安森美MOS驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：SVD5865NLT4G 编号：C889915

封装：TO-252(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

特性：低RDS(on)以最小化传导损耗。高电流能力。规定雪崩能量。通过AEC-Q101认证。这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂，且符合RoHS标准

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￥3.145 ￥4.25
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￥2.432 ￥3.8
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￥1.9332 ￥3.58
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￥1.8144 ￥3.36
500+
￥1.7442 ￥3.23
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￥1.7064 ￥3.16

有货

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型号：NTMD6N02R2G 编号：C887715

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

功率 MOSFET，6.0 ，20 V，N 沟道增强模式，双，SO?8 封装

数据手册

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￥3.19
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￥2.5852 ￥2.81
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￥2.1402 ￥2.61
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￥1.9844 ￥2.42
500+
￥1.8942 ￥2.31
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￥1.845 ￥2.25

有货

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型号：FDS6679AZ 编号：C116730

封装：SO-8

品牌：onsemi(安森美)

P沟 -30V -13A

数据手册

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￥3.56
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￥2.75
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￥2.41
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￥1.98
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￥1.79
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￥1.67

有货

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型号：FDS86242 编号：C113197

封装：SO-8

品牌：onsemi(安森美)

这一N沟道MOSFET器件采用飞兆半导体的高级PowerTrench工艺生产，该工艺专为实现r

数据手册

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￥4.68
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￥3.73
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￥3.25
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￥2.78
500+
￥2.5

有货

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型号：NVMFD5C466NWFT1G 编号：C900390

封装：DFN-8(4.9x5.9)

品牌：onsemi(安森美)

适用于紧凑和高能效设计的汽车用功率 MOSFET，采用 5x6mm 扁平引线封装且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。

数据手册

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￥5.62
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￥5.11
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￥4.83
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￥4.51
500+
￥3.67
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￥3.61

有货

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型号：NVMFS5C442NAFT1G 编号：C604597

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，安装在 5x6mm 扁平引线封装中且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。AEC-Q101 认证 MOSFET 且具备生产件批准程序(PPAP) 功能，适用于汽车应用。

数据手册

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￥7.59
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￥6.4954 ￥6.91
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￥5.4432 ￥6.48
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￥5.082 ￥6.05
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￥4.914 ￥5.85
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￥4.8384 ￥5.76

有货

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型号：FQB4N80TM 编号：C467464

封装：D2PAK(TO-263)

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道增强型功率 MOSFET 是使用平面条纹和 DMOS 专属技术生产的。此先进 MOSFET 技术特别适用于降低导通电阻，提供出色的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正 (PFC) 和电子灯镇流器。

数据手册

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￥12.75
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￥10.71
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￥9.43
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￥8.12
500+
￥7.53
800+
￥7.27

有货

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型号：FDP51N25 编号：C188505

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。此 MOSFET 适用于降低导通电阻，提供更好的开关性能以及更高的雪崩能量强度。此器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。

数据手册

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￥13.47
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￥11.85
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￥10.84
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￥7.2
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￥6.73
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￥6.53

有货

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型号：NTMFS5C404NLT1G 编号：C604432

封装：DFN-5(5x6)

品牌：onsemi(安森美)

数据手册

1+
￥18.49
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￥15.68
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￥13.93
100+
￥12.14
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￥11.32
1500+
￥10.97

有货

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型号：NTB095N65S3HF 编号：C898798

封装：D2PAK

品牌：onsemi(安森美)

SUPERFET III MOSFET是利用电荷平衡技术的全新高压超结（SJ）MOSFET系列，具有出色的低导通电阻和较低的栅极电荷性能。这种先进技术旨在最大限度地降低传导损耗，提供卓越的开关性能，并能承受极高的dv/dt速率。因此，SUPERFET III MOSFET非常适合用于各种追求小型化和更高效率的电源系统。SUPERFET III FRFET MOSFET的体二极管经过优化的反向恢复性能可以减少额外元件并提高系统可靠性。

数据手册

1+
￥19.56
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￥16.88
30+
￥14.69
100+
￥13.08
500+
￥12.34
800+
￥12

有货

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型号：FQA40N25 编号：C10877

封装：TO-3P

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道增强型功率 MOSFET 是使用平面条纹和 DMOS 专属技术生产的。此先进 MOSFET 技术适用于降低导通电阻，提供卓越的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、有源功率系数校正 (PFC) 和电子灯镇流器。

数据手册

1+
￥21.19
10+
￥18.34
30+
￥15.52
90+
￥13.69
450+
￥12.86
900+
￥12.51

有货

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型号：FDBL0210N80 编号：C462994

封装：MO-299A

品牌：onsemi(安森美)

