安森美MOS驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：NVMFS5C460NLWFAFT1G 编号：C556458

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，安装在 5x6mm 扁平引线封装中且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。AEC-Q101 认证 MOSFET 且具备生产件批准程序(PPAP) 功能，适用于汽车应用。

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￥7.4298 ￥8.54
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￥6.0599 ￥7.87
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￥4.9915 ￥7.45
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￥4.7034 ￥7.02
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￥4.5761 ￥6.83
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￥4.5158 ￥6.74

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型号：FCPF13N60NT 编号：C899123

封装：TO-220F

品牌：onsemi(安森美)

SupreMOS® MOSFET是采用深槽填充工艺的下一代高压超结（SJ）技术产品，这使其有别于传统的超结MOSFET。这项先进技术和精确的工艺控制实现了最低的比导通电阻（Rsp）、卓越的开关性能和高可靠性。SupreMOS MOSFET适用于高频开关电源转换器应用，如功率因数校正（PFC）、服务器/电信电源、平板电视电源、ATX电源和工业电源应用

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1+
￥7.77
10+
￥6.22
50+
￥5.25
100+
￥4.26
500+
￥3.81
1000+
￥3.62

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型号：FDPF3860T 编号：C243063

封装：TO-220F

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 是使用 PowerTrench 工艺生产的，该工艺适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。

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￥9.27
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￥7.6
30+
￥6.68
100+
￥5.64

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型号：FDP52N20 编号：C410937

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。此 MOSFET 适用于降低导通电阻，提供更佳的开关性能以及更高的雪崩能量强度。此器件系列适用于开关电力转换器应用，如功率系数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。

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1+
￥15.42
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￥13.35
30+
￥12.04
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￥8.57
500+
￥7.96
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￥7.7

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型号：NTMFS002P03P8ZT1G 编号：C2902170

封装：SO-8FL-EP-5.8mm

品牌：onsemi(安森美)

特性：超低RDS(on)以提高系统效率。采用5x6mm的先进封装技术，节省空间并具有出色的热传导性能。这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂，符合RoHS标准。应用：电源负载开关。保护：反向电流、过电压和反向负电压

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1+
￥18.61
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￥15.79
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￥14.03
100+
￥12.22

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型号：FDP036N10A 编号：C605048

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，该工艺适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。

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1+
￥31.54
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￥26.84
50+
￥24.04

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型号：NTA4151PT1G 编号：C54876

封装：SC-75(SOT-416)

品牌：onsemi(安森美)

小信号 MOSFET -20 V，-540 mA，单 P 沟道，门极齐纳，SC-75 和 SC-89

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10+
￥0.283
100+
￥0.2286
300+
￥0.2013
3000+
￥0.1653
6000+
￥0.149
9000+
￥0.1408

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型号：NTRV4101PT1G 编号：C236215

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

适用于低功率应用的汽车用功率 MOSFET。-20V，-3.2A，85 mΩ，单 P 沟道，SOT23。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。

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5+
￥0.6098
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￥0.4953
150+
￥0.438
500+
￥0.395

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型号：BSS138L 编号：C890265

封装：SOT-23-3L

品牌：onsemi(安森美)

BSS138L N 沟道功率 MOSFET 的典型应用为 DC-DC 转换器、便携式电池供电产品中的电源管理，如计算机、打印机、PCMCIA 卡、手机和无绳电话。

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5+
￥0.6258
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￥0.5051
150+
￥0.4448
500+
￥0.3996

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型号：NVR4501NT1G 编号：C604631

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

汽车用功率 MOSFET。20V 3.2A 80 mΩ 单 N 沟道，SOT-23，逻辑电平。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。

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5+
￥0.801688 ￥1.7428
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￥0.55332 ￥1.537
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￥0.376688 ￥1.4488
500+
￥0.348088 ￥1.3388
3000+
￥0.335348 ￥1.2898
6000+
￥0.327704 ￥1.2604

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型号：MGSF1N03LT1G 编号：C236231

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此类小型表面贴装 MOSFET 的低 RDS(on) 可确保最小的功率损耗和节能，使得这些器件适用于空间敏感型电源管理电路。典型应用为 DC-DC 转换器以及便携式和电池供电产品中的电源管理，如计算机、打印机、PCMCIA 卡、手机和无绳电话。

