥37.78
30+
￥33.84

有货

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1个N沟道耐压:600V 电流:52A

型号：FCH070N60E 编号：C463936

封装：TO-247

品牌：onsemi(安森美)

SuperFET II MOSFET 是全新的高压超结 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻，以及更低门极电荷方面的卓越性能。此技术专用于最大程度降低导电损耗，提供卓越的开关性能、dv/dt 速率和更高的雪崩能量。因此，SuperFET II MOSFET easy-drive 系列与 SuperFET II MOSFET 系列相比，提供了略慢的升降时间。此系列通过“E”零件编号后缀表示，有助于管理 EMI 问题，和简化设计实施。对于必须绝对保证开关损耗最小的更快开关应用中，请考虑 Super-FET II MOSFET 系列。

数据手册

1+
￥47.0028 ￥68.12
10+
￥40.779 ￥59.1
30+
￥36.984 ￥53.6
90+
￥33.81 ￥49

有货

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1个N沟道耐压:100V

型号：FDBL86063-F085 编号：C900879

封装：MO-299A

品牌：onsemi(安森美)

N 沟道，PowerTrench MOSFET，100V，240A，2.6mΩ

数据手册

1+
￥56.36
10+
￥47.97
30+
￥42.85

有货

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双N沟道功率沟槽MOSFET，100V，21A，20mΩ

型号：FDMD84100 编号：C463245

封装：Power-8(3.3x5)

品牌：onsemi(安森美)

该封装集成了两个N沟道器件，内部采用共源极配置连接。这使得封装寄生参数非常低，并优化了通向底部共源焊盘的热路径。为更高的功率密度提供了非常小的占位面积（3.3×5mm）。

1+
￥84.45
10+
￥80.58
30+
￥73.86

有货

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1个N沟道耐压:650V 电流:75A

型号：NVHL027N65S3F 编号：C604550

封装：TO-247

品牌：onsemi(安森美)

SUPERFET III MOSFET 是安森美半导体的全新高压超结 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻，以及更低门极电荷方面的出色性能。此先进技术专用于最大程度降低导通损耗，提供出色的开关性能，并且可以承受极端 dv/dt 速率。因此，SUPERFET III MOSFET 适用于各种电源系统，实现系统小型化和更高效能。SUPERFET III FRFET MOSFET 优化的体二极管反向恢复性能可以消除附加组件，提高系统可靠性。

数据手册

1+
￥104.71
10+
￥96.17
30+
￥93.63

有货

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1个N沟道耐压:50V 电流:200mA

型号：BVSS138LT1G 编号：C152546

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

适用于低功率应用的汽车用功率 MOSFET。50V，200mA，3.5 Ohm，单 N 沟道，SOT-23，逻辑电平，无铅，符合 RoHS 标准。通过 AEC-Q101 认证 MOSFET 且符合生产件批准程序 (PPAP) ，适用于汽车应用。

数据手册

10+
￥0.2209
100+
￥0.2169
300+
￥0.2143

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:115mA

型号：2N7002LT7G 编号：C894770

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

特性：2V前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 AEC-Q101合格且具备PPAP能力（2V7002L）。这些器件无铅、无卤素/BFR且符合RoHS标准

数据手册

5+
￥0.7947
50+
￥0.7777
150+
￥0.7664

有货

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1个N沟道耐压:24V

型号：EFC4615R-TR 编号：C605382

封装：XFBGA-4

品牌：onsemi(安森美)

特性：2.5V drive。最适合用于锂电池充电和放电开关。共漏型

数据手册

5+
￥0.83615 ￥1.1945
50+
￥0.70146 ￥1.1691
150+
￥0.5761 ￥1.1522
500+
￥0.56765 ￥1.1353

有货

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1个N沟道+1个P沟道耐压:60V 电流:0.51A

型号：NDC7001C 编号：C274602

封装：TSOT-23-6

品牌：onsemi(安森美)

此类双 N 和 P 沟道增强型场效应晶体管是使用 Fairchild 的高单元密度 DMOS 专属技术生产的。这种极高密度工艺可最大程度地降低导通电阻，提供了坚固可靠的性能和快速的开关。此类器件尤其适用于低电压、低电流、开关和电源应用。

数据手册

5+
￥1.0504
50+
￥1.0277
150+
￥1.0125

有货

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1个P沟道耐压:20V 电流:4.2A

型号：NTJS4151PT1G 编号：C236244

封装：SC-88

品牌：onsemi(安森美)

沟槽功率 MOSFET，-20 V，-4.2 A，单 P 沟道，SC-88

数据手册

5+
￥1.2271
50+
￥0.9745
150+
￥0.8662

有货

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2个N沟道耐压:25V 电流:7A

型号：FDMB3900AN 编号：C890915

封装：MicroFET-8(3x1.9)

品牌：onsemi(安森美)

此类 N 沟道逻辑电平 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适合最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。此类器件适用于需要线内低功率损耗和快速开关的低压和电池供电应用。

数据手册

1+
￥1.7686 ￥4.78
10+
￥1.053 ￥3.9
30+
￥0.5865 ￥3.45
100+
￥0.5117 ￥3.01
500+
￥0.4675 ￥2.75
1000+
￥0.4454 ￥2.62

有货

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