安森美MOS驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：FDS2582 编号：C455164

封装：SO-8

品牌：onsemi(安森美)

N 沟道，PowerTrench MOSFET，150 V，4.1 A，66mΩ

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1+
￥7.34
10+
￥6.03
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￥5.31
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￥4.5
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￥4.14
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￥3.98

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型号：FDD850N10L 编号：C903586

封装：TO-252(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 是使用 PowerTrench 工艺生产的，适用于最大程度降低导通电阻，同时保持出色的开关性能。

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1+
￥8
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￥6.76
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￥6.08
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￥4.66
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￥4.32
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型号：FDPF12N60NZ 编号：C36638

封装：TO-220F

品牌：onsemi(安森美)

UniFETTM II MOSFET 是基于先进的平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。此先进的 MOSFET 系列在平面 MOSFET 中具有最小的导通电阻，同时可提供卓越的开关性能和更高的雪崩能量强度。另外，内部门极电源 ESD 二极管使得 UniFET II MOSFET 可承受 2kV 以上的 HBM 电涌应力。此器件系列适用于开关电力转换器应用，如功率系数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。

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￥14.02
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￥11.92
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￥9.9
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￥8.54
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￥7.93
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￥7.67

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型号：FDP20N50F 编号：C899149

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。此 MOSFET 适用于降低导通电阻，提供更佳的开关性能以及更高的雪崩能量强度。UniFET FRFET MOSFET 的体二极管的逆向恢复性能由于终生控制而得以提高。其 trr 小于 100nsec，逆向 dv/dt 抗扰度为 15V/ns，而普通 MOSFET 的这两个指标分别为 200nsec 和 4.5V/nsec 以上。因此，在 MOSFET 体二极管的性能非常重要的某些应用中，它可以消除附加组件，提高系统可靠性。此器件系列适用于开关电力转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。

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￥17.7
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￥15.01
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￥13.41
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￥11.79
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￥11.04
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￥10.7

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型号：NTB25P06T4G 编号：C223555

封装：D2PAK

品牌：onsemi(安森美)

此功率 MOSFET 适用于承受雪崩和换相模式下的高能量。此类器件针对电源、转换器和电源电机控制中的低压、高速开关应用而设计，尤其适用于二极管速度和换相安全运行区域非常关键的桥式电路，可针对非预期的瞬时电压提供附加安全裕度。

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￥18.08
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￥15.22
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￥13.43
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￥11.59
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￥10.77
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型号：FCH072N60F 编号：C352884

封装：TO-247

品牌：onsemi(安森美)

SuperFET II MOSFET 是全新的高压超结 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻，以及更低门极电荷方面的卓越性能。此技术专用于最大程度降低导电损耗，提供卓越的开关性能、dv/dt 速率和更高的雪崩能量。因此，SuperFET II MOSFET 非常适用于开关电源应用，如 PFC、服务器/电信电源、FPD TV 电源、ATX 电源和工业电源应用。SuperFET II FRFET MOSFET 优化的体二极管反向恢复性能可以消除附加组件，提高系统可靠性。

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￥22.58
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￥19.67
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￥16.28
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￥14.53
450+
￥13.73
900+
￥13.36

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型号：NTA4153NT1G 编号：C190020

封装：SC-75(SOT-523)

品牌：onsemi(安森美)

小信号 MOSFET，20 V，915 mA，单 N 沟道，带 ESD 防护，SC-75 和 SC-89

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￥0.4788
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￥0.3732
150+
￥0.3204
500+
￥0.2808
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￥0.2491

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型号：NTS4101PT1G 编号：C68182

封装：SOT-323

品牌：onsemi(安森美)

P 沟道,-20V,-1.37A,-83mΩ@-4.5V

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5+
￥0.6273
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￥0.5215
150+
￥0.4686
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￥0.429

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型号：FDN337N 编号：C241805

封装：SOT-23-3

品牌：onsemi(安森美)

