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首页 > 热门关键词 > 安森美MOS驱动
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此 N 沟道逻辑电平 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的,特别适用于最大程度降低导通电阻,同时保持卓越的开关性能。此类器件非常适用于要求线内低功率损耗和快速开关的低压和电池供电应用。
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  • 1+

    ¥3.29
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    ¥2.02
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    ¥1.83
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  • P沟 -30V -13A
    数据手册
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      ¥3.59
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      ¥2.78
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      ¥2.43
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      ¥2
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  • N沟道,600V,1.9A,4.7Ω@10V
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      ¥3.88
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      ¥2.68
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      ¥2.58
  • 有货
  • 功率 MOSFET -60 V,-15.5 A,单 P 沟道 DPAK
    数据手册
    • 1+

      ¥4.68
    • 10+

      ¥3.73
    • 30+

      ¥3.25
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      ¥2.78
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      ¥2.35
  • 有货
  • 适用于低压高速开关应用,且可承受雪崩和换相模式下的高能量。 源极到漏极二极管恢复时间与分立快速恢复二极管相当。
    数据手册
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      ¥4.98
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      ¥3.98
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      ¥2.55
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  • P 沟道,-30V,-5.2A,100mΩ@-30V
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      ¥5.1
    • 10+

      ¥4.07
    • 30+

      ¥3.56
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      ¥3.05
    • 500+

      ¥2.74
    • 1000+

      ¥2.58
  • 有货
  • UltraFET 器件结合了各种特性,可在电源转换应用中提供标杆式效率。此类器件针对 Rds(on)、低 ESR、低总电荷和 Miller 门极电荷而优化,适用于高频 DC/DC 转换器。
    数据手册
    • 1+

      ¥5.23
    • 10+

      ¥4.19
    • 30+

      ¥3.68
    • 100+

      ¥3.16
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      ¥2.85
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      ¥2.7
  • 有货
  • 功率 MOSFET -20 V,-4.1 A 双 P 沟道 ChipFET
    数据手册
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      ¥6.2
    • 10+

      ¥5.03
    • 30+

      ¥4.44
    • 100+

      ¥3.86
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      ¥3.51
    • 1000+

      ¥3.33
  • 有货
  • N 沟道,60V,16A,16mΩ@10V
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      ¥9.5
    • 10+

      ¥7.95
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    • 100+

      ¥6.14
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      ¥5.23
    • 1000+

      ¥5.04
  • 有货
  • SUPERFET III MOSFET 是安森美半导体的全新高压超结 (SJ) MOSFET 系列,利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻,以及更低门极电荷方面的卓越性能。此先进技术专用于最大程度降低导电损耗,提供卓越的开关性能,并且可以承受极端 dv/dt 速率。因此,SUPERFET III MOSFET Easy drive 系列有助于管理 EMI 问题,实现更简单的设计实施。
    数据手册
    • 1+

      ¥23.05
    • 10+

      ¥19.96
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      ¥15.01
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  • 这是一款 30 V N 沟道功率 MOSFET。
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      ¥0.3017
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      ¥0.2647
    • 3000+

      ¥0.235
    • 6000+

      ¥0.2202
  • 有货
  • 这是一个 30 V N 沟道功率 MOSFET。
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      ¥0.2887
  • 有货
  • 功率 MOSFET,60V,155 mΩ,单 N 沟道,逻辑电平,SOT?23
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      ¥0.9538
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      ¥0.5401
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  • 此类双 N 沟道逻辑电平增强型场效应晶体管是使用专属的高单元密度 DMOS 技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻。此器件专用于在低压应用中替代双极数字晶体管和小信号 MOSFET。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.0263
    • 50+

      ¥0.8071
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      ¥0.7131
    • 500+

      ¥0.5959
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      ¥0.4925
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      ¥0.4611
  • 有货
  • 此类 N 和 P 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的,特别适用于最大程度降低导通电阻,同时保持卓越的开关性能。此类器件适用于无法采用更昂贵的 SO-8 和 TSSOP-8 封装的应用,可为其在非常小的占地面积中提供卓越的功率耗散。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.14
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    • 1000+

      ¥1.49
  • 有货
  • 功率 MOSFET,40 V,1.4 mΩ,200 A,单 N 沟道
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    • 500+

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  • 有货
  • 功率 MOSFET,40 V,3.8 mΩ,85 A,单 N 沟道
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    • 1+

      ¥3.75
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  • 这一N沟道MOSFET器件采用飞兆半导体的高级PowerTrench工艺生产,该工艺专为实现r
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    • 1+

      ¥4.51
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    • 1000+

      ¥2.27
  • 有货
  • 此 N 沟道增强型功率 MOSFET 是使用平面条纹和 DMOS 专属技术生产的。此先进 MOSFET 技术特别适用于降低导通电阻,提供出色的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正 (PFC) 和电子灯镇流器。
    数据手册
    • 1+

