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1个N沟道耐压:600V 电流:37A

型号：FCH104N60F 编号：C330157

封装：TO-247

品牌：onsemi(安森美)

SuperFET II MOSFET 是全新的高压超结 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻，以及更低门极电荷方面的出色性能。此技术专用于最大程度降低导通损耗，提供出色的开关性能、dv/dt 速率和更高的雪崩能量。因此，SuperFET II MOSFET 非常适用于开关电源应用，如 PFC、服务器/电信电源、FPD TV 电源、ATX 电源和工业电源应用。SuperFET II FRFET MOSFET 优化的体二极管反向恢复性能可以消除附加组件，提高系统可靠性。

数据手册

1+
￥23.55
10+
￥20.49
30+
￥15.27
100+
￥13.31
500+
￥12.42
1000+
￥12.04

有货

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1个N沟道耐压:40V 电流:330A

型号：NVMFS5C410NLWFAFT1G 编号：C900423

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，安装在 5x6mm 扁平引线封装中且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。AEC-Q101 认证 MOSFET 且具备生产件批准程序(PPAP) 功能，适用于汽车应用。

数据手册

1+
￥23.6128 ￥25.12
10+
￥17.8836 ￥21.29
30+
￥14.0674 ￥19.01
100+
￥12.358 ￥16.7
500+
￥11.5736 ￥15.64
1500+
￥11.2184 ￥15.16

有货

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1个N沟道耐压:80V 电流:36A 254A

型号：FDMT80080DC 编号：C463720

封装：DualCool-88-8

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的。同时结合了硅和 Dual Cool 封装技术的发展，可提供最低的 rDS(on)，因为具有极低的结到环境热阻，同时可保持卓越的开关性能。

数据手册

1+
￥29.13
10+
￥25.25
30+
￥22.94

有货

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1个N沟道耐压:800V 电流:12.6A

型号：FQA13N80-F109 编号：C463976

封装：TO-3PN

品牌：onsemi(安森美)

该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正（PFC）及照明灯电子镇流器。

数据手册

1+
￥34.27
10+
￥29.72
30+
￥24.27
90+
￥21.54
450+
￥20.28
900+
￥19.71

有货

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1个N沟道耐压:40V 电流:420A

型号：FDMT80040DC 编号：C891115

封装：DualCool-88-8

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的。同时结合了硅和 Dual Cool 封装技术的发展，可提供最低的 rDS(on)，因为具有极低的结到环境热阻，还可保持出色的开关性能。

数据手册

1+
￥40.5328 ￥43.12
10+
￥34.7004 ￥41.31
30+
￥29.7554 ￥40.21
100+
￥29.0746 ￥39.29

有货

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1个N沟道耐压:80V 电流:224A

型号：NVMFS6H800NLT1G 编号：C604621

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，安装在 5x6mm 扁平引线封装中且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。AEC-Q101 认证 MOSFET 且具备生产件批准程序(PPAP) 功能，适用于汽车应用。

数据手册

1+
￥47.13
10+
￥40.73
30+
￥36.83

有货

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40V 553.8A

型号：NVMTS0D4N04CLTXG 编号：C604628

封装：PowerTDFN-8(7.9x8)

品牌：onsemi(安森美)

适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，安装在 8x8mm 扁平引线封装中且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。AEC-Q101 认证 MOSFET 且具备生产件批准程序(PPAP) 功能，适用于汽车应用。

数据手册

1+
￥48.04
10+
￥46.94
30+
￥46.2

有货

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1个N沟道耐压:500V 电流:44A

型号：FDH44N50 编号：C898142

封装：TO-247-3

品牌：onsemi(安森美)

UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。此 MOSFET 适用于降低导通电阻，提供更佳的开关性能以及更高的雪崩能量强度。此器件系列适用于开关电力转换器应用，如功率系数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。

数据手册

1+
￥48.78
10+
￥42.15
30+
￥38.12

有货

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耐压:100V 电流:222A

型号：FDP2D3N10C 编号：C898591

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MV MOSFET 是使用安森美半导体先进的 PowerTrench 工艺生产的，该工艺结合了屏蔽门极技术。此工艺经过了优化，可最大程度降低导通电阻，同时可保持卓越的开关性能，以及业内最佳的软体二极管。

数据手册

1+
￥74.92
10+
￥65
30+
￥58.95

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:115mA

型号：2V7002LT1G 编号：C150090

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

适用于低功率应用的汽车用功率 MOSFET。60V，115mA，7.5 Ω，单 N 沟道，SOT-23。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。

数据手册

10+
￥0.3108
100+
￥0.2488
300+
￥0.2178

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:2.2A

型号：NVR5198NLT1G 编号：C153742

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

汽车用功率 MOSFET，60V，155 mΩ，单 N 沟道，逻辑电平，SOT?23 AEC-Q101 认证 MOSFET 且具备生产件批准程序(PPAP) 功能，适用于汽车应用。

