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价格(含税)

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1个P沟道耐压:50V 电流:0.13A

型号：BSS84 编号：C266796

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道增强型 MOSFET 是使用高单元密度的沟槽 MOSFET 技术生产的。这种极高密度工艺可最大程度地降低导通电阻，提供强固可靠的性能和快速开关。BSS84 可以最小的损耗用于最高要求 0.13 A DC 的大多数应用，可提供高达 0.52 A 的电流。此产品尤其适合需要低电流高边开关的低压应用。

数据手册

10+
￥0.5142
100+
￥0.4182
300+
￥0.3702
3000+
￥0.3092
6000+
￥0.2804
9000+
￥0.266

有货

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1个N沟道耐压:20V 电流:1.3A

型号：NDS331N 编号：C192741

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此类 N 沟道逻辑电平增强型电场效应晶体管是使用 Fairchild 的高单元密度 DMOS 专属技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻。此类器件特别适用于笔记本电脑、手机、PCMCIA 卡和其他电池供电电路等低压应用，在此类应用中需要在非常小形的表面贴装封装中实现快速开关和线路内低功率损耗。

数据手册

5+
￥0.9838
50+
￥0.7765
150+
￥0.6876
500+
￥0.5768
3000+
￥0.5274
6000+
￥0.4978

有货

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2个N沟道耐压:50V 电流:0.51A

型号：NDC7002N 编号：C114648

封装：SuperSOT-6

品牌：onsemi(安森美)

此类双 N 沟道增强型电场效应晶体管是使用 Fairchild 的高单元密度 DMOS 专属技术生产的。这种极高密度工艺可最大程度地降低导通电阻，提供了坚固可靠的性能和快速的开关。此类器件尤其适用于需要低电流高压侧开关的低压应用。

数据手册

5+
￥1.509
50+
￥1.1929
150+
￥1.0574
500+
￥0.8795
3000+
￥0.8042

有货

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1个N沟道耐压:20V 电流:8A

型号：FDN327N 编号：C154560

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此 20V N 沟道 MOSFET 使用高压 PowerTrench 工艺。此产品非常适用于电源管理应用。

数据手册

5+
￥1.6172
50+
￥1.2759
150+
￥1.1296
500+
￥0.9471
3000+
￥0.8658

有货

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耐压:30V 电流:230A

型号：NTMFS4C302NT1G 编号：C511972

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

NTMFS4C302N 是一个单 N 沟道功率 MOSFET，占地面积小，适合紧凑设计。

数据手册

1+
￥3.5
10+
￥2.79
30+
￥2.43
100+
￥2.08
500+
￥1.87
1500+
￥1.76

有货

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1个P沟道耐压:60V 电流:12A

型号：NTP2955G 编号：C236248

封装：ITO-220AB-3

品牌：onsemi(安森美)

P沟道 -60V -12A

数据手册

1+
￥3.61
10+
￥2.87
50+
￥2.55
100+
￥2.15
500+
￥1.98
1000+
￥1.87

有货

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1个N沟道耐压:600V 电流:4.5A

型号：FCD900N60Z 编号：C352877

封装：TO-252(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

SuperFET II MOSFET是全新的高压超结（SJ）MOSFET系列，采用电荷平衡技术，具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。该技术旨在最大程度降低传导损耗，提供卓越的开关性能、dv/dt速率和更高的雪崩能量。因此，SuperFET II MOSFET非常适用于开关电源应用，如功率因数校正（PFC）、服务器/电信电源、平板电视电源、ATX电源和工业电源应用

数据手册

1+
￥4.58
10+
￥3.77
30+
￥3.37
100+
￥2.98
500+
￥2.74
1000+
￥2.61

有货

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1个N沟道耐压:100V 电流:35A

型号：FDD86102LZ 编号：C111627

封装：DPAK(TO-252)

品牌：onsemi(安森美)

N沟道,100V,35A,22.5mΩ@10V

数据手册

1+
￥4.61
10+
￥3.7
30+
￥3.25
100+
￥2.8
500+
￥2.37
1000+
￥2.23

有货

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1个N沟道耐压:200V 电流:5A

型号：FDD7N20TM 编号：C241784

封装：TO-252(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 工艺的高压 MOSFET 系列。此 MOSFET 适用于降低导通电阻，提供更佳的开关性能以及更高的雪崩能量强度。此器件系列适用于开关电力转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。

数据手册

1+
￥5.38
10+
￥4.39
30+
￥3.9
100+
￥3.41
500+
￥2.99
1000+
￥2.83

有货

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1个P沟道耐压:40V 电流:40A

型号：FDD4685 编号：C258227

封装：DPAK(TO-252)

品牌：onsemi(安森美)

