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2个N沟道耐压:25V 电流:0.68A

型号：FDC6303N 编号：C236887

封装：TSOT-23-6

品牌：onsemi(安森美)

此类双 N 沟道逻辑电平增强型场效应晶体管是使用高单元密度的 DMOS 专属技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻。此器件适合在低压应用中替代负载开关应用中的数字晶体管。因为无需偏置电阻，所以此类 N 沟道 FET 可以替代若干具有各种偏置电阻的数字晶体管，如 IMHxA 系列。

数据手册

1+
￥2.61
10+
￥2.09
30+
￥1.86
100+
￥1.58
500+
￥1.45
1000+
￥1.37

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:6.1A

型号：FDS5351 编号：C241809

封装：SO-8

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。

数据手册

1+
￥2.67
10+
￥2.35
30+
￥2.19
100+
￥2.04
500+
￥1.94
1000+
￥1.89

有货

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N沟道+P沟道耐压:30V 电流:2.6A

型号：NTGD4167CT1G 编号：C140582

封装：TSOP-6

品牌：onsemi(安森美)

功率 MOSFET，互补，30V，+2.9/-2.2 A，TSOP-6 双

数据手册

1+
￥2.84
10+
￥2.28
30+
￥2.04
100+
￥1.74
500+
￥1.53
1000+
￥1.45

有货

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1个N沟道耐压:20V 电流:750mA

型号：MVGSF1N02LT1G 编号：C463102

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

汽车用功率 MOSFET。此类小型表面贴装 MOSFET 的 RDS(on) 可确保最小的功率损耗和节能，使得此类器件适用于空间敏感型功率管理电路。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。

数据手册

1+
￥3.42
10+
￥2.72
30+
￥2.38
100+
￥2.03
500+
￥1.82
1000+
￥1.72

有货

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耐压:30V 电流:21A

型号：FDMS7670 编号：C891071

封装：Power-56-8

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 专为提高 DC/DC 转换器的总能效以及最大程度降低其开关节点噪声而设计，可以使用同步开关 PWM 控制器，也可以使用传统开关 PWM 控制器。它经过了优化，可实现低门极电荷、低 RDS(ON)、快速开关和体二极管逆向恢复功能。

数据手册

1+
￥3.6414 ￥5.78
10+
￥2.7878 ￥5.26
30+
￥2.1371 ￥4.97
100+
￥1.9995 ￥4.65
500+
￥1.935 ￥4.5
1000+
￥1.9092 ￥4.44

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:3A

型号：NTF3055-100T1G 编号：C146718

封装：SOT-223

品牌：onsemi(安森美)

适用于电源、转换器、功率电机控制和桥式电路中的低压高速开关应用。

数据手册

1+
￥3.79
10+
￥3.05
30+
￥2.73
100+
￥2.33
500+
￥1.9
1000+
￥1.79

有货

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1个N沟道耐压:200V 电流:5A

型号：FDD7N20TM 编号：C241784

封装：TO-252(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 工艺的高压 MOSFET 系列。此 MOSFET 适用于降低导通电阻，提供更佳的开关性能以及更高的雪崩能量强度。此器件系列适用于开关电力转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。

数据手册

1+
￥5.38
10+
￥4.39
30+
￥3.9
100+
￥3.41
500+
￥2.99
1000+
￥2.83

有货

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NVATS5A112PLZT4G

型号：NVATS5A112PLZT4G 编号：C556451

封装：TO-252-3

品牌：onsemi(安森美)

数据手册

1+
￥6.18
10+
￥5.08
30+
￥4.48
100+
￥3.8
500+
￥3.5
1000+
￥3.36

有货

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1个N沟道耐压:650V 电流:13A

型号：NTD250N65S3H 编号：C2902164

封装：DPAK

品牌：onsemi(安森美)

SUPERFET III MOSFET是全新的高压超结（SJ）MOSFET产品系列，采用电荷平衡技术，具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。这项先进技术旨在最大限度地降低传导损耗，提供卓越的开关性能，并能承受极高的dv/dt速率。因此，SUPERFET III FAST MOSFET系列有助于缩小各类电源系统的体积并提高系统效率

数据手册

1+
￥7.35
10+
￥6.11
30+
￥5.43
100+
￥4.28
500+
￥3.94
1000+
￥3.79

有货

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1个N沟道耐压:800V 电流:6.6A

型号：FQPF7N80C 编号：C467788

封装：TO-220F

品牌：onsemi(安森美)

此N沟道增强型功率MOSFET采用专有平面条纹和DMOS技术生产。这种先进的MOSFET技术经过特别设计，可降低导通电阻，并提供出色的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正（PFC）和电子灯镇流器。

