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首页 > 热门关键词 > 安森美MOS驱动
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1个P沟道 耐压:60V 电流:14A
型号：NVTFS5116PLWFTWG 编号：C604638
封装：WDFN-8(3x3)
品牌：onsemi(安森美)
适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，安装在 3x3mm 扁平引线封装中且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。AEC-Q101 认证 MOSFET 且具备生产件批准程序(PPAP) 功能，适用于汽车应用。
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    ￥4.44

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    ￥3.57 ￥4.25

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    1个N沟道 耐压:40V 电流:57A
    型号：FDD8447L 编号：C247783
    封装：DPAK(TO-252)
    品牌：onsemi(安森美)
    此 N 沟道 MOSFET 是使用 PowerTrench 专属技术生产的，可提供低 rDS(on) 和优化的 BVDSS 能力，为应用带来卓越性能优势。
    数据手册

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    1个N沟道 耐压:60V 电流:25A
    型号：NVMFS5C682NLAFT1G 编号：C463407
    封装：SO-8FL
    品牌：onsemi(安森美)
    适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，安装在 5x6mm 扁平引线封装中且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。AEC-Q101 认证 MOSFET 且具备生产件批准程序(PPAP) 功能，适用于汽车应用。
    数据手册

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    1个N沟道 耐压:30V 电流:75A
    型号：FDMC8010 编号：C512897
    封装：PQFN-8
    品牌：onsemi(安森美)
    此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻。此器件非常适用于需要在小空间内实现超低 rDS(on) 的应用，如高性能 VRM、POL 和 Oring 功能。
    数据手册

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    NVTFS4823NTWG
    型号：NVTFS4823NTWG 编号：C896028
    封装：WDFN-8
    品牌：onsemi(安森美)

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    1个N沟道 耐压:100V 电流:3.3A
    型号：FDT86113LZ 编号：C462748
    封装：SOT-223
    品牌：onsemi(安森美)
    此 N 沟道逻辑电平 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持出色的开关性能。增加了 G-S 齐纳以提高 ESD 电压水平。
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    1个N沟道 耐压:150V 电流:26A
    型号：FDD390N15ALZ 编号：C903566
    封装：TO-252(DPAK)
    品牌：onsemi(安森美)
    此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，该工艺适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。
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      ￥7.26

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    1个N沟道 耐压:60V 电流:158A
    型号：FDMS86500L 编号：C606113
    封装：PQFN-8(5x6)
    品牌：onsemi(安森美)
    此 N 沟道 MOSFET 专为提高 DC/DC 转换器的总效率以及最大程度降低其开关节点噪声而设计，可以使用同步开关 PWM 控制器，也可以使用传统开关 PWM 控制器。它经过了优化，可实现低门极电荷、低 RDS(ON)、快速开关和体二极管反向恢复功能。
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    1个N沟道 耐压:800V 电流:5.5A
    型号：FQPF6N80C 编号：C11760
    封装：TO-220F-3
    品牌：onsemi(安森美)
    此 N 沟道增强型功率 MOSFET 是使用安森美半导体的平面条纹和 DMOS 专属工艺生产的。此先进 MOSFET 技术适用于降低导通电阻，提供卓越的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正 (PFC) 和电子灯镇流器。
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    2个N沟道 耐压:40V 电流:12A
    型号：FDMC8030 编号：C890952
    封装：Power(3x3)
    品牌：onsemi(安森美)
    此器件在一个双 Power 33 (3 mm X 3 mm MLP) 封装中包括了两个 40V N 沟道 MOSFET。该封装针对卓越热性能进行了改善。
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    1个N沟道 耐压:100V 电流:57A
    型号：FDMC86184 编号：C463951
    封装：PQFN-8(3.3x3.3)
    品牌：onsemi(安森美)
    此 N 沟道 MV MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，该工艺结合了屏蔽门极技术。此工艺经过了优化，可最大程度降低导通电阻，同时使用业内最佳的软体二极管来保持出色的开关性能。
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    NVMFWS1D1N04XMT1G
    型号：NVMFWS1D1N04XMT1G 编号：C48398209
    封装：SO-8FL
    品牌：onsemi(安森美)

