安森美MOS驱动_厂家_价格_品牌_库存

封装：SOT-23

适用于低功率应用的汽车用功率 MOSFET。50V，200mA，3.5 Ohm，单 N 沟道，SOT-23，逻辑电平，无铅，符合 RoHS 标准。通过 AEC-Q101 认证 MOSFET 且符合生产件批准程序 (PPAP) ，适用于汽车应用。

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10+
￥0.35
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型号：2V7002WT1G 编号：C556395

封装：SC-70

品牌：onsemi(安森美)

适用于低功率应用的汽车用功率 MOSFET。60V，340mA，1.6 Ω，单 N 沟道，SC-70。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。

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型号：EFC4615R-TR 编号：C605382

封装：XFBGA-4

品牌：onsemi(安森美)

特性：2.5V drive。最适合用于锂电池充电和放电开关。共漏型

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￥0.750267 ￥1.1909
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￥0.617715 ￥1.1655
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￥0.493941 ￥1.1487
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型号：FDC855N 编号：C241778

封装：SuperSOT-6

品牌：onsemi(安森美)

此款 N 沟道逻辑电平 MOSFET 是适合低电压和电池供电应用的高效方案此器件采用先进的 PowerTrench 工艺，最大程度地降低了导通电阻，从而优化功耗。非常适合线内功率损耗至关重要的应用。

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￥2.1784 ￥3.89
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￥1.0116 ￥2.81
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型号：FDC6561AN 编号：C10865

封装：TSOT-26

品牌：onsemi(安森美)

这些 N 沟道逻辑电平 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持低门极电荷，实现出色的开关性能。这些器件非常适合需要小体积的所有应用、尤其是希望实现低成本 DC/DC 转换的电池供电系统。

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￥2.3916
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￥1.8876
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￥1.2521
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型号：ECH8309-TL-H 编号：C184998

封装：ECH-8

品牌：onsemi(安森美)

P沟道,-12V,-9.5A

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￥3.3044 ￥7.51
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￥2.5092 ￥7.38
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型号：FDC6401N 编号：C154559

封装：SuperSOT-6

品牌：onsemi(安森美)

此双 N 沟道 MOSFET 专为提高 DC/DC 转换器的总效率而设计，可以使用同步开关 PWM 控制器，也可以使用传统开关 PWM 控制器。它经过了优化，可实现低门极电荷、低 RDS(ON) 和快速开关。

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￥3.48
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型号：FDT457N 编号：C467786

封装：SOT-223

品牌：onsemi(安森美)

这些 N 沟道增强型电场效应晶体管是使用高单元密度的 DMOS 专属技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻，可提供出色的开关性能。这些产品非常适合低电压、低电流应用，如笔记本电脑电源管理、电池供电电路，以及直流电机控制。

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￥4.16
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型号：NTTFS4C02NTAG 编号：C604498

封装：WDFN-8(3.3x3.3)

品牌：onsemi(安森美)

功率 MOSFET 30 V，170 A，单 N 沟道，8FL

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单价：
￥1.49316 / 个

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型号：NDT014L 编号：C274610

封装：SOT-223

品牌：onsemi(安森美)

此类 N 沟道逻辑电平增强型电场效应晶体管是使用 Fairchild 的高单元密度 DMOS 专属技术生产的。此极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻，提供卓越的开关性能，可承受雪崩和换相模式下的高能量脉冲。此类器件尤其适用于需要快速开关、线内低功率损耗和瞬变防止的低压应用，如直流电机控制和 DC/DC 转换。

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型号：FDT86102LZ 编号：C894832

封装：SOT-223

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻和开关损耗。增加了 G-S 齐纳以提高 ESD 电压水平。

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型号：FQD2P40TM 编号：C903731

封装：TO-252AA

品牌：onsemi(安森美)

