安森美MOS驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：2N7002K 编号：C114458

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

N 沟道小信号 MOSFET 60V 380mA 1.6 Ω

数据手册

10+
￥0.4294
100+
￥0.357
300+
￥0.3208
3000+
￥0.2936
6000+
￥0.2719

有货

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型号：NTK3043NT1G 编号：C236245

封装：SOT-723

品牌：onsemi(安森美)

功率 MOSFET，20 V，285 mA，N 沟道，带 ESD 防护，SOT-723

数据手册

10+
￥0.4821
100+
￥0.3817
300+
￥0.3314
1000+
￥0.2938
4000+
￥0.2636

有货

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型号：NDS0610 编号：C83570

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此 P 沟道增强型场效应晶体管是使用 Fairchild 的高单元密度 DMOS 专属技术生产的。这种极高密度工艺可最大程度地降低导通电阻，提供了坚固可靠的性能和快速的开关。NDS0610 可用于最高要求 120mA DC 的大多数应用，可以提供高达 1 A 的电流，且工作量极小。此产品尤其适用于需要低电流高压侧开关的低压应用。

数据手册

5+
￥0.5612
50+
￥0.4572
150+
￥0.4053
500+
￥0.3663
3000+
￥0.2971
6000+
￥0.2816

有货

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型号：NTA4153NT1G 编号：C190020

封装：SC-75(SOT-523)

品牌：onsemi(安森美)

小信号 MOSFET，20 V，915 mA，单 N 沟道，带 ESD 防护，SC-75 和 SC-89

数据手册

5+
￥0.6224
50+
￥0.4851
150+
￥0.4165
500+
￥0.365
3000+
￥0.3238

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型号：2N7002KW 编号：C266797

封装：SC-70

品牌：onsemi(安森美)

特性：低导通电阻。低栅极阈值电压。低输入电容。快速开关速度。低输入/输出泄漏。超小型表面贴装封装。这些器件无铅且符合RoHS标准。按照JESD22 A114，静电放电人体模型（HBM）为1000V。按照JESD22 C101，静电放电带电器件模型（CDM）为1500V

数据手册

5+
￥0.6502
50+
￥0.5267
150+
￥0.4649
500+
￥0.4186
3000+
￥0.3623
6000+
￥0.3438

有货

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型号：NTR1P02LT3G 编号：C896854

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此类小型表面贴装 MOSFET 的 RDS(on) 可确保最小的功率损耗和节能，使得此类器件适用于空间敏感型电源管理电路。这些 P 沟道小信号 MOSFET 的典型应用为 DC-DC 转换器以及便携式和电池供电产品中的电源管理，如计算机、打印机、PCMCIA 卡、手机和无绳电话。

数据手册

5+
￥0.7206
50+
￥0.5439
150+
￥0.4555
500+
￥0.3893
2500+
￥0.3266
5000+
￥0.3

有货

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型号：NTZD3155CT1G 编号：C236117

封装：SOT-563

品牌：onsemi(安森美)

特性：领先的沟槽技术，实现低导通电阻（RDS(on)）性能。高效的系统性能。低阈值电压。静电放电（ESD）保护栅极。小尺寸封装，尺寸为 1.6×1.6mm。这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂，符合 RoHS 标准。应用：DC-DC 转换电路。带电平转换的负载/电源开关

数据手册

5+
￥0.9066
50+
￥0.7165
150+
￥0.6214
500+
￥0.5501
2500+
￥0.493
4000+
￥0.4645

有货

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型号：FDN357N 编号：C241807

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

SuperSOT-3 N 沟道逻辑电平增强型电场效应晶体管是使用高单元密度的 DMOS 专属技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻。此类器件特别适用于笔记本电脑、手机、PCMCIA 卡和其他电池供电电路等低压应用，在此类应用中需要在非常小形的表面贴装封装中实现快速开关和线路内低功率损耗。

数据手册

5+
￥1.5522
50+
￥1.2306
150+
￥1.0928
500+
￥0.8244
3000+
￥0.7478
6000+
￥0.7019

有货

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型号：FDMS8333L 编号：C330165

封装：PQFN-8(5x6)

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 专用于提高 DC-DC 转换器的总能效以及最大程度降低其开关节点噪声，可以使用同步开关 PWM 控制器，也可以使用传统开关 PWM 控制器。它经过了优化，可实现低门极电荷、低 RDS(ON)、快速开关和体二极管逆向恢复功能。

数据手册

1+
￥4.71
10+
￥3.75
30+
￥3.28
100+
￥2.81
500+
￥2.53
1000+
￥2.38

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型号：NVGS5120PT1G 编号：C604548

封装：TSOP-6

品牌：onsemi(安森美)

适用于低功率应用的汽车用功率 MOSFET。-60V -2.9A，111 Ω，单 P 沟道，TSOP-6，逻辑电平。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。

数据手册

1+
￥4.88
10+
￥4.38
30+
￥4.1
100+
￥3.78
500+
￥3.64
1000+
￥3.58

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型号：FDD8444 编号：C10869

封装：TO-252(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

数据手册

1+
￥5.3
10+
￥4.22
30+
￥3.68
100+
￥3.14
500+
￥2.82
1000+
￥2.66

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型号：NVTFS5C673NLTAG 编号：C604646

封装：WDFN-8(3x3)

品牌：onsemi(安森美)

适用于紧凑和高能效设计的汽车用功率 MOSFET，采用 3x3mm 扁平引线封装且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。