SuperSOT-3 N 沟道逻辑电平增强型电场效应晶体管是使用高单元密度的 DMOS 专属技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻。此类器件特别适用于笔记本电脑、手机、PCMCIA 卡和其他电池供电电路等低压应用，在此类应用中需要在非常小形的表面贴装封装中实现快速开关和线路内低功率损耗。

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￥0.9242
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￥0.6506
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￥0.5821
3000+
￥0.5274
6000+
￥0.5

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型号：NTZS3151PT1G 编号：C236118

封装：SOT-563

品牌：onsemi(安森美)

这是一款 20 V P 沟道功率 MOSFET。

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￥1.2288
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￥0.8973
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2500+
￥0.499
4000+
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型号：NDS332P 编号：C258217

封装：SOT-23-3

品牌：onsemi(安森美)

此类 P 沟道逻辑电平增强型电场效应晶体管是使用 Fairchild 的高单元密度 DMOS 专属技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻。此类器件特别适用于笔记本电脑电源管理、便携式电子设备和其他电池供电电路等低压应用，在此类应用中需要在非常小形的表面贴装封装中实现快速高压侧开关和线路内低功率损耗。

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￥1.7961
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￥1.4297
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￥1.2726
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￥1.0767
3000+
￥0.9894
6000+
￥0.9371

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型号：NTGS5120PT1G 编号：C393374

封装：TSOP-6

品牌：onsemi(安森美)

功率 MOSFET，60V，P 沟道，TSOP6

数据手册

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￥1.9604
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￥1.5821
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￥1.4199
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￥1.2176
3000+
￥1.1276
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￥1.0735

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型号：NVR5198NLT3G 编号：C896862

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

汽车用功率 MOSFET，60V，155 mΩ，单 N 沟道，逻辑电平，SOT?23 AEC-Q101 认证 MOSFET 且具备生产件批准程序(PPAP) 功能，适用于汽车应用。

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￥2.02
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￥1.75
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￥1.63
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￥1.49
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￥1.42
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￥1.38

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型号：FDS5351 编号：C241809

封装：SO-8

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。

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￥2.89
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￥2.58
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￥2.42
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￥2.26
500+
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￥2.12

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型号：NVTFS6H880NTAG 编号：C604652

封装：WDFN-8(3.3x3.3)

品牌：onsemi(安森美)

适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，采用 3x3mm 扁平引线封装，且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。

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￥3.51
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￥2.8
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￥2.45
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￥2.11
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￥1.9

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型号：NDT3055L 编号：C274612

封装：SOT-223

品牌：onsemi(安森美)

这些逻辑电平 N 沟道增强型功率场效应晶体管采用专有的高单元密度 DMOS 技术制造。这种超高密度工艺经过专门设计，可最大限度降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件特别适用于低压应用，如直流电机控制和 DC/DC 转换，在这些应用中需要快速开关、低线路功耗和抗瞬态能力

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￥4.21
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￥3.41
30+
￥3.01
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￥2.61
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￥2.38
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￥2.25

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型号：FDD390N15A 编号：C903565

封装：TO-252(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体先进的 Power Trench

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￥5.23
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￥3.87
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￥3.01

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型号：FQPF7N80C 编号：C467788

封装：TO-220F

品牌：onsemi(安森美)

此N沟道增强型功率MOSFET采用专有平面条纹和DMOS技术生产。这种先进的MOSFET技术经过特别设计，可降低导通电阻，并提供出色的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正（PFC）和电子灯镇流器。

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型号：NVD5C684NLT4G 编号：C236252

封装：DPAK

品牌：onsemi(安森美)

适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，安装在 DPAK 封装中且具有较高的热性能。AEC-Q101 认证 MOSFET 且具备生产件批准程序(PPAP) 功能，适用于汽车应用。

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￥10.59
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￥6.09
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￥5.61
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￥5.39

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型号：FDP030N06B-F102 编号：C898579

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，该工艺适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。

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￥11.32
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￥9.63
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￥8.57
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￥7.49
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型号：NTD360N80S3Z 编号：C887706

封装：TO-252

品牌：onsemi(安森美)