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    1个N沟道 耐压:40V 电流:12.8A
    型号：FDS8447 编号：C154555
    封装：SO-8
    品牌：onsemi(安森美)
    此单 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。
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    1个N沟道 耐压:100V 电流:144A
    型号：FDP054N10 编号：C605049
    封装：TO-220
    品牌：onsemi(安森美)
    此 N 沟道 MOSFET 是使用 PowerTrench 工艺生产的，该工艺适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。
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    超级场效应晶体管（SuperFET）MOSFET
    型号：FCP11N60 编号：C242277
    封装：TO-220
    品牌：onsemi(安森美)
    SuperFET MOSFET是第一代高压超结（SJ）MOSFET产品系列，采用电荷平衡技术，具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。该技术旨在最大程度降低传导损耗，提供卓越的开关性能、dv/dt速率和更高的雪崩能量。因此，SuperFET MOSFET非常适用于开关电源应用，如功率因数校正（PFC）、服务器/电信电源、平板电视电源、ATX电源和工业电源应用

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    1个N沟道 耐压:30V 电流:15.3A 47A
    型号：NVTFS4C10NWFTAG 编号：C900517
    封装：WDFN-8(3.3x3.3)
    品牌：onsemi(安森美)
    适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，采用 3x3mm 扁平引线封装，具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。通过 AEC-Q101 认证 MOSFET 且符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。
    数据手册

    • 1+

      ￥17.02

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    1个N沟道 耐压:40V 电流:300A
    型号：NVMFS5C410NAFT1G 编号：C604591
    封装：SO-8FL
    品牌：onsemi(安森美)
    适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，安装在 5x6mm 扁平引线封装中且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。AEC-Q101 认证 MOSFET 且具备生产件批准程序(PPAP) 功能，适用于汽车应用。
    数据手册

    • 1+

      ￥17.6631 ￥19.41

    • 10+

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      ￥13.0782 ￥18.42
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    1个P沟道 耐压:60V 电流:61A
    型号：NVD5117PLT4G-VF01 编号：C604532
    封装：DPAK
    品牌：onsemi(安森美)
    汽车用功率 MOSFET，-60V，-61A，16 mΩ，单 P 沟道，DPAK，逻辑电平AEC-Q101 认证 MOSFET 且具备生产件批准程序(PPAP) 功能，适用于汽车应用。
    数据手册

    • 1+

      ￥19.01

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    • 30+

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    1个N沟道 耐压:100V 电流:80A
    型号：FDMS86150 编号：C455161
    封装：Power56-8
    品牌：onsemi(安森美)
    此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。
    数据手册

    • 1+

      ￥19.56

    • 10+

      ￥16.59

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      ￥14.73

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      ￥12.82
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    1个N沟道 耐压:100V 电流:75A
    型号：HUF75645P3 编号：C512967
    封装：TO-220AB
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：超低导通电阻：rDS(ON) = 0.014Ω，VGS = 10V。仿真模型：温度补偿的PSPICE和SABER电气模型。Spice和Saber热阻抗模型。峰值电流与脉冲宽度曲线。UIS额定曲线
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    • 1+

      ￥19.73

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      ￥13.08
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    1个N沟道 耐压:60V 电流:100A
    型号：NVMFS5C645NLWFAFT1G 编号：C900450
    封装：SO-8FL
    品牌：onsemi(安森美)
    适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，安装在 5x6mm 扁平引线封装中且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。AEC-Q101 认证 MOSFET 且具备生产件批准程序(PPAP) 功能，适用于汽车应用。
    数据手册

    • 1+

      ￥20.22

    • 10+

      ￥17.02

    • 30+

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    • 100+

      ￥13.21
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:40V 电流:378A
    型号：NVMFS5C404NWFAFT1G 编号：C604589
    封装：SO-8FL
    品牌：onsemi(安森美)
    适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，安装在 5x6mm 扁平引线封装中且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。AEC-Q101 认证 MOSFET 且具备生产件批准程序(PPAP) 功能，适用于汽车应用。
    数据手册