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    • 1000+

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  • 有货
  • N沟道 100V 32A
    数据手册
    • 1+

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    • 1000+

      ¥3.24
  • 有货
  • UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。此 MOSFET 适用于降低导通电阻,提供更佳的开关性能以及更高的雪崩能量强度。此器件系列适用于开关电力转换器应用,如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。
    数据手册
    • 1+

      ¥7.3
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    • 800+

      ¥4.27
  • 有货
  • 该器件在双MLP封装中包括有两个专门的N沟道MOSFET。在内部已连接了开关节点,以便于同步降压转换器的布局和路由。 控制 MOSFET (Q1)和同步 SyncFET (Q2) 旨在提供优化的功效。
    数据手册
    • 1+

      ¥7.77
    • 10+

      ¥6.46
    • 30+

      ¥5.74
    • 100+

      ¥4.93
    • 500+

      ¥4.57
    • 1000+

      ¥4.4
  • 有货
  • 此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench工艺生产的,该工艺结合了屏蔽门极技术。此工艺经过了优化,可最大程度降低导通电阻,同时可保持卓越的开关性能。
    数据手册
    • 1+

      ¥7.88
    • 10+

      ¥6.48
    • 30+

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    • 100+

      ¥4.84
    • 500+

      ¥4.45
    • 1000+

      ¥4.28
  • 有货
  • 此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的,该工艺适用于最大程度降低导通电阻,同时保持卓越的开关性能。
    数据手册
    • 1+

      ¥9.02
    • 10+

      ¥7.42
    • 30+

      ¥6.54
    • 100+

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    • 500+

      ¥5.1
    • 1000+

      ¥4.9
  • 有货
  • N沟道,900V,4A,4.2Ω@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥9.71
    • 10+

      ¥8.18
    • 50+

      ¥6.83
    • 100+

      ¥5.88
    • 500+

      ¥5.45
    • 1000+

      ¥5.26
  • 有货
  • 适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET,安装在 DPAK 封装中且具有较高的热性能。AEC-Q101 认证 MOSFET 且具备生产件批准程序(PPAP) 功能,适用于汽车应用。
    数据手册
    • 1+

      ¥10.42
    • 10+

      ¥8.65
    • 30+

      ¥7.68
    • 100+

      ¥5.92
    • 500+

      ¥5.43
    • 1000+

      ¥5.21
  • 有货
  • 此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的,该工艺适用于最大程度降低导通电阻,同时保持卓越的开关性能。
    数据手册
    • 1+

      ¥13.99
    • 10+

      ¥11.86
    • 50+

      ¥10.05
    • 100+

      ¥8.69
    • 500+

      ¥8.07
    • 800+

      ¥7.8
  • 有货
  • UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。此 MOSFET 适用于降低导通电阻,提供更佳的开关性能以及更高的雪崩能量强度。UniFET FRFET MOSFET 的体二极管的反向恢复性能由于终生控制而得以提高。其 trr 小于 100nsec,反向 dv/dt 抗扰度为15V/ns,而普通 MOSFET 的这两个指标分别为 200nsec 和4.5V/nsec 以上。因此,在 MOSFET 体二极管的性能非常重要的某些应用中,它可以消除附加组件,提高系统可靠性。此器件系列适用于开关电力转换器应用,如功率系数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。
    数据手册
    • 1+

      ¥16.54
    • 10+

      ¥13.88
    • 30+

      ¥12.21
    • 100+

      ¥10.5
    • 450+

      ¥9.72
    • 900+

      ¥9.39
  • 有货
  • SuperFET II MOSFET 是全新的高压超结 (SJ) MOSFET 系列,利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻,以及更低门极电荷方面的卓越性能。此技术专用于最大程度降低导电损耗,提供卓越的开关性能、dv/dt 速率和更高的雪崩能量。另外,内部门极电源 ESD 二极管可承受 2kV 以上的 HBM 浪涌应力。因此,SuperFET II MOSFET 非常适用于开关电源应用,如音频、笔记本电脑适配器、照明、ATX 电源和工业电源应用。
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    • 1+

      ¥16.8
    • 10+

      ¥14.39
    • 30+

      ¥12.88
    • 100+

      ¥11.33
    • 500+

      ¥8.79
    • 1000+

      ¥8.48
  • 有货
  • 此功率 MOSFET 适用于承受雪崩和换相模式下的高能量。此类器件针对电源、转换器和电源电机控制中的低压、高速开关应用而设计,尤其适用于二极管速度和换相安全运行区域非常关键的桥式电路,可针对非预期的瞬时电压提供附加安全裕度。
    数据手册
    • 1+

      ¥18.08
    • 10+

      ¥15.22
    • 30+

      ¥13.43
    • 100+

      ¥11.59
    • 500+

      ¥10.77
    • 800+

      ¥10.41
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