N 沟道 PowerTrench MOSFET，80V，240A，2.0mΩ

数据手册

1+
￥28.1
10+
￥23.82
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￥21.27
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￥18.69
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￥17.5
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￥16.96

有货

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型号：NVMFS5C404NLWFAFT1G 编号：C604587

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，安装在 5x6mm 扁平引线封装中且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。AEC-Q101 认证 MOSFET 且具备生产件批准程序(PPAP) 功能，适用于汽车应用。

数据手册

1+
￥40.67
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￥35.073 ￥38.97
30+
￥30.344 ￥37.93
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￥29.648 ￥37.06

有货

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型号：NTA4151PT1G 编号：C54876

封装：SC-75(SOT-416)

品牌：onsemi(安森美)

小信号 MOSFET -20 V，-540 mA，单 P 沟道，门极齐纳，SC-75 和 SC-89

数据手册

10+
￥0.283
100+
￥0.2286
300+
￥0.2013
3000+
￥0.1653
6000+
￥0.149
9000+
￥0.1408

有货

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型号：NTA4001NT1G 编号：C153746

封装：SC-75(SOT-416)

品牌：onsemi(安森美)

小信号 MOSFET，20 V，238 mA，单 N 沟道，门极 ESD 防护

数据手册

10+
￥0.3949
100+
￥0.3094
300+
￥0.2666
3000+
￥0.2346
6000+
￥0.2089
9000+
￥0.1961

有货

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型号：BVSS123LT1G 编号：C605325

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

适用于低功率应用的汽车用功率 MOSFET。100V，170mA，6 Ω，单 N 沟道，SOT-23。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。

数据手册

5+
￥0.5355
50+
￥0.5253
150+
￥0.5186
500+
￥0.5118

有货

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型号：NTK3134NT1G 编号：C97777

封装：SOT-723

品牌：onsemi(安森美)

功率 MOSFET，20 V，890 mA，单 N 沟道，带 ESD 防护，SOT-723

数据手册

5+
￥0.7365
50+
￥0.5845
150+
￥0.5085
500+
￥0.4515
2500+
￥0.4059
4000+
￥0.3831

有货

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型号：NTLJF3117PT1G 编号：C350837

封装：WDFN-6-EP(2x2)

品牌：onsemi(安森美)

特性：FETKY配置，包含MOSFET和低正向压降（Vf）肖特基二极管。μCOO封装，提供外露漏极焊盘，实现出色的热传导。2×2 mm占位面积，与SC-88封装设计相同。独立引脚排列，提供电路设计灵活性。低外形（< 0.8 mm），便于在轻薄环境中使用。高电流肖特基二极管：2 A额定电流。应用：优化用于便携式应用，如手机、数码相机、媒体播放器等。DC-DC降压电路

数据手册

1+
￥1.1948 ￥2.06
10+
￥0.8736 ￥1.82
30+
￥0.6498 ￥1.71
100+
￥0.6004 ￥1.58
500+
￥0.5776 ￥1.52
1000+
￥0.5662 ￥1.49

有货

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型号：2N7000 编号：C232838

封装：TO-92-3L

品牌：onsemi(安森美)

该款N沟道小信号MOSFET采用安森美专有的高单元密度DMOS技术生产，旨在最大程度减少导通电阻，同时提供稳固、可靠和快速的开关性能表现。它们可用于需要高达400mA DC的大多数应用，并可提供高达2A的脉冲电流，尤其适合低电压、低电流应用。

数据手册

5+
￥1.3921
50+
￥1.0913
150+
￥0.9624

有货

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型号：NDT3055 编号：C3289937

封装：SOT-223

品牌：onsemi(安森美)

这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用）专有的高单元密度DMOS技术制造。这种超高密度工艺经过特别设计，可将导通电阻降至最低，并提供卓越的开关性能。这些器件特别适用于低压应用，如直流电机控制和直流-直流转换，这些应用需要快速开关、低线路功率损耗和抗瞬态能力

数据手册

1+
￥2.61
10+
￥2.06
30+
￥1.83
100+
￥1.53
500+
￥1.4
1000+
￥1.32

有货

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型号：FDD9510L-F085 编号：C605023

封装：DPAK(TO-252)

品牌：onsemi(安森美)

特性：典型 RDS(on) = 11 mΩ，VGS = -10V，ID = -50A。典型 Qg(tot) = 28 nC，VGS = -10V，ID = -50A。UIS 能力。符合 AEC Q101 标准。这些器件无铅且符合 RoHS 标准。应用：汽车发动机控制。动力总成管理