    • 1+

      ￥23.1399 ￥36.73

    • 10+

      ￥16.7904 ￥31.68

    • 30+

      ￥12.3324 ￥28.68

    • 100+

      ￥11.0252 ￥25.64

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      ￥10.1523 ￥23.61
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    1个N沟道 耐压:600V 电流:37A
    型号：FCH104N60F 编号：C330157
    封装：TO-247
    品牌：onsemi(安森美)
    SuperFET II MOSFET 是全新的高压超结 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻，以及更低门极电荷方面的出色性能。此技术专用于最大程度降低导通损耗，提供出色的开关性能、dv/dt 速率和更高的雪崩能量。因此，SuperFET II MOSFET 非常适用于开关电源应用，如 PFC、服务器/电信电源、FPD TV 电源、ATX 电源和工业电源应用。SuperFET II FRFET MOSFET 优化的体二极管反向恢复性能可以消除附加组件，提高系统可靠性。
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    • 1+

      ￥23.15

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      ￥12.51
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    1个P沟道 耐压:20V 电流:350mA
    型号：FDY100PZ 编号：C188498
    封装：SC-89
    品牌：onsemi(安森美)
    此单 P 沟道 MOSFET 是使用先进的 Power Trench 工艺设计的，可优化 RDS(ON) @ VGS = -2.5v。
    数据手册

    • 1+

      ￥39.9359 ￥84.97

    • 10+

      ￥27.2727 ￥73.71

    • 30+

      ￥18.0522 ￥66.86

    • 100+

      ￥16.4997 ￥61.11
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    1个N沟道 耐压:300V 电流:43.5A
    型号：FQA44N30 编号：C898220
    封装：TO-3PN
    品牌：onsemi(安森美)
    该N沟道增强型功率MOSFET采用专有平面条纹和DMOS技术生产。这种先进的MOSFET技术特别适合降低导通电阻，提供卓越的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正（PFC）和电子镇流器。
    数据手册

    • 1+

      ￥46.48

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    40V 553.8A
    型号：NVMTS0D4N04CLTXG 编号：C604628
    封装：PowerTDFN-8(7.9x8)
    品牌：onsemi(安森美)
    适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，安装在 8x8mm 扁平引线封装中且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。AEC-Q101 认证 MOSFET 且具备生产件批准程序(PPAP) 功能，适用于汽车应用。
    数据手册

    • 1+

      ￥48.04

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      ￥46.94

    • 30+

      ￥46.2
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    1个N沟道 耐压:100V
    型号：FDBL86063-F085 编号：C900879
    封装：MO-299A
    品牌：onsemi(安森美)
    N 沟道，PowerTrench MOSFET，100V，240A，2.6mΩ
    数据手册

    • 1+

      ￥56.36

    • 10+

      ￥47.97

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      ￥42.85
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    1个N沟道 耐压:650V 电流:75A
    型号：FCH023N65S3L4 编号：C898112
    封装：TO-247-4
    品牌：onsemi(安森美)
    SUPERFET III MOSFET 是安森美半导体的全新高压超结 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻，以及更低门极电荷方面的卓越性能。此先进技术专用于最大程度降低导电损耗，提供卓越的开关性能，并且可以承受极端 dv/dt 速率。因此，SUPERFET III MOSFET Easy drive 系列有助于管理 EMI 问题，实现更简单的设计实施。
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    1个N沟道 耐压:100V 电流:75A
    型号：HUF75652G3 编号：C898257
    封装：TO-247-3
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：超低导通电阻：rDS(ON) = 0.008 Ω，VGS = 10 V。温度补偿的PSPICE™和SABER™电气模型。Spice和SABER热阻抗模型。峰值电流与脉冲宽度曲线。UIS额定曲线。该器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂，符合RoHS标准
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    1个N沟道 耐压:50V 电流:200mA
    型号：BVSS138LT1G 编号：C152546
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    适用于低功率应用的汽车用功率 MOSFET。50V，200mA，3.5 Ohm，单 N 沟道，SOT-23，逻辑电平，无铅，符合 RoHS 标准。通过 AEC-Q101 认证 MOSFET 且符合生产件批准程序 (PPAP) ，适用于汽车应用。
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