安森美MOS驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：NTLJS2103PTBG 编号：C415865

封装：WDFN-6(2x2)

品牌：onsemi(安森美)

数据手册

1+
￥3.81
10+
￥3.08
30+
￥2.72
100+
￥2.36
500+
￥2.14
1000+
￥2.03

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型号：FDD86102 编号：C47711

封装：DPAK(TO-252)

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 Power Trench 工艺生产的，针对 rDS(on)、开关性能和坚固性进行了优化。

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1+
￥5.43
10+
￥4.4
30+
￥3.89
100+
￥3.38

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型号：FCD380N60E 编号：C398044

封装：TO-252(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

SuperFET II MOSFET 是全新的高压超结 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻，以及更低门极电荷方面的出色性能。此技术专用于最大程度降低导通损耗，提供出色的开关性能、dv/dt 速率和更高的雪崩能量。因此，SuperFET II MOSFET 非常适用于开关电源应用，如 PFC、服务器/电信电源、FPD TV 电源、ATX 电源和工业电源应用。

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￥7.055 ￥8.5
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￥5.0735 ￥6.95
30+
￥3.843 ￥6.1
100+
￥3.2382 ￥5.14
500+
￥2.9673 ￥4.71
1000+
￥2.8476 ￥4.52

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型号：FDMS2572 编号：C462739

封装：Power-56-8

品牌：onsemi(安森美)

UltraFET 器件结合了各种特性，可在电源转换应用中提供标杆式效率。此类器件针对低 rDS(on)、低 ESR、低总电荷和 Miller 门极电荷而优化，适用于高频 DC/DC 转换器。

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1+
￥7.71
10+
￥6.49
30+
￥5.82
100+
￥5.06
500+
￥4.73
1000+
￥4.58

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型号：FDMS86310 编号：C606110

封装：Power-56-8

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 专用于提高 DC/DC 转换器的总能效以及最大程度降低其开关节点噪声，可以使用同步开关 PWM 控制器，也可以使用传统开关 PWM 控制器。它经过了优化，可实现低门极电荷、低 RDS(ON)、快速开关和体二极管逆向恢复功能。

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1+
￥7.8926 ￥12.73
10+
￥6.0996 ￥11.73
30+
￥4.6662 ￥11.11
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￥4.3974 ￥10.47
500+
￥4.2756 ￥10.18
1000+
￥4.221 ￥10.05

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型号：NVMFS5C442NAFT1G 编号：C604597

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，安装在 5x6mm 扁平引线封装中且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。AEC-Q101 认证 MOSFET 且具备生产件批准程序(PPAP) 功能，适用于汽车应用。

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1+
￥8.439 ￥8.7
10+
￥6.9774 ￥8.02
30+
￥5.8443 ￥7.59
100+
￥5.5055 ￥7.15
500+
￥5.3592 ￥6.96
1500+
￥5.2899 ￥6.87

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型号：FDMS86300DC 编号：C606109

封装：DFN-8(5.1x6.2)

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的。同时结合了硅和 Dual Cool 封装技术的发展，可提供最低的 rDS(on)，因为具有极低的结到环境热阻，同时可保持卓越的开关性能。

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1+
￥18.05
10+
￥14.4478 ￥15.37
30+
￥11.4996 ￥13.69
100+
￥9.8952 ￥11.78
500+
￥9.24 ￥11
1000+
￥8.9544 ￥10.66

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型号：NVMFS6H801NT1G 编号：C604623

封装：DFN-5(5.9x4.9)

品牌：onsemi(安森美)

适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，安装在 5x6mm 扁平引线封装中且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。AEC-Q101 认证 MOSFET 且具备生产件批准程序(PPAP) 功能，适用于汽车应用。

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1+
￥18.8
10+
￥15.93
30+
￥14.23
100+
￥12.5

有货

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型号：NVMFS5C404NLWFAFT1G 编号：C604587

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，安装在 5x6mm 扁平引线封装中且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。AEC-Q101 认证 MOSFET 且具备生产件批准程序(PPAP) 功能，适用于汽车应用。

