安森美MOS驱动_厂家_价格_品牌_库存

封装：D2PAK

SuperFET MOSFET 是第一代高压超结 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻，以及更低门极电荷方面的卓越性能。此技术专用于最大程度降低导电损耗，提供卓越的开关性能、dv/dt 速率和更高的雪崩能量。因此，SuperFET MOSFET 非常适用于开关电源应用，如 PFC、服务器/电信电源、FPD TV 电源、ATX 电源和工业电源应用。

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￥13.36
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型号：FDP39N20 编号：C188507

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

UniFET™ MOSFET 基于平面条纹和 DMOS 技术，是高压 MOSFET 系列。该 MOSFET 旨在降低导通电阻，提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度。此系列器件适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示器 (FPD) 电视电源、ATX 和电子灯镇流器。

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型号：FDMS86101A 编号：C605041

封装：Power56-8

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持出色的开关性能。

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￥18.49
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型号：FDB0170N607L 编号：C898536

封装：TO-263-7

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，该工艺特别适用于为工业应用最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的坚固性和开关性能。

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￥21.35
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型号：FCH110N65F-F155 编号：C398042

封装：TO-247-3

品牌：onsemi(安森美)

SuperFET II MOSFET 是全新的高压超结 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻，以及更低门极电荷方面的卓越性能。此工艺专用于最大程度降低导电损耗，提供卓越的开关性能、dv/dt 速率和更高的雪崩能量。因此，SuperFET II MOSFET 非常适用于开关电源应用，如 PFC、服务器/电信电源、FPD TV 电源、ATX 电源和工业电源应用。SuperFET II FRFET MOSFET 优化的体二极管逆向恢复性能可以消除附加组件，提高系统可靠性。

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￥28.0024 ￥48.28
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￥20.1696 ￥42.02
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￥14.5198 ￥38.21
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￥13.3038 ￥35.01

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型号：NTJD5121NT1G 编号：C15215

封装：SC-88

品牌：onsemi(安森美)

特性：低RDS(on)。低栅极阈值。低输入电容。静电放电保护栅极。这是无铅器件。应用：低端负载开关。 DC-DC转换器（降压和升压电路）

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型号：NTR2101PT1G 编号：C168745

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

这是一款 8.0 V P 沟道功率 MOSFET。

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￥0.6985
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型号：FDN5630 编号：C236899

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 专为提高 DC/DC 转换器的总效率而设计，可以使用同步开关 PWM 控制器，也可以使用传统开关 PWM 控制器。此 MOSFET 可在很小的 SOT23 占地面积中提供极低 RDS(ON)。与具有相当的 RDS(ON) 规格的其他 MOSFET 相比，Fairchild 的 PowerTrench 技术可提供更快的开关速度。因此提高了总体效率，减小了板空间。

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型号：FDC655BN 编号：C201758

封装：SSOT-6

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道逻辑电平 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。此类器件非常适用于要求线内低功率损耗和快速开关的低压和电池供电应用。

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￥1.4755
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型号：FDN327N 编号：C154560

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此 20V N 沟道 MOSFET 使用高压 PowerTrench 工艺。此产品非常适用于电源管理应用。

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￥1.5651
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￥1.2224
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型号：FDMC7696 编号：C890948

封装：WDFN-8(3.3x3.3)

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻。此器件适用于笔记本电脑和便携式电池组中常见的电源管理和负载开关应用。

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￥2.28
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型号：NTMFS4C022NT1G 编号：C179623

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

功率 MOSFET，30 V，136A，1.7 mΩ，单 N 沟道，SO?8FL

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型号：FDD86381_F085 编号：C88401

封装：DPAK(TO-252)

品牌：onsemi(安森美)

特性：典型导通电阻RDS(on) = 16.2mΩ，VGS = 10V，ID = 25A。典型总栅极电荷Qg(tot) = 14nC，VGS = 10V，ID = 25A。具备UIS能力。符合RoHS标准。通过AEC Q101认证。应用：汽车发动机控制。动力总成管理

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型号：NTMFS4C302NT1G 编号：C511972

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

NTMFS4C302N 是一个单 N 沟道功率 MOSFET，占地面积小，适合紧凑设计。

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￥3.54
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型号：FDS4559 编号：C97044

封装：SO-8

品牌：onsemi(安森美)

此互补 MOSFET 器件是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持低门极电荷，实现卓越的开关性能。

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￥4.08
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￥3.01
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型号：FDD5N60NZTM 编号：C388427

封装：TO-252(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

UniFETTM II MOSFET 是基于先进的平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。此先进的 MOSFET 系列在平面 MOSFET 中具有最小的导通电阻，同时可提供出色的开关性能和更高的雪崩能量强度。另外，内部门极电源 ESD 二极管使得 UniFET II MOSFET 能够承受 2kV 以上的 HBM 浪涌应力。此器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。

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型号：ECH8697R-TL-W 编号：C606010

封装：SOT-28FL

品牌：onsemi(安森美)

此功率 MOSFET 导通电阻低。此器件适用于便携设备的电源开关等应用。最适合 1 至 2 节锂离子电池应用。

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￥4.75
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型号：FDMC510P 编号：C890933

