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价格(含税)

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1个N沟道耐压:800V 电流:6A

型号：FCD850N80Z 编号：C455150

封装：TO-252(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

SuperFET II MOSFET 是全新的高压超结 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻，以及更低门极电荷方面的卓越性能。此技术专用于最大程度降低导电损耗，提供卓越的开关性能、dv/dt 速率和更高的雪崩能量。另外，内部门极电源 ESD 二极管可承受 2kV 以上的 HBM 浪涌应力。因此，SuperFET II MOSFET 非常适用于开关电源应用，如音频、笔记本电脑适配器、照明、ATX 电源和工业电源应用。

数据手册

1+
￥16.8
10+
￥14.39
30+
￥12.88
100+
￥11.33
500+
￥8.79
1000+
￥8.48

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:300A

型号：FDB0170N607L 编号：C898536

封装：TO-263-7

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，该工艺特别适用于为工业应用最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的坚固性和开关性能。

数据手册

1+
￥21.35
10+
￥20.29
30+
￥19.66
100+
￥17.22

有货

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1个N沟道耐压:900V 电流:9A

型号：FQA9N90C-F109 编号：C2711

封装：TO-3PN

品牌：onsemi(安森美)

N沟道,900V,9A,1.4Ω@10V

数据手册

1+
￥29.74
10+
￥26.11
30+
￥20.06
90+
￥17.87
510+
￥16.87
1200+
￥16.41

有货

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2个N沟道耐压:60V 电流:295mA

型号：NTJD5121NT1G 编号：C15215

封装：SC-88

品牌：onsemi(安森美)

特性：低RDS(on)。低栅极阈值。低输入电容。静电放电保护栅极。这是无铅器件。应用：低端负载开关。 DC-DC转换器（降压和升压电路）

数据手册

10+
￥0.323
100+
￥0.2632
300+
￥0.2333
3000+
￥0.1901
6000+
￥0.1722
9000+
￥0.1632

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:1.5A

型号：NTR4503NT1G 编号：C94763

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

N沟道,30V

数据手册

5+
￥0.624
50+
￥0.5073
150+
￥0.449
500+
￥0.4053
3000+
￥0.3213
6000+
￥0.3038

有货

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2个N沟道耐压:30V 电流:29A

型号：FDMC007N30D 编号：C890918

封装：WDFN-8

品牌：onsemi(安森美)

此器件在一个双 Power33 (3 mm X 3 mm MLP) 封装中包括了两个特制的 N 沟道 MOSFET。开关节点已经内部联接，可实现同步降压转换器的轻松布置和布线。控制 MOSFET (Q1) 和同步 MOSFET (Q2) 可提供最佳功率能效。

数据手册

5+
￥1.5487
50+
￥1.3392
150+
￥1.2494
500+
￥1.1374
3000+
￥1.0875
6000+
￥1.0576

有货

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N沟道+P沟道耐压:30V 电流:2.5A

型号：FDC6333C 编号：C154557

封装：SuperSOT-6

品牌：onsemi(安森美)

此类 N 和 P 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。此类器件适用于无法采用更昂贵的 SO-8 和 TSSOP-8 封装的应用，可为其在非常小的占地面积中提供卓越的功率耗散。

数据手册

5+
￥1.6961
50+
￥1.3131
150+
￥1.1489
500+
￥0.944
3000+
￥0.8528
6000+
￥0.7981

有货

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1个N沟道+1个P沟道耐压:25V 电流:0.41A

型号：FDG6322C 编号：C112152

封装：SC-70-6

品牌：onsemi(安森美)

此类双 N 和 P 沟道逻辑电平增强型场效应晶体管是使用高单元密度的 DMOS 专属技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻。此器件专用于在低压应用中替代双极数字晶体管和小信号 MOSFET。因为无需偏置电阻，所以此类双数字 FET 可以替代若干具有各种偏置电阻值的数字晶体管。

数据手册

1+
￥2.52
10+
￥1.99
30+
￥1.76
100+
￥1.48
500+
￥1.35
1000+
￥1.28

有货

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1个N沟道耐压:200V 电流:1.1A

型号：FDC2612 编号：C157544

封装：TSOT-23-6

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 专为提高 DC/DC 转换器的总效率而设计，可以使用同步开关 PWM 控制器，也可以使用传统开关 PWM 控制器。它经过了优化，可实现低门极电荷、低 RDS(ON) 和快速开关。

数据手册

1+
￥2.74
10+
￥2.41
30+
￥2.25
100+
￥2.08
500+
￥1.99
1000+
￥1.94

有货

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1个P沟道耐压:20V 电流:3.5A

型号：FDC634P 编号：C236888

封装：TSOT-23-6

品牌：onsemi(安森美)

此 P 沟道 2.5V 指定 MOSFET 使用低压 PowerTrench 工艺。此产品非常适用于电池管理应用。

数据手册

1+
￥2.84
10+
￥2.54
30+
￥2.39
100+
￥2.24
500+
￥2.16
1000+
￥2.11

有货

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耐压:30V 电流:49A

型号：FDMS7656AS 编号：C891069

封装：Power-56-8

品牌：onsemi(安森美)