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1+
￥37.8231 ￥40.67
10+
￥32.3451 ￥38.97
30+
￥27.6889 ￥37.93
100+
￥27.0538 ￥37.06

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型号：NVMTS001N06CLTXG 编号：C894181

封装：DFNW-8

品牌：onsemi(安森美)

适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，安装在 8x8mm 扁平引线封装中且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。通过 AEC-Q101 认证 MOSFET 且符合生产件批准程序 (PPAP) ，适用于汽车应用。

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1+
￥39.6304 ￥42.16
10+
￥33.9276 ￥40.39
30+
￥29.0894 ￥39.31
100+
￥28.4234 ￥38.41

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型号：NVHL027N65S3F 编号：C604550

封装：TO-247

品牌：onsemi(安森美)

SUPERFET III MOSFET 是安森美半导体的全新高压超结 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻，以及更低门极电荷方面的出色性能。此先进技术专用于最大程度降低导通损耗，提供出色的开关性能，并且可以承受极端 dv/dt 速率。因此，SUPERFET III MOSFET 适用于各种电源系统，实现系统小型化和更高效能。SUPERFET III FRFET MOSFET 优化的体二极管反向恢复性能可以消除附加组件，提高系统可靠性。

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1+
￥114.28
10+
￥103.7944 ￥112.82
30+
￥90.4296 ￥110.28
90+
￥88.6092 ￥108.06

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型号：NTA4001NT1G 编号：C153746

封装：SC-75(SOT-416)

品牌：onsemi(安森美)

小信号 MOSFET，20 V，238 mA，单 N 沟道，门极 ESD 防护

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10+
￥0.4484
100+
￥0.369
300+
￥0.3293
3000+
￥0.2995
6000+
￥0.2757
9000+
￥0.2637

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型号：2V7002LT1G 编号：C150090

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

适用于低功率应用的汽车用功率 MOSFET。60V，115mA，7.5 Ω，单 N 沟道，SOT-23。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。

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5+
￥0.5569
50+
￥0.4457
150+
￥0.3901
500+
￥0.3484

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型号：FDV305N 编号：C154511

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此 20V N 沟道 MOSFET 使用高压 PowerTrench 工艺。此产品非常适用于电源管理应用。

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5+
￥0.7096
50+
￥0.5531
150+
￥0.4748
500+
￥0.4161

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型号：NTZD3155CT2G 编号：C895156

封装：SOT-563

品牌：onsemi(安森美)

特性：领先的沟槽技术，实现低RDS(on)性能。高效的系统性能。低阈值电压。静电放电保护栅极。小尺寸：1.6×1.6mm。这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂，符合RoHS标准。应用：DC-DC转换电路。带电平转换的负载/电源开关

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5+
￥0.86773 ￥0.9134
50+
￥0.68476 ￥0.8056
150+
￥0.569475 ￥0.7593
500+
￥0.526275 ￥0.7017
2500+
￥0.507 ￥0.676
4000+
￥0.49545 ￥0.6606

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型号：FDMC007N30D 编号：C890918

封装：WDFN-8

品牌：onsemi(安森美)

此器件在一个双 Power33 (3 mm X 3 mm MLP) 封装中包括了两个特制的 N 沟道 MOSFET。开关节点已经内部联接，可实现同步降压转换器的轻松布置和布线。控制 MOSFET (Q1) 和同步 MOSFET (Q2) 可提供最佳功率能效。

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5+
￥1.5487
50+
￥1.3392
150+
￥1.2494
500+
￥1.1374
3000+
￥1.0875
6000+
￥1.0576

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型号：FDC6333C 编号：C154557

封装：SuperSOT-6

品牌：onsemi(安森美)

此类 N 和 P 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。此类器件适用于无法采用更昂贵的 SO-8 和 TSSOP-8 封装的应用，可为其在非常小的占地面积中提供卓越的功率耗散。

