安森美MOS驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：NTNS3193NZT5G 编号：C179628

封装：X-LLGA-3

品牌：onsemi(安森美)

小信号 MOSFET，20 V，224 mA，单 N 沟道，0.62 x 0.62 x 0.4 mm XLLGA3 封装

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5+
￥1.6469
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￥1.469
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￥1.3928
500+
￥0.9657
2500+
￥0.9233
5000+
￥0.8979

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型号：FQD13N10LTM 编号：C37552

封装：DPAK

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道增强型功率 MOSFET 是使用平面条纹和 DMOS 专属技术生产的。此先进 MOSFET 技术适用于降低导通电阻，提供卓越的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。

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￥2.54
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￥1.99
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￥1.76
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￥1.46
500+
￥1.33
1000+
￥1.25

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型号：FDMC7692S 编号：C241798

封装：MLP(3.3x3.3)

品牌：onsemi(安森美)

FDMC7692S 使用先进的 PowerTrench 工艺生产，特别适用于最大程度降低导通电阻。此器件适用于笔记本电脑和便携式电池组中常见的功率和负载开关应用。

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￥2.97
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￥2.31
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￥2.02
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￥1.67
500+
￥1.51
1000+
￥1.41

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型号：FDMS7656AS 编号：C891069

封装：Power-56-8

品牌：onsemi(安森美)

FDMS7656AS旨在最大限度地减少功率转换应用中的损耗。先进的硅技术和封装技术完美融合，在保持出色开关性能的同时，还能提供最低的r

1+
￥3.13
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￥2.78
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￥2.61
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￥2.09
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￥2.04

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型号：NTMD6N02R2G 编号：C887715

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

功率 MOSFET，6.0 ，20 V，N 沟道增强模式，双，SO?8 封装

数据手册

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￥3.458 ￥3.64
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￥2.771 ￥3.26
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￥2.3025 ￥3.07
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￥2.16 ￥2.88
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￥2.0775 ￥2.77
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￥2.0325 ￥2.71

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型号：NVMFS4C05NT1G 编号：C604580

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，采用 5x6mm 扁平引线封装，具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。通过 AEC-Q101 认证 MOSFET 且符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。

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￥5.3418 ￥9.21
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￥4.0752 ￥8.49
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￥3.0514 ￥8.03
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￥2.8766 ￥7.57
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￥2.7968 ￥7.36
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￥2.7626 ￥7.27

有货

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型号：NTMFS5C410NT1G 编号：C604434

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

功率 MOSFET，40 V，0.92 mΩ，300 A，单 N 沟道

数据手册

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￥6.42
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￥5.26
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￥3.96
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￥3.39
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￥3.04
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￥2.86

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型号：NVMFD5C466NLT1G 编号：C604565

封装：DFN-8(5x6)

品牌：onsemi(安森美)

适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，安装在 5x6mm 扁平引线封装中且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。AEC-Q101 认证 MOSFET 且具备生产件批准程序(PPAP) 功能，适用于汽车应用。

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￥9.1971 ￥9.29
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￥7.6184 ￥8.56
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￥6.399 ￥8.1
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￥5.8697 ￥7.43
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￥5.7986 ￥7.34

有货

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型号：FDP030N06B-F102 编号：C898579

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，该工艺适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。

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1+
￥10.7
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￥9.01
30+
￥7.95
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￥6.87
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￥6.38
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￥6.17

有货

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型号：NVMFD5C462NT1G 编号：C604564

封装：DFN-8(5x6)

品牌：onsemi(安森美)

适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，采用 5x6mm 扁平引线封装，且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，且符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。

数据手册

1+
￥11
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￥9.3186 ￥10.02
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￥7.8103 ￥9.41
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￥7.2874 ￥8.78
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￥7.055 ￥8.5
1500+
￥6.9471 ￥8.37

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型号：FQA70N10 编号：C463486

封装：TO-3PN

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道增强型功率 MOSFET 是使用平面条纹和 DMOS 专属技术生产的。此先进 MOSFET 技术适用于降低导通电阻，提供卓越的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。

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1+
￥11.17
10+
￥9.6
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￥8.61
90+
￥7.02
510+
￥6.56
990+
￥6.36

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型号：FDBL0210N80 编号：C462994

封装：MO-299A

品牌：onsemi(安森美)

N 沟道 PowerTrench MOSFET，80V，240A，2.0mΩ

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1+
￥11.45
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￥9.64
30+
￥8.51
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￥7.35
500+
￥6.83
1000+
￥6.6

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型号：FQPF3N80C 编号：C11766

封装：TO-220F-3

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道增强型功率 MOSFET 是使用安森美半导体的平面条纹和 DMOS 专属工艺生产的。此先进 MOSFET 技术适用于降低导通电阻，提供卓越的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正 (PFC) 和电子灯镇流器。

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1+
￥11.59
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￥9.72
30+
￥8.55
100+
￥7.35
500+
￥6.81
1000+
￥6.58

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型号：FQB4N80TM 编号：C467464

封装：D2PAK(TO-263)

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道增强型功率 MOSFET 是使用平面条纹和 DMOS 专属技术生产的。此先进 MOSFET 技术特别适用于降低导通电阻，提供出色的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正 (PFC) 和电子灯镇流器。

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1+
￥12.94
10+
￥10.9
30+
￥9.62
100+
￥8.31
500+
￥7.72
800+
￥7.46

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型号：FDP032N08B-F102 编号：C132714

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，该工艺适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。

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1+
￥17.16
10+
￥14.75
50+
￥12.01
100+
￥10.47
500+
￥9.77
800+
￥9.47

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型号：NTMFS5C404NLT1G 编号：C604432

封装：DFN-5(5x6)

品牌：onsemi(安森美)

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1+
￥17.75
10+
￥14.95
30+
￥13.19
100+
￥11.4
500+
￥10.59
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￥10.23

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型号：FDPF15N65 编号：C386784

封装：TO-220F

品牌：onsemi(安森美)

UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。此 MOSFET 适用于降低导通电阻，提供更好的开关性能以及更高的雪崩能量强度。此器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。

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1+
￥17.82
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￥15.1
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￥12.64
100+
￥10.9
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￥10.11
1000+
￥9.77

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型号：FDMS86350 编号：C2847346

封装：Power(5x6)

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。

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￥21.75
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￥18.43
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￥16.46
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￥14.46
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￥13.54
1000+
￥13.13

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型号：NTP055N65S3H 编号：C898809

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

SUPERFET III MOSFET是全新的高压超结（SJ）MOSFET系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。这种先进技术旨在最大限度地减少传导损耗，提供卓越的开关性能，并能承受极高的dv/dt速率。因此，SUPERFET III FAST MOSFET系列有助于缩小各种电源系统的尺寸并提高系统效率。

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