数据手册

5+
￥0.8715
50+
￥0.704
150+
￥0.6203
500+
￥0.4996

有货

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2个N沟道耐压:24V

型号：EFC4612R-S-TR 编号：C464145

封装：XFBGA-4

品牌：onsemi(安森美)

此功率 MOSFET 导通电阻低。此器件适用于便携设备的电源开关等应用。最适合 1 至 2 节锂离子电池应用。

数据手册

5+
￥0.962296 ￥1.3004
50+
￥0.64512 ￥1.008
150+
￥0.476658 ￥0.8827
500+
￥0.392256 ￥0.7264
2500+
￥0.354672 ￥0.6568
5000+
￥0.3321 ￥0.615

有货

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2个P沟道耐压:20V 电流:430mA

型号：NTZD3152PT1G 编号：C393372

封装：SOT-563

品牌：onsemi(安森美)

这是一款 20 V 双 P 沟道功率 MOSFET，带 ESD 防护。

数据手册

30+
￥0.24827
60+
￥0.24013
120+
￥0.23606
240+
￥0.22385

我要订货

1个N沟道耐压:60V 电流:200mA

型号：2N7000TA 编号：C107290

封装：TO-92-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

这些N沟道增强型场效应晶体管采用专有的高单元密度DMOS技术制造。这些产品旨在最大程度降低导通电阻，同时提供坚固、可靠且快速的开关性能。它们可用于大多数要求直流电流高达400 mA的应用，并且能够提供高达2 A的脉冲电流

数据手册

5+
￥1.0805
50+
￥0.8498
150+
￥0.7344
500+
￥0.6479

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:1.9A

型号：FDN357N 编号：C241807

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

SuperSOT-3 N 沟道逻辑电平增强型电场效应晶体管是使用高单元密度的 DMOS 专属技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻。此类器件特别适用于笔记本电脑、手机、PCMCIA 卡和其他电池供电电路等低压应用，在此类应用中需要在非常小形的表面贴装封装中实现快速开关和线路内低功率损耗。

数据手册

5+
￥1.3903
50+
￥1.1615
150+
￥1.0635

有货

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1个N沟道+1个P沟道耐压:20V 电流:0.91A

型号：NTJD4105CT1G 编号：C236115

封装：SOT-363

品牌：onsemi(安森美)

此互补双器件使用小封装 (2 x 2 mm) 和低 RDS(on) MOSFET，可实现最小占位，提高电路能效。低 RDS(on) 性能特别适用于单锂离子电池或双电池锂离子电池供电设备，例如手机、媒体播放器、数码相机和 PDA。

数据手册

5+
￥1.628
50+
￥1.2731
150+
￥1.121

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:3.6A

型号：FDC654P 编号：C81608

封装：SuperSOT-6

品牌：onsemi(安森美)

此 P 沟道逻辑电平 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的。此产品非常适用于电池管理应用。

数据手册

1+
￥2.26
10+
￥1.98
30+
￥1.86
100+
￥1.71
500+
￥1.65
1000+
￥1.6

有货

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2个N沟道耐压:30V 电流:2.5A

型号：FDC6561AN 编号：C10865

封装：TSOT-26

品牌：onsemi(安森美)

这些 N 沟道逻辑电平 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持低门极电荷，实现出色的开关性能。这些器件非常适合需要小体积的所有应用、尤其是希望实现低成本 DC/DC 转换的电池供电系统。

数据手册

5+
￥2.3745
50+
￥1.8823
150+
￥1.6714
500+
￥1.2617
3000+
￥1.1446
6000+
￥1.0742

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:6.1A

型号：FDC855N 编号：C241778

封装：SuperSOT-6

品牌：onsemi(安森美)

此款 N 沟道逻辑电平 MOSFET 是适合低电压和电池供电应用的高效方案此器件采用先进的 PowerTrench 工艺，最大程度地降低了导通电阻，从而优化功耗。非常适合线内功率损耗至关重要的应用。

数据手册

1+
￥2.4118 ￥3.89
10+
￥1.6484 ￥3.17
30+
￥1.1802 ￥2.81
100+
￥1.0332 ￥2.46
500+
￥0.9408 ￥2.24
1000+
￥0.8946 ￥2.13

有货

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2个N沟道耐压:24V 电流:10A

型号：ECH8697R-TL-W 编号：C606010

封装：SOT-28FL

品牌：onsemi(安森美)

此功率 MOSFET 导通电阻低。此器件适用于便携设备的电源开关等应用。最适合 1 至 2 节锂离子电池应用。

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1+
￥2.86
10+
￥2.79
30+
￥2.75
100+
￥2.7