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5+
￥0.9201
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￥0.7281
150+
￥0.6321
500+
￥0.5105
3000+
￥0.4529
6000+
￥0.424

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型号：NVTJD4001NT1G 编号：C604654

封装：SOT-363

品牌：onsemi(安森美)

适用于低功率应用的汽车用功率 MOSFET。 30V，250mA，1.5Ω，双 N 沟道，SC?88，逻辑电平通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。

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5+
￥0.932778 ￥1.4806
50+
￥0.624446 ￥1.1782
150+
￥0.450898 ￥1.0486
500+
￥0.381367 ￥0.8869
3000+
￥0.350407 ￥0.8149
6000+
￥0.331831 ￥0.7717

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型号：BS170-D26Z 编号：C258163

封装：TO-92-3

品牌：onsemi(安森美)

MOSFET，小信号，500 mA，60 V

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5+
￥1.6011
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￥1.2486
150+
￥1.0976
500+
￥0.9091

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型号：NDC7001C 编号：C274602

封装：TSOT-23-6

品牌：onsemi(安森美)

此类双 N 和 P 沟道增强型场效应晶体管是使用 Fairchild 的高单元密度 DMOS 专属技术生产的。这种极高密度工艺可最大程度地降低导通电阻，提供了坚固可靠的性能和快速的开关。此类器件尤其适用于低电压、低电流、开关和电源应用。

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5+
￥2.1621
50+
￥1.7141
150+
￥1.5221
500+
￥1.2825

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型号：FDC6312P 编号：C241767

封装：SuperSOT-6

品牌：onsemi(安森美)

此类 P 沟道 1.8V 指定 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持低门极电荷，实现卓越的开关性能。

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1+
￥3.04
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￥2.38
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￥2.1
100+
￥1.75
500+
￥1.59
1000+
￥1.5

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型号：FCD2250N80Z 编号：C463705

封装：TO-252(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

SuperFET II MOSFET 是全新的高压超结 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻，以及更低门极电荷方面的出色性能。此技术专用于最大程度降低导通损耗，提供出色的开关性能、dv/dt 速率和更高的雪崩能量。因此，SuperFET II MOSFET 非常适用于开关电源应用，如音频、笔记本电脑适配器、照明、ATX 电源和工业电源应用。

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1+
￥3.4408 ￥7.82
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￥2.4174 ￥7.11
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￥1.6128 ￥6.72
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￥1.5072 ￥6.28
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￥1.4616 ￥6.09
1000+
￥1.44 ￥6

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型号：NVTFS5C670NLTAG 编号：C900529

封装：WDFN-8(3.3x3.3)

品牌：onsemi(安森美)

适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，采用 3x3mm 扁平引线封装，且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，且符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。

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1+
￥6.41
10+
￥5.77
30+
￥5.42
100+
￥5.02

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型号：NVTFS003N04CTAG 编号：C604632

封装：WDFN-8(3.3x3.3)

品牌：onsemi(安森美)

适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，采用 3x3mm 扁平引线封装，且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。

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1+
￥8.15
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￥7.42
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￥6.96
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￥6.49
500+
￥6.28
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￥6.19

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型号：FDD86250 编号：C463461

封装：TO-252

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。

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1+
￥8.82
10+
￥7.38
30+
￥6.59
100+
￥5.7
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￥5.3
1000+
￥5.12

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型号：FQB5N90TM 编号：C463024

封装：D2PAK

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道增强型功率 MOSFET 是使用平面条纹和 DMOS 专属工艺生产的。此先进 MOSFET 技术适用于降低导通电阻，提供卓越的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正 (PFC) 和电子灯镇流器。

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1+
￥9.76
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￥8.89
30+
￥8.35
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￥7.8
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￥7.55
800+
￥7.44

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型号：FDS86240 编号：C512900

封装：SO-8

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 Power Trench 工艺生产的，针对 rDS(on)、开关性能和坚固性进行了优化。

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1+
￥11.4276 ￥12.84
10+
￥9.9224 ￥12.56
30+
￥8.5422 ￥12.38
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￥8.4111 ￥12.19

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型号：NTP165N65S3H 编号：C2902081

封装：TO-220-3LD

品牌：onsemi(安森美)