FDMS7656AS旨在最大限度地减少功率转换应用中的损耗。先进的硅技术和封装技术完美融合，在保持出色开关性能的同时，还能提供最低的r

1+
￥3.13
10+
￥2.78
30+
￥2.61
100+
￥2.44
500+
￥2.09
1000+
￥2.04

有货

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1个P沟道耐压:100V 电流:15A

型号：FDMC86139P 编号：C463243

封装：WDFN-8(3.3x3.3)

品牌：onsemi(安森美)

此 P 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻，并针对卓越的开关性能进行了优化。

数据手册

1+
￥5.68
10+
￥4.56
30+
￥3.99
100+
￥3.43
500+
￥3.1
1000+
￥2.92

有货

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1个N沟道耐压:100V 电流:17A

型号：NTD6416ANT4G 编号：C179616

封装：DPAK

品牌：onsemi(安森美)

特性：低RDS(on)。高电流能力。 100%雪崩测试。 NVD前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用；符合AEC-Q101标准且具备PPAP能力。这些器件无铅且符合RoHS标准

数据手册

1+
￥5.8
10+
￥5.2
30+
￥4.87
100+
￥4.49
500+
￥4.33

有货

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1个N沟道耐压:80V 电流:50A

型号：FDMS86310 编号：C606110

封装：Power-56-8

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 专用于提高 DC/DC 转换器的总能效以及最大程度降低其开关节点噪声，可以使用同步开关 PWM 控制器，也可以使用传统开关 PWM 控制器。它经过了优化，可实现低门极电荷、低 RDS(ON)、快速开关和体二极管逆向恢复功能。

数据手册

1+
￥7.6659 ￥11.11
10+
￥5.9649 ￥10.11
30+
￥4.6501 ￥9.49
100+
￥4.3365 ￥8.85
500+
￥4.1944 ￥8.56
1000+
￥4.1307 ￥8.43

有货

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1个N沟道耐压:500V 电流:11.5A

型号：FDB12N50TM 编号：C424482

封装：D2PAK

品牌：onsemi(安森美)

UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 工艺的高压 MOSFET 系列。此 MOSFET 适用于降低导通电阻，提供更佳的开关性能以及更高的雪崩能量强度。此器件系列适用于开关电力转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。

数据手册

1+
￥10.3
10+
￥8.67
30+
￥7.78
100+
￥6.77
500+
￥5
800+
￥4.79

有货

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1个P沟道耐压:100V 电流:22A

型号：FQB22P10TM 编号：C108357

封装：D2PAK

品牌：onsemi(安森美)

此 P 沟道增强型功率 MOSFET 是使用平面条纹和 DMOS 专属技术生产的。此先进 MOSFET 技术特别适用于降低导通电阻，提供出色的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。

数据手册

1+
￥10.64
10+
￥9.04
30+
￥8.16
100+
￥7.16
500+
￥6.72

有货

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1个N沟道耐压:100V 电流:70A

型号：FQA70N10 编号：C463486

封装：TO-3PN

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道增强型功率 MOSFET 是使用平面条纹和 DMOS 专属技术生产的。此先进 MOSFET 技术适用于降低导通电阻，提供卓越的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。

数据手册

1+
￥10.97
10+
￥9.4
30+
￥8.41
90+
￥6.82
510+
￥6.36
990+
￥6.16

有货

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1个N沟道耐压:100V 电流:50A

型号：FDD86110 编号：C455153

封装：DPAK(TO-252)

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。

数据手册

1+
￥12.7506 ￥16.14
10+
￥11.0442 ￥13.98
30+
￥9.9777 ￥12.63
100+
￥8.8875 ￥11.25
500+
￥8.3898 ￥10.62
1000+
￥8.1765 ￥10.35

有货

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1个N沟道耐压:200V 电流:39A

型号：FDP39N20 编号：C188507

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

UniFET™ MOSFET 基于平面条纹和 DMOS 技术，是高压 MOSFET 系列。该 MOSFET 旨在降低导通电阻，提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度。此系列器件适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示器 (FPD) 电视电源、ATX 和电子灯镇流器。

数据手册

1+
￥13.37
10+
￥12.35
50+
￥9.66
100+
￥9.01
500+
￥8.72
1000+
￥8.59

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:270mA

型号：NTS4001NT1G 编号：C116738

封装：SC-70(SOT-323)

品牌：onsemi(安森美)

这是一款 30 V N 沟道功率 MOSFET。

数据手册

10+
￥0.3777
100+
￥0.2944
300+
￥0.2527

有货

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1个N沟道耐压:20V 电流:285mA

型号：NTK3043NT1G 编号：C236245

封装：SOT-723

品牌：onsemi(安森美)