封装：WDFN-8(3.3x3.3)

品牌：onsemi(安森美)

此P沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产，这一先进工艺已针对r

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型号：FDD850N10L 编号：C903586

封装：TO-252(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 是使用 PowerTrench 工艺生产的，适用于最大程度降低导通电阻，同时保持出色的开关性能。

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￥7.52
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型号：FQD8P10TM-F085 编号：C903743

封装：TO-252AA

品牌：onsemi(安森美)

此类 P 沟道增强型电场效应晶体管使用平面条纹 DMOS 专属工艺生产。此先进工艺特别适用于最大程度降低导通电阻，提供卓越的开关性能，可承受雪崩和换相模式下的高能量脉冲。此类器件非常适用于低压应用，如音频放大器、高效开关 DC/DC 转换器和直流电机控制。

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￥7.52
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￥5.41
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￥4.19

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型号：FQD19N10TM 编号：C903729

封装：DPAK

品牌：onsemi(安森美)

此N沟道增强型功率MOSFET采用专有平面条纹和DMOS技术生产。这种先进的MOSFET技术经过专门设计，可降低导通电阻，并提供出色的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。

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￥9.54
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￥6.13
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￥5.4

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型号：FDPF12N60NZ 编号：C36638

封装：TO-220F

品牌：onsemi(安森美)

UniFETTM II MOSFET 是基于先进的平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。此先进的 MOSFET 系列在平面 MOSFET 中具有最小的导通电阻，同时可提供卓越的开关性能和更高的雪崩能量强度。另外，内部门极电源 ESD 二极管使得 UniFET II MOSFET 可承受 2kV 以上的 HBM 电涌应力。此器件系列适用于开关电力转换器应用，如功率系数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。

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1+
￥10.04
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￥8.5
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￥7.03
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￥6.05
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￥5.6
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￥5.41

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型号：FDB12N50TM 编号：C424482

封装：D2PAK

品牌：onsemi(安森美)

UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 工艺的高压 MOSFET 系列。此 MOSFET 适用于降低导通电阻，提供更佳的开关性能以及更高的雪崩能量强度。此器件系列适用于开关电力转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。

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￥8.67
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￥7.78
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￥4.79

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型号：FCB260N65S3 编号：C604983

封装：TO-263-2

品牌：onsemi(安森美)

SUPERFET III MOSFET 是安森美半导体的全新高压超结 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻，以及更低门极电荷方面的卓越性能。此先进技术专用于最大程度降低导电损耗，提供卓越的开关性能，并且可以承受极端 dv/dt 速率。因此，SUPERFET III MOSFET Easy drive 系列有助于管理 EMI 问题，实现更简单的设计实施。

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￥10.998 ￥11.7
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￥9.0552 ￥10.78
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￥7.5554 ￥10.21
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￥7.1188 ￥9.62
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￥6.9264 ￥9.36
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￥6.8376 ￥9.24

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型号：FDD86110 编号：C455153

封装：DPAK(TO-252)

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。

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1+
￥16.12
10+
￥14.1
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￥12.83
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￥11.53
500+
￥10.94

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型号：FQA40N25 编号：C10877

封装：TO-3P

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道增强型功率 MOSFET 是使用平面条纹和 DMOS 专属技术生产的。此先进 MOSFET 技术适用于降低导通电阻，提供卓越的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、有源功率系数校正 (PFC) 和电子灯镇流器。

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1+
￥18.91
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￥16.06
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￥13.23
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￥11.41
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￥10.58
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￥10.23

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型号：FDMT800100DC 编号：C891112

封装：DualCool-88-8

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体先进的 PowerTrench 工艺生产。先进的硅技术和 Dual Cool

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1+
￥50.85
10+
￥43.99
30+
￥39.8
100+
￥36.3

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型号：2N7002LT3G 编号：C604945

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

特性：2V前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用。 AEC-Q101认证且具备生产件批准程序（PPAP）能力（2V7002L）。这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂，符合RoHS标准

数据手册

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￥0.3373
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￥0.2659
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￥0.2302
1000+
￥0.2034
5000+
￥0.182

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型号：NTS4409NT1G 编号：C152289

封装：SOT-323

品牌：onsemi(安森美)

小信号 MOSFET，25V，750mA，单 N 沟道，ESD 防护，SC?70/SOT?323

数据手册

5+
￥0.6326
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￥0.493
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￥0.4233
500+
￥0.371
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￥0.3291
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￥0.3082

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型号：NTR1P02T1G 编号：C129192

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

特性：超低导通电阻，提高效率并延长电池寿命：RDS(on) = 0.180Ω，VGS = -10V；RDS(on) = 0.280Ω，VGS = -4.5V。适用于便携式和电池供电产品的电源管理。微型SOT-23表面贴装封装，节省电路板空间。提供SOT-23封装安装信息。NVR前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。AEC-Q101认证且具备PPAP能力。应用：DC-DC转换器。计算机

数据手册

5+
￥0.6584
50+
￥0.5237
150+
￥0.4564
500+
￥0.4058
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￥0.3654
6000+
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