SUPERFET III MOSFET 是全新高压超结 (SJ) MOSFET 系列，采用电荷平衡技术，具有出色的低导通电阻和更低的栅极电荷性能。这项先进技术旨在最大限度地降低导通损耗，提供卓越的开关性能，并承受极高的 dv/dt 速率。因此，SUPERFET III MOSFET FAST 系列有助于最大限度地减少各种电源系统并提高系统效率。

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1+
￥11.674 ￥17.96
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￥9.416 ￥17.12
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￥7.479 ￥16.62
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￥7.2495 ￥16.11
500+
￥7.146 ￥15.88
800+
￥7.0965 ￥15.77

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型号：NTMFWS1D5N08XT1G 编号：C28792964

封装：DFN-6(5x6)

品牌：onsemi(安森美)

1+
￥11.77
10+
￥9.87
30+
￥8.69
100+
￥7.47

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型号：FDP51N25 编号：C188505

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。此 MOSFET 适用于降低导通电阻，提供更好的开关性能以及更高的雪崩能量强度。此器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。

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1+
￥13.27
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￥11.66
30+
￥10.65
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￥7
500+
￥6.54
1000+
￥6.33

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型号：NTTFS010N10MCLTAG 编号：C604494

封装：WDFN-5(3.3x3.3)

品牌：onsemi(安森美)

这是一款N沟道MOSFET，采用先进的POWERTRENCH工艺和屏蔽栅技术。该工艺经过优化，可最大限度地降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能和一流的软体二极管。

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1+
￥14.88
10+
￥12.48
30+
￥10.98
100+
￥9.44

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型号：NTHL190N65S3HF 编号：C898284

封装：TO-247

品牌：onsemi(安森美)

SUPERFET III MOSFET 是安森美半导体的全新高压超结 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻，以及更低门极电荷方面的卓越性能。此先进工艺专用于最大程度降低导电损耗，提供卓越的开关性能，并且可以承受极端 dv/dt 速率。因此，SUPERFET III MOSFET 适用于各种电源系统，实现系统小型化和更高能效。SUPERFET III FRFET MOSFET 优化的体二极管逆向恢复性能可以消除附加组件，提高系统可靠性。

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1+
￥30.66
10+
￥26.18
30+
￥23.52

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型号：FDMD8540L 编号：C606105

封装：PQFN-8-EP(5x6)

品牌：onsemi(安森美)

该设备在双功率（5mm x 6mm）封装中包含两个40V N沟道MOSFET。HS源极和LS漏极内部连接，适用于半桥/全桥，具有低源极电感封装、低rDS(on)/Qg品质因数的硅片。

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1+
￥31.31
10+
￥26.87
30+
￥24.23
100+
￥21.56

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型号：FDA28N50F 编号：C606018

封装：TO-3PN

品牌：onsemi(安森美)

UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。此 MOSFET 适用于降低导通电阻，提供更佳的开关性能以及更高的雪崩能量强度。UniFET FRFET MOSFET 的体二极管的逆向恢复性能由于终生控制而得以提高。其 trr 小于 100nsec，逆向 dv/dt 抗扰度为 15V/ns，而普通 MOSFET 的这两个指标分别为 200nsec 和4.5V/nsec 以上。因此，在 MOSFET 体二极管的性能非常重要的某些应用中，它可以消除附加组件，提高系统可靠性。此器件系列适用于开关电力转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。

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1+
￥43.75
10+
￥42.03
30+
￥33.35
90+
￥32.47

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型号：FCH040N65S3-F155 编号：C604986

封装：TO-247-3

品牌：onsemi(安森美)

SuperFET III MOSFET 是 ON Semiconductor 利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻和更低栅极电荷性能的全新高压超级结 (SJ) MOSFET 系列产品。这项先进技术专用于最小化传导损耗，提供卓越的开关性能，并承受极端 dv/dt 额定值。因此，SuperFET III MOSFET 非常适用于系统小型化和高效化的各种功率系统。

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1+
￥66.748 ￥81.4
10+
￥56.0232 ￥77.81
30+
￥44.3858 ￥71.59
90+
￥41.0192 ￥66.16

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型号：BVSS123LT1G 编号：C605325

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

适用于低功率应用的汽车用功率 MOSFET。100V，170mA，6 Ω，单 N 沟道，SOT-23。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。

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￥0.4459
50+
￥0.4358
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