此 P 沟道 MOSFET 是使用 PowerTrench 专属技术生产的，可提供低 rDS(on) 和良好的开关特性，为应用带来出色性能。

数据手册

1+
￥5.52
10+
￥4.53
30+
￥4.03
100+
￥3.31
500+
￥3.01
1000+
￥2.86

有货

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1个N沟道耐压:250V 电流:16A

型号：FQD16N25CTM 编号：C415866

封装：DPAK

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道增强型功率 MOSFET 是使用平面条纹和 DMOS 专属技术生产的。此先进 MOSFET 技术特别适用于降低导通电阻，提供出色的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正 (PFC) 和电子灯镇流器。

数据手册

1+
￥5.77
10+
￥4.68
30+
￥4.14
100+
￥3.6
500+
￥3.28
1000+
￥3.11

有货

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2个N沟道耐压:100V 电流:4.5A

型号：FDS3992 编号：C512899

封装：SO-8

品牌：onsemi(安森美)

特性：rDS(ON) = 54mΩ（典型值），VGS = 10V，ID = 4.5A。 Qg(tot) = 11nC（典型值），VGS = 10V。低米勒电荷。低QRR体二极管。高频下效率优化。 UIS能力（单脉冲和重复脉冲）。应用：DC/DC转换器和离线UPS。分布式电源架构和VRM

数据手册

1+
￥6.99
10+
￥6.36
30+
￥5.97
100+
￥5.57
500+
￥5.38
1000+
￥5.3

有货

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N沟道功率沟槽MOSFET，80V，100A，3.9mΩ

型号：FDMS039N08B 编号：C891043

封装：Power-56

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，该工艺适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。

数据手册

1+
￥8.86
10+
￥7.37
30+
￥6.55
100+
￥5.63
500+
￥5.22
1000+
￥5.03

有货

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N沟道耐压:80V 电流:130A

型号：FDMS86350 编号：C2847346

封装：Power(5x6)

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。

数据手册

1+
￥14.0012 ￥24.14
10+
￥9.9936 ￥20.82
30+
￥7.163 ￥18.85
100+
￥6.403 ￥16.85
500+
￥6.0534 ￥15.93
1000+
￥5.8976 ￥15.52

有货

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1个N沟道耐压:100V 电流:55A

型号：FQP55N10 编号：C899378

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

这是一款N沟道增强型功率MOSFET，采用专有平面条纹和DMOS技术。该先进MOSFET技术经过特别设计，可降低导通电阻，并提供出色的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。

数据手册

1+
￥15.55
10+
￥13.36
50+
￥9.97
100+
￥8.57
500+
￥7.93
1000+
￥7.66

有货

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1个N沟道耐压:400V 电流:23A

型号：FDA24N40F 编号：C898136

封装：TO-3PN

品牌：onsemi(安森美)

UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。此 MOSFET 适用于降低导通电阻，提供更佳的开关性能以及更高的雪崩能量强度。UniFET FRFET MOSFET 的体二极管的反向恢复性能由于终生控制而得以提高。其 trr 小于 100nsec，反向 dv/dt 抗扰度为15V/ns，而普通 MOSFET 的这两个指标分别为 200nsec 和4.5V/nsec 以上。因此，在 MOSFET 体二极管的性能非常重要的某些应用中，它可以消除附加组件，提高系统可靠性。此器件系列适用于开关电力转换器应用，如功率系数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。

数据手册

1+
￥17.97
10+
￥15.3
30+
￥13.63
100+
￥11.92
450+
￥11.15
900+
￥10.82

有货

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1个N沟道耐压:500V 电流:28A

型号：FDA28N50 编号：C105685

封装：TO-3P-3

品牌：onsemi(安森美)

UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。此 MOSFET 适用于降低导通电阻，提供更佳的开关性能以及更高的雪崩能量强度。此器件系列适用于开关电力转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。

数据手册

1+
￥20.8
10+
￥17.87
30+
￥16.14
90+
￥14.38
450+
￥13.57
900+
￥13.2

有货

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1个N沟道耐压:650V 电流:20A

型号：NTHL190N65S3HF 编号：C898284

封装：TO-247

品牌：onsemi(安森美)

SUPERFET III MOSFET 是安森美半导体的全新高压超结 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻，以及更低门极电荷方面的卓越性能。此先进工艺专用于最大程度降低导电损耗，提供卓越的开关性能，并且可以承受极端 dv/dt 速率。因此，SUPERFET III MOSFET 适用于各种电源系统，实现系统小型化和更高能效。SUPERFET III FRFET MOSFET 优化的体二极管逆向恢复性能可以消除附加组件，提高系统可靠性。

数据手册

1+
￥33.03
10+
￥28.56
30+
￥25.9
90+
￥23.21

有货

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1个N沟道耐压:650V 电流:35A

型号：FCH110N65F-F155 编号：C398042

封装：TO-247-3

品牌：onsemi(安森美)