1+
￥7.91
10+
￥7.24
50+
￥6.34
100+
￥5.91
500+
￥5.72
1000+
￥5.63

有货

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1个N沟道耐压:150V 电流:79A

型号：FDP2532 编号：C606056

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

N 沟道，PowerTrench MOSFET，150 V，79 A，16 mΩ

数据手册

1+
￥14.85
10+
￥12.53
30+
￥11.08
100+
￥9.59
500+
￥8.92
800+
￥8.63

有货

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1个N沟道耐压:650V 电流:36A

型号：NTB095N65S3HF 编号：C898798

封装：D2PAK

品牌：onsemi(安森美)

SUPERFET III MOSFET是利用电荷平衡技术的全新高压超结（SJ）MOSFET系列，具有出色的低导通电阻和较低的栅极电荷性能。这种先进技术旨在最大限度地降低传导损耗，提供卓越的开关性能，并能承受极高的dv/dt速率。因此，SUPERFET III MOSFET非常适合用于各种追求小型化和更高效率的电源系统。SUPERFET III FRFET MOSFET的体二极管经过优化的反向恢复性能可以减少额外元件并提高系统可靠性。

数据手册

1+
￥18.57
10+
￥15.89
30+
￥13.71
100+
￥12.09
500+
￥11.35
800+
￥11.01

有货

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1个N沟道耐压:500V 电流:24A

型号：FDA24N50F 编号：C898137

封装：TO-3PN

品牌：onsemi(安森美)

UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。此 MOSFET 适用于降低导通电阻，提供更佳的开关性能以及更高的雪崩能量强度。UniFET FRFET MOSFET 的体二极管的逆向恢复性能由于终生控制而得以提高。其 trr 小于 100nsec，逆向 dv/dt 抗扰度为 15V/ns，而普通 MOSFET 的这两个指标分别为 200nsec 和4.5V/nsec 以上。因此，在 MOSFET 体二极管的性能非常重要的某些应用中，它可以消除附加组件，提高系统可靠性。此器件系列适用于开关电力转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。

数据手册

1+
￥25.65
10+
￥21.65
30+
￥19.27
90+
￥16.86
450+
￥15.75
900+
￥15.25

有货

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1个N沟道耐压:80V 电流:36A 254A

型号：FDMT80080DC 编号：C463720

封装：DualCool-88-8

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的。同时结合了硅和 Dual Cool 封装技术的发展，可提供最低的 rDS(on)，因为具有极低的结到环境热阻，同时可保持卓越的开关性能。

数据手册

1+
￥26.95
10+
￥23.06
30+
￥20.75
100+
￥18.41

有货

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1个N沟道耐压:650V 电流:40A

型号：NTHL067N65S3H 编号：C2902088

封装：TO-247

品牌：onsemi(安森美)

SUPERFET III MOSFET是全新的高压超结（SJ）MOSFET系列，采用电荷平衡技术，具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。这项先进技术旨在最大程度降低传导损耗，提供卓越的开关性能，并能承受极高的dv/dt速率。因此，SUPERFET III MOSFET FAST系列有助于缩小各类电源系统的体积并提高系统效率

数据手册

1+
￥29.54
10+
￥25.04
30+
￥22.36
90+
￥19.65
510+
￥18.4
990+
￥17.83

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:310mA

型号：NTR5103NT1G 编号：C152469

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

小信号 MOSFET，60 V，310mA，单 N 沟道，SOT-23

数据手册

10+
￥0.2602
100+
￥0.2074
300+
￥0.181
3000+
￥0.1612
6000+
￥0.1454
9000+
￥0.1375

有货

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1个N沟道+1个P沟道耐压:20V 电流:220mA

型号：NTUD3169CZT5G 编号：C213059

封装：SOT-963-6

品牌：onsemi(安森美)

这是一款互补 20 V 小信号 MOSFET，采用 1.0 x 1.0 mm SOT-963 封装。

数据手册

5+
￥0.6076
50+
￥0.5309
150+
￥0.4926
500+
￥0.4638
2500+
￥0.418
5000+
￥0.4065

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:1.13A

型号：NTR4502PT1G 编号：C12325

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

P沟道,-30V,-1.95A,200mΩ@-10V

数据手册

5+
￥0.7007
50+
￥0.5567
150+
￥0.4847
500+
￥0.4307
3000+
￥0.3397
6000+
￥0.318

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:1.2A

型号：NTS4173PT1G 编号：C894090

封装：SC-70-3

品牌：onsemi(安森美)

这是一个 30 V P 沟道功率 MOSFET。

数据手册

5+
￥1.1594
50+
￥0.9398
150+
￥0.8456
500+
￥0.7282
3000+
￥0.6498

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:2.7A

型号：FDN359AN 编号：C236898

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道逻辑电平 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。此类器件非常适用于要求线内低功率损耗和快速开关的低压和电池供电应用。

数据手册

5+
￥1.584
50+
￥1.2818
150+
￥1.1523
500+
￥0.8946
3000+
￥0.8227
6000+
￥0.7795

有货

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1个P沟道耐压:20V 电流:2.4A

型号：FDN304PZ 编号：C73273

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此 P 沟道 1.8V 指定 MOSFET 使用先进的低压 PowerTrench 工艺。此产品非常适用于电池管理应用。