此 P 沟道增强型功率 MOSFET 是使用平面条纹和 DMOS 专属技术生产的。此先进 MOSFET 技术特别适用于降低导通电阻，提供出色的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。

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型号：NVF2955T1G 编号：C236253

封装：SOT-223

品牌：onsemi(安森美)

适用于低功率应用的汽车用功率 MOSFET。这是 SOT-223 封装中的 -60 V，P 沟道功率 MOSFET。此器件非常坚固，拥有很大的安全运行区域。AEC-Q101 认证 MOSFET 且具备生产件批准程序(PPAP) 功能，适用于汽车应用。

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型号：FDWS9509L-F085 编号：C605067

封装：Power-56

品牌：onsemi(安森美)

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型号：FDMC86102L 编号：C555493

封装：PowerWDFN-8

品牌：onsemi(安森美)

N沟道MOSFET采用飞兆半导体的先进PowerTrench工艺制造而成，该工艺集成了屏蔽栅极技术。该工艺经优化以减小导通电阻，却仍保持卓越的开关性能。

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￥6.132 ￥10.95
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￥2.646 ￥7.35
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型号：FDD120AN15A0 编号：C157495

封装：TO-252(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

N 沟道，PowerTrench MOSFET，150V，14A，120mΩ

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型号：FDS89161LZ 编号：C95003

封装：SO-8

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道逻辑电平 MOSFET 使用先进的 PowerTrench 工艺生产，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。增加了 G-S 齐纳以提高 ESD 电压水平。

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型号：FDPC5030SG 编号：C891123

封装：PQFN-8-EP(5x6)

品牌：onsemi(安森美)

此器件在一个双封装中包括了两个特制的 N 沟道 MOSFET。开关节点已经内部连接，可实现同步降压转换器的轻松布置和布线。控制 MOSFET (Q1) 和同步 SyncFET (Q2) 可提供最佳功率效率。

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型号：NTMFSC010N08M7 编号：C2902175

封装：DFN-8(5x6.2)

品牌：onsemi(安森美)

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￥3.1324 ￥7.64
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￥2.829 ￥6.9
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￥2.7388 ￥6.68

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型号：FDMS037N08B 编号：C891042

封装：Power-56-8

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体先进的 Power Trench® 工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越开关性能而定制的。

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￥7.2119 ￥17.59
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￥4.6624 ￥15.04
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￥2.8224 ￥13.44
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￥2.478 ￥11.8
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￥2.3226 ￥11.06
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￥2.2554 ￥10.74

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型号：FQPF9N50CF 编号：C243116

封装：TO-220FPAB-3

品牌：onsemi(安森美)

此N沟道增强型功率MOSFET采用专有平面条纹和DMOS技术生产。这种先进的MOSFET技术经过特别调整，可降低导通电阻，并提供出色的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正（PFC）和电子灯镇流器。

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￥7.22 ￥14.44
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￥4.936 ￥12.34
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￥3.309 ￥11.03
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￥2.904 ￥9.68
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￥2.724 ￥9.08
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￥2.643 ￥8.81

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型号：NTMFS4C020NT1G 编号：C179622

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

功率 MOSFET，30V，303 A，0.9mΩ，单 N 沟道，SO?8FL

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￥7.959 ￥26.53
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￥4.578 ￥22.89
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￥2.072 ￥20.72
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￥1.852 ￥18.52
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￥1.751 ￥17.51
1500+
￥1.706 ￥17.06

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型号：NTPF250N65S3H 编号：C2902186

封装：TO-220F

品牌：onsemi(安森美)

SUPERFET III MOSFET是全新的高压超结（SJ）MOSFET系列，采用电荷平衡技术，具有出色的低导通电阻和较低的栅极电荷性能。这种先进技术旨在最大限度地减少传导损耗，提供卓越的开关性能，并能承受极高的dv/dt速率。因此，SUPERFET III FAST MOSFET系列有助于缩小各种电源系统的尺寸并提高系统效率。

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