800 V SUPERFET III MOSFET是安森美半导体的高性能MOSFET系列，提供800 V的击穿电压。全新的800 V SUPERFET III MOSFET针对反激式转换器的初级开关进行了优化，凭借其优化设计，在不牺牲EMI性能的前提下，可降低开关损耗和外壳温度。此外，内部齐纳二极管显著提高了ESD能力

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￥9.02
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￥7.86
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￥7.34
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￥7.11

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型号：FDPF15N65 编号：C386784

封装：TO-220F

品牌：onsemi(安森美)

UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。此 MOSFET 适用于降低导通电阻，提供更好的开关性能以及更高的雪崩能量强度。此器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。

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￥17.82
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￥12.64
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￥10.9
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￥9.77

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型号：FDMS86101A 编号：C605041

封装：Power56-8

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持出色的开关性能。

数据手册

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￥18.49
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￥13.49
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￥11.61
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￥10.74
1000+
￥10.35

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型号：FCP099N65S3 编号：C516097

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

SUPERFET III MOSFET 是安森美半导体的全新高压超结 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻，以及更低门极电荷方面的卓越性能。此先进技术专用于最大程度降低导电损耗，提供卓越的开关性能，并且可以承受极端 dv/dt 速率。因此，SUPERFET III MOSFET Easy drive 系列有助于管理 EMI 问题，实现更简单的设计实施。

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1+
￥20.68
10+
￥17.59
50+
￥15.75
100+
￥13.89
500+
￥13.03
1000+
￥12.65

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型号：NTE4151PT1G 编号：C236236

封装：SC-89

品牌：onsemi(安森美)

小信号 MOSFET -20 V，-540 mA，单 P 沟道，门极齐纳，SC-75 和 SC-89

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10+
￥0.3847
100+
￥0.3047
300+
￥0.2647
3000+
￥0.2347

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型号：NTZD3154NT1G 编号：C145189

封装：SOT-563

品牌：onsemi(安森美)

这是一个 20 V N 沟道功率 MOSFET。

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24000+
￥0.4572
48000+
￥0.44958
96000+
￥0.43815
192000+
￥0.4191

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型号：MGSF1N02LT1G 编号：C236202

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此类小型表面贴装 MOSFET 的 RDS(on) 可确保最小的功率损耗和节能，使得此类器件适用于空间敏感型电源管理电路。典型应用为 DC-DC 转换器以及便携式和电池供电产品中的电源管理，如计算机、打印机、PCMCIA 卡、手机和无绳电话。

数据手册

5+
￥1.4166
50+
￥1.1231
150+
￥0.9973
500+
￥0.8404
3000+
￥0.6773
6000+
￥0.6354

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型号：FDN359AN 编号：C236898

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道逻辑电平 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。此类器件非常适用于要求线内低功率损耗和快速开关的低压和电池供电应用。

数据手册

5+
￥1.4641
50+
￥1.1617
150+
￥1.0321
500+
￥0.7742
3000+
￥0.7022
6000+
￥0.659

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型号：FDC6303N 编号：C236887

封装：TSOT-23-6

品牌：onsemi(安森美)

此类双 N 沟道逻辑电平增强型场效应晶体管是使用高单元密度的 DMOS 专属技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻。此器件适合在低压应用中替代负载开关应用中的数字晶体管。因为无需偏置电阻，所以此类 N 沟道 FET 可以替代若干具有各种偏置电阻的数字晶体管，如 IMHxA 系列。

数据手册

1+
￥2.56
10+
￥2.03
30+
￥1.81
100+
￥1.52
500+
￥1.4
1000+
￥1.32

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型号：FDD86381_F085 编号：C88401

封装：DPAK(TO-252)

品牌：onsemi(安森美)

特性：典型导通电阻RDS(on) = 16.2mΩ，VGS = 10V，ID = 25A。典型总栅极电荷Qg(tot) = 14nC，VGS = 10V，ID = 25A。具备UIS能力。符合RoHS标准。通过AEC Q101认证。应用：汽车发动机控制。动力总成管理

1+
￥2.7
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￥2.41
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￥2.26
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￥2.11
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￥1.79
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