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5+
￥1.7037
50+
￥1.3207
150+
￥1.1565
500+
￥0.9516
3000+
￥0.8604
6000+
￥0.8057

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型号：NTJD4105CT1G 编号：C236115

封装：SOT-363

品牌：onsemi(安森美)

此互补双器件使用小封装 (2 x 2 mm) 和低 RDS(on) MOSFET，可实现最小占位，提高电路能效。低 RDS(on) 性能特别适用于单锂离子电池或双电池锂离子电池供电设备，例如手机、媒体播放器、数码相机和 PDA。

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5+
￥1.720125 ￥1.7375
50+
￥1.230514 ￥1.3826
150+
￥0.972095 ￥1.2305
500+
￥0.822232 ￥1.0408
3000+
￥0.755477 ￥0.9563
6000+
￥0.715424 ￥0.9056

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型号：CPH6350-TL-W 编号：C890563

封装：SC-74-6

品牌：onsemi(安森美)

CPH6350 是一款 P 沟道功率 MOSFET，-30V，-6A，43mΩ，单 CPH6，适用于通用开关应用。

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5+
￥2.266
50+
￥1.7565
150+
￥1.5381
500+
￥1.2657

有货

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型号：FDG6322C 编号：C112152

封装：SC-70-6

品牌：onsemi(安森美)

此类双 N 和 P 沟道逻辑电平增强型场效应晶体管是使用高单元密度的 DMOS 专属技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻。此器件专用于在低压应用中替代双极数字晶体管和小信号 MOSFET。因为无需偏置电阻，所以此类双数字 FET 可以替代若干具有各种偏置电阻值的数字晶体管。

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1+
￥2.4
10+
￥1.87
30+
￥1.64
100+
￥1.36
500+
￥1.23
1000+
￥1.16

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型号：MVGSF1N03LT1G 编号：C606035

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

汽车用功率 MOSFET，30V，2.1A，100mΩ，单 N 沟道，SOT-23。此类小型表面贴装 MOSFET 的 RDS(on) 可确保最小的功率损耗和节能，使得此类器件适用于空间敏感型电源管理电路。

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1+
￥2.914 ￥3.1
10+
￥2.352 ￥2.8
30+
￥1.961 ￥2.65
100+
￥1.8574 ￥2.51
500+
￥1.7908 ￥2.42
1000+
￥1.7538 ￥2.37

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型号：NTD6416ANT4G 编号：C179616

封装：DPAK

品牌：onsemi(安森美)

特性：低RDS(on)。高电流能力。 100%雪崩测试。 NVD前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用；符合AEC-Q101标准且具备PPAP能力。这些器件无铅且符合RoHS标准

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1+
￥3.3864 ￥6.64
10+
￥2.4764 ￥6.04
30+
￥1.7701 ￥5.71
100+
￥1.6523 ￥5.33
500+
￥1.6027 ￥5.17
1000+
￥1.5779 ￥5.09

有货

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型号：FDS8884 编号：C10883

封装：SO-8

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 专为提高 DC/DC 转换器的总体效能而设计，可以使用同步开关 PWM 控制器，也可以使用传统开关 PWM 控制器。它经过了优化，可实现低门极电荷、低 RDS(ON) 和快速开关。

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1+
￥3.5966 ￥3.67
10+
￥2.6312 ￥2.99
30+
￥2.067 ￥2.65
100+
￥1.8096 ￥2.32
500+
￥1.6458 ￥2.11
1000+
￥1.5678 ￥2.01

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型号：FDMA1032CZ 编号：C890893

封装：VDFN-6(2x2)

品牌：onsemi(安森美)

此器件专门设计为手机和其他超便携应用中 DC/DC“开关”MOSFET 的单封装解决方案。它具有一个独立的 N 沟道和 P 沟道 MOSFET，且均具有低导通电阻，可实现最低的导电损耗。每个 MOSFET 的门极电荷也得以最大程度降低，可实现直接在控制设备中进行的高频开关。MicroFET 2x2 封装对于其物理尺寸来说提供了卓越的热性能，非常适合开关应用。

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