安森美MOS驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：NVATS5A112PLZT4G 编号：C556451

封装：TO-252-3

品牌：onsemi(安森美)

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1+
￥6.94
10+
￥5.84
30+
￥5.24
100+
￥4.56
500+
￥4.26
1000+
￥4.12

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型号：FQB5N90TM 编号：C463024

封装：D2PAK

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道增强型功率 MOSFET 是使用平面条纹和 DMOS 专属工艺生产的。此先进 MOSFET 技术适用于降低导通电阻，提供卓越的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正 (PFC) 和电子灯镇流器。

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1+
￥9.86
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￥9
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￥8.46
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￥7.9
500+
￥7.65
800+
￥7.54

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型号：FCB11N60TM 编号：C462722

封装：D2PAK

品牌：onsemi(安森美)

SuperFET MOSFET 是第一代高压超结 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻，以及更低门极电荷方面的卓越性能。此技术专用于最大程度降低导电损耗，提供卓越的开关性能、dv/dt 速率和更高的雪崩能量。因此，SuperFET MOSFET 非常适用于开关电源应用，如 PFC、服务器/电信电源、FPD TV 电源、ATX 电源和工业电源应用。

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1+
￥13.36
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￥11.25
30+
￥9.93
100+
￥8.58
500+
￥7.97
800+
￥7.7

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型号：FDP18N50 编号：C11768

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。此 MOSFET 适用于降低导通电阻，提供更佳的开关性能以及更高的雪崩能量强度。此器件系列适用于开关电力转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。

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1+
￥17.76
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￥15.38
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￥12.43
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￥10.9
500+
￥10.21
1000+
￥9.91

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型号：NTP055N65S3H 编号：C898809

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

SUPERFET III MOSFET是全新的高压超结（SJ）MOSFET系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。这种先进技术旨在最大限度地减少传导损耗，提供卓越的开关性能，并能承受极高的dv/dt速率。因此，SUPERFET III FAST MOSFET系列有助于缩小各种电源系统的尺寸并提高系统效率。

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1+
￥27.93
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￥24.09
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￥19.55
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￥17.24
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￥16.18
800+
￥15.7

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型号：2N7002LT3G 编号：C604945

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

特性：2V前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用。 AEC-Q101认证且具备生产件批准程序（PPAP）能力（2V7002L）。这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂，符合RoHS标准

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10+
￥0.3476
100+
￥0.2762
300+
￥0.2405
1000+
￥0.2137
5000+
￥0.1923

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型号：FDN352AP 编号：C154553

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此 P 沟道逻辑电平 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持低门极电荷，实现卓越的开关性能。此类器件特别适用于需要在非常小形的表面贴装封装中实现线路内低功率损耗的低压和电池供电应用。

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5+
￥0.9949
50+
￥0.8036
150+
￥0.7079
500+
￥0.6362
3000+
￥0.5389
6000+
￥0.5102

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型号：FDN5630 编号：C236899

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 专为提高 DC/DC 转换器的总效率而设计，可以使用同步开关 PWM 控制器，也可以使用传统开关 PWM 控制器。此 MOSFET 可在很小的 SOT23 占地面积中提供极低 RDS(ON)。与具有相当的 RDS(ON) 规格的其他 MOSFET 相比，Fairchild 的 PowerTrench 技术可提供更快的开关速度。因此提高了总体效率，减小了板空间。

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5+
￥1.2939
50+
￥1.0029
150+
￥0.8781
500+
￥0.7225
3000+
￥0.6532
6000+
￥0.6116

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型号：FDC655BN 编号：C201758

封装：SSOT-6

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道逻辑电平 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。此类器件非常适用于要求线内低功率损耗和快速开关的低压和电池供电应用。

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5+
￥1.4984
50+
￥1.2988
150+
￥1.2132
500+
￥1.1065
3000+
￥1.059
6000+
￥1.0304

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型号：FDN304PZ 编号：C73273

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此 P 沟道 1.8V 指定 MOSFET 使用先进的低压 PowerTrench 工艺。此产品非常适用于电池管理应用。

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5+
￥1.5324
50+
￥1.1897
150+
￥1.0428
500+
￥0.8596
3000+
￥0.778
6000+
￥0.729

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型号：NTNS3193NZT5G 编号：C179628

封装：X-LLGA-3

品牌：onsemi(安森美)

小信号 MOSFET，20 V，224 mA，单 N 沟道，0.62 x 0.62 x 0.4 mm XLLGA3 封装

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5+
￥1.6469
50+
￥1.469
150+
￥1.3928
500+
￥0.9657
2500+
￥0.9233
5000+
￥0.8979

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型号：FDN358P 编号：C24848

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此 P 沟道逻辑电平 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持低门极电荷，实现卓越的开关性能。此类器件非常适用于便携式电子应用：负载开关和电源管理、电池充电电路和 DC/DC 转换。

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5+
￥1.6991
50+
￥1.3171
150+
￥1.1534
500+
￥0.9491

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型号：FDC86244 编号：C3290085

封装：SSOT-6

品牌：onsemi(安森美)

这款N沟道MOSFET采用先进的POWERTRENCH工艺制造，该工艺集成了屏蔽栅技术。此工艺在导通电阻rDS(on)、开关性能和耐用性方面均进行了优化。

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5+
￥2.1796
50+
￥1.7241
150+
￥1.5289
500+
￥1.2853

