安森美MOS驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：NVMFS4C01NT1G 编号：C604579

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

适用于紧凑和高能效设计的汽车用功率 MOSFET，采用 5x6mm 扁平引线封装且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。

数据手册

1+
￥22.84
10+
￥19.593 ￥21.77
30+
￥16.904 ￥21.13
100+
￥16.384 ￥20.48
500+
￥16.152 ￥20.19
1500+
￥16.04 ￥20.05

有货

立即购买

型号：FCP125N65S3 编号：C898511

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

SUPERFET III MOSFET 是安森美半导体的全新高压超结 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻，以及更低门极电荷方面的卓越性能。此先进技术专用于最大程度降低导电损耗，提供卓越的开关性能，并且可以承受极端 dv/dt 速率。因此，SUPERFET III MOSFET Easy drive 系列有助于管理 EMI 问题，实现更简单的设计实施。

数据手册

1+
￥24.312 ￥30.39
10+
￥18.347 ￥26.21
30+
￥14.238 ￥23.73
100+
￥12.732 ￥21.22
500+
￥12.036 ￥20.06
800+
￥11.724 ￥19.54

有货

立即购买

型号：FDMT800100DC 编号：C891112

封装：DualCool-88-8

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体先进的 PowerTrench 工艺生产。先进的硅技术和 Dual Cool

数据手册

1+
￥51.91
10+
￥44.91
30+
￥40.64

有货

立即购买

型号：NTHL067N65S3H 编号：C2902088

封装：TO-247

品牌：onsemi(安森美)

SUPERFET III MOSFET是全新的高压超结（SJ）MOSFET系列，采用电荷平衡技术，具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。这项先进技术旨在最大程度降低传导损耗，提供卓越的开关性能，并能承受极高的dv/dt速率。因此，SUPERFET III MOSFET FAST系列有助于缩小各类电源系统的体积并提高系统效率

数据手册

1+
￥58.1321 ￥59.93
10+
￥45.24 ￥52
30+
￥36.3132 ￥47.16
90+
￥33.1947 ￥43.11

有货

立即购买

型号：2N7002L 编号：C890116

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

特性：2V前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 AEC-Q101合格且具备PPAP能力（2V7002L）。这些器件无铅、无卤素/BFR且符合RoHS标准

数据手册

5+
￥0.4937
50+
￥0.3872
150+
￥0.3339
500+
￥0.294

有货

立即购买

型号：NVTJD4001NT1G 编号：C604654

封装：SOT-363

品牌：onsemi(安森美)

适用于低功率应用的汽车用功率 MOSFET。 30V，250mA，1.5Ω，双 N 沟道，SC?88，逻辑电平通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。

数据手册

5+
￥1.4806
50+
￥1.1782
150+
￥1.0486
500+
￥0.8869
3000+
￥0.8149
6000+
￥0.7717

有货

立即购买

型号：MMBF2201NT1G 编号：C232552

封装：SOT-323

品牌：onsemi(安森美)

N沟道,20V,0.3A

数据手册

1+
￥1.6874 ￥2.86
10+
￥1.3452 ￥2.28
30+
￥1.1977 ￥2.03
100+
￥1.0148 ￥1.72
500+
￥0.9322 ￥1.58
1000+
￥0.8791 ￥1.49

有货

立即购买

型号：FDC6401N 编号：C154559

封装：SuperSOT-6

品牌：onsemi(安森美)

此双 N 沟道 MOSFET 专为提高 DC/DC 转换器的总效率而设计，可以使用同步开关 PWM 控制器，也可以使用传统开关 PWM 控制器。它经过了优化，可实现低门极电荷、低 RDS(ON) 和快速开关。

数据手册

1+
￥2.86
10+
￥2.26
30+
￥2
100+
￥1.68
500+
￥1.54

有货

立即购买

型号：FDC638P 编号：C241772

封装：SuperSOT-6

品牌：onsemi(安森美)

此 P 沟道 2.5V 指定 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持低门极电荷，实现卓越的开关性能。此类器件非常适用于电池电源应用：负载开关和电力管理、电池充电电路和 DC/DC 转换。

数据手册

1+
￥2.9684 ￥3.62
10+
￥2.9028 ￥3.54
30+
￥2.8618 ￥3.49
100+
￥2.8208 ￥3.44

有货

立即购买

型号：NVMFS5C682NLAFT1G 编号：C463407

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，安装在 5x6mm 扁平引线封装中且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。AEC-Q101 认证 MOSFET 且具备生产件批准程序(PPAP) 功能，适用于汽车应用。

数据手册

1+
￥3.18
10+
￥2.8
30+
￥2.61
100+
￥2.42

有货

立即购买

型号：FDC6312P 编号：C241767

封装：SuperSOT-6

品牌：onsemi(安森美)

此类 P 沟道 1.8V 指定 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持低门极电荷，实现卓越的开关性能。

数据手册

1+
￥3.25
10+
￥2.59
30+
￥2.3
100+
￥1.95
500+
￥1.79
1000+
￥1.7

有货

立即购买

型号：FDG6321C 编号：C258213

封装：SC-88(SC-70-6)

品牌：onsemi(安森美)

此类双 N 和 P 沟道逻辑电平增强型场效应晶体管是使用高单元密度的 DMOS 专属技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻。此器件专用于在低压应用中替代双极数字晶体管和小信号 MOSFET。因为无需偏置电阻，所以此类双数字 FET 可以替代若干具有各种偏置电阻值的数字晶体管。

数据手册

1+
￥3.54
10+
￥2.86
30+
￥2.57

有货

立即购买

型号：FDS4935BZ 编号：C6651

封装：SO-8

品牌：onsemi(安森美)

P沟道,-30V,-6.9A,22mΩ@-10V

数据手册

1+
￥4.18
10+
￥3.54
30+
￥3.21
100+
￥2.89

有货

立即购买

型号：NTD5C648NLT4G 编号：C887709

封装：DPAK

品牌：onsemi(安森美)

功率 MOSFET，60V，91 A，4.1 mΩ，单 N 沟道，DPAK，逻辑电平

数据手册

1+
￥4.8516 ￥12.44
10+
￥4.4733 ￥11.47
30+
￥4.2354 ￥10.86
100+
￥3.9897 ￥10.23
500+
￥3.8805 ￥9.95
1000+
￥3.8337 ￥9.83

有货

立即购买

型号：NDT014L 编号：C274610

封装：SOT-223

品牌：onsemi(安森美)

此类 N 沟道逻辑电平增强型电场效应晶体管是使用 Fairchild 的高单元密度 DMOS 专属技术生产的。此极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻，提供卓越的开关性能，可承受雪崩和换相模式下的高能量脉冲。此类器件尤其适用于需要快速开关、线内低功率损耗和瞬变防止的低压应用，如直流电机控制和 DC/DC 转换。

数据手册