SuperFET II MOSFET 是全新的高压超结 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻，以及更低门极电荷方面的卓越性能。此工艺专用于最大程度降低导电损耗，提供卓越的开关性能、dv/dt 速率和更高的雪崩能量。因此，SuperFET II MOSFET 非常适用于开关电源应用，如 PFC、服务器/电信电源、FPD TV 电源、ATX 电源和工业电源应用。SuperFET II FRFET MOSFET 优化的体二极管逆向恢复性能可以消除附加组件，提高系统可靠性。

数据手册

1+
￥37.6584 ￥48.28
10+
￥32.7756 ￥42.02
30+
￥29.8038 ￥38.21
100+
￥27.3078 ￥35.01

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:4.7A

型号：NTGS4111PT1G 编号：C15740

封装：SC-88

品牌：onsemi(安森美)

功率 MOSFET， -30 V，-4.7 A，单 P 沟道，TSOP-6

数据手册

5+
￥2.0253
50+
￥1.6325
150+
￥1.4641
500+
￥1.2541
3000+
￥0.9096
6000+
￥0.8535

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:2A

型号：FDG315N 编号：C905055

封装：SC-70-6

品牌：onsemi(安森美)

这款N沟道逻辑电平MOSFET采用先进的PowerTrench工艺制造，该工艺经过特别优化，可最大程度降低导通电阻，同时保持出色的开关性能。这些器件非常适合需要低在线功率损耗和快速开关的低压及电池供电应用。

数据手册

1+
￥2.29
10+
￥2
30+
￥1.88
100+
￥1.73
500+
￥1.48
1000+
￥1.44

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:136A

型号：NTMFS4C022NT1G 编号：C179623

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

功率 MOSFET，30 V，136A，1.7 mΩ，单 N 沟道，SO?8FL

数据手册

1+
￥2.83
10+
￥2.28
30+
￥2.05
100+
￥1.76
500+
￥1.63
1500+
￥1.55

有货

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1个N沟道耐压:100V 电流:19A

型号：NTD6416ANLT4G 编号：C114874

封装：TO-252-2(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

功率 MOSFET 100V 19A 74 mΩ 单 N 沟道，DPAK，逻辑电平

数据手册

1+
￥4.27
10+
￥3.48
30+
￥3.09
100+
￥2.69
500+
￥2.14
1000+
￥2.01

有货

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2个P沟道耐压:20V 电流:4.1A

型号：NTHD4102PT1G 编号：C275999

封装：SMD-8P

品牌：onsemi(安森美)

功率 MOSFET -20 V，-4.1 A 双 P 沟道 ChipFET

数据手册

1+
￥4.71
10+
￥3.82
30+
￥3.37
100+
￥2.93
500+
￥2.67
1000+
￥2.53

有货

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1个P沟道耐压:20V 电流:18A

型号：FDMC510P 编号：C890933

封装：WDFN-8(3.3x3.3)

品牌：onsemi(安森美)

此P沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产，这一先进工艺已针对r

数据手册

1+
￥5.47
10+
￥4.44
30+
￥3.93
100+
￥3.42
500+
￥2.97
1000+
￥2.82

有货

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1个N沟道耐压:40V 电流:145A

型号：FDD8444 编号：C10869

封装：TO-252(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

数据手册

1+
￥5.9
10+
￥4.82
30+
￥4.28
100+
￥3.74
500+
￥3.42
1000+
￥3.26

有货

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1个N沟道耐压:250V 电流:33A

型号：FDB33N25TM 编号：C241752

封装：D2PAK(TO-263)

品牌：onsemi(安森美)

UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。此 MOSFET 适用于降低导通电阻，提供更佳的开关性能以及更高的雪崩能量强度。此器件系列适用于开关电力转换器应用，如功率系数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。

数据手册

1+
￥6.69
10+
￥5.52
30+
￥4.94
100+
￥3.36
500+
￥3.01
800+
￥2.83

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:50A

型号：NVMFS5C673NLAFT1G 编号：C606161

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，安装在 5x6mm 扁平引线封装中且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。AEC-Q101 认证 MOSFET 且具备生产件批准程序(PPAP) 功能，适用于汽车应用。

数据手册

1+
￥6.89
10+
￥5.74
30+
￥5.11
100+
￥4.4
500+
￥4.08

有货

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1个N沟道耐压:150V 电流:4.1A

型号：FDS2582 编号：C455164

封装：SO-8

品牌：onsemi(安森美)

N 沟道，PowerTrench MOSFET，150 V，4.1 A，66mΩ

数据手册

1+
￥7.34
10+
￥6.03
30+
￥5.31
100+
￥4.5
500+
￥4.14
1000+
￥3.98

有货

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1个N沟道耐压:100V 电流:15.7A

型号：FDD850N10L 编号：C903586

封装：TO-252(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 是使用 PowerTrench 工艺生产的，适用于最大程度降低导通电阻，同时保持出色的开关性能。

数据手册

1+
￥8
10+
￥6.76
30+
￥6.08
100+
￥4.66
500+
￥4.32
1000+
￥4.17

有货

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