安森美MOS驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：FDMD8540L 编号：C606105

封装：PQFN-8-EP(5x6)

品牌：onsemi(安森美)

该设备在双功率（5mm x 6mm）封装中包含两个40V N沟道MOSFET。HS源极和LS漏极内部连接，适用于半桥/全桥，具有低源极电感封装、低rDS(on)/Qg品质因数的硅片。

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1+
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￥26.87
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型号：NVMTS001N06CLTXG 编号：C894181

封装：DFNW-8

品牌：onsemi(安森美)

适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，安装在 8x8mm 扁平引线封装中且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。通过 AEC-Q101 认证 MOSFET 且符合生产件批准程序 (PPAP) ，适用于汽车应用。

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型号：FDA28N50F 编号：C606018

封装：TO-3PN

品牌：onsemi(安森美)

UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。此 MOSFET 适用于降低导通电阻，提供更佳的开关性能以及更高的雪崩能量强度。UniFET FRFET MOSFET 的体二极管的逆向恢复性能由于终生控制而得以提高。其 trr 小于 100nsec，逆向 dv/dt 抗扰度为 15V/ns，而普通 MOSFET 的这两个指标分别为 200nsec 和4.5V/nsec 以上。因此，在 MOSFET 体二极管的性能非常重要的某些应用中，它可以消除附加组件，提高系统可靠性。此器件系列适用于开关电力转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。

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型号：FCH023N65S3L4 编号：C898112

封装：TO-247-4

品牌：onsemi(安森美)

SUPERFET III MOSFET 是安森美半导体的全新高压超结 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻，以及更低门极电荷方面的卓越性能。此先进技术专用于最大程度降低导电损耗，提供卓越的开关性能，并且可以承受极端 dv/dt 速率。因此，SUPERFET III MOSFET Easy drive 系列有助于管理 EMI 问题，实现更简单的设计实施。

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￥98.56 ￥112
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型号：NTR0202PLT1G 编号：C109445

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

这是一款 20 V P 沟道功率 MOSFET。

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型号：BSS138L 编号：C890265

封装：SOT-23-3L

品牌：onsemi(安森美)

BSS138L N 沟道功率 MOSFET 的典型应用为 DC-DC 转换器、便携式电池供电产品中的电源管理，如计算机、打印机、PCMCIA 卡、手机和无绳电话。

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￥0.3602
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￥0.2907
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型号：2N7002K 编号：C114458

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

N 沟道小信号 MOSFET 60V 380mA 1.6 Ω

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￥0.3894
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型号：BSS138LT3G 编号：C83790

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

特性：低阈值电压（VGS(th)：0.5V-1.5V），适用于低电压应用。微型SOT-23表面贴装封装，节省电路板空间。BVSS前缀适用于汽车和其他需要独特现场和控制变更要求的应用；符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力。这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂（BFR），符合RoHS标准。应用：DC-DC转换器。便携式和电池供电产品的电源管理，如计算机、打印机、PCM/CIA卡、移动电话和无绳电话

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10+
￥0.4552
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￥0.3597
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￥0.312

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型号：NTE4153NT1G 编号：C79836

封装：SC-89

品牌：onsemi(安森美)

小信号 MOSFET，20V，915mA，230mΩ，单 N 沟道，SC-89，带 ESD 保护

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5+
￥0.6179
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￥0.5022
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型号：NTR1P02T1G 编号：C129192

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

特性：超低导通电阻，提高效率并延长电池寿命：RDS(on) = 0.180Ω，VGS = -10V；RDS(on) = 0.280Ω，VGS = -4.5V。适用于便携式和电池供电产品的电源管理。微型SOT-23表面贴装封装，节省电路板空间。提供SOT-23封装安装信息。NVR前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。AEC-Q101认证且具备PPAP能力。应用：DC-DC转换器。计算机

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