数据手册

5+
￥1.6875
50+
￥1.3448
150+
￥1.1979
500+
￥1.0146
3000+
￥0.933
6000+
￥0.884

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:1.5A

型号：FDN358P 编号：C24848

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此 P 沟道逻辑电平 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持低门极电荷，实现卓越的开关性能。此类器件非常适用于便携式电子应用：负载开关和电源管理、电池充电电路和 DC/DC 转换。

数据手册

5+
￥1.8157
50+
￥1.4074
150+
￥1.2325
500+
￥1.0142

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:4.7A

型号：NTGS4111PT1G 编号：C15740

封装：SC-88

品牌：onsemi(安森美)

功率 MOSFET， -30 V，-4.7 A，单 P 沟道，TSOP-6

数据手册

5+
￥2.0253
50+
￥1.6325
150+
￥1.4641
500+
￥1.2541
3000+
￥0.9096
6000+
￥0.8535

有货

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1个N沟道耐压:100V 电流:1.7A

型号：FQT7N10LTF 编号：C154506

封装：SOT-223

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道增强型功率 MOSFET 是使用安森美半导体的平面条纹和 DMOS 专属技术生产的。此先进 MOSFET 技术特别适用于降低导通电阻，提供出色的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。

数据手册

1+
￥3.97
10+
￥3.16
30+
￥2.76
100+
￥2.36
500+
￥1.9
1000+
￥1.77

有货

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耐压:40V 电流:50A

型号：FDD9510L-F085 编号：C605023

封装：DPAK(TO-252)

品牌：onsemi(安森美)

特性：典型 RDS(on) = 11 mΩ，VGS = -10V，ID = -50A。典型 Qg(tot) = 28 nC，VGS = -10V，ID = -50A。UIS 能力。符合 AEC Q101 标准。这些器件无铅且符合 RoHS 标准。应用：汽车发动机控制。动力总成管理

数据手册

1+
￥4.09
10+
￥3.62
30+
￥3.38
100+
￥2.99
500+
￥2.85
1000+
￥2.78

有货

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耐压:150V 电流:3A

型号：FDMC2523P 编号：C890927

封装：Power33-8

品牌：onsemi(安森美)

这些P沟道MOSFET增强型功率场效应晶体管采用仙童半导体公司专有的平面条形DMOS技术制造。这项先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合音频放大器、高效开关式DC/DC转换器和直流电机控制等低电压应用

数据手册

1+
￥4.87
10+
￥3.88
30+
￥3.38
100+
￥2.89
500+
￥2.59
1000+
￥2.44

有货

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1个N沟道耐压:100V 电流:15.6A

型号：FQD19N10LTM 编号：C241839

封装：DPAK

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道增强型功率 MOSFET 是使用平面条纹和 DMOS 专属技术生产的。此先进 MOSFET 技术特别适用于降低导通电阻，提供出色的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。

数据手册

1+
￥6.1728 ￥6.43
10+
￥4.558 ￥5.3
30+
￥3.5948 ￥4.73
100+
￥3.1692 ￥4.17
500+
￥2.9184 ￥3.84
1000+
￥2.7816 ￥3.66

有货

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1个N沟道耐压:900V 电流:1.7A

型号：FQD2N90TM 编号：C424487

封装：TO-252AA

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道增强型功率 MOSFET 是使用平面条纹和 DMOS 专属技术生产的。此先进 MOSFET 技术适用于降低导通电阻，提供卓越的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正 (PFC) 和电子灯镇流器。

数据手册

1+
￥6.44
10+
￥5.32
30+
￥4.71
100+
￥4.02
500+
￥3.4
1000+
￥3.26

有货

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1个N沟道耐压:650V 电流:4.6A

型号：FCD5N60TM 编号：C435887

封装：TO-252AA

品牌：onsemi(安森美)

SuperFET MOSFET 是第一代高压超结 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻，以及更低门极电荷方面的卓越性能。此工艺专用于最大程度降低导电损耗，提供卓越的开关性能、dv/dt 速率和更高的雪崩能量。因此，SuperFET MOSFET 非常适用于开关电源应用，如 PFC、服务器/电信电源、FPD TV 电源、ATX 电源和工业电源应用。

数据手册

1+
￥7.55
10+
￥6.18
30+
￥5.43
100+
￥4.58
500+
￥4.2
1000+
￥4.03

有货

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1个P沟道耐压:60V 电流:27A

型号：FQB27P06TM 编号：C898640

封装：TO-263(D2PAK)

品牌：onsemi(安森美)

此 P 沟道增强型功率 MOSFET 是使用平面条纹和 DMOS 专属工艺生产的。此先进 MOSFET 技术适用于降低导通电阻，提供卓越的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。

数据手册

1+
￥10.59
10+
￥8.92
30+
￥7.88
100+
￥6.8
500+
￥6.32
800+
￥6.11

有货

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