数据手册

1+
￥4.09
10+
￥3.62
30+
￥3.38
100+
￥2.99
500+
￥2.85
1000+
￥2.78

有货

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型号：NTD25P03LT4G 编号：C76463

封装：DPAK

品牌：onsemi(安森美)

适用于低压高速开关应用，且可承受雪崩和换相模式下的高能量。源极到漏极二极管恢复时间与分立快速恢复二极管相当。

数据手册

1+
￥5.31
10+
￥4.25
30+
￥3.72
100+
￥3.19
500+
￥2.88
1000+
￥2.72

有货

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型号：NVTFS5C670NLTAG 编号：C900529

封装：WDFN-8(3.3x3.3)

品牌：onsemi(安森美)

适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，采用 3x3mm 扁平引线封装，且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，且符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。

数据手册

1+
￥6.19
10+
￥5.55
30+
￥5.19
100+
￥4.8
500+
￥4.62

有货

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型号：FDD86102 编号：C47711

封装：DPAK(TO-252)

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 Power Trench 工艺生产的，针对 rDS(on)、开关性能和坚固性进行了优化。

数据手册

1+
￥6.47
10+
￥5.47
30+
￥4.97
100+
￥4.47

有货

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型号：FCPF13N60NT 编号：C899123

封装：TO-220F

品牌：onsemi(安森美)

SupreMOS® MOSFET是采用深槽填充工艺的下一代高压超结（SJ）技术产品，这使其有别于传统的超结MOSFET。这项先进技术和精确的工艺控制实现了最低的比导通电阻（Rsp）、卓越的开关性能和高可靠性。SupreMOS MOSFET适用于高频开关电源转换器应用，如功率因数校正（PFC）、服务器/电信电源、平板电视电源、ATX电源和工业电源应用

数据手册

1+
￥7.77
10+
￥6.22
50+
￥5.25
100+
￥4.26
500+
￥3.81
1000+
￥3.62

有货

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型号：NVMFS5C460NLWFAFT1G 编号：C556458

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，安装在 5x6mm 扁平引线封装中且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。AEC-Q101 认证 MOSFET 且具备生产件批准程序(PPAP) 功能，适用于汽车应用。

数据手册

1+
￥8.0276 ￥8.54
10+
￥6.6108 ￥7.87
30+
￥5.513 ￥7.45
100+
￥5.1948 ￥7.02
500+
￥5.0542 ￥6.83
1500+
￥4.9876 ￥6.74

有货

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型号：NVMFS5C430NAFT1G 编号：C604595

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，安装在 5x6mm 扁平引线封装中且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。AEC-Q101 认证 MOSFET 且具备生产件批准程序(PPAP) 功能，适用于汽车应用。

数据手册

1+
￥10.71
10+
￥8.8816 ￥9.76
30+
￥7.4277 ￥9.17
100+
￥6.9417 ￥8.57
500+
￥6.723 ￥8.3
1500+
￥6.6258 ￥8.18

有货

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型号：FDS86240 编号：C512900

封装：SO-8

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 Power Trench 工艺生产的，针对 rDS(on)、开关性能和坚固性进行了优化。

数据手册

1+
￥12.3264 ￥12.84
10+
￥10.8016 ￥12.56
30+
￥9.4088 ￥12.38
100+
￥9.2644 ￥12.19

有货

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型号：NTP165N65S3H 编号：C2902081

封装：TO-220-3LD

品牌：onsemi(安森美)

SUPERFET III MOSFET 是全新高压超结 (SJ) MOSFET 系列，采用电荷平衡技术，具有出色的低导通电阻和更低的栅极电荷性能。这项先进技术旨在最大限度地降低导通损耗，提供卓越的开关性能，并承受极高的 dv/dt 速率。因此，SUPERFET III MOSFET FAST 系列有助于最大限度地减少各种电源系统并提高系统效率。

数据手册

1+
￥12.572 ￥17.96
10+
￥10.272 ￥17.12
50+
￥8.31 ￥16.62
100+
￥8.055 ￥16.11
500+
￥7.94 ￥15.88
800+
￥7.885 ￥15.77

有货

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型号：FDP3632 编号：C236900

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

特性：RDS(ON) = 7.5 mΩ (Typ.), VGS = 10 V, ID = 80 A。 Qg (tot) = 84 nC (Typ.), VGS = 10 V。低米勒电荷。低Qrr体二极管。 UIS能力（单脉冲和重复脉冲）。这些器件无铅且符合RoHS标准。应用：同步整流。电池保护电路

1+
￥22.22
10+
￥18.71
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￥16.62
100+
￥14.52

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