有货

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2个N沟道耐压:20V 电流:9.4A

型号：FDS6898A 编号：C719837

封装：SO-8

品牌：onsemi(安森美)

此类 N 沟道逻辑电平 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。此类器件非常适用于要求线内低功率损耗和快速开关的低压和电池供电应用。

数据手册

1+
￥2.86
10+
￥2.8
30+
￥2.76
100+
￥2.73

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:9A

型号：NVD3055L170T4G-VF01 编号：C887721

封装：TO-252(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

适用于电源、转换器、功率电机控制和桥式电路中的低压高速开关应用的汽车级功率 MOSFET。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。

数据手册

1+
￥3.06 ￥4.5
10+
￥2.1112 ￥3.64
30+
￥1.5408 ￥3.21
100+
￥1.3344 ￥2.78
500+
￥1.2144 ￥2.53
1000+
￥1.1472 ￥2.39

有货

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N沟道+P沟道耐压:20V 电流:3A

型号：FDC6420C 编号：C154515

封装：SuperSOT-6

品牌：onsemi(安森美)

此类 N 和 P 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。此类器件适用于无法采用更昂贵的 SO-8 和 TSSOP-8 封装的应用，可为其在非常小的占地面积中提供卓越的功率耗散。

数据手册

1+
￥3.39
10+
￥2.67
30+
￥2.37
100+
￥1.99

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:50A

型号：FDD86580-F085 编号：C903597

封装：DPAK(TO-252)

品牌：onsemi(安森美)

特性：典型RDS(on) = 7.8mΩ，VGS = 10V，ID = 50A。典型Qg(tot) = 20nC，VGS = 10V，ID = 50A。 UIS能力。符合RoHS标准。符合AEC Q101标准。应用：汽车发动机控制。动力系统管理

数据手册

1+
￥4.216 ￥6.2
10+
￥2.9464 ￥5.08
30+
￥2.1408 ￥4.46
100+
￥1.8048 ￥3.76
500+
￥1.656 ￥3.45
1000+
￥1.5888 ￥3.31

有货

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N沟道耐压:30V 电流:136A

型号：NTMFS4C03NT1G 编号：C179624

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

功率 MOSFET，30 V，136A，2.1 mΩ，单 N 沟道，SO?8FL

数据手册

1+
￥4.4022 ￥9.57
10+
￥4.0572 ￥8.82
30+
￥3.841 ￥8.35
100+
￥3.6202 ￥7.87
500+
￥3.5236 ￥7.66
1500+
￥3.4776 ￥7.56

有货

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1个P沟道耐压:12V 电流:9.5A

型号：ECH8309-TL-H 编号：C184998

封装：ECH-8

品牌：onsemi(安森美)

P沟道,-12V,-9.5A

数据手册

1+
￥4.7313 ￥7.51
10+
￥4.6494 ￥7.38
30+
￥4.5927 ￥7.29
100+
￥4.536 ￥7.2

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:5A

型号：FDT457N 编号：C467786

封装：SOT-223

品牌：onsemi(安森美)

这些 N 沟道增强型电场效应晶体管是使用高单元密度的 DMOS 专属技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻，可提供出色的开关性能。这些产品非常适合低电压、低电流应用，如笔记本电脑电源管理、电池供电电路，以及直流电机控制。

数据手册

1+
￥7.29
10+
￥6.06
30+
￥5.39
100+
￥4.62

有货

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1个P沟道耐压:150V 电流:2.2A

型号：FDS86267P 编号：C556463

封装：SO-8

品牌：onsemi(安森美)

此 P 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，该工艺结合了屏蔽门极技术。此工艺经过了优化，可最大程度降低导通电阻，同时可保持卓越的开关性能。

数据手册

1+
￥8.05
10+
￥6.61
30+
￥5.82

有货

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1个N沟道耐压:80V 电流:61A

型号：NTMFSC010N08M7 编号：C2902175

封装：DFN-8(5x6.2)

品牌：onsemi(安森美)

数据手册

1+
￥8.1432 ￥11.31
10+
￥6.9264 ￥9.62
30+
￥6.2568 ￥8.69
100+
￥5.5008 ￥7.64
500+
￥4.968 ￥6.9
1000+
￥4.8096 ￥6.68

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:156A

型号：FDP8870 编号：C243056

封装：ITO-220AB-3

品牌：onsemi(安森美)

N沟道

数据手册

1+
￥8.1833 ￥13.87
10+
￥6.9915 ￥11.85
50+
￥6.2481 ￥10.59
100+
￥5.487 ￥9.3
500+
￥5.1389 ￥8.71
1000+
￥4.9914 ￥8.46

有货

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最快4小时发货
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