数据手册

1+
￥6.12
10+
￥4.89
30+
￥4.28
100+
￥3.67
500+
￥3.31
1500+
￥3.12

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型号：FDS3672 编号：C274238

封装：SO-8

品牌：onsemi(安森美)

N 沟道，PowerTrench MOSFET，100V，7.5A，22mΩ

数据手册

1+
￥6.68
10+
￥5.6
30+
￥5.01
100+
￥4.34
500+
￥4.04
1000+
￥3.9

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型号：FDS2582 编号：C455164

封装：SO-8

品牌：onsemi(安森美)

N 沟道，PowerTrench MOSFET，150 V，4.1 A，66mΩ

数据手册

1+
￥7.17
10+
￥5.87
30+
￥5.15
100+
￥4.34
500+
￥3.98
1000+
￥3.82

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型号：NVMFS5C673NLAFT1G 编号：C606161

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，安装在 5x6mm 扁平引线封装中且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。AEC-Q101 认证 MOSFET 且具备生产件批准程序(PPAP) 功能，适用于汽车应用。

数据手册

1+
￥7.32
10+
￥6.17
30+
￥5.54
100+
￥4.83
500+
￥4.51

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型号：FQB12P20TM 编号：C898636

封装：TO-263(D2PAK)

品牌：onsemi(安森美)

此 P 沟道增强型功率 MOSFET 是使用平面条纹和 DMOS 专属技术生产的。此先进 MOSFET 技术适用于降低导通电阻，提供卓越的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。

数据手册

1+
￥10.78
10+
￥9.08
30+
￥8.02
100+
￥6.93
500+
￥6.43
800+
￥6.22

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型号：NTD360N80S3Z 编号：C887706

封装：TO-252

品牌：onsemi(安森美)

800 V SUPERFET III MOSFET是安森美半导体的高性能MOSFET系列，提供800 V的击穿电压。全新的800 V SUPERFET III MOSFET针对反激式转换器的初级开关进行了优化，凭借其优化设计，在不牺牲EMI性能的前提下，可降低开关损耗和外壳温度。此外，内部齐纳二极管显著提高了ESD能力

数据手册

1+
￥11.23
10+
￥9.42
30+
￥8.29
100+
￥7.12
500+
￥6.6
1000+
￥6.37

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型号：FQB22P10TM 编号：C108357

封装：D2PAK

品牌：onsemi(安森美)

此 P 沟道增强型功率 MOSFET 是使用平面条纹和 DMOS 专属技术生产的。此先进 MOSFET 技术特别适用于降低导通电阻，提供出色的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。

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1+
￥11.31
10+
￥9.81
30+
￥8.86
100+
￥7.9
500+
￥7.46
800+
￥7.27

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型号：NVMFS5113PLWFT1G 编号：C604583

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

特性：低RDS(on)以最小化传导损耗。高电流能力。规定雪崩能量。可焊侧翼产品。NVM前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用；符合AEC-Q101标准，具备生产件批准程序(PPAP)能力。这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂(BFR)，符合RoHS标准

数据手册

1+
￥12.7776 ￥14.52
10+
￥10.4364 ￥13.38
30+
￥8.6156 ￥12.67
100+
￥8.1192 ￥11.94
500+
￥7.8948 ￥11.61
1500+
￥7.7996 ￥11.47

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型号：NVMFS5A160PLZT1G 编号：C604586

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

特性：小尺寸封装（5 x 6 mm），适用于紧凑设计。低导通电阻（RDS(on)），可降低传导损耗。可选择可焊侧翼选项，便于光学检测。通过AEC-Q101认证，可提供PPAP文件。无铅且符合RoHS标准

数据手册

1+
￥15.21
10+
￥14.46
30+
￥14.01
100+
￥11.53

有货

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型号：FDP18N50 编号：C11768

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。此 MOSFET 适用于降低导通电阻，提供更佳的开关性能以及更高的雪崩能量强度。此器件系列适用于开关电力转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。

数据手册

1+
￥16.4
10+
￥14.02
50+
￥11.06
100+
￥9.54
500+
￥8.85
1000+
￥8.55

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型号：FDP20N50F 编号：C899149

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。此 MOSFET 适用于降低导通电阻，提供更佳的开关性能以及更高的雪崩能量强度。UniFET FRFET MOSFET 的体二极管的逆向恢复性能由于终生控制而得以提高。其 trr 小于 100nsec，逆向 dv/dt 抗扰度为 15V/ns，而普通 MOSFET 的这两个指标分别为 200nsec 和 4.5V/nsec 以上。因此，在 MOSFET 体二极管的性能非常重要的某些应用中，它可以消除附加组件，提高系统可靠性。此器件系列适用于开关电力转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。

数据手册

1+
￥17.7
10+
￥15.01
50+
￥13.41
100+
￥11.79
500+
￥11.04
1000+
￥10.7

有货

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型号：FQA9N90C-F109 编号：C2711

封装：TO-3PN

品牌：onsemi(安森美)

N沟道,900V,9A,1.4Ω@10V

数据手册

1+
￥30.04
10+
￥26.29
30+
￥20.05
90+
￥17.79
510+
￥16.75
1200+
￥16.28

有货

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型号：NDS0605 编号：C124476

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此 P 沟道增强型电场效应晶体管是使用 Fairchild 的高单元密度 DMOS 专属技术生产的。这种极高密度工艺可最大程度地降低导通电阻，提供了坚固可靠的性能和快速的开关。NDS0605 可用于最高要求 0.18A DC 的大多数应用，可以提供高达 1 A 的脉冲电流，且工作量极小。此产品尤其适用于需要低电流高压侧开关的低压应用。

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