功率 MOSFET，20 V，285 mA，N 沟道，带 ESD 防护，SOT-723

数据手册

10+
￥0.4738
100+
￥0.3709
300+
￥0.3194
1000+
￥0.2808

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:310mA

型号：2N7002KW 编号：C266797

封装：SC-70

品牌：onsemi(安森美)

特性：低导通电阻。低栅极阈值电压。低输入电容。快速开关速度。低输入/输出泄漏。超小型表面贴装封装。这些器件无铅且符合RoHS标准。按照JESD22 A114，静电放电人体模型（HBM）为1000V。按照JESD22 C101，静电放电带电器件模型（CDM）为1500V

数据手册

5+
￥0.6717
50+
￥0.5374
150+
￥0.4703
500+
￥0.4199
3000+
￥0.3587
6000+
￥0.3386

有货

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2个N沟道耐压:20V 电流:540mA

型号：NTZD3154NT5G 编号：C896500

封装：SOT-563

品牌：onsemi(安森美)

这是一个 20 V N 沟道功率 MOSFET。

数据手册

5+
￥0.6978
50+
￥0.6188
150+
￥0.5793
500+
￥0.5496
2500+
￥0.5259
5000+
￥0.514

有货

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1个N沟道+1个P沟道耐压:20V 电流:220mA

型号：NTUD3169CZT5G 编号：C213059

封装：SOT-963-6

品牌：onsemi(安森美)

这是一款互补 20 V 小信号 MOSFET，采用 1.0 x 1.0 mm SOT-963 封装。

数据手册

5+
￥0.81434 ￥0.8572
50+
￥0.63954 ￥0.6732
150+
￥0.55214 ￥0.5812
500+
￥0.486495 ￥0.5121
2500+
￥0.412395 ￥0.4341
5000+
￥0.386175 ￥0.4065

有货

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1个P沟道耐压:20V 电流:1.3A

型号：NTR1P02LT1G 编号：C146716

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此类小型表面贴装 MOSFET 的 RDS(on) 可确保最小的功率损耗和节能，使得此类器件适用于空间敏感型电源管理电路。这些 P 沟道小信号 MOSFET 的典型应用为 DC-DC 转换器以及便携式和电池供电产品中的电源管理，如计算机、打印机、PCMCIA 卡、手机和无绳电话。

数据手册

5+
￥0.8211
50+
￥0.64
150+
￥0.5494
500+
￥0.4815

有货

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1个N沟道耐压:20V 电流:3.2A

型号：NVR4501NT1G 编号：C604631

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

汽车用功率 MOSFET。20V 3.2A 80 mΩ 单 N 沟道，SOT-23，逻辑电平。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。

数据手册

5+
￥0.923684 ￥1.7428
50+
￥0.66091 ￥1.537
150+
￥0.478104 ￥1.4488
500+
￥0.441804 ￥1.3388
3000+
￥0.425634 ￥1.2898
6000+
￥0.415932 ￥1.2604

有货

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1个P沟道耐压:60V 电流:1.25A

型号：FDN5618P 编号：C400792

封装：SOT-23-3

品牌：onsemi(安森美)

此 60V P 沟道 MOSFET 使用高压 PowerTrench 工艺。此产品非常适用于电源管理应用。

数据手册

5+
￥0.9596
50+
￥0.7438
150+
￥0.6514
500+
￥0.536
3000+
￥0.4846
6000+
￥0.4538

有货

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2个P沟道耐压:20V 电流:0.88A

型号：NTJD4152PT1G 编号：C236239

封装：SC-88

品牌：onsemi(安森美)

特性：领先的沟槽技术，实现低导通电阻性能。小尺寸封装（相当于SC70-6）。栅极具有ESD保护。 NV前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用；符合AEC-Q101标准且具备PPAP能力。这些是无铅器件。应用：负载/电源管理。充电电路

数据手册

5+
￥1.0523
50+
￥0.8502
150+
￥0.7635
500+
￥0.6554
3000+
￥0.5383
6000+
￥0.5094

有货

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1个P沟道耐压:60V 电流:1.1A

型号：NVR5124PLT1G 编号：C417287

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

汽车用功率 MOSFET。60V，230 mΩ，单 N 沟道逻辑电平，SOT?23 通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。

数据手册

5+
￥1.3433
50+
￥1.0637
150+
￥0.9439
500+
￥0.7944
3000+
￥0.7278
6000+
￥0.6879

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:2.1A

型号：MVGSF1N03LT1G 编号：C606035

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

汽车用功率 MOSFET，30V，2.1A，100mΩ，单 N 沟道，SOT-23。此类小型表面贴装 MOSFET 的 RDS(on) 可确保最小的功率损耗和节能，使得此类器件适用于空间敏感型电源管理电路。

数据手册

1+
￥3.1
10+
￥2.548 ￥2.8
30+
￥2.1465 ￥2.65
100+
￥2.0331 ￥2.51
500+
￥1.9602 ￥2.42
1000+
￥1.9197 ￥2.37

有货

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