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型号：FDMC7696 编号：C890948

封装：WDFN-8(3.3x3.3)

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻。此器件适用于笔记本电脑和便携式电池组中常见的电源管理和负载开关应用。

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1+
￥2.28
10+
￥1.77
30+
￥1.55
100+
￥1.28
500+
￥1.15
1000+
￥1.08

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型号：NTTFS5C454NLTAG 编号：C146707

封装：WDFN-8(3.3x3.3)

品牌：onsemi(安森美)

功率 MOSFET，40 V，3.8 mΩ，85 A，单 N 沟道

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1+
￥3.89
10+
￥3.16
30+
￥2.79
100+
￥2.3
500+
￥2.09
1500+
￥1.97

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型号：FDS4559 编号：C97044

封装：SO-8

品牌：onsemi(安森美)

此互补 MOSFET 器件是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持低门极电荷，实现卓越的开关性能。

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1+
￥4.2
10+
￥3.47
30+
￥3.16
100+
￥2.77
500+
￥2.6

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型号：FDMS8333L 编号：C330165

封装：PQFN-8(5x6)

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 专用于提高 DC-DC 转换器的总能效以及最大程度降低其开关节点噪声，可以使用同步开关 PWM 控制器，也可以使用传统开关 PWM 控制器。它经过了优化，可实现低门极电荷、低 RDS(ON)、快速开关和体二极管逆向恢复功能。

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1+
￥5.04
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￥4.09
30+
￥3.61
100+
￥3.14
500+
￥2.86
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￥2.71

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型号：FQD8P10TM-F085 编号：C903743

封装：TO-252AA

品牌：onsemi(安森美)

此类 P 沟道增强型电场效应晶体管使用平面条纹 DMOS 专属工艺生产。此先进工艺特别适用于最大程度降低导通电阻，提供卓越的开关性能，可承受雪崩和换相模式下的高能量脉冲。此类器件非常适用于低压应用，如音频放大器、高效开关 DC/DC 转换器和直流电机控制。

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1+
￥5.53
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￥4.97
30+
￥4.66
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￥4.31
500+
￥4.15

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型号：FDD5N60NZTM 编号：C388427

封装：TO-252(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

UniFETTM II MOSFET 是基于先进的平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。此先进的 MOSFET 系列在平面 MOSFET 中具有最小的导通电阻，同时可提供出色的开关性能和更高的雪崩能量强度。另外，内部门极电源 ESD 二极管使得 UniFET II MOSFET 能够承受 2kV 以上的 HBM 浪涌应力。此器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。

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1+
￥6.01
10+
￥4.78
30+
￥4.17
100+
￥3.56
500+
￥3.2
1000+
￥3.01

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型号：FDD3682 编号：C258218

封装：TO-252AA

品牌：onsemi(安森美)

N沟道 100V 32A

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1+
￥6.81
10+
￥5.73
30+
￥5.14
100+
￥4.47
500+
￥3.92

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型号：FQD2N90TM 编号：C424487

封装：TO-252AA

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道增强型功率 MOSFET 是使用平面条纹和 DMOS 专属技术生产的。此先进 MOSFET 技术适用于降低导通电阻，提供卓越的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正 (PFC) 和电子灯镇流器。

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1+
￥7.31
10+
￥6.19
30+
￥5.58
100+
￥4.88
500+
￥4.27
1000+
￥4.13

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型号：NVMFD5C466NLT1G 编号：C604565

封装：DFN-8(5x6)

品牌：onsemi(安森美)

适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，安装在 5x6mm 扁平引线封装中且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。AEC-Q101 认证 MOSFET 且具备生产件批准程序(PPAP) 功能，适用于汽车应用。

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1+
￥8.22
10+
￥7.49
30+
￥7.04
100+
￥6.57
500+
￥6.36

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型号：FDD86250 编号：C463461

封装：TO-252

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。

数据手册

1+
￥8.96
10+
￥7.34
30+
￥6.45
100+
￥5.45
500+
￥5
1000+
￥4.8

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型号：FQD19N10TM 编号：C903729

封装：DPAK

品牌：onsemi(安森美)

此N沟道增强型功率MOSFET采用专有平面条纹和DMOS技术生产。这种先进的MOSFET技术经过专门设计，可降低导通电阻，并提供出色的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。

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1+
￥10.06
10+
￥8.55
30+
￥7.61
100+
￥6.64
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￥6.11
1000+
￥5.92

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型号：FDP52N20 编号：C410937

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。此 MOSFET 适用于降低导通电阻，提供更佳的开关性能以及更高的雪崩能量强度。此器件系列适用于开关电力转换器应用，如功率系数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。

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1+
￥15.88
10+
￥13.8
30+
￥12.5
100+
￥9.02
500+
￥8.42
1000+
￥8.16

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型号：FCD850N80Z 编号：C455150

封装：TO-252(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

SuperFET II MOSFET 是全新的高压超结 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻，以及更低门极电荷方面的卓越性能。此技术专用于最大程度降低导电损耗，提供卓越的开关性能、dv/dt 速率和更高的雪崩能量。另外，内部门极电源 ESD 二极管可承受 2kV 以上的 HBM 浪涌应力。因此，SuperFET II MOSFET 非常适用于开关电源应用，如音频、笔记本电脑适配器、照明、ATX 电源和工业电源应用。

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