安森美MOS驱动_厂家_价格_品牌_库存

封装：Power-56-8

此 N 沟道 MOSFET 专为提高 DC/DC 转换器的总能效以及最大程度降低其开关节点噪声而设计，可以使用同步开关 PWM 控制器，也可以使用传统开关 PWM 控制器。它经过了优化，可实现低门极电荷、低 RDS(ON)、快速开关和体二极管逆向恢复功能。

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￥5.78
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型号：FQD18N20V2TM 编号：C903728

封装：TO-252AA

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道增强型功率 MOSFET 是使用平面条纹和 DMOS 专属技术生产的。此先进 MOSFET 技术特别适用于降低导通电阻，提供出色的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正 (PFC) 和电子灯镇流器。

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型号：FDN86246 编号：C891118

封装：SOT-23-3

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 Power Trench 工艺生产的，针对 rDS(on)、开关性能和坚固性进行了优化。

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￥6.81
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￥5.08
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型号：FDT86113LZ 编号：C462748

封装：SOT-223

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道逻辑电平 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持出色的开关性能。增加了 G-S 齐纳以提高 ESD 电压水平。

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￥8.21
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型号：FDD390N15ALZ 编号：C903566

封装：TO-252(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，该工艺适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。

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￥9.86
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型号：FCB260N65S3 编号：C604983

封装：TO-263-2

品牌：onsemi(安森美)

SUPERFET III MOSFET 是安森美半导体的全新高压超结 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻，以及更低门极电荷方面的卓越性能。此先进技术专用于最大程度降低导电损耗，提供卓越的开关性能，并且可以承受极端 dv/dt 速率。因此，SUPERFET III MOSFET Easy drive 系列有助于管理 EMI 问题，实现更简单的设计实施。

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￥8.4539 ￥9.29
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￥7.0632 ￥8.72
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型号：NVMFD5C462NT1G 编号：C604564

封装：DFN-8(5x6)

品牌：onsemi(安森美)

适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，采用 5x6mm 扁平引线封装，且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，且符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。

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￥10.91
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型号：NVMFS5113PLWFT1G 编号：C604583

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

特性：低RDS(on)以最小化传导损耗。高电流能力。规定雪崩能量。可焊侧翼产品。NVM前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用；符合AEC-Q101标准，具备生产件批准程序(PPAP)能力。这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂(BFR)，符合RoHS标准

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￥14.52
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￥13.38
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￥12.67
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￥11.94
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型号：FDA032N08 编号：C556394

封装：TO-3PN

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 是使用 PowerTrench 工艺生产的，适用于最大程度降低导通电阻，同时保持出色的开关性能。

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￥18
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￥15.29
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￥13.51
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型号：NVMFS5C410NAFT1G 编号：C604591

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，安装在 5x6mm 扁平引线封装中且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。AEC-Q101 认证 MOSFET 且具备生产件批准程序(PPAP) 功能，适用于汽车应用。

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￥19.0218 ￥19.41
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￥16.7112 ￥18.99
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￥14.3676 ￥18.42

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型号：ATP302-TL-H 编号：C223561

封装：-

品牌：onsemi(安森美)

P沟道,-60V,-70A,13mΩ@-10V

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￥35.19
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￥30.5
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￥27.71
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型号：2V7002WT1G 编号：C556395

封装：SC-70

品牌：onsemi(安森美)

适用于低功率应用的汽车用功率 MOSFET。60V，340mA，1.6 Ω，单 N 沟道，SC-70。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。

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￥0.3218
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型号：NTR5105PT1G 编号：C328099

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

功率 MOSFET，-60 V，-211 mA，单 P 沟道，SOT?23 封装

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￥0.4496
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型号：NTZD3155CT2G 编号：C895156

封装：SOT-563

品牌：onsemi(安森美)

特性：领先的沟槽技术，实现低RDS(on)性能。高效的系统性能。低阈值电压。静电放电保护栅极。小尺寸：1.6×1.6mm。这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂，符合RoHS标准。应用：DC-DC转换电路。带电平转换的负载/电源开关

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￥0.7991
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￥0.635904 ￥0.6912
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型号：NTLJD3119CTBG 编号：C274622

封装：WDFN-6(2x2)

品牌：onsemi(安森美)

特性：互补N沟道和P沟道MOSFET。 WDFN封装，带外露漏极焊盘，具有出色的热传导性能。封装尺寸与SC-88相同。采用前沿沟槽技术，导通电阻低。栅极阈值电压为1.8 V。低外形（< 0.8mm），便于在薄型环境中安装。应用：同步DC-DC转换电路。便携式设备（如PDA、手机和硬盘）的负载/电源管理

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￥2.22
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型号：FDS8884 编号：C10883

封装：SO-8

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 专为提高 DC/DC 转换器的总体效能而设计，可以使用同步开关 PWM 控制器，也可以使用传统开关 PWM 控制器。它经过了优化，可实现低门极电荷、低 RDS(ON) 和快速开关。

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￥3.68
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￥2.98
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￥2.62
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￥2.27
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型号：FDMA1032CZ 编号：C890893

封装：VDFN-6(2x2)

品牌：onsemi(安森美)

此器件专门设计为手机和其他超便携应用中 DC/DC“开关”MOSFET 的单封装解决方案。它具有一个独立的 N 沟道和 P 沟道 MOSFET，且均具有低导通电阻，可实现最低的导电损耗。每个 MOSFET 的门极电荷也得以最大程度降低，可实现直接在控制设备中进行的高频开关。MicroFET 2x2 封装对于其物理尺寸来说提供了卓越的热性能，非常适合开关应用。

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￥4.1
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￥3.4
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￥3.05
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￥2.7
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￥2.16
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型号：NTMS4177PR2G 编号：C99787

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

这是一款 30 V P 沟道功率 MOSFET。

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￥4.49
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型号：FQD5P20TM 编号：C455151

封装：DPAK

品牌：onsemi(安森美)

此 P 沟道增强型功率 MOSFET 是使用平面条纹和 DMOS 专属技术生产的。此先进 MOSFET 技术适用于降低导通电阻，提供卓越的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。

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￥4.76
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￥3.82
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￥3.34
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￥2.88
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￥2.46

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型号：FDT86246 编号：C894835

封装：SOT-223

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 Power Trench 工艺生产的，针对 rDS(on)、开关性能和坚固性进行了优化。

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1+
￥4.832 ￥7.55
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￥4.0448 ￥6.32
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￥3.6096 ￥5.64
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￥3.1168 ￥4.87
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￥2.7968 ￥4.37

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型号：FDMC86102L 编号：C555493

封装：PowerWDFN-8

品牌：onsemi(安森美)

N沟道MOSFET采用飞兆半导体的先进PowerTrench工艺制造而成，该工艺集成了屏蔽栅极技术。该工艺经优化以减小导通电阻，却仍保持卓越的开关性能。

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￥6.351 ￥10.95
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￥2.5384 ￥6.68

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型号：NVTFS003N04CTAG 编号：C604632

封装：WDFN-8(3.3x3.3)

品牌：onsemi(安森美)

适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，采用 3x3mm 扁平引线封装，且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。

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1+
￥8.15
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￥7.42
30+
￥6.96
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￥6.49
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￥6.28
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￥6.19

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型号：FCD380N60E 编号：C398044

封装：TO-252(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

SuperFET II MOSFET 是全新的高压超结 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻，以及更低门极电荷方面的出色性能。此技术专用于最大程度降低导通损耗，提供出色的开关性能、dv/dt 速率和更高的雪崩能量。因此，SuperFET II MOSFET 非常适用于开关电源应用，如 PFC、服务器/电信电源、FPD TV 电源、ATX 电源和工业电源应用。

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￥8.63
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￥7.08
30+
￥6.23
100+
￥5.27
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￥4.84

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型号：FDP047N08 编号：C464163

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 是使用 PowerTrench 工艺生产的，该工艺适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。

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￥9.6
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￥8.5176 ￥9.36
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￥7.4439 ￥9.19
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￥7.3143 ￥9.03

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型号：FDPF3860T 编号：C243063

封装：TO-220F

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 是使用 PowerTrench 工艺生产的，该工艺适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。

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1+
￥9.64
10+
￥7.97
30+
￥7.05
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￥6.01

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型号：NTTFD4D0N04HLTWG 编号：C894095

封装：WDFN-12

品牌：onsemi(安森美)

该器件在双封装中包含两个专用N沟道MOSFET。开关节点已内部连接，便于同步降压转换器的布局和布线。控制MOSFET (Q2) 和同步MOSFET (Q1) 旨在提供最佳功率效率。

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￥14.52
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￥12.49
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型号：FDP86363-F085 编号：C3280605

封装：TO-220AB

品牌：onsemi(安森美)

特性：典型RDS(on) = 2.4mΩ，VGS = 10V，ID = 80A。典型Qg(tot) = 131nC，VGS = 10V，ID = 80A。 UIS能力。符合RoHS标准。符合AEC Q101标准。应用：汽车发动机控制。动力总成管理

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￥14.61
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￥13.82
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￥13.34
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￥12.87

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型号：NTPF360N65S3H 编号：C2902187

封装：TO-220F

品牌：onsemi(安森美)

SUPERFET III MOSFET是全新的高压超结（SJ）MOSFET系列，利用电荷平衡技术，具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。这种先进技术旨在最大限度地减少传导损耗，提供卓越的开关性能，并能承受极高的dv/dt速率。因此，SUPERFET III FAST MOSFET系列有助于缩小各种电源系统的体积并提高系统效率。

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