安森美MOS驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：BVSS84LT1G 编号：C154812

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

适用于低功率应用的汽车用功率 MOSFET。-50V -130mA 10 Ω 单 P 沟道 SOT-23 逻辑电平。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。

数据手册

5+
￥0.7421
50+
￥0.61
150+
￥0.544
500+
￥0.4945

有货

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型号：NTR1P02LT1G 编号：C146716

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此类小型表面贴装 MOSFET 的 RDS(on) 可确保最小的功率损耗和节能，使得此类器件适用于空间敏感型电源管理电路。这些 P 沟道小信号 MOSFET 的典型应用为 DC-DC 转换器以及便携式和电池供电产品中的电源管理，如计算机、打印机、PCMCIA 卡、手机和无绳电话。

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5+
￥0.8899
50+
￥0.7169
150+
￥0.6304
500+
￥0.5655

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型号：NTJS3157NT1G 编号：C236243

封装：SC-88

品牌：onsemi(安森美)

特性：领先的沟槽技术，实现低导通电阻，延长电池寿命。快速开关，提高电路效率。 SC-88小外形（2×2mm），可最大程度利用电路板，与SC-70-6相同。这些是无铅器件。应用：DC-DC转换。低端负载开关

数据手册

5+
￥1.148284 ￥1.9798
50+
￥0.756192 ￥1.5754
150+
￥0.532798 ￥1.4021
500+
￥0.450642 ￥1.1859
3000+
￥0.414048 ￥1.0896
6000+
￥0.392084 ￥1.0318

有货

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型号：FDC654P 编号：C81608

封装：SuperSOT-6

品牌：onsemi(安森美)

此 P 沟道逻辑电平 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的。此产品非常适用于电池管理应用。

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1+
￥1.2312 ￥2.16
10+
￥0.8977 ￥1.91
30+
￥0.666 ￥1.8
100+
￥0.6142 ￥1.66
500+
￥0.592 ￥1.6
1000+
￥0.5809 ￥1.57

有货

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型号：NTLJF3117PT1G 编号：C350837

封装：WDFN-6-EP(2x2)

品牌：onsemi(安森美)

特性：FETKY配置，包含MOSFET和低正向压降（Vf）肖特基二极管。μCOO封装，提供外露漏极焊盘，实现出色的热传导。2×2 mm占位面积，与SC-88封装设计相同。独立引脚排列，提供电路设计灵活性。低外形（< 0.8 mm），便于在轻薄环境中使用。高电流肖特基二极管：2 A额定电流。应用：优化用于便携式应用，如手机、数码相机、媒体播放器等。DC-DC降压电路

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1+
￥1.5105 ￥2.85
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￥0.9761 ￥2.27
30+
￥0.6666 ￥2.02
100+
￥0.5643 ￥1.71
500+
￥0.5181 ￥1.57
1000+
￥0.4917 ￥1.49

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型号：NDT3055 编号：C3289937

封装：SOT-223

品牌：onsemi(安森美)

这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用）专有的高单元密度DMOS技术制造。这种超高密度工艺经过特别设计，可将导通电阻降至最低，并提供卓越的开关性能。这些器件特别适用于低压应用，如直流电机控制和直流-直流转换，这些应用需要快速开关、低线路功率损耗和抗瞬态能力

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1+
￥2.25
10+
￥1.75
30+
￥1.54
100+
￥1.28

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型号：NTLJS4114NT1G 编号：C236247

封装：WDFN-6(2x2)

品牌：onsemi(安森美)

功率 MOSFET，30 V，7.8 A，?Cool，单 N 沟道，2x2 mm，WDFN 封装

数据手册

1+
￥2.3154 ￥4.54
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￥1.6646 ￥4.06
30+
￥1.1873 ￥3.83
100+
￥1.1129 ￥3.59
500+
￥1.0695 ￥3.45
1000+
￥1.0478 ￥3.38

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型号：MMBF2201NT1G 编号：C232552

封装：SOT-323

品牌：onsemi(安森美)

N沟道,20V,0.3A

数据手册

1+
￥2.717 ￥2.86
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￥1.938 ￥2.28
30+
￥1.5225 ￥2.03
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￥1.29 ￥1.72
500+
￥1.185 ￥1.58
1000+
￥1.1175 ￥1.49

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型号：SVD5865NLT4G 编号：C889915

封装：TO-252(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

特性：低RDS(on)以最小化传导损耗。高电流能力。规定雪崩能量。通过AEC-Q101认证。这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂，且符合RoHS标准

1+
￥2.8475 ￥4.25
10+
￥2.166 ￥3.8
30+
￥1.6826 ￥3.58
100+
￥1.5792 ￥3.36
500+
￥1.5181 ￥3.23
1000+
￥1.4852 ￥3.16

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型号：NTLJD3119CTBG 编号：C274622

封装：WDFN-6(2x2)

品牌：onsemi(安森美)

特性：互补N沟道和P沟道MOSFET。 WDFN封装，带外露漏极焊盘，具有出色的热传导性能。封装尺寸与SC-88相同。采用前沿沟槽技术，导通电阻低。栅极阈值电压为1.8 V。低外形（< 0.8mm），便于在薄型环境中安装。应用：同步DC-DC转换电路。便携式设备（如PDA、手机和硬盘）的负载/电源管理

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1+
￥3.1
10+
￥2.46
30+
￥2.18
100+
￥1.83
500+
￥1.46
1000+
￥1.37

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型号：NTP2955G 编号：C236248

封装：ITO-220AB-3

品牌：onsemi(安森美)

P沟道 -60V -12A

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1+
￥3.33
10+
￥2.59
50+
￥2.27
100+
￥1.87
500+
￥1.7
1000+
￥1.59

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型号：FDS8949 编号：C10874

封装：SO-8

品牌：onsemi(安森美)

此类 N 沟道逻辑电平 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持出色的开关性能。此类器件非常适用于要求线内低功率损耗和快速开关的低电压和电池供电应用。

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1+
￥4.26
10+
￥3.4
30+
￥2.96
100+
￥2.53

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型号：FQD8P10TM 编号：C241842

封装：DPAK

品牌：onsemi(安森美)

此 P 沟道增强型功率 MOSFET 是使用平面条纹和 DMOS 专属技术生产的。此先进 MOSFET 技术适用于降低导通电阻，提供卓越的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。

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1+
￥4.42
10+
￥3.61
30+
￥3.2
100+
￥2.79

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型号：FQD18N20V2TM 编号：C903728

封装：TO-252AA

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道增强型功率 MOSFET 是使用平面条纹和 DMOS 专属技术生产的。此先进 MOSFET 技术特别适用于降低导通电阻，提供出色的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正 (PFC) 和电子灯镇流器。

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1+
￥7.87
10+
￥6.52
30+
￥5.78
100+
￥4.94

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型号：FDS3992 编号：C512899

封装：SO-8

品牌：onsemi(安森美)

特性：rDS(ON) = 54mΩ（典型值），VGS = 10V，ID = 4.5A。 Qg(tot) = 11nC（典型值），VGS = 10V。低米勒电荷。低QRR体二极管。高频下效率优化。 UIS能力（单脉冲和重复脉冲）。应用：DC/DC转换器和离线UPS。分布式电源架构和VRM

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1+
￥9.34
10+
￥7.84
30+
￥6.9
100+
￥5.93
500+
￥5.49
1000+
￥5.3

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型号：NVMFS5C430NAFT1G 编号：C604595

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，安装在 5x6mm 扁平引线封装中且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。AEC-Q101 认证 MOSFET 且具备生产件批准程序(PPAP) 功能，适用于汽车应用。

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1+
￥11.3082 ￥12.03
10+
￥9.3072 ￥11.08
30+
￥7.7626 ￥10.49
100+
￥7.3186 ￥9.89
500+
￥7.1188 ￥9.62
1500+
￥7.03 ￥9.5

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型号：FDP86363-F085 编号：C3280605

封装：TO-220AB

品牌：onsemi(安森美)

特性：典型RDS(on) = 2.4mΩ，VGS = 10V，ID = 80A。典型Qg(tot) = 131nC，VGS = 10V，ID = 80A。 UIS能力。符合RoHS标准。符合AEC Q101标准。应用：汽车发动机控制。动力总成管理

1+
￥14.61
10+
￥13.82
50+
￥13.34
100+
￥12.87

有货

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型号：FDP032N08 编号：C899144

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 是使用 PowerTrench 工艺生产的，该工艺适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。

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1+
￥16.4488 ￥28.36
10+
￥13.0416 ￥27.17
50+
￥10.051 ￥26.45
100+
￥9.8192 ￥25.84

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型号：FDA032N08 编号：C556394

封装：TO-3PN

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 是使用 PowerTrench 工艺生产的，适用于最大程度降低导通电阻，同时保持出色的开关性能。

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1+
￥19.06
10+
￥16.34
30+
￥14.57
100+
￥12.83
500+
￥12.04
1000+
￥11.7

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型号：NVMFS5C410NWFAFT1G 编号：C900424

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，安装在 5x6mm 扁平引线封装中且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。AEC-Q101 认证 MOSFET 且具备生产件批准程序(PPAP) 功能，适用于汽车应用。

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1+
￥19.7055 ￥22.65
10+
￥16.6243 ￥21.59
30+
￥14.0432 ￥20.96
100+
￥13.6144 ￥20.32
500+
￥13.4134 ￥20.02
1500+
￥13.3263 ￥19.89

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型号：NVMFS4C01NT1G 编号：C604579

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

适用于紧凑和高能效设计的汽车用功率 MOSFET，采用 5x6mm 扁平引线封装且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。

数据手册

1+
￥21.2412 ￥22.84
10+
￥18.0691 ￥21.77
30+
￥15.4249 ￥21.13
100+
￥14.9504 ￥20.48
500+
￥14.7387 ￥20.19
1500+
￥14.6365 ￥20.05

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型号：FQA24N60 编号：C350838

封装：TO-3PN

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道增强型功率 MOSFET 是使用平面条纹和 DMOS 专属技术生产的。此先进 MOSFET 技术特别适用于降低导通电阻，提供出色的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正 (PFC) 和电子灯镇流器。

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1+
￥33.87
10+
￥28.79
30+
￥25.7
90+
￥23.1

有货

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型号：FDP2D3N10C 编号：C898591

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MV MOSFET 是使用安森美半导体先进的 PowerTrench 工艺生产的，该工艺结合了屏蔽门极技术。此工艺经过了优化，可最大程度降低导通电阻，同时可保持卓越的开关性能，以及业内最佳的软体二极管。

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1+
￥74.92
10+
￥65
30+
￥58.95

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型号：NTE4153NT1G 编号：C79836

封装：SC-89

品牌：onsemi(安森美)

小信号 MOSFET，20V，915mA，230mΩ，单 N 沟道，SC-89，带 ESD 保护

数据手册

5+
￥0.6569
50+
￥0.5525
150+
￥0.5003
500+
￥0.4233

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型号：FDC638APZ 编号：C241771

封装：SuperSOT-6

品牌：onsemi(安森美)

此 P 沟道MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持低门极电荷，实现卓越的开关性能。此类器件非常适用于电池供电应用：负载开关和电源管理、电池充电电路和 DC-DC 转换。

数据手册

1+
￥1.967 ￥2.81
10+
￥1.344 ￥2.24
30+
￥0.995 ￥1.99
100+
￥0.845 ￥1.69
500+
￥0.775 ￥1.55
1000+
￥0.735 ￥1.47

有货

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型号：NTGS3443T1G 编号：C150083

封装：TSOP-6

品牌：onsemi(安森美)

功率 MOSFET，-20V，-4.4A，65mΩ，单 P 沟道，TSOP-6

数据手册

5+
￥2.0983
50+
￥1.7079
150+
￥1.5406
500+
￥1.3318

有货

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型号：FDC6327C 编号：C83567

封装：SuperSOT-6

品牌：onsemi(安森美)

此类 N 和 P 沟道 2.5V 指定 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持低门极电荷，实现卓越的开关性能。此类器件适用于无法采用更昂贵的 SO-8 和 TSSOP-8 封装的应用，可为其在非常小的占地面积中提供卓越的功率耗散。

数据手册

5+
￥2.2006
50+
￥1.747
150+
￥1.5526
500+
￥1.31

有货

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型号：FDT86246 编号：C894835

封装：SOT-223

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 Power Trench 工艺生产的，针对 rDS(on)、开关性能和坚固性进行了优化。

数据手册

1+
￥3.322 ￥7.55
10+
￥2.1488 ￥6.32
30+
￥1.3536 ￥5.64
100+
￥1.1688 ￥4.87
500+
￥1.0872 ￥4.53
1000+
￥1.0488 ￥4.37

有货

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型号：FDMA7632 编号：C890903

封装：DFN-6-EP(2x2)

品牌：onsemi(安森美)

该器件旨在为同步降压转换器提供最大效率和热性能。低导通电阻和栅极电荷提供了出色的开关性能。

1+
￥4.0732 ￥5.99
10+
￥3.4046 ￥5.87
30+
￥2.7744 ￥5.78
100+
￥2.7312 ￥5.69

有货

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型号：FDD86580-F085 编号：C903597

封装：DPAK(TO-252)

品牌：onsemi(安森美)

特性：典型RDS(on) = 7.8mΩ，VGS = 10V，ID = 50A。典型Qg(tot) = 20nC，VGS = 10V，ID = 50A。 UIS能力。符合RoHS标准。符合AEC Q101标准。应用：汽车发动机控制。动力系统管理

数据手册

1+
￥4.1785 ￥6.85
10+
￥2.9223 ￥5.73
30+
￥2.0951 ￥5.11
100+
￥1.8122 ￥4.42
500+
￥1.6851 ￥4.11
1000+
￥